JPH0950012A - 液晶駆動基盤の検査方法 - Google Patents
液晶駆動基盤の検査方法Info
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- JPH0950012A JPH0950012A JP20117995A JP20117995A JPH0950012A JP H0950012 A JPH0950012 A JP H0950012A JP 20117995 A JP20117995 A JP 20117995A JP 20117995 A JP20117995 A JP 20117995A JP H0950012 A JPH0950012 A JP H0950012A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体反射膜が傷ついた場合、速やかにモジ
ュレータを交換しなければならないため、検査効率が悪
くコストが掛かる。 【解決手段】 透明電極１１と画素電極２とによって液
晶シート１０が挟まれるように、モジュレータＢと液晶
駆動基板Ａとを対面配置し、各画素電極２を接地すると
共に、透明電極１１に所定の電圧を印加し、この時のモ
ジュレータＢの各部の光の反射状態を測定することによ
り、モジュレータＢの欠陥箇所を求めて記憶する。そし
て、上記と同様にモジュレータＢと液晶駆動基板Ａとを
対面配置し、透明電極１１と各画素電極２との間に所定
の電圧を印加し、この時のモジュレータＢの各部の光の
反射状態を測定し、この測定結果と先に記憶されたモジ
ュレータＢの欠陥箇所とに基づいて、液晶駆動基板Ａの
欠陥を検出する。
ュレータを交換しなければならないため、検査効率が悪
くコストが掛かる。 【解決手段】 透明電極１１と画素電極２とによって液
晶シート１０が挟まれるように、モジュレータＢと液晶
駆動基板Ａとを対面配置し、各画素電極２を接地すると
共に、透明電極１１に所定の電圧を印加し、この時のモ
ジュレータＢの各部の光の反射状態を測定することによ
り、モジュレータＢの欠陥箇所を求めて記憶する。そし
て、上記と同様にモジュレータＢと液晶駆動基板Ａとを
対面配置し、透明電極１１と各画素電極２との間に所定
の電圧を印加し、この時のモジュレータＢの各部の光の
反射状態を測定し、この測定結果と先に記憶されたモジ
ュレータＢの欠陥箇所とに基づいて、液晶駆動基板Ａの
欠陥を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルの
主要な部品である液晶駆動基板の検査方法に関する。
主要な部品である液晶駆動基板の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、液晶表示パネルは、透明
電極を貼り合わせたガラス基板と液晶駆動基板とをスペ
ーサを介して対面配置し、このガラス基板と液晶駆動基
板との間隙に液晶を封止して構成される。この液晶駆動
基板は、液晶の駆動方法によって種々の構成のものが知
られている。
電極を貼り合わせたガラス基板と液晶駆動基板とをスペ
ーサを介して対面配置し、このガラス基板と液晶駆動基
板との間隙に液晶を封止して構成される。この液晶駆動
基板は、液晶の駆動方法によって種々の構成のものが知
られている。
【０００３】図３はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を使用
したアクティブマトリックス方式の液晶駆動基板の構成
例を示す平面図である。同図において、ガラス基板１の
表面には互いに平行な複数本の行配線６，６，…が所定
ピッチを隔てて布線されると共にこれらの行配線と直交
する列配線４，４，…が所定ピッチを隔てて布線されて
いる。そして、ガラス基板１上において各行配線および
各列配線が交差する各交差点毎に、各々１個の画素電極
２およびスイッチング用のＴＦＴ３が各々配置されてい
る。ここで、各ＴＦＴ３は、ソース端子が列配線４に接
続され、ドレイン端子が画素電極２に接続され、ゲート
端子は列配線６に接続されている。行方向に並んだ一連
のＴＦＴ３，３，…は、当該行配線６から各々のゲート
端子に所定の電圧が印加されることによって導通状態と
なり、これにより各列配線４に対する各印加電圧が各Ｔ
ＦＴ３を介して各画素電極２に印加される。ここで、液
晶駆動基板Ａは、製造工程の途中のものであり、各ＴＦ
Ｔ３を静電気等から保護するために、行配線４は全てシ
ョーティングバー５に接続され、列配線６は全てショー
ティングバー７に接続されている。しかし、この液晶駆
動基板Ａが液晶表示パネルとして完成する時点では、シ
ョーティングバー５、７は除去され、各々の行配線４お
よび列配線６は分離される。
したアクティブマトリックス方式の液晶駆動基板の構成
例を示す平面図である。同図において、ガラス基板１の
表面には互いに平行な複数本の行配線６，６，…が所定
ピッチを隔てて布線されると共にこれらの行配線と直交
する列配線４，４，…が所定ピッチを隔てて布線されて
いる。そして、ガラス基板１上において各行配線および
各列配線が交差する各交差点毎に、各々１個の画素電極
