JP2612444B2

JP2612444B2 - 液晶表示装置用基板検査装置

Info

Publication number: JP2612444B2
Application number: JP62064869A
Authority: JP
Inventors: 裕奥村
Original assignee: 東京エレクトロン株式会社
Priority date: 1987-03-19
Filing date: 1987-03-19
Publication date: 1997-05-21
Anticipated expiration: 2012-05-21
Also published as: JPS63231387A

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、液晶表示装置用基板検査装置に関する。

（従来の技術）近年、例えば液晶表示装置等は、画素の高集積化が進
み、20万〜30万画素を有する液晶表示装置も開発されて
いる。

このような液晶表示装置では、ガラス基板等の基板上
に各画素（ピクセル）毎にパッシベイト膜、配向膜等を
備えた透明電極が形成されており、アクティブマトリク
ス方式の液晶表示装置では、これらのピクセルにそれぞ
れ能動素子例えばMOS形TFT等が配置されている。

そして、同様に、各画素（ピクセル）毎にパッシベイ
ト膜、配向膜等を備えた透明電極が形成された基板が、
上記基板に近接対向して配置され、これらの基板間に液
晶が封入される。

このような液晶表示装置用基板を検査する場合、各ピ
クセル毎に、例えばMOS形TFTの動作の良否、断線の有無
等を測定する必要がある。また、透明電極に直接電気的
な接続端子等を接触させることは、好ましくない。この
ため、従来は、組み立てが終了した液晶表示装置の表示
画像を目視し、チェックを行うという方法により、検査
を行っている。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、上記説明の従来の検査方法では、最終
組み立てを行った後でなければ検査を行うことができ
ず、例えば不良の基板が組み立て工程へ送られる等、生
産性が悪化するという問題がある。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、組み立て前の液晶表示装置用基板の検査を容易に行
うことができ、生産性の向上を図ることのできる液晶表
示装置用基板検査装置を提供しようとするものである。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）すなわち本発明の液晶表示装置用基板検査装置は、ガ
ラス基板に形成された複数の画素と、この画素毎に形成
されたスイッチ素子およびこのスイッチ素子のドレイン
に接続された透明電極とを備えたアクティブマトリック
ス方式の液晶表示装置基板の電気的な検査を行なう液晶
表示装置用基板検査装置において、前記透明電極に接触することなく対向配置され、前記
透明電極との間に容量結合を形成する測定電極と、この測定電極と前記透明電極との間に、前記スイッチ
素子を介して交流電圧を印加する手段と、前記スイッチ素子のゲートに当該スイッチ素子を駆動す
るための信号を印加する手段と、前記測定電極と前記透明電極との間に交流電圧印加に
より誘導される電圧変動を検出する測定装置とを備えたことを特徴とする。

（作用）本発明の液晶表示装置用基板検査装置では、被測定基
板上に形成された電極に近接対向させて測定電極を配置
し、この測定電極と電極との間に交流電圧を印加して、
これらの電極間の電気的な信号を検出することにより、
例えば組み立て前の状態で、液晶表示装置用基板等の被
測定基板の検査を行う。

すなわち、例えば液晶表示装置用基板の透明電極と、
測定電極との間に容量結合を形成し、交流電圧印加によ
り誘導される電気の測定を行う。したがって、例えば透
明電極等に直接電気的な接続端子等を接触させる必要も
なく、簡単に、基板の検査を行うことができる。

（実施例）以下本発明の液晶表示装置用基板検査装置を図面を参
照して実施例について説明する。

第１図および第２図に示すアクティブマトリクス方式
の液晶表示装置のガラス基板１には、透明電極、パッシ
ベイト膜、配向膜等を備えた多数のピクセル２が形成さ
れている。これらのピクセル２には、それぞれMOS形TFT
3が配置されており、このMOS形TFT3のゲートは、それぞ
れゲート信号線４に、ソースは、それぞれソース信号線
５に接続されている。また、MOS形TFT3のドレインは、
それぞれピクセル２内の透明電極に接続されている。

また、上記ゲート信号線４およびソース信号線５は、
それぞれガラス基板１の端部に配置されたリード電極６
およびリード電極７に接続されている。

そして、この実施例では、まず、ガラス基板１に対向
させ、すなわち被測定ピクセル2aの透明電極に対向する
ように測定電極を配置する。なお、上記測定電極８は、
この実施例では被測定ピクセル２と同一列に配置された
ピクセル２全てに対向する微小幅の縦長形状とされてい
るが、どのような形状としてもよい。

