JPS62161778A - 置換シクロプロパン誘導体の製造法 - Google Patents
置換シクロプロパン誘導体の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、置換シクロプロパン誘導体の製造法に関する
。
。
まず、本発明の主題は、次式1
%式%
の3−ホルミル−4−メチルペンタ−3−エン−1−酸
から出発する次式V (ここでWは水素原子又はキラルであってよいアルコー
ルR1OHの残基R4を表わす)の化合物を製造する方
法にあり、この方法は、無水条件下に3−ホルミル−4
−メチルペンタ−3−エン−1−酸を有機溶媒中でハロ
ゲン化リチウムLiXの存在下に水素酸HX(ここでX
はハロゲン原子を表わす)と反応させて次式■の化合物
を得、これをアキラルなアルコールR1OHと反応させ
て次式■ のラセミ形化合物(これは誘導体■と同様にテトラヒド
ロフランの4と5の置換基の間でtrans立体配置を
有する)を得るか、成るいはキラルなアルコールR1O
Hと反応させて式■の化合物を二つの所期のジアステレ
オマーの混合物の形で得、この混合物は物理的方法によ
ってその成分に分離することができ、次いでR1がアキ
ラルであるときはラセミ形態にあり又はR1がキシルで
あるときは光学活性形態にある式■の化合物(式■の化
合物は、後者の場合には、ジアステレオマーの一方又は
他方の状態にある)を塩基性試剤と反応させて次式V の二環式化合物をR1がそれぞれアキラルか又はキラル
な残基であるかどうかによってラセミ形態か成るいはそ
のエナンチオマー形の一方又は他方の形態で得(この化
合物の4位置の絶対配置並びにこれから生じる1及び5
位置での立体配置は使用するジアステレオマー■の立体
化学により決定される)、次いで所望により式Vのエー
テルを酸性媒体中で、絶対配置を完全に保持して、加水
分解して次式VA の化合物を得ることを特徴とするものである。
から出発する次式V (ここでWは水素原子又はキラルであってよいアルコー
ルR1OHの残基R4を表わす)の化合物を製造する方
法にあり、この方法は、無水条件下に3−ホルミル−4
−メチルペンタ−3−エン−1−酸を有機溶媒中でハロ
ゲン化リチウムLiXの存在下に水素酸HX(ここでX
はハロゲン原子を表わす)と反応させて次式■の化合物
を得、これをアキラルなアルコールR1OHと反応させ
て次式■ のラセミ形化合物(これは誘導体■と同様にテトラヒド
ロフランの4と5の置換基の間でtrans立体配置を
有する)を得るか、成るいはキラルなアルコールR1O
Hと反応させて式■の化合物を二つの所期のジアステレ
オマーの混合物の形で得、この混合物は物理的方法によ
ってその成分に分離することができ、次いでR1がアキ
ラルであるときはラセミ形態にあり又はR1がキシルで
あるときは光学活性形態にある式■の化合物(式■の化
合物は、後者の場合には、ジアステレオマーの一方又は
他方の状態にある)を塩基性試剤と反応させて次式V の二環式化合物をR1がそれぞれアキラルか又はキラル
な残基であるかどうかによってラセミ形態か成るいはそ
のエナンチオマー形の一方又は他方の形態で得(この化
合物の4位置の絶対配置並びにこれから生じる1及び5
位置での立体配置は使用するジアステレオマー■の立体
化学により決定される)、次いで所望により式Vのエー
テルを酸性媒体中で、絶対配置を完全に保持して、加水
分解して次式VA の化合物を得ることを特徴とするものである。
さらに詳しくは、本発明の主題は、弐Iの化合物の式■
の化合物への変換が無水エチルエーテル中でHBr/L
iBr又はHCI/LiC1カップルによって行なわれ
ることを特徴とする使用方法並びにアキラルな又はキラ
ルなアルコールR1OHと化合物■をp−)ルエンスル
ホン酸の存在下に反応させることを特徴とする方法にあ
る。
の化合物への変換が無水エチルエーテル中でHBr/L
iBr又はHCI/LiC1カップルによって行なわれ
ることを特徴とする使用方法並びにアキラルな又はキラ
ルなアルコールR1OHと化合物■をp−)ルエンスル
ホン酸の存在下に反応させることを特徴とする方法にあ
る。
本発明の方法によれば、化合物■の2セミ体に対するキ
ラルなアルコールR1OHの作用により生ずる二つのジ
アステレオマーはクロマトグラフィー又は結晶化によっ
て分離される。
ラルなアルコールR1OHの作用により生ずる二つのジ
アステレオマーはクロマトグラフィー又は結晶化によっ
て分離される。
本発明の好ましい方法によれば、化合物■のシクロプロ
パン化合物Vへの変換がブチルリチウムによって行なわ
れる。
パン化合物Vへの変換がブチルリチウムによって行なわ
れる。
本発明の方法によれば、化合物■のシクロプロパン化合
物Vへの変換は水酸化アルカリ、水、水不混和性溶媒及
び第四アンモニウムを用いて成るいは水素化ナトリウム
を用いて相転移触媒法によって有利に行なわれる。
物Vへの変換は水酸化アルカリ、水、水不混和性溶媒及
び第四アンモニウムを用いて成るいは水素化ナトリウム
を用いて相転移触媒法によって有利に行なわれる。
相転移触媒法では、水酸化す) IJウムが有利に用い
られる。
られる。
化合物Vの化合物VAへの加水分解は、塩酸の存在下に
、そして好ましくは含水アセトン媒体中で行なわれる。
、そして好ましくは含水アセトン媒体中で行なわれる。
ところで、式vAの6.6−シメチルー4−ヒドロキシ
−3−オキサビシフo(xto)ヘキサン−2−オンを
非常に複雑な化合物の菊酸から製造するのを可能にする
半合成法は既に存在していた(例えばフランス国特許第
1.58G、474号を参照)。
−3−オキサビシフo(xto)ヘキサン−2−オンを
非常に複雑な化合物の菊酸から製造するのを可能にする
半合成法は既に存在していた(例えばフランス国特許第
1.58G、474号を参照)。
本発明者は、ここに、式Iの化合物によって、ラセミ形
又は光学活性形の6,6−シメチルー4−ヒドロキシ−
3−オキサビシクロ(XtO)ヘキサン−2−オン又は
そのエーテルの全合成法を完成した。この方法は容易に
入手できる薬剤を使用し、そしてその工程敬は少ないも
のである。
又は光学活性形の6,6−シメチルー4−ヒドロキシ−