２およびスイッチング用のＴＦＴ３が各々配置されてい
る。ここで、各ＴＦＴ３は、ソース端子が列配線４に接
続され、ドレイン端子が画素電極２に接続され、ゲート
端子は列配線６に接続されている。行方向に並んだ一連
のＴＦＴ３，３，…は、当該行配線６から各々のゲート
端子に所定の電圧が印加されることによって導通状態と
なり、これにより各列配線４に対する各印加電圧が各Ｔ
ＦＴ３を介して各画素電極２に印加される。ここで、液
晶駆動基板Ａは、製造工程の途中のものであり、各ＴＦ
Ｔ３を静電気等から保護するために、行配線４は全てシ
ョーティングバー５に接続され、列配線６は全てショー
ティングバー７に接続されている。しかし、この液晶駆
動基板Ａが液晶表示パネルとして完成する時点では、シ
ョーティングバー５、７は除去され、各々の行配線４お
よび列配線６は分離される。
【０００４】ところで、本出願人は、このように構成さ
れた液晶駆動基板Ａの検査装置として、電界によって光
の反射率が変化する電気光学特性を有する電気光学素子
（モジュレータ）を用いたものを特開平５−２５６７９
４号公報に開示した。
れた液晶駆動基板Ａの検査装置として、電界によって光
の反射率が変化する電気光学特性を有する電気光学素子
（モジュレータ）を用いたものを特開平５−２５６７９
４号公報に開示した。
【０００５】図４は、この検査装置の主要部の構成を示
す図であり、この図において、符号Ｂはモジュレータで
ある。モジュレータＢは、内部に液晶が封入された液晶
シート１０の片面に薄膜透明電極１１を貼り合わせ、ま
た他面にモジュレータＢに照射された光を反射する半導
体反射膜１２を蒸着または貼り合わせて構成されてい
る。このモジュレータＢは、検査装置に固定されてお
り、液晶駆動基板Ａは、このように構成されたモジュレ
ータＢに微小間隔（１０μｍ〜２０μｍ）をおいて、か
つ、位置精度良く面対向配置される。そして、モジュレ
ータＢの薄膜透明電極１１および液晶駆動基板Ａのショ
ーティングバー５、７には、電圧印加装置Ｃによって液
晶駆動基板Ａの動作を検査するために必要な所定の電圧
がそれぞれ印加される。そして、モジュレータＢの表面
には、ハロゲンランプＤによって均一に光が照射され
る。ＣＣＤカメラＥは、モジュレータＢの表面からの反
射光によって、モジュレータＢの表面を一枚の画像とし
て捉える。
す図であり、この図において、符号Ｂはモジュレータで
ある。モジュレータＢは、内部に液晶が封入された液晶
シート１０の片面に薄膜透明電極１１を貼り合わせ、ま
た他面にモジュレータＢに照射された光を反射する半導
体反射膜１２を蒸着または貼り合わせて構成されてい
る。このモジュレータＢは、検査装置に固定されてお
り、液晶駆動基板Ａは、このように構成されたモジュレ
ータＢに微小間隔（１０μｍ〜２０μｍ）をおいて、か
つ、位置精度良く面対向配置される。そして、モジュレ
ータＢの薄膜透明電極１１および液晶駆動基板Ａのショ
ーティングバー５、７には、電圧印加装置Ｃによって液
晶駆動基板Ａの動作を検査するために必要な所定の電圧
がそれぞれ印加される。そして、モジュレータＢの表面
には、ハロゲンランプＤによって均一に光が照射され
る。ＣＣＤカメラＥは、モジュレータＢの表面からの反
射光によって、モジュレータＢの表面を一枚の画像とし
て捉える。
【０００６】次に、液晶駆動基板Ａは、微小間隔をおい
てモジュレータＢに対向して配置されているので、モジ
ュレータＢの液晶シート１０内に封入された液晶は、薄
膜透明電極１１と液晶駆動基板Ａの各画素電極２との間
に発生する電界の影響を受ける。この電界の影響によっ
て、液晶シート１０内に封入された液晶は、その分子配
向を変化させ、ハロゲンランプＤによって照射される光
に対する反射率を変化させる。しかし、列配線４または
行配線６の断線、列配線４と行配線６の短絡等の不良に
よって正常に電圧が印加されない画素電極２に対向する
部分のモジュレータＢの光の反射率は、正常に電圧が印
加された画素電極２に対向する部分の光の反射率とは異
なった値となる。
てモジュレータＢに対向して配置されているので、モジ
ュレータＢの液晶シート１０内に封入された液晶は、薄
膜透明電極１１と液晶駆動基板Ａの各画素電極２との間
に発生する電界の影響を受ける。この電界の影響によっ
て、液晶シート１０内に封入された液晶は、その分子配
向を変化させ、ハロゲンランプＤによって照射される光
に対する反射率を変化させる。しかし、列配線４または
行配線６の断線、列配線４と行配線６の短絡等の不良に
よって正常に電圧が印加されない画素電極２に対向する
部分のモジュレータＢの光の反射率は、正常に電圧が印
加された画素電極２に対向する部分の光の反射率とは異
なった値となる。
【０００７】したがって、ＣＣＤカメラＥによって捉え
られるモジュレータＢの反射光による画像は、液晶駆動
基板Ａの画素電極２に印加された電圧を反映させた輝度
分布を有する画像となる。ここで、ＣＣＤカメラＥとモ
ジュレータＢの位置関係は常に一定になっているため、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
