JPS63231387A

JPS63231387A - 液晶表示装置用基板検査方法

Info

Publication number: JPS63231387A
Application number: JP6486987A
Authority: JP
Inventors: 裕奥村
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1987-03-19
Filing date: 1987-03-19
Publication date: 1988-09-27
Anticipated expiration: 2012-05-21
Also published as: JP2612444B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、基板検査方法に係り、特に液晶基板等の多数
の画素電極を有する基板の検査に好適な基板検査方法に
関する。

（従来の技術）近年、例えば液晶表示装置等は、画素の高集積化が進み
、２０万〜３０万画素を有する液晶表示装置も開発され
ている。

このような液晶表示装置では、ガラス基板等の基板上に
各画素（ピクセル）毎にパッジベイト膜、配向膜等を備
えた透明電極が形成されており、アクティブマトリクス
方式の液晶表示装置では、これらのビクセルにそれぞれ
能動素子例えばＭＯ８形ＴＦＴ等が配置されている。

そして、同様に、各画素（ピクセル）毎にパッジベイト
膜、配向膜等を備えた透明電極が形成された基板が、上
記基板に近接対向して配置され、これらの基板間に液晶
が封入される。

このような液晶表示装置用基板を検査する場合、各ビク
セル毎に、例えばＨＯＳ形ＴＦＴの動作の良否、断線の
有無等を測定する必要がある。また、透明電極に直接電
気的な接続端子等を接触させることは、好ましくない。

このため、従来は、組み立てが終了した液晶表示装置の
表示画像を目視し、チェックを行うという方法により、
検査を行っている。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上記説明の従来の検査方法では、最終組
み立てを行った後でなければ検査を行うことができず、
例えば不良の基板が組み立て工程へ送られる等、生産性
が悪化するという問題がある。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、組み立て前の基板の検査を容易に行うことができ、生
産性の向上を図ることのできる基板検査方法を提供しよ
うとするものである。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）すなわち本発明の基板検査方法は、被測定基板上に形成
された電極に近接対向させて測定電極を配置し、この測
定電極と前記電極との間に交流電圧を印加して、これら
の電極間の電気的な信号を検出して前記被測定基板の検
査を行うことを特徴とする。

〈作　用）本発明の基板検査方法では、被測定基板上に形成された
電極に近接対向させて測定電極を配置し、この測定電極
と電極との間に交流電圧を印加して、これらの電極間の
電気的な信号を検出することにより、例えば組み立て前
の状態で、液晶表示装置用基板等の被測定基板の検査を
行う。

すなわち、例えば液晶表示装置用基板の透明電極と、測
定電極との間に容量結合を形成し、交流電圧印加により
誘導される電気の測定を行う、したがって、例えば透明
電極等に直接電気的な接続端子等を接触させる必要もな
く、簡単に、基板の検査を行うことができる。

（実施例）以下本発明の基板検査方法を図面を参照して実施例につ
いて説明する。

第１図および第２図に示すアクティブマトリクス方式の
液晶表示装置のガラス基板１には、透明電極、バッジベ
イト膜、配向膜等を備えた多数のビクセル２が形成され
ている。これらのビクセル２には、それぞれＨＯ８形Ｔ
ＦＴ　３が配置されており、この８０８形ＴＦＴ　３の
ゲートは、それぞれゲート信号線４に、ソースは、それ
ぞれソース信号線５に接続されている。また、ＨＯＳ形
ＴＦＴ　３のドレインは、それぞれピクセル２内の透明
電極に接続されている。

また、上記ゲート信号１１４およびソース信号線５は、
それぞれガラス基板１の端部に配置されたリード電極６
およびリード電極７に接続されている。

そして、この実施例方法では、まず、ガラス基板１に対
向させ、すなわち被測定ビクセル２ａの透明電極に対向
するように測定電極８を配置する。

なお、上記測定電極８は、この実施例では被測定ビクセ
ル２と同一列に配置されたピクセル２全てに対向する微
小幅の縦長形状とされているが、どのような形状として
もよい。