3−オキサビシクロ(XtO)ヘキサン−2−オン又は
そのエーテルの全合成法を完成した。この方法は容易に
入手できる薬剤を使用し、そしてその工程敬は少ないも
のである。
高活性を持つ多くの殺虫性エステルの合成中間体(例え
ば、フランス国特許第2,185,612号を参照)と
なるベロージメチル−4−ヒドロキシ−3−オキサビシ
クロ〔3,to〕ヘキサン−2−オンのような化合物の
全合成法は、特に有益である。
ば、フランス国特許第2,185,612号を参照)と
なるベロージメチル−4−ヒドロキシ−3−オキサビシ
クロ〔3,to〕ヘキサン−2−オンのような化合物の
全合成法は、特に有益である。
本発明の方法で用いられる式Iの化合物は、次式■
CH。
CHs−CH−Z II
(ここでZは求電子性基を表わす)
の誘導体を次式■
(ここでRは、アルコールROMの残基Rを表わす)
の誘導体と反応させ、次いで生じた次式■の化合物に塩
基性試剤を作用させることによって製造される。
基性試剤を作用させることによって製造される。
上記の求電子性基Zとしては、特にヒドロキシル基、ニ
トロ基、p−)リルスルホニル基又はハロトリフェニル
ホスホニオ基があげられる。
トロ基、p−)リルスルホニル基又はハロトリフェニル
ホスホニオ基があげられる。
基ZがNo2基であるときは、化合物■と■を第二アミ
ン、第三アミン、水酸化第四アンモニウム及び炭酸アル
カリよりなる群から選ばれる塩基の存在下に反応させる
。
ン、第三アミン、水酸化第四アンモニウム及び炭酸アル
カリよりなる群から選ばれる塩基の存在下に反応させる
。
化合物■と■を反応させる際に存在させる第三アミンと
しては、トリエチルアミンが有利に用いられる。
しては、トリエチルアミンが有利に用いられる。
また、基Zがヒドロキシル基であるときは、化合物■と
■を放射線照射下で又はラジカル開始剤の存在下で反応
させる。
■を放射線照射下で又はラジカル開始剤の存在下で反応
させる。
ラジカル開始剤としては、過酸化ベンゾイル、アゾビス
イソブチロニトリル、過酸化ジ−t−ブチル、過安息香
酸t−ブチル又は過酸化ジラウロイルが有利に用いられ
る。
イソブチロニトリル、過酸化ジ−t−ブチル、過安息香
酸t−ブチル又は過酸化ジラウロイルが有利に用いられ
る。
また、基Zがアリールスルホニル基であるときは、化合
物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応させる。
物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応させる。
アリールスルホニル基のアリール基は、特にp−トリル
基である。
基である。
また、基2がハロトリアリールホスホニオ基であるとき
は、化合物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応
させる。
は、化合物■と■を有機溶媒中で強塩基の存在下で反応
させる。
ハロトリアリールホスホニオ基は、411.ヨードトリ
フェニルホスホニオ基でアル。
フェニルホスホニオ基でアル。
化合物■と反応させる塩基性試剤は、特に、含水メタノ
ール媒体中で用いられる炭酸ナトリウムである。
ール媒体中で用いられる炭酸ナトリウムである。
下記の例は本発明を例示するが、これを何ら制限しない
。
。
例t:3−ホルミルー4−メチルペンタ−3−エン−1
−酸 一オン 9 CCの2−二トロプロパン、7gの5−メトキシ−
2,5−ジヒドロフラン−2−オン−3−エン及び1C
Cのトリエチルアミンを20〜25℃で70時間かきま
ぜ、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液で洗い、
ベンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その
残留物をイソプロピルエーテルで溶解し、結晶化を開始
し、かきまぜなから0℃に冷却し、分離し、&42,9
の結晶質生成物を得る。MP:33℃。
−酸 一オン 9 CCの2−二トロプロパン、7gの5−メトキシ−
2,5−ジヒドロフラン−2−オン−3−エン及び1C
Cのトリエチルアミンを20〜25℃で70時間かきま
ぜ、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液で洗い、
ベンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その
残留物をイソプロピルエーテルで溶解し、結晶化を開始
し、かきまぜなから0℃に冷却し、分離し、&42,9
の結晶質生成物を得る。MP:33℃。
分析: C,H,、No5= 20五18計算:CX4
7.29 HXa4s N%687実測: 4
7.10 450 67ONMRスペクトル gem−メチルの水素に帰する1 6 ppmのピーク
、シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、0−
3.17ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 25−5、
28 ppmのピーク、 メトキシの水素に帰する5、 5 ppmのピーク。
7.29 HXa4s N%687実測: 4
7.10 450 67ONMRスペクトル gem−メチルの水素に帰する1 6 ppmのピーク
、シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、0−
3.17ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、 25−5、
28 ppmのピーク、 メトキシの水素に帰する5、 5 ppmのピーク。
1&9Iの炭酸ナトリウムを180ccの水に溶ML、
0℃に冷却し、1&2Iの上で得たニトロラクトンを一
度に加え、25CCのメタノールに溶解する。周囲温度
で120時間放置した後、反応混合物をエチルエーテル
で洗い、0℃に冷却し、不活性雰囲気下に注意しながら
若干の濃硫酸をpH=1まで加え、クロロホルム、次い
で酢酸エチルで抽出し、−緒にした有機相を乾燥し、減