を各画素電極２について指定されている所定のアドレス
に対応させて所定の処理を施すことができる。つまり、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
情報が何番目のアドレスの画素電極２に対応する情報で
あるのを常に認識して所定の処理を行うことができる。
これによって、画像処理装置Ｆは、各画素電極２毎に動
作状態を検出して液晶駆動基板Ａの良否を判定し、この
結果をモニタＧに表示する。
られるモジュレータＢの反射光による画像は、液晶駆動
基板Ａの画素電極２に印加された電圧を反映させた輝度
分布を有する画像となる。ここで、ＣＣＤカメラＥとモ
ジュレータＢの位置関係は常に一定になっているため、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
を各画素電極２について指定されている所定のアドレス
に対応させて所定の処理を施すことができる。つまり、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
情報が何番目のアドレスの画素電極２に対応する情報で
あるのを常に認識して所定の処理を行うことができる。
これによって、画像処理装置Ｆは、各画素電極２毎に動
作状態を検出して液晶駆動基板Ａの良否を判定し、この
結果をモニタＧに表示する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した構
成のモジュレータは、液晶シートに薄膜透明電極を貼り
合わせる際に、異物あるいは気泡が混入することがあ
る。また、半導体反射膜と液晶駆動基板との間隙は１０
μｍ〜２０μｍと僅かなために、検査しようとする液晶
駆動基板と半導体反射膜との間に異物が存在した場合に
傷つくことがある。モジュレータにおいて、このように
異物の混入部または傷ついた部分（モジュレータ欠陥）
の光の反射率は低下し、この部分は液晶駆動基板上の画
素電極の欠陥を正確に検出することができない。つま
り、従来、このようなモジュレータを使って液晶駆動基
板の検査をした場合、モジュレータ欠陥を画素電極の欠
陥として判定してしまうため、良品の液晶駆動基板を不
良品として判定するという問題があった。また、このよ
うな問題から、従来の液晶駆動基板の検査方法では、半
導体反射膜が傷ついた場合、速やかにモジュレータを交
換しなければならないため、検査効率が悪くコストが掛
かるという問題があった。
成のモジュレータは、液晶シートに薄膜透明電極を貼り
合わせる際に、異物あるいは気泡が混入することがあ
る。また、半導体反射膜と液晶駆動基板との間隙は１０
μｍ〜２０μｍと僅かなために、検査しようとする液晶
駆動基板と半導体反射膜との間に異物が存在した場合に
傷つくことがある。モジュレータにおいて、このように
異物の混入部または傷ついた部分（モジュレータ欠陥）
の光の反射率は低下し、この部分は液晶駆動基板上の画
素電極の欠陥を正確に検出することができない。つま
り、従来、このようなモジュレータを使って液晶駆動基
板の検査をした場合、モジュレータ欠陥を画素電極の欠
陥として判定してしまうため、良品の液晶駆動基板を不
良品として判定するという問題があった。また、このよ
うな問題から、従来の液晶駆動基板の検査方法では、半
導体反射膜が傷ついた場合、速やかにモジュレータを交
換しなければならないため、検査効率が悪くコストが掛
かるという問題があった。
【０００９】本発明は上述する問題点に鑑みてなされた
もので、モジュレータ欠陥を液晶駆動基板の欠陥として
判定することを抑え、かつ、作業効率の良い液晶駆動基
板の検査方法を提供することを目的とする。
もので、モジュレータ欠陥を液晶駆動基板の欠陥として
判定することを抑え、かつ、作業効率の良い液晶駆動基
板の検査方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶駆動基板の
検査方法は、上述する問題点を解決するために、液晶に
電界を与えるための複数の画素電極と、これらの各画素
電極に駆動電圧を印加するための回路とが形成されてな
る液晶駆動基板を、表面に透明電極が形成され、かつ、
電界強度に依存して光の反射率が変化する液晶シートを
有するモジュレータを使用して検査する液晶駆動基板の
検査方法において、 ａ．前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
ートが挟まれるように、前記モジュレータと、前記液晶
駆動基板とを対面配置し、 ｂ．前記液晶駆動基板の各画素電極を接地すると共に、
モジュレータの透明電極に所定の電圧を印加し、 ｃ．上記ｂの電圧印加時における前記モジュレータの各
部の光の反射状態を測定することにより、前記モジュレ
ータの欠陥箇所を求め、この欠陥箇所をメモリに記憶さ
せ、 ｄ．前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
各画素電極との間に所定の電圧を印加し、 ｆ．上記ｄの電圧印加時における前記モジュレータの各
部の光の反射状態を測定し、この測定結果と前記メモリ