次に、第３図のグラフに実線ａで示すように、被測定ビ
クセル２ａが接続されたソース信号線５端部のリード電
極７を介して、被測定ビクセル２ａの透明電極と測定電
極８との間に例えば２０　Ｋ　ｔｌ　Ｚ、１０Ｖ程度の
交流電圧を印加する。また、同図に実線すで示すように
、被測定ビクセル２ａが接続されたゲート信号線４端部
のリード電極６を介して、ＨＯ８形ＴＦＴ　３のゲート
に例えばパルス状のＯＮ信号を印加する。

そして、この実施例方法では、この時の被測定ビクセル
２ａの透明電極と測定電極８との間に生じる電気的な変
化、例えば電圧の変化を検出する。

すなわち、この時、被測定ビクセル２ａが接続されたゲ
ート信号線４およびソース信号線５等に断線がなく、Ｈ
Ｏ８形ＴＦτ３が正常に作動し、被測定ビクセル２ａの
透明電極に異常がなければ、被測定ビクセル２ａの透明
電極と、測定電極８との間には、例えば第３図のグラフ
に実線Ｃで示すような電圧変化の信号を検出することが
できる。

そして、上述のような測定を、被測定ビクセル２ａと同
一列に配置された各ビクセル２について行う、この後、
測定電極８を移動させて、他の列に配置された各ピクセ
ル２について上述の測定を行い、ガラス基板１上に配置
された全てのピクセ。

ル２について同様な測定を行う。

なお、被測定ピクセル２ａの透明電極と測定電極８との
間との電気容量Ｃ（ｐＦ）は、εを比誘電率、Ａを電極
の面積、ｄを電極間の間隔として、次式によって求める
ことができる。

Ｃ（ｐｒ）＝　０．２２５εＡ／ｄしたがって、被測定ピクセル２ａの透明電極と測定電極
８との間の電圧変動を検出する測定装置の検出限界、透
明電極の面積、透明電極と測定電極８との間隔等によっ
て、これらの電極間に印加する電圧を選択する。

すなわち、この実施例方法では、被測定ピクセル２ａの
透明電極に対向させて測定電極８を配置し、容量結合を
形成し、これらの電極間に交流電圧を印加する。そして
、ＭＯ８形ＴＦＴ　３のゲートにＯＮ信号を印加して被
測定ピクセル２ａの検査を行う。したがって、例えば透
明電極に直接電気的な接続端子等を接触させる必要もな
く、簡単に、検査を行うことができる。

また、被測定ピクセル２ａの透明電極と測定電極８との
間に印加する電圧の振動数を２０ＫｌＩＺとすると、周
期が５０マイクロ秒となるため、数百マイクロ秒ないし
数ミリ秒で一つのピクセル２の測定を行うことができる
。

したがって、１０万画素のガラス基板１でも、数分で全
てのピクセル２の測定を行うことができる。

さらに、測定電極８を複数設ける等して、複数のピクセ
ル２の測定を同時に行えば、さらに短時間で測定を行う
ことができる。

［発明の効果］上述のように、本発明の基板検査方法では、組み立て前
の基板の検査を容易に行うことができ、従来に比べて大
幅に生産性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の基板検査方法を説明するた
めの液晶表示装置用基板の斜視図、第２図は第１図の上
面図、第３図は一実施例方法における信号の状態を示す
グラフである。１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ピクセル、
３　ＭＯ８形ＴＦＴ　、４・・・・・・ゲート信号線、
５・・・・・・ソース信号線、６．７・・・・・・リー
ド電極、８・・・・・・測定電極。出願人　　東京エレクトロン株式会社代理人　弁理士　　須　山　佐　− 第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被測定基板上に形成された電極に近接対向させて
測定電極を配置し、この測定電極と前記電極との間に交
流電圧を印加して、これらの電極間の電気的な信号を検
出して前記被測定基板の検査を行うことを特徴とする基
板検査方法。
（２）前記被測定基板は、能動素子を有する液晶表示装
置用基板である特許請求の範囲第１項記載の基板検査方
法。