圧下に濃縮乾固して9.59の粗生成物を得、これを水
から結晶化して7.4flの純生成物を得る。MP=1
02℃。
0℃に冷却し、1&2Iの上で得たニトロラクトンを一
度に加え、25CCのメタノールに溶解する。周囲温度
で120時間放置した後、反応混合物をエチルエーテル
で洗い、0℃に冷却し、不活性雰囲気下に注意しながら
若干の濃硫酸をpH=1まで加え、クロロホルム、次い
で酢酸エチルで抽出し、−緒にした有機相を乾燥し、減
圧下に濃縮乾固して9.59の粗生成物を得、これを水
から結晶化して7.4flの純生成物を得る。MP=1
02℃。
1:C7H4o03=142.156
計算:0%59.14H%7.09
実測: 59.20 7.05位の水素に帰
する2、0ppmのピーク、4位のメチルの水素に帰す
るZ 26 ppmのピーク、 2位の水素に帰する五5 B ppmのピーク、ホルミ
ルの水素に帰する1 0.15 ppmのピーク。
する2、0ppmのピーク、4位のメチルの水素に帰す
るZ 26 ppmのピーク、 2位の水素に帰する五5 B ppmのピーク、ホルミ
ルの水素に帰する1 0.15 ppmのピーク。
例II:5−ホルミルー4−メチルベンター3−エン−
1−酸 工程A : di −trans −4−(2−ヒドロ
キシ−2五5gの5−(5−フェノキシフェニル)メト
キシ−2,s−ジヒドロフラン−2−オンを100■の
イングロバノール中で不活性雰囲気下にかきまぜながら
加熱還流し、500■の過酸化ベンゾイルを25ダづつ
1時間半にわたり規則的に加え、40〜50℃で減圧下
に濃縮乾固し、その残留物をシリカでクロマトグラフィ
ーし、次いでベンゼン/酢酸エチル混合物(8:2)で
溶離し、!L7yの粗生成物を回収し、これをイソプロ
ピルエーテルで溶解し、白色結晶を得る。MP=50〜
55℃。
1−酸 工程A : di −trans −4−(2−ヒドロ
キシ−2五5gの5−(5−フェノキシフェニル)メト
キシ−2,s−ジヒドロフラン−2−オンを100■の
イングロバノール中で不活性雰囲気下にかきまぜながら
加熱還流し、500■の過酸化ベンゾイルを25ダづつ
1時間半にわたり規則的に加え、40〜50℃で減圧下
に濃縮乾固し、その残留物をシリカでクロマトグラフィ
ーし、次いでベンゼン/酢酸エチル混合物(8:2)で
溶離し、!L7yの粗生成物を回収し、これをイソプロ
ピルエーテルで溶解し、白色結晶を得る。MP=50〜
55℃。
分析: C2oH2□03= 342.39計算=C
%7106 H%&4 実測: 69.9 6.5NMRスペクト
ル メチルの水素に帰するt18及び121 ppmのピー
ク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 16
−2.75 ppmのピーク、ベンジルメチレンの水素
に帰する448−4.35及び4.8−5 ppmのピ
ーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、59−5、5
8 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する& 85−7.5 ppmのピ
ーク、 ヒドロキシルの水素に帰する1 5 ppmのピーク。
%7106 H%&4 実測: 69.9 6.5NMRスペクト
ル メチルの水素に帰するt18及び121 ppmのピー
ク、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 16
−2.75 ppmのピーク、ベンジルメチレンの水素
に帰する448−4.35及び4.8−5 ppmのピ
ーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する5、59−5、5
8 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する& 85−7.5 ppmのピ
ーク、 ヒドロキシルの水素に帰する1 5 ppmのピーク。
この例の開始時で用いた5−(3−フェノキシフェニル
)メトキシ−2,5−ジヒドロフラン−2−オンは次の
ように製造した。
)メトキシ−2,5−ジヒドロフラン−2−オンは次の
ように製造した。
12Jの5−ヒドロキシ−2(5H)−フラノン、25
0 ccのベンゼン、25.90m−フェノキシベンジ
ルアルコール及び200rn9のp−トルエンスルホン
酸を混合し、反応混合物中のベンゼンを蒸留し、同一量
の乾燥ベンゼンで数回置換しながらかきまぜ、2時間後
に周囲温度で冷却せしめ、重炭酸ナトリウム飽和溶液で
洗い、次いで水洗し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、3
97Iの油状物を得、これをシリカでクロマトグラフィ
ーし、ベンゼン/酢酸エチル混合物(9:1)で溶離し
て精製し、24.9 Iiの所期化合物を回収する。
0 ccのベンゼン、25.90m−フェノキシベンジ
ルアルコール及び200rn9のp−トルエンスルホン
酸を混合し、反応混合物中のベンゼンを蒸留し、同一量
の乾燥ベンゼンで数回置換しながらかきまぜ、2時間後
に周囲温度で冷却せしめ、重炭酸ナトリウム飽和溶液で
洗い、次いで水洗し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、3
97Iの油状物を得、これをシリカでクロマトグラフィ
ーし、ベンゼン/酢酸エチル混合物(9:1)で溶離し
て精製し、24.9 Iiの所期化合物を回収する。
NMRスペクトル
フラノンの4位の水素に帰する7、 3−7.4 pp
mのピーク、 72ノンの3位の水素に帰するalB−6,32ppm
のピーク1 フラノンの5位の水素に帰する6、 03 ppmのピ
ーク、 メトキシの水素に帰する4、 58−4.76及び4.
85−5.12 ppmのピーク、芳香族核に帰する&
92−7.5 ppmのピーク。
mのピーク、 72ノンの3位の水素に帰するalB−6,32ppm
のピーク1 フラノンの5位の水素に帰する6、 03 ppmのピ
ーク、 メトキシの水素に帰する4、 58−4.76及び4.