に記憶された前記モジュレータの欠陥箇所とに基づい
て、前記液晶駆動基板の欠陥を検出する、 ことを特徴とする。
検査方法は、上述する問題点を解決するために、液晶に
電界を与えるための複数の画素電極と、これらの各画素
電極に駆動電圧を印加するための回路とが形成されてな
る液晶駆動基板を、表面に透明電極が形成され、かつ、
電界強度に依存して光の反射率が変化する液晶シートを
有するモジュレータを使用して検査する液晶駆動基板の
検査方法において、 ａ．前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
ートが挟まれるように、前記モジュレータと、前記液晶
駆動基板とを対面配置し、 ｂ．前記液晶駆動基板の各画素電極を接地すると共に、
モジュレータの透明電極に所定の電圧を印加し、 ｃ．上記ｂの電圧印加時における前記モジュレータの各
部の光の反射状態を測定することにより、前記モジュレ
ータの欠陥箇所を求め、この欠陥箇所をメモリに記憶さ
せ、 ｄ．前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
各画素電極との間に所定の電圧を印加し、 ｆ．上記ｄの電圧印加時における前記モジュレータの各
部の光の反射状態を測定し、この測定結果と前記メモリ
に記憶された前記モジュレータの欠陥箇所とに基づい
て、前記液晶駆動基板の欠陥を検出する、 ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明による液晶駆動基板の検査方法によれ
ば、モジュレータの欠陥箇所を求めた上で、この欠陥箇
所を考慮して液晶駆動基板の欠陥箇所を検出するので、
モジュレータの欠陥を液晶駆動基板の欠陥として誤認す
ることがない。
ば、モジュレータの欠陥箇所を求めた上で、この欠陥箇
所を考慮して液晶駆動基板の欠陥箇所を検出するので、
モジュレータの欠陥を液晶駆動基板の欠陥として誤認す
ることがない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
よる液晶駆動基板の検査方法の一実施例について説明す
る。なお、本実施例において検査する液晶駆動基板およ
び検査時におけるモジュレータと液晶駆動基板との位置
関係は、既に説明した図３および図４と同様でありその
説明を省略する。
よる液晶駆動基板の検査方法の一実施例について説明す
る。なお、本実施例において検査する液晶駆動基板およ
び検査時におけるモジュレータと液晶駆動基板との位置
関係は、既に説明した図３および図４と同様でありその
説明を省略する。
【００１３】図１は、本実施例の液晶駆動基板の検査方
法を示すフローチャートである。以下、このフローチャ
ートに沿って、本実施例の検査方法を詳しく説明する。 〔ステップＳ1〕液晶駆動基板の搭載 液晶駆動基板Ａは、装着手段（図示略）によってモジュ
レータＢに対して微小距離（１０μｍ〜２０μｍ）隔
て、かつ位置精度良く検査装置に搭載される。そして、
ハロゲンランプＤによって均一な強度の光がモジュレー
タＢの表面全体に照射される。ＣＣＤカメラＥは、モジ
ュレータＢの表面を所定の位置から順次走査する。そし
て、各部から得られる反射光をその強度に対応した電圧
に変換することによって、モジュレータＢの各部の輝度
を表す画像データを形成し、画像処理装置Ｆに出力す
る。
法を示すフローチャートである。以下、このフローチャ
ートに沿って、本実施例の検査方法を詳しく説明する。 〔ステップＳ1〕液晶駆動基板の搭載 液晶駆動基板Ａは、装着手段（図示略）によってモジュ
レータＢに対して微小距離（１０μｍ〜２０μｍ）隔
て、かつ位置精度良く検査装置に搭載される。そして、
ハロゲンランプＤによって均一な強度の光がモジュレー
タＢの表面全体に照射される。ＣＣＤカメラＥは、モジ
ュレータＢの表面を所定の位置から順次走査する。そし
て、各部から得られる反射光をその強度に対応した電圧
に変換することによって、モジュレータＢの各部の輝度
を表す画像データを形成し、画像処理装置Ｆに出力す
る。
【００１４】〔ステップＳ2〕Ｅ／Ｏゲインキャリブレ
ーション このステップＳ2において、画像処理装置Ｆは、以下に
示す処理によってモジュレータＢの電気光学利得（Ｅ／
Ｏゲイン）を各画素電極２について算出する。図２は、
モジュレータＢの電気光学特性を示す図である。この図
において、モジュレータＢの薄膜透明電極１１に印加す
る電圧Ｅを増加させたとき、ＣＣＤカメラＥが検出する
モジュレータＢの反射光量Ｏは曲線Ｐに沿って変化す
る。例えば、電圧Ｅを電圧値Ｅ0をバイアス電圧とし、
薄膜透明電極１１に印加する電圧Ｅを電圧Ｅ1から電圧
Ｅ2まで変化させたとき、ＣＣＤカメラＥが検出する反
射光量は、略直線的に反射光量Ｏ1から反射光量Ｏ2まで
変化する。この電圧Ｅの変化量｜Ｅ2−Ｅ1｜に対する反
射光量Ｏの変化量｜Ｏ2−Ｏ1｜の比｜Ｅ2−Ｅ1｜／｜Ｏ
2−Ｏ1｜がＥ／Ｏゲインである。このＥ／Ｏゲインは、
先に説明したモジュレータ欠陥部と正常部とで異なった
値となる。
ーション このステップＳ2において、画像処理装置Ｆは、以下に
示す処理によってモジュレータＢの電気光学利得（Ｅ／