次に、第３図のグラフに実線ａで示すように、被測定
ピクセル2aが接続されたソース信号線５端部のリード電
極７を介して、被測定ピクセル2aの透明電極と測定電極
８との間に例えば20KHz、10V程度の交流電圧を印加す
る。また、同図に実線ｂで示すように、被測定ピクセル
2aが接続されたゲート信号線４端部のリード電極６を介
して、MOS形TFT3のゲートに例えばパルス状のON信号を
印加する。

そして、この実施例では、この時の被測定ピクセル2a
の透明電極と測定電極８との間に生じる電気的な変化、
例えば電圧の変化を検出する。

すなわち、この時、被測定ピクセル2aが接続されたゲ
ート信号線４およびソース信号線５等に断線がなく、MO
S形TFT3が正常に作動し、被測定ピクセル2aの透明電極
に異常がなければ、被測定ピクセル2aの透明電極と、測
定電極８との間には、例えば第３図のグラフに実線ｃで
示すような電圧変化の信号を検出することができる。

そして、上述のような測定を、被測定ピクセル2aと同
一列に配置された各ピクセル２について行う。この後、
測定電極８を移動させて、他の列に配置された各ピクセ
ル２について上述の測定を行い、ガラス基板１状に配置
された全てのピクセル２について同様な測定を行う。

なお、被測定ピクセル2aの透明電極と測定電極８との
間との電気容量Ｃ（pF）は、εを比誘電率、Ａを電極の
面積、ｄを電極間の間隔として、次式によって求めるこ
とができる。

Ｃ（pF）＝0.225εA/d したがって、被測定ピクセル2aの透明電極と測定電極
８との間の電圧変動を検出する測定装置の検出限界、透
明電極の面積、透明電極と測定電極８との間隔等によっ
て、これらの電極間に印加する電圧を選択する。

すなわち、この実施例では、被測定ピクセル2aの透明
電極に対向させて測定電極８を配置し、容量結合を形成
し、これらの電極間に交流電圧を印加する。そして、MO
S形TFT3のゲートにON信号を印加して被測定ピクセル2a
の検査を行う。したがって、例えば透明電極に直接電気
的な接続端子等を接触させる必要もなく、簡単に、検査
を行うことができる。

また、被測定ピクセル2aの透明電極と測定電極８との
間に印加する電圧の振動数を20KHzとすると、周期が50
マイクロ秒となるため、数百マイクロ秒ないし数ミリ秒
で一つのピクセル２の測定を行うことができる。

したがって、10万画素のガラス基板１でも、数分で全
てのピクセル２の測定を行うことができる。さらに、測
定電極８を複数設ける等して、複数のピクセル２の測定
を同時に行えば、さらに短時間で測定を行うことができ
る。

［発明の効果］上述のように、本発明の液晶表示装置用基板検査装置
では、透明電極に測定電極を接触させることなく、組み
立て前の液晶表示装置用基板の検査を容易に行うことが
でき、従来に比べて大幅に生産性の向上を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための液晶表示装
置用基板の斜視図、第２図は第１図の上面図、第３図は
一実施例における信号の状態を示すグラフである。１……ガラス基板、２……ピクセル、3MOS形TFT、４…
…ゲート信号線、５……ソース信号線、６、７……リー
ド電極、８……測定電極。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス基板に形成された複数の画素と、こ
の画素毎に形成されたスイッチ素子およびこのスイッチ
素子のドレインに接続された透明電極とを備えたアクテ
ィブマトリックス方式の液晶表示装置基板の電気的な検
査を行なう液晶表示装置用基板検査装置において、前記透明電極に接触することなく対向配置され、前記透
明電極との間に容量結合を形成する測定電極と、この測定電極と前記透明電極との間に、前記スイッチ素
子を介して交流電圧を印加する手段と、前記スイッチ素子のゲートに当該スイッチ素子を駆動す
るための信号を印加する手段と、前記測定電極と前記透明電極との間に交流電圧印加によ
り誘導される電圧変動を検出する測定装置とを備えたことを特徴とする液晶表示装置用基板検査装
置。