85−5.12 ppmのピーク、芳香族核に帰する&
92−7.5 ppmのピーク。
6191n9の炭酸ナトリウムを6ccの水に溶解し、
0℃に冷却し、1gの上で得られたヒドロキシラクトン
と2ccのメタノールをかきまぜながら加え、周囲温度
で19時間接触させた後、エチルエーテルで洗い、0℃
に冷却し、若干の濃硫酸をゆつ(りと加え、メタノール
及びクロロホルムで抽出し、有機相を一緒にし、乾燥し
、減圧下に濃縮乾固し、245■の粗生成物を得、これ
を再結晶して102℃で@屏する生成物を得る。
0℃に冷却し、1gの上で得られたヒドロキシラクトン
と2ccのメタノールをかきまぜながら加え、周囲温度
で19時間接触させた後、エチルエーテルで洗い、0℃
に冷却し、若干の濃硫酸をゆつ(りと加え、メタノール
及びクロロホルムで抽出し、有機相を一緒にし、乾燥し
、減圧下に濃縮乾固し、245■の粗生成物を得、これ
を再結晶して102℃で@屏する生成物を得る。
例II[:3−ホルミル−4−メチルペンタ−3−エン
−1−酸 500■のイソプロピルp−)リルスルホンとfOcc
の無水テトラヒドロ7ランを不活性雰囲気下にかきまぜ
ながら混合し、−70℃に冷却し、tsccの195M
ブチルリチウムのヘキサン溶液をゆっくりと加え、−7
0℃で半時間かきまぜ、次いで287ηの5−メトキシ
−2,5−ジヒドロフラン−2−オンを4ccのテトラ
ヒドロフランに溶解してなるものを10分間で加え、−
70℃に1時間保ち、反応混合物を0℃のりん醗モノナ
トリウム水溶液上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、水洗
し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その残留物をイソプ
四ビルエーテルで結晶イシし、490!n9の白色結晶
を得る。MP=129℃。
−1−酸 500■のイソプロピルp−)リルスルホンとfOcc
の無水テトラヒドロ7ランを不活性雰囲気下にかきまぜ
ながら混合し、−70℃に冷却し、tsccの195M
ブチルリチウムのヘキサン溶液をゆっくりと加え、−7
0℃で半時間かきまぜ、次いで287ηの5−メトキシ
−2,5−ジヒドロフラン−2−オンを4ccのテトラ
ヒドロフランに溶解してなるものを10分間で加え、−
70℃に1時間保ち、反応混合物を0℃のりん醗モノナ
トリウム水溶液上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、水洗
し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、その残留物をイソプ
四ビルエーテルで結晶イシし、490!n9の白色結晶
を得る。MP=129℃。
分析
計算:CX57.67 HN6.45 5X1(L2
6実測: 57.d 45 1α1
NMRスペクトル gem−メチルの水素に帰するt27−t32ppmの
ピーク、 芳香族上のメチルの水素に帰する2、46 ppm(7
)ピーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素KRする2、 75
ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する558ppmのピ
ーク、 メトキシの水素に帰するl 51 pI)mのピーク、
芳香族の3及び5位の水素に帰する12B−7、42p
pmのピーク、 芳香族の2及び6位の水素に帰するz66−7、8 p
pmのピーク。
6実測: 57.d 45 1α1
NMRスペクトル gem−メチルの水素に帰するt27−t32ppmの
ピーク、 芳香族上のメチルの水素に帰する2、46 ppm(7
)ピーク、 シクロペンチルの3及び4位の水素KRする2、 75
ppmのピーク、 シクロペンチルの5位の水素に帰する558ppmのピ
ーク、 メトキシの水素に帰するl 51 pI)mのピーク、
芳香族の3及び5位の水素に帰する12B−7、42p
pmのピーク、 芳香族の2及び6位の水素に帰するz66−7、8 p
pmのピーク。
エン−1−酸
25011I9の上で得た生成物、4ccの水、α6c
cのメタノール及び250119の炭酸ナトリウムを周
囲温度で2日間かきまぜる。エーテルで洗浄した後、水
性相を1N、塩酸によりpH3〜五5まで酸性化し、塩
化ナトリウム、で飽和させ、!ロロホルムで抽出し、乾
燥し、減圧下に濃縮乾固し、87ダの所期生成物を得る
。MP工102℃。
cのメタノール及び250119の炭酸ナトリウムを周
囲温度で2日間かきまぜる。エーテルで洗浄した後、水
性相を1N、塩酸によりpH3〜五5まで酸性化し、塩
化ナトリウム、で飽和させ、!ロロホルムで抽出し、乾
燥し、減圧下に濃縮乾固し、87ダの所期生成物を得る
。MP工102℃。
この生成物は、別の方法で得た3−ポルミル−4−メチ
ルペンター3−エン−1−酸と全ての点で同等である。
ルペンター3−エン−1−酸と全ての点で同等である。
例IV:5−ホルミルー4−メチルペンタ−3−エン−
1−IIR ニウム a)イリドの製造 3gのよう化トリフェニルイソプロビルホスホニウムを
40CCのテトラヒドロ7ランに加えてなる懸濁液に%
1secの2Mブチルリチウムのシクロヘキサン溶液を
一度で加え、周囲温度で10分間かきまぜ、イリド溶液
(溶液A)を得る。
1−IIR ニウム a)イリドの製造 3gのよう化トリフェニルイソプロビルホスホニウムを
40CCのテトラヒドロ7ランに加えてなる懸濁液に%
1secの2Mブチルリチウムのシクロヘキサン溶液を
一度で加え、周囲温度で10分間かきまぜ、イリド溶液
(溶液A)を得る。
b)イリドのフラノンに対する付加
α800yの5−メトキシ−245−ジ℃ドロ7ランー
2−オンー3−エンを50CCのテトラヒドロフランに
溶解して一60℃に冷却した溶液に、−60℃に冷却し
た溶液Aを不活性雰囲気下にゆっくりと加える。10分
間かきまぜ、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液
と氷との混合物上に注ぎ、エーテルで洗い、塩化メチレ
ンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、約140℃
で融解する14,9のホスホニウム塩ヲ得ル。
2−オンー3−エンを50CCのテトラヒドロフランに
溶解して一60℃に冷却した溶液に、−60℃に冷却し
た溶液Aを不活性雰囲気下にゆっくりと加える。10分
間かきまぜ、反応混合物をりん酸モノナトリウム水溶液
と氷との混合物上に注ぎ、エーテルで洗い、塩化メチレ
ンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、約140℃
で融解する14,9のホスホニウム塩ヲ得ル。
牝L : C26H,IO,P = s 46.s y
計算:0%5ス15 HN3.16 IX2五24
PX5.67実測: 57.3 5.2
22.4 5.!iNMRスペクトル りんのβ位メチルの水素に帰するt63−ta。
計算:0%5ス15 HN3.16 IX2五24
PX5.67実測: 57.3 5.2
22.4 5.!iNMRスペクトル りんのβ位メチルの水素に帰するt63−ta。
−t 95−110 ppmのピーク、7.5ノンの3
及び4位炭素上の水素に帰する2.22−五53 pp
mのピーク、 メトキシの水素に帰する3、25 ppmのピーク、7
ラノンの5位水素に帰する5、 46−5.54ppm
のピーク、 芳香族核の水素に帰する7、 81−7.92 ppm
のピーク。
及び4位炭素上の水素に帰する2.22−五53 pp
mのピーク、 メトキシの水素に帰する3、25 ppmのピーク、7
ラノンの5位水素に帰する5、 46−5.54ppm
のピーク、 芳香族核の水素に帰する7、 81−7.92 ppm
のピーク。
0.700.9のよう化(1−(5−メトキシ−2−オ
キソ−4,5−ジヒドロ−3H−フラン−4−イル)−
1−メチル−1−エチル〕トリフェニルホスホニウムを
1ccのメタノールに溶解してなる溶液妊、α700y
の炭醗ナトリウムを8CCの水に溶解してなる溶液を加
え、20℃で2時間かきまぜ、生じた不溶物を戸別して
除去し、F液をpH2まで酸性化し、塩化ナトリウムで
飽和し、クロロホルムで抽出し、濃縮乾固し、イソプロ
ピルエーテルで積段し、0.095 、pの3−ホルミ
ル−4−メチルペンタ−3−エン−1−酸ヲ4ル。MP
=102℃。
キソ−4,5−ジヒドロ−3H−フラン−4−イル)−
1−メチル−1−エチル〕トリフェニルホスホニウムを
1ccのメタノールに溶解してなる溶液妊、α700y
の炭醗ナトリウムを8CCの水に溶解してなる溶液を加
え、20℃で2時間かきまぜ、生じた不溶物を戸別して
除去し、F液をpH2まで酸性化し、塩化ナトリウムで
飽和し、クロロホルムで抽出し、濃縮乾固し、イソプロ
ピルエーテルで積段し、0.095 、pの3−ホルミ
ル−4−メチルペンタ−3−エン−1−酸ヲ4ル。MP
=102℃。
例v:旧−46−シメチルー4−ヒドロキシ−32−オ
ン 1gの例1.2.3又は4で得た3−ホルミル−4−メ
チルペンタ−3−エン−1−酸、25ccの無水エチル
エーテル及び1gの乾燥塩化リチウムを乾燥塩化水素気
流中で一30℃で2時間、次いで0℃で2時間かきまぜ
、塩化水素の流れを止め、周囲温度で48時間かきまぜ
続け、54時間接触させた後、反応混合物を氷水中に注
ぎ、デカンテーションし、ベンゼンで抽出し、乾燥し、
減圧下に濃縮乾固し、tlgの粗生成物を得、これをシ
リカでクロマトグラフィーし、ベンゼン/酢醗エチル混
合物(1:1)で溶離し、545Tn9の結晶質生成物
を回収する。MP=80℃。
ン 1gの例1.2.3又は4で得た3−ホルミル−4−メ
チルペンタ−3−エン−1−酸、25ccの無水エチル
エーテル及び1gの乾燥塩化リチウムを乾燥塩化水素気
流中で一30℃で2時間、次いで0℃で2時間かきまぜ
、塩化水素の流れを止め、周囲温度で48時間かきまぜ
続け、54時間接触させた後、反応混合物を氷水中に注
ぎ、デカンテーションし、ベンゼンで抽出し、乾燥し、
減圧下に濃縮乾固し、tlgの粗生成物を得、これをシ
リカでクロマトグラフィーし、ベンゼン/酢醗エチル混
合物(1:1)で溶離し、545Tn9の結晶質生成物
を回収する。MP=80℃。
+也: C,H,、Cl03= 1y & 61 y計
算: CX47.07 HN3.2 I C1%1
985実測: 4Z2 6.2 19
.5HMRスペクトル メチルの水素に帰するt55及びt 6 ppmのピー
ク、 環の3及び4位の水素に、帰する2、42−2.92p
pmのピーク、 環の5位の水素に帰する5、82−5.891)I)m
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰する1 83 ppmのピーク
。
算: CX47.07 HN3.2 I C1%1
985実測: 4Z2 6.2 19
.5HMRスペクトル メチルの水素に帰するt55及びt 6 ppmのピー
ク、 環の3及び4位の水素に、帰する2、42−2.92p
pmのピーク、 環の5位の水素に帰する5、82−5.891)I)m
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰する1 83 ppmのピーク
。
595m9の上で得た生成物、668119のm −フ
ェノキシベンジルアルコール、20”Fのp−トルエン
スルホン酸及び5CCのベンゼンを周囲温度で19時間
かきまぜ、少量の重炭酸ナトリクムで中和し、乾燥し、
減圧下に濃縮乾固し、t18pの粗生成物を得、これを
シリカでクロマトグラフィーし、ベンゼンで溶離し、4
671119の生成物を回収する。石油エーテルで再結
晶した後、はハ50℃の融点を有する。
ェノキシベンジルアルコール、20”Fのp−トルエン
スルホン酸及び5CCのベンゼンを周囲温度で19時間
かきまぜ、少量の重炭酸ナトリクムで中和し、乾燥し、
減圧下に濃縮乾固し、t18pの粗生成物を得、これを
シリカでクロマトグラフィーし、ベンゼンで溶離し、4
671119の生成物を回収する。石油エーテルで再結
晶した後、はハ50℃の融点を有する。
分析: C2,H2,Cl04= 36 CL 84計
算: CX66.57 HN3.87 C1%98
3実測: 66.6o s、ao q
、cpaNMRスペクトル メチルの水素に帰するt5及び155 ppmのピーク
、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 55
−2.72 ppmのピーク、シクロペンチルの5位の
水素に帰する5、 52−5.56 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する6、 92−7.5 ppmの
ピーク、 ベンジルメチレンの水素に帰する4、47−4.66及
び4.77−497 ppmのピーク。
算: CX66.57 HN3.87 C1%98
3実測: 66.6o s、ao q
、cpaNMRスペクトル メチルの水素に帰するt5及び155 ppmのピーク
、 シクロペンチルの3及び4位の水素に帰する2、 55