Ｏゲイン）を各画素電極２について算出する。図２は、
モジュレータＢの電気光学特性を示す図である。この図
において、モジュレータＢの薄膜透明電極１１に印加す
る電圧Ｅを増加させたとき、ＣＣＤカメラＥが検出する
モジュレータＢの反射光量Ｏは曲線Ｐに沿って変化す
る。例えば、電圧Ｅを電圧値Ｅ0をバイアス電圧とし、
薄膜透明電極１１に印加する電圧Ｅを電圧Ｅ1から電圧
Ｅ2まで変化させたとき、ＣＣＤカメラＥが検出する反
射光量は、略直線的に反射光量Ｏ1から反射光量Ｏ2まで
変化する。この電圧Ｅの変化量｜Ｅ2−Ｅ1｜に対する反
射光量Ｏの変化量｜Ｏ2−Ｏ1｜の比｜Ｅ2−Ｅ1｜／｜Ｏ
2−Ｏ1｜がＥ／Ｏゲインである。このＥ／Ｏゲインは、
先に説明したモジュレータ欠陥部と正常部とで異なった
値となる。
【００１５】実際にＥ／Ｏゲインを求める場合、電圧印
加装置Ｃは、液晶駆動基板Ａの各画素電極２を接地状態
とし、モジュレータＢの薄膜透明電極１１には、まず電
圧Ｅ1を印加する。この電圧Ｅ1は、同時に画像処理装置
Ｆの内部メモリに記憶される。画像処理装置Ｆは、この
ときにＣＣＤカメラＥが出力する電圧ＥO1を各画素電極
２毎に内部のメモリに記憶する。ここで、液晶駆動基板
Ａは、極めて位置精度良く検査装置に装着される。した
がって、画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥが出力する
電圧ＥO1を画素電極２に予め割り付けられているアドレ
スに対応付けて内部メモリに記憶する。
加装置Ｃは、液晶駆動基板Ａの各画素電極２を接地状態
とし、モジュレータＢの薄膜透明電極１１には、まず電
圧Ｅ1を印加する。この電圧Ｅ1は、同時に画像処理装置
Ｆの内部メモリに記憶される。画像処理装置Ｆは、この
ときにＣＣＤカメラＥが出力する電圧ＥO1を各画素電極
２毎に内部のメモリに記憶する。ここで、液晶駆動基板
Ａは、極めて位置精度良く検査装置に装着される。した
がって、画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥが出力する
電圧ＥO1を画素電極２に予め割り付けられているアドレ
スに対応付けて内部メモリに記憶する。
【００１６】次に、電圧印加装置Ｃは、薄膜透明電極１
１に電圧Ｅ2を印加し、画像処理装置Ｆは、このときＣ
ＣＤカメラＥが出力する電圧ＥO2、および電圧Ｅ2を内
部メモリに記憶する。画像処理装置Ｆは、このようにし
て記憶した電圧Ｅ1、Ｅ2および反射光量Ｏ1、Ｏ2にそれ
ぞれ対応した電圧ＥO1、ＥO2に基づいてＥ／Ｏゲインを
各画素電極２に対向する部分（つまり、各画素電極２の
アドレス）について求め、この値をＥ／Ｏゲイン・デー
タＸとして記憶する。このＥ／Ｏゲイン・データＸは、
以下に説明するステップＳ5のイメージ電圧の取得にお
いて、各画素電極２毎に求められた反射光量からイメー
ジ電圧を算出するときに使われる。
１に電圧Ｅ2を印加し、画像処理装置Ｆは、このときＣ
ＣＤカメラＥが出力する電圧ＥO2、および電圧Ｅ2を内
部メモリに記憶する。画像処理装置Ｆは、このようにし
て記憶した電圧Ｅ1、Ｅ2および反射光量Ｏ1、Ｏ2にそれ
ぞれ対応した電圧ＥO1、ＥO2に基づいてＥ／Ｏゲインを
各画素電極２に対向する部分（つまり、各画素電極２の
アドレス）について求め、この値をＥ／Ｏゲイン・デー
タＸとして記憶する。このＥ／Ｏゲイン・データＸは、
以下に説明するステップＳ5のイメージ電圧の取得にお
いて、各画素電極２毎に求められた反射光量からイメー
ジ電圧を算出するときに使われる。
【００１７】〔ステップＳ3〕モジュレータ欠陥フィル
タの作成 ところで、上述したようなモジュレータ欠陥部は、正常
部と比較して反射光量が低下するため、この部分のＥ／
Ｏゲインは、正常部よりも大きな値となる。画像処理装
置Ｆは、各画素電極２毎に算出されたＥ／Ｏゲイン・デ
ータＸを所定のしきい値によって２値化し、モジュレー
タ欠陥部分とそれ以外の正常部とに分離する。例えば、
モジュレータ欠陥部を”１”に対応させ、正常部を”
０”に対応させる。そして、この処理を全ての画素電極
２について行い、モジュレータ欠陥データＲとして画素
電極２のアドレスに対応させて内部メモリに記憶する。
タの作成 ところで、上述したようなモジュレータ欠陥部は、正常
部と比較して反射光量が低下するため、この部分のＥ／
Ｏゲインは、正常部よりも大きな値となる。画像処理装
置Ｆは、各画素電極２毎に算出されたＥ／Ｏゲイン・デ
ータＸを所定のしきい値によって２値化し、モジュレー
タ欠陥部分とそれ以外の正常部とに分離する。例えば、
モジュレータ欠陥部を”１”に対応させ、正常部を”
０”に対応させる。そして、この処理を全ての画素電極
２について行い、モジュレータ欠陥データＲとして画素
電極２のアドレスに対応させて内部メモリに記憶する。
【００１８】〔ステップＳ4〕基板電圧印加 次に、電圧印加装置Ｃは、モジュレータＢの薄膜透明電
極１１にバイアス電圧Ｅ0を印加し、ショーティングバ
ー５、７には、以下に示すようなパターンの電圧を各々
印加する。 （ａ）ショーティングバー７に正電圧を印加し、ショー
ティングバー５に電圧Ｅxを印加する。 （ｂ）ショーティングバー７を接地し、ショーティング
バー５に電圧Ｅxを印加する。 （ｃ）ショーティングバー７に正電圧を印加し、ショー
ティングバー５を接地する。
極１１にバイアス電圧Ｅ0を印加し、ショーティングバ
ー５、７には、以下に示すようなパターンの電圧を各々
印加する。 （ａ）ショーティングバー７に正電圧を印加し、ショー
ティングバー５に電圧Ｅxを印加する。 （ｂ）ショーティングバー７を接地し、ショーティング
バー５に電圧Ｅxを印加する。 （ｃ）ショーティングバー７に正電圧を印加し、ショー
ティングバー５を接地する。
【００１９】〔ステップＳ5〕イメージ電圧取得 上記電圧印加パターン毎に、モジュレータＢの反射光量
に対応したＣＣＤカメラＥの出力電圧が画像処理回路Ｆ
に取り込まれる。例えば、上記（ａ）の電圧印加パター
ンにおいて、正常に動作する画素電極２には電圧Ｅxが
印加され、この画素電極２に対向するモジュレータＢの
反射光量は、反射光量Ｏxとなる。しかし、列配線４が
点ｘにおいて断線している画素電極２の場合、左側の一
列の画素電極２には電圧Ｅxが印加されないため、この
部分のモジュレータＢの反射光量は、反射光量Ｏxにな
り得ず、他の部分に比較して低い反射光量となる。
に対応したＣＣＤカメラＥの出力電圧が画像処理回路Ｆ
に取り込まれる。例えば、上記（ａ）の電圧印加パター
ンにおいて、正常に動作する画素電極２には電圧Ｅxが
印加され、この画素電極２に対向するモジュレータＢの
反射光量は、反射光量Ｏxとなる。しかし、列配線４が
点ｘにおいて断線している画素電極２の場合、左側の一
列の画素電極２には電圧Ｅxが印加されないため、この
部分のモジュレータＢの反射光量は、反射光量Ｏxにな
り得ず、他の部分に比較して低い反射光量となる。
【００２０】また、上記（ｂ）の電圧印加パターンにお
いて、列配線４の点ｘと点ｙとが短絡している場合、左
上端の画素電極２のみに電圧Ｅxが印加され、この部分
のモジュレータＢの反射光量は、反射光量Ｏxとなる。
この場合、他の画素電極２に対向する部分は、反射光量
Ｏxになり得ず、低い反射光量となる。さらに、上記
（ｃ）の電圧印加パターンにおいて、点ｙと点ｚとが短
絡している場合、上記と同様に左上端の画素電極２のみ
に電圧Ｅxが印加され、この部分のモジュレータＢの反
射光量は、反射光量Ｏxとなる。
いて、列配線４の点ｘと点ｙとが短絡している場合、左
上端の画素電極２のみに電圧Ｅxが印加され、この部分
のモジュレータＢの反射光量は、反射光量Ｏxとなる。
この場合、他の画素電極２に対向する部分は、反射光量
Ｏxになり得ず、低い反射光量となる。さらに、上記
（ｃ）の電圧印加パターンにおいて、点ｙと点ｚとが短
絡している場合、上記と同様に左上端の画素電極２のみ
に電圧Ｅxが印加され、この部分のモジュレータＢの反
射光量は、反射光量Ｏxとなる。
【００２１】このように、モジュレータＢの反射光量
は、画素電極２への電圧の印加状態を反映した反射光量
となる。画像処理装置Ｆは、この反射光量に対応するＣ
ＣＤカメラＥの出力電圧を、先に記憶されたＥ／Ｏゲイ
ン・データＸを用いてイメージ電圧Ｅyに変換し、これ
を内部メモリに記憶する。
は、画素電極２への電圧の印加状態を反映した反射光量
となる。画像処理装置Ｆは、この反射光量に対応するＣ
ＣＤカメラＥの出力電圧を、先に記憶されたＥ／Ｏゲイ
ン・データＸを用いてイメージ電圧Ｅyに変換し、これ
を内部メモリに記憶する。
【００２２】〔ステップＳ6〕２値化 次に、各々の画素電極２について算出されたイメージ電
圧Ｅyは、ステップＳ4において実際にショーティングバ
ー５に印加された電圧Ｅxと比較され、その差が所定の
しきい値Ｓに対して大きいか否かによって２値化され
る。例えば、｜Ｅx−Ｅy｜＜Ｓである場合、その画素電
極２は、正常画素であるとして”０”に対応付けられ、
｜Ｅx−Ｅy｜≧Ｓである場合、欠陥画素であるととし
て”１”に対応付けられる。このように、画像処理装置
Ｆは、画素電極２毎に正常画素”０”と欠陥画素”１”
とに対応させたデータを欠陥画素データＴとして記憶す
る。
圧Ｅyは、ステップＳ4において実際にショーティングバ
ー５に印加された電圧Ｅxと比較され、その差が所定の
しきい値Ｓに対して大きいか否かによって２値化され
る。例えば、｜Ｅx−Ｅy｜＜Ｓである場合、その画素電
極２は、正常画素であるとして”０”に対応付けられ、
｜Ｅx−Ｅy｜≧Ｓである場合、欠陥画素であるととし
て”１”に対応付けられる。このように、画像処理装置
Ｆは、画素電極２毎に正常画素”０”と欠陥画素”１”
とに対応させたデータを欠陥画素データＴとして記憶す
る。
【００２３】〔ステップＳ7〕フィルタリング 画像処理装置Ｆは、各々記憶されたモジュレータ欠陥デ
ータＲと欠陥画素データＴとを同一画素電極２毎に対応
させて比較する。そして、欠陥画素データＴにおいて”
１”が割り付けられた画素電極２がモジュレータ欠陥デ
ータＲにおいて同様に”１”が割り付けられている場
合、この画素電極２を欠陥画素と認定せずに正常画素と
認定する。画像処理装置Ｆは、このような認定を全ての