−2.72 ppmのピーク、シクロペンチルの5位の
水素に帰する5、 52−5.56 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する6、 92−7.5 ppmの
ピーク、 ベンジルメチレンの水素に帰する4、47−4.66及
び4.77−497 ppmのピーク。
ン
155ccの1Mジイソグロビルアミンのテトラヒドロ
フラン溶液とS CCのテトラヒドロ7ランを約−20
℃に冷却し、α25ccの2 M n−ブチルリチウム
のシクロヘキサン溶液を加え、温度を0℃に戻し、次い
で−60〜−70℃に冷却し、180!I9の工程Bで
得た生成物を一度に加え、0℃に2時間加熱した後、こ
の温度で1時間保ち、反応混合物を冷2N塩酸中に注ぎ
、強くかきまぜながら20℃に17時間放置し、デカン
テーションし、クロロホルムで抽出し、乾燥し、濃縮乾
固し、得られた残留物をイソプロピルエーテル/石油エ
ーテル混合物で溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に
#縮乾固して30■の結晶質生成物を得る。MP=80
℃。
フラン溶液とS CCのテトラヒドロ7ランを約−20
℃に冷却し、α25ccの2 M n−ブチルリチウム
のシクロヘキサン溶液を加え、温度を0℃に戻し、次い
で−60〜−70℃に冷却し、180!I9の工程Bで
得た生成物を一度に加え、0℃に2時間加熱した後、こ
の温度で1時間保ち、反応混合物を冷2N塩酸中に注ぎ
、強くかきまぜながら20℃に17時間放置し、デカン
テーションし、クロロホルムで抽出し、乾燥し、濃縮乾
固し、得られた残留物をイソプロピルエーテル/石油エ
ーテル混合物で溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に
#縮乾固して30■の結晶質生成物を得る。MP=80
℃。
2−オン
2.35.9の例1又は2で得た3−ホルミル−4−メ
チルベンター3−エン−1−酸、2.7gの乾燥臭化リ
チウム及び60(Aの無水エチルエーテルの混合物を一
55℃に冷却し、乾燥臭化水素気流下に90分間かきま
ぜ、次いで温度を−30〜−40℃の温度を保ちながら
乾燥窒素の強い気流によって臭化水素を追出し、反応混
合物を氷水中に注ぎ、ベンゼンで抽出し、有機相を乾燥
し、減圧下に加熱せずに濃縮乾固し、1279の油状物
を回収し、これは結晶化するが、これを石油エーテルよ
り再結晶し、2.51の白色結晶を単離する。
チルベンター3−エン−1−酸、2.7gの乾燥臭化リ
チウム及び60(Aの無水エチルエーテルの混合物を一
55℃に冷却し、乾燥臭化水素気流下に90分間かきま
ぜ、次いで温度を−30〜−40℃の温度を保ちながら
乾燥窒素の強い気流によって臭化水素を追出し、反応混
合物を氷水中に注ぎ、ベンゼンで抽出し、有機相を乾燥
し、減圧下に加熱せずに濃縮乾固し、1279の油状物
を回収し、これは結晶化するが、これを石油エーテルよ
り再結晶し、2.51の白色結晶を単離する。
MPニア 5℃。
牝Jfr : C,H,、BrO,= 22107 s
計算: CX57.69 HN4.97 BrX3
5.82実測: sy、so 5.20
35.2ONMRスペクトル メチルの水素に帰する174及びt 86 ppmのピ
ーク、 環の3及び4位の水素に帰する2、25−10ppmの
ピーク、 環の5位の水素に帰する5、87及び5.95 ppm
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰するl 92 ppmのピーク
。
計算: CX57.69 HN4.97 BrX3
5.82実測: sy、so 5.20
35.2ONMRスペクトル メチルの水素に帰する174及びt 86 ppmのピ
ーク、 環の3及び4位の水素に帰する2、25−10ppmの
ピーク、 環の5位の水素に帰する5、87及び5.95 ppm
のピーク、 ヒドロキシルの水素に帰するl 92 ppmのピーク
。
5.51の上で得られた生成物、a2Iiのm−フェノ
キシベンジルアルコール、5occのベンゼン及び27
0■のp−)ルエンスルホン酸ヲ周囲温度で24時間か
きまぜ、反応媒質を重炭酸ナトリウム水溶液で洗い、ベ
ンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、約10
.9の油状物を得、この生成物は結晶化するが、これを
イソプロピルエーテルと石油エーテルとの混合物(7c
c : 5 cc )で再結晶し、5.85fiの生成
物を得る。MP=60℃。母液のりpマドグラフィーに
より11の同一純度の生成物を回収する。
キシベンジルアルコール、5occのベンゼン及び27
0■のp−)ルエンスルホン酸ヲ周囲温度で24時間か
きまぜ、反応媒質を重炭酸ナトリウム水溶液で洗い、ベ
ンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、約10
.9の油状物を得、この生成物は結晶化するが、これを
イソプロピルエーテルと石油エーテルとの混合物(7c
c : 5 cc )で再結晶し、5.85fiの生成
物を得る。MP=60℃。母液のりpマドグラフィーに
より11の同一純度の生成物を回収する。
と$l’r、二 C2oH2,BrO4計算:CX59
.27 HN3.22 BrN1972実測=
6Q、10 5.60 2t5ONMRスペクトル メチルの水素に帰するt 67−17 ppmのピーク
、 シクロペンチルの3及び4位の水素VcRする2、22
−2.92prrnのピーク、シクロペンチルの5位の
水素に帰する5、55−a 58 ppmのピーク、 ベンジルメチレンの水素に帰する4、48−4.68及
び47 B −4,98ppmのピーク、芳香族核の水
素に帰する6、92−7.58 ppmのピーク。
.27 HN3.22 BrN1972実測=
6Q、10 5.60 2t5ONMRスペクトル メチルの水素に帰するt 67−17 ppmのピーク
、 シクロペンチルの3及び4位の水素VcRする2、22
−2.92prrnのピーク、シクロペンチルの5位の
水素に帰する5、55−a 58 ppmのピーク、 ベンジルメチレンの水素に帰する4、48−4.68及
び47 B −4,98ppmのピーク、芳香族核の水
素に帰する6、92−7.58 ppmのピーク。
[155ccの1Mジイソプロピルアミンのテトラヒド
ロフラン溶液を5eCのテトラヒドロフランで希釈し、
約−20℃に冷却し、α25CCの2 M n−ブチル
リチウムのシクロヘキサン溶液を加え、この混合物を約
0℃まで加熱させ、次いで一60’CK冷却し、200