画素電極２について行い、真に液晶駆動基板Ａの不良に
よる欠陥画素のみを検出する。ただし、画像処理装置Ｆ
は、水平方向あるいは垂直方向に欠陥画素が一列に並ぶ
線欠陥が欠陥画素データＴ中に存在する場合、この線欠
陥の途中にモジュレータ欠陥データＲにおいて”１”が
割り付けられた画素電極２が存在したとき、これを連続
した１本の線欠陥と認定する。
ータＲと欠陥画素データＴとを同一画素電極２毎に対応
させて比較する。そして、欠陥画素データＴにおいて”
１”が割り付けられた画素電極２がモジュレータ欠陥デ
ータＲにおいて同様に”１”が割り付けられている場
合、この画素電極２を欠陥画素と認定せずに正常画素と
認定する。画像処理装置Ｆは、このような認定を全ての
画素電極２について行い、真に液晶駆動基板Ａの不良に
よる欠陥画素のみを検出する。ただし、画像処理装置Ｆ
は、水平方向あるいは垂直方向に欠陥画素が一列に並ぶ
線欠陥が欠陥画素データＴ中に存在する場合、この線欠
陥の途中にモジュレータ欠陥データＲにおいて”１”が
割り付けられた画素電極２が存在したとき、これを連続
した１本の線欠陥と認定する。
【００２４】〔ステップＳ8〕欠陥判定 画像処理装置Ｆは、予め内部メモリに記憶された欠陥画
素の許容数と上記フィルタリングの結果得られた欠陥画
素数とを比較する。そして、画像処理装置Ｆは、この結
果から液晶駆動基板Ａの良否を自動的に判定し、判定結
果をモニタＧに表示して検査を終了する。または、欠陥
画素数と同時に液晶駆動基板Ａの欠陥画素の分布を画像
としてモニタＧに表示し、操作員が欠陥画素数とその分
布状態から液晶駆動基板Ａの良否を判定することも可能
である。
素の許容数と上記フィルタリングの結果得られた欠陥画
素数とを比較する。そして、画像処理装置Ｆは、この結
果から液晶駆動基板Ａの良否を自動的に判定し、判定結
果をモニタＧに表示して検査を終了する。または、欠陥
画素数と同時に液晶駆動基板Ａの欠陥画素の分布を画像
としてモニタＧに表示し、操作員が欠陥画素数とその分
布状態から液晶駆動基板Ａの良否を判定することも可能
である。
【００２５】
【発明の効果】本発明による液晶駆動基板の検査方法に
よれば、以下のような効果を得ることができる。 （１）モジュレータの欠陥箇所を液晶駆動基板の画素電
極の欠陥箇所として判定されることを防止することがで
きる。 （２）モジュレータが傷ついた場合においても、ある程
度、モジュレータの使用を続けることが可能であるた
め、モジュレータを効率よく使用することが可能であり
経済的である。 （３）傷ついたモジュレータの交換回数が減少し、液晶
駆動基板の検査が能率的に行えるため、検査の作業性が
向上する。
よれば、以下のような効果を得ることができる。 （１）モジュレータの欠陥箇所を液晶駆動基板の画素電
極の欠陥箇所として判定されることを防止することがで
きる。 （２）モジュレータが傷ついた場合においても、ある程
度、モジュレータの使用を続けることが可能であるた
め、モジュレータを効率よく使用することが可能であり
経済的である。 （３）傷ついたモジュレータの交換回数が減少し、液晶
駆動基板の検査が能率的に行えるため、検査の作業性が
向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶駆動基板の検査方法を説明す
る工程図である。
る工程図である。
【図２】モジュレータの電気光学特性を示す図である。
【図３】ＴＦＴタイプのアクティブマトリックス方式液
晶駆動基板の一構成例を示す平面図である。
晶駆動基板の一構成例を示す平面図である。
【図４】液晶駆動基板の検査装置の主要部の構成を示す
図である。
図である。
Ａ 液晶駆動基板 １ ガラス基板 ２ 画素電極 ３ ＴＦＴ ４ 列配線 ５、７ ショーティングバー ６ 行配線 Ｂ モジュレータ １０ 液晶シート １１ 薄膜透明電極 １２ 半導体反射膜 Ｃ 電圧印加装置 Ｄ ハロゲンランプ Ｅ ＣＣＤカメラ Ｆ 画像処理装置 Ｇ モニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 睦 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 坂本 勧 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 梶 克広 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 フランソワ ジェイ ヘンリー 東京都港区浜松町２−１−16 ＳＶＡＸ浜 松町第２ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内 (72)発明者 マイク ミラー 東京都港区浜松町２−１−16 ＳＶＡＸ浜 松町第２ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶に電界を与えるための複数の画素電
極と、これらの各画素電極に駆動電圧を印加するための
回路とが形成されてなる液晶駆動基板を、表面に透明電
極が形成され、かつ、電界強度に依存して光の反射率が
変化する液晶シートを有するモジュレータを使用して検
査する液晶駆動基板の検査方法において、 ａ．前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
ートが挟まれるように、前記モジュレータと、前記液晶
駆動基板とを対面配置し、 ｂ．前記液晶駆動基板の各画素電極を接地すると共に、
モジュレータの透明電極に所定の電圧を印加し、 ｃ．上記ｂの電圧印加時における前記モジュレータの各
部の光の反射状態を測定することにより、前記モジュレ
ータの欠陥箇所を求め、この欠陥箇所をメモリに記憶さ
せ、 ｄ．前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
各画素電極との間に所定の電圧を印加し、 ｅ．上記ｄの電圧印加時における前記モジュレータの各
部の光の反射状態を測定し、この測定結果と前記メモリ
に記憶された前記モジュレータの欠陥箇所とに基づい
て、前記液晶駆動基板の欠陥を検出する、 ことを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20117995A JP3479170B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 液晶駆動基板の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20117995A JP3479170B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 液晶駆動基板の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950012A true JPH0950012A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3479170B2 JP3479170B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=16436668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20117995A Expired - Fee Related JP3479170B2 (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 液晶駆動基板の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3479170B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100868746B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2008-11-13 | 주식회사 오킨스전자 | 배선 결함 검사 방법 |
| US7477369B2 (en) | 2003-11-13 | 2009-01-13 | Lg Display Co., Ltd. | Apparatus for testing liquid crystal display device and testing method thereof |
| KR20180006762A (ko) * | 2016-07-11 | 2018-01-19 | 세메스 주식회사 | 모듈레이터 관리 장치 및 방법 |
| CN114578591A (zh) * | 2020-12-01 | 2022-06-03 | 群创光电股份有限公司 | 封装电路的制造方法 |
-
1995
- 1995-08-07 JP JP20117995A patent/JP3479170B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7477369B2 (en) | 2003-11-13 | 2009-01-13 | Lg Display Co., Ltd. | Apparatus for testing liquid crystal display device and testing method thereof |
| KR100868746B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2008-11-13 | 주식회사 오킨스전자 | 배선 결함 검사 방법 |
| KR20180006762A (ko) * | 2016-07-11 | 2018-01-19 | 세메스 주식회사 | 모듈레이터 관리 장치 및 방법 |
| CN114578591A (zh) * | 2020-12-01 | 2022-06-03 | 群创光电股份有限公司 | 封装电路的制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3479170B2 (ja) | 2003-12-15 |
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