■の上で得た臭素化誘導体を一度で加え、この温度で1
5分間反応させた後、di−46−シメチルー4−((
5−フェノキシフェニル)メトキシツー3−オキサビシ
クロ(3,t0〕ヘキサン−2−オンの溶液を得、これ
を冷2N塩酸上に注ぎ、強くかきまぜながら20℃で1
7時間放置し、デカンテーションし、クロロホルムで抽
出し、乾燥し、濃縮乾固し、17D1n9の生成物を得
、これをイソプロピルエーテル/石油エーテル混合物で
溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に濃縮乾固して、
50rn9の結晶性生成物を得る。MP=80℃。
ロフラン溶液を5eCのテトラヒドロフランで希釈し、
約−20℃に冷却し、α25CCの2 M n−ブチル
リチウムのシクロヘキサン溶液を加え、この混合物を約
0℃まで加熱させ、次いで一60’CK冷却し、200
■の上で得た臭素化誘導体を一度で加え、この温度で1
5分間反応させた後、di−46−シメチルー4−((
5−フェノキシフェニル)メトキシツー3−オキサビシ
クロ(3,t0〕ヘキサン−2−オンの溶液を得、これ
を冷2N塩酸上に注ぎ、強くかきまぜながら20℃で1
7時間放置し、デカンテーションし、クロロホルムで抽
出し、乾燥し、濃縮乾固し、17D1n9の生成物を得
、これをイソプロピルエーテル/石油エーテル混合物で
溶解し、水で抽出し、水性相を減圧下に濃縮乾固して、
50rn9の結晶性生成物を得る。MP=80℃。
2−オン
この化合物の製造は、例■の工程Aに記載の通りである
。
。
ジアステレオマーAとBとの混合物並びに別個のジアス
テレオマーA及びB) 6.07,9の上で得たブロムラクトン、s、a3.p
ノ(S)α−メチル−3−フェノキシベンジルアルコー
ル、3QO7jlpのp−トルエンスルホン酸、60c
cのベンゼン及び10gの脱水剤である脱色「アクチゲ
ル」を20〜25℃で24時間かきまぜ、反応混合物を
重炭酸す) IJクム水溶液で洗い、ベンゼンで抽出し
、乾燥し、減圧下に蒸発乾固し、9.5gの粗生成物を
得、この粗生成物をシリカでクロマトグラフィーし、塩
化メチレンで溶離する。
テレオマーA及びB) 6.07,9の上で得たブロムラクトン、s、a3.p
ノ(S)α−メチル−3−フェノキシベンジルアルコー
ル、3QO7jlpのp−トルエンスルホン酸、60c
cのベンゼン及び10gの脱水剤である脱色「アクチゲ
ル」を20〜25℃で24時間かきまぜ、反応混合物を
重炭酸す) IJクム水溶液で洗い、ベンゼンで抽出し
、乾燥し、減圧下に蒸発乾固し、9.5gの粗生成物を
得、この粗生成物をシリカでクロマトグラフィーし、塩
化メチレンで溶離する。
そのようにして得られたジアステレオマーの純混合物の
51から、30Xの石油エーテルを含有するイソプロピ
ルエーテルより結晶化することKより9601R9の異
性体Bを単離する。MP’:lニア6℃、〔α〕D=+
18a、50 (1%ベンセン)。母液をシリカでクロ
マトグラフィーし、塩化メチレンで溶離して純異性体B
を油状物として得る。
51から、30Xの石油エーテルを含有するイソプロピ
ルエーテルより結晶化することKより9601R9の異
性体Bを単離する。MP’:lニア6℃、〔α〕D=+
18a、50 (1%ベンセン)。母液をシリカでクロ
マトグラフィーし、塩化メチレンで溶離して純異性体B
を油状物として得る。
300ダの上で得た結晶質臭素化誘導体(異性体B)、
3ccの塩化メチレン、3ccの5oX(W/W)水酸
化す) IJウム水溶液及び約30′IIgの塩化トリ
エチルベンジルアンモニウムを周囲温度で2時間30分
かきまぜ、反応混合物を冷りん酸モノナトリウム水溶液
上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、水洗し、乾燥し、減
圧下に濃縮乾固し、221WIyの粗生成物を得、これ
は結晶化するが、この生成物を4 ccの石油エーテル
/イソプロピルエーテル混合物(7:3)で再結晶し、
165■の白色生成物を得る。MP:110℃。母液の
クロマトグラフィーにより17■の白色結晶を得る。
3ccの塩化メチレン、3ccの5oX(W/W)水酸
化す) IJウム水溶液及び約30′IIgの塩化トリ
エチルベンジルアンモニウムを周囲温度で2時間30分
かきまぜ、反応混合物を冷りん酸モノナトリウム水溶液
上に注ぎ、塩化メチレンで抽出し、水洗し、乾燥し、減
圧下に濃縮乾固し、221WIyの粗生成物を得、これ
は結晶化するが、この生成物を4 ccの石油エーテル
/イソプロピルエーテル混合物(7:3)で再結晶し、
165■の白色生成物を得る。MP:110℃。母液の
クロマトグラフィーにより17■の白色結晶を得る。
MPご110℃。〔α〕D=−241°(1%ベンゼン
)。
)。
NMRスペクトル
gem−メチルの水素に帰する11及び113ppmの
ピーク、 1及び2位の水素に帰する2、 03 ppmのピーク
、4位の水素に帰する4、 96 ppmのピーク、ベ
ンジル炭素に結合したメチルの水素に帰する142及び
153 ppmのピーク、 ベンジル炭素上の水素に帰する4、 7−4.8−4.
9及び5.0 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する6、 83−7.5 ppmの
ピーク。
ピーク、 1及び2位の水素に帰する2、 03 ppmのピーク
、4位の水素に帰する4、 96 ppmのピーク、ベ
ンジル炭素に結合したメチルの水素に帰する142及び
153 ppmのピーク、 ベンジル炭素上の水素に帰する4、 7−4.8−4.
9及び5.0 ppmのピーク、 芳香族核の水素に帰する6、 83−7.5 ppmの
ピーク。
1gの上で得た生成物、10ccのアセトン及びSCC
の1N塩酸水溶液を20〜25℃で2時間かきまぜ、反
応混合物を重炭酸ナトリウムでpH8となし、塩化メチ
レンで洗い、水性相を濃塩酸で酸性化し、酢酸エチルで
抽出し、乾燥し、溶媒を減圧下に蒸発する。384rv
の結晶を得る。MP=117℃。
の1N塩酸水溶液を20〜25℃で2時間かきまぜ、反
応混合物を重炭酸ナトリウムでpH8となし、塩化メチ
レンで洗い、水性相を濃塩酸で酸性化し、酢酸エチルで
抽出し、乾燥し、溶媒を減圧下に蒸発する。384rv
の結晶を得る。MP=117℃。
この生成物は、フランス国特許第t 580.474号
で得られた化合物と同一である。
で得られた化合物と同一である。
〔α)1) =−110’ (c = 1%、ジメチル
ホルムアミ ド ) 。
ホルムアミ ド ) 。
例V’/J”、dl−6,6−ジメfk−4−ヒ)’!
:Iキシ−3−オキサビシクロ(XtO)ヘキサン−2
−オ乙 2−オン この化合物の製造は、例■の工程人に記載の通りである
。
:Iキシ−3−オキサビシクロ(XtO)ヘキサン−2
−オ乙 2−オン この化合物の製造は、例■の工程人に記載の通りである
。
t95.9の上で得た臭素化誘導体、2ccのイソフロ
ハノール、100F!Igのp−トルエンスルホン酸及
び50CCのベンゼンを周囲温度で60時間かきまぜ、
反応媒体を重炭酸ナトリウム水溶液で洗い、ベンゼンで
抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、2gの油状生成
物を得、これはそのまま次の工程で用いる。
ハノール、100F!Igのp−トルエンスルホン酸及
び50CCのベンゼンを周囲温度で60時間かきまぜ、
反応媒体を重炭酸ナトリウム水溶液で洗い、ベンゼンで
抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、2gの油状生成
物を得、これはそのまま次の工程で用いる。
728rn9の上で得た生成物、5CCの無水テトラヒ
ドロフラン及び1ccの無水ジメチルスルホキシドを混
合し、0℃に冷却し、1501n9の水素化ナトリウム
を一度で加え、不活性雰囲気下に周囲温度で20時間か
きまぜた後、りん酸モノナトリウム水溶液中に注ぎ、ベ
ンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、450
■の粗生成物を得、これをシリカでクロマトグラフィー
し、石油エーテル/エチルエーテル溶媒系(7:3)で
溶離し、550r119の所期生成物を得る。
ドロフラン及び1ccの無水ジメチルスルホキシドを混
合し、0℃に冷却し、1501n9の水素化ナトリウム
を一度で加え、不活性雰囲気下に周囲温度で20時間か
きまぜた後、りん酸モノナトリウム水溶液中に注ぎ、ベ
ンゼンで抽出し、乾燥し、減圧下に濃縮乾固し、450
■の粗生成物を得、これをシリカでクロマトグラフィー
し、石油エーテル/エチルエーテル溶媒系(7:3)で
溶離し、550r119の所期生成物を得る。
NMRスペクトル
6位メチル及びイソプルピルのメチルの水素に帰する1
17〜151 ppmのピーク、環の1及び5位の水素
に帰する2、 02 ppmのピーク、 環の4位の水素に帰する5、 25 ppmのピーク、
7’ a ?’ルの2位の水素に帰する4、 05 p
pmのピーク。
17〜151 ppmのピーク、環の1及び5位の水素
に帰する2、 02 ppmのピーク、 環の4位の水素に帰する5、 25 ppmのピーク、
7’ a ?’ルの2位の水素に帰する4、 05 p
pmのピーク。
±ヱー
150ダの上で得た生成物を3ccのアセトン及び1c
cの1N塩酸水溶液とともに20〜25℃で4時間かき
まぜ、反応混合物に塩化ナトリウムを飽和させ、塩化メ
チレンで抽出し、有機相を乾燥し、減圧下に蒸発乾固し
、95W19の白色結晶を得る。MPフ80℃。
cの1N塩酸水溶液とともに20〜25℃で4時間かき
まぜ、反応混合物に塩化ナトリウムを飽和させ、塩化メ
チレンで抽出し、有機相を乾燥し、減圧下に蒸発乾固し
、95W19の白色結晶を得る。MPフ80℃。
Claims (8)
- (1)次式V ▲数式、化学式、表等があります▼V (ここでWは水素原子又はキラルであつてよいアルコー
ルR_1OHの残基R_1を表わす)の化合物の製造法
であつて、無水条件下に次式 I ▲数式、化学式、表等
があります▼ I の3−ホルミル−4−メチルベンダ−3−エン−1−酸
を有機溶媒中でハロゲン化リチウムLiXの存在下に水
素酸HX(ここでXはハロゲン原子を表わす)と反応さ
せて次式VI ▲数式、化学式、表等があります▼VI の化合物を得、これをアキラルなアルコールR_1OH
と反応させて次式VII ▲数式、化学式、表等があります▼VII のラセミ形化合物(これは化合物VIと同様にテトラヒド
ロフランの4と5位置の置換基の間でtrans立体配
置を有する)を得るか、或るいはキラルなアルコールR
_1OHと反応させて式VIIの化合物を二つの所期のジ
アステレオマーの混合物の形で得、この混合物は物理的
方法によつてその成分に分離することができ、次いでR
_1がアキラルであるときはラセミ形態にあり又はR_
1がキラルであるときは光学活性形態にある式VIIIの化
合物(式VIIIの化合物は、後者の場合には、ジアステレ
オマーの一方又は他方の状態にある)を塩基性試剤と反
応させて次式V ▲数式、化学式、表等があります▼V の二環式化合物をR_1がそれぞれアキラルか又はキラ
ルな残基であるかどうかによつてラセミ形態か或るいは
そのエナンチオマー形の一方又は他方の形態で得(この
化合物の4位置の絶対配置並びにこれから生じる1及び
5位置での立体配置は使用するジアステレオマーVIIIの
立体化学により決定される)、次いで所望により式Vの
エーテルを酸性媒体中で、絶対配置を完全に保持して、
加水分解して次式V_A ▲数式、化学式、表等があります▼V_A の化合物を得ることを特徴とする、式Vの化合物の製造
法。 - (2)式 I の化合物の式VIの化合物への変換が無水エ
チルエーテル中でHBr/LiBr又はHCl/LiC
lカップルによつて行なわれることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の方法。 - (3)アキラルな又はキラルなアルコールR_1OHと
化合物VIをp−トルエンスルホン酸の存在下に反応させ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (4)化合物VIのラセミ体に対するキラルなアルコール
R_1OHの作用により生ずる二つのジアステレオマー
がクロマトグラフィー又は結晶化によつて分離されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (5)化合物VIIのシクロプロパン化合物Vへの変換が
ブチルリチウムによつて行なわれることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の方法。 - (6)化合物VIIのシクロプロパン化合物Vの変換が水
酸化アルカリ、水、水不混和性溶媒及び第四アンモニウ
ムを用いて相転移触媒法によつて行なわれることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (7)化合物VIIのシクロプロパン化合物Vへの変換が
水素化ナトリウムによつて行なわれることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (8)化合物Vの化合物V_Aへの加水分解が塩酸の存
在下に、そして必要ならば含水アセトン媒体中で行なわ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法
。
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