JPH0950013A - 液晶駆動基盤の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正常に電圧が印加されている画素電極を正常
動作をしていない欠陥画素として判定してしまう。 【解決手段】 透明電極１１と画素電極２とによって液
晶シート１０が挟まれるようにモジュレータＢと液晶駆
動基板Ａとを対面配置し、透明電極１１と各画素電極２
との間に所定の電圧を印加し、この時のモジュレータＢ
の各部の光の反射状態を測定し、この測定結果に基づい
て液晶駆動基板Ａの欠陥箇所を求め、この欠陥箇所を記
憶させる。そして、この欠陥箇所の分布を点、水平方向
の線、垂直方向の線、クラスタに分類し、各々の形状パ
ターンに対応した所定の処理を施すことによって、前記
欠陥箇所に含まれる偽欠陥を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルを
構成する主要な部品である液晶駆動基板の検査方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、液晶表示パネルは、透明
電極を貼り合わせたガラス基板と液晶駆動基板とをスペ
ーサを介して対面配置し、このガラス基板と液晶駆動基
板との間隙に液晶を封止して構成される。この液晶駆動
基板の構成は、液晶の駆動方法によって種々の方式が知
られている。

【０００３】図７はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を使用
したアクティブマトリックス方式の液晶駆動基板の構成
例を示す平面図である。同図において、ガラス基板１の
表面には互いに平行な複数本の行配線６，６，…が所定
ピッチを隔てて布線されると共にこれらの行配線と直交
する列配線４，４，…が所定ピッチを隔てて布線されて
いる。そして、ガラス基板１上において各行配線および
各列配線が交差する各交差点毎に、各々１個の画素電極
２およびスイッチング用のＴＦＴ３が各々配置されてい
る。ここで、各ＴＦＴ３は、ソース端子が列配線４に接
続され、ドレイン端子が画素電極２に接続され、ゲート
端子は列配線６に接続されている。行方向に並んだ一連
のＴＦＴ３，３，…は、当該行配線６から各々のゲート
端子に所定の電圧が印加されることによって導通状態と
なり、これにより各列配線４に対する各印加電圧が各Ｔ
ＦＴ３を介して各画素電極２に印加される。ここで、液
晶駆動基板Ａは、製造工程の途中のものであり、各ＴＦ
Ｔ３を静電気等から保護するために、行配線４は全てシ
ョーティングバー５に接続され、列配線６は全てショー
ティングバー７に接続されている。しかし、この液晶駆
動基板Ａが液晶表示パネルとして完成する時点では、シ
ョーティングバー５、７は除去され、各々の行配線４お
よび列配線６は分離される。

【０００４】ところで、本出願人は、このように構成さ
れた液晶駆動基板Ａの検査装置として、電界によって光
の反射率が変化する電気光学特性を有する電気光学素子
（モジュレータ）を用いたものを特開平５−２５６７９
４号公報に開示した。

【０００５】図８は、この検査装置の主要部の構成を示
す図であり、この図において、符号Ｂはモジュレータで
ある。モジュレータＢは、内部に液晶が封入された液晶
シート１０の片面に薄膜透明電極１１を貼り合わせ、ま
た他面にモジュレータＢに照射された光を反射する半導
体反射膜１２を蒸着または貼り合わせて構成されてい
る。このモジュレータＢは、検査装置に固定されてお
り、液晶駆動基板Ａは、このように構成されたモジュレ
ータＢに微小間隔（１０μｍ〜２０μｍ）をおいて、か
つ、位置精度良く面対向配置される。そして、モジュレ
ータＢの薄膜透明電極１１および液晶駆動基板Ａのショ
ーティングバー５、７には、電圧印加装置Ｃによって液
晶駆動基板Ａの動作を検査するために必要な所定の電圧
がそれぞれ印加される。そして、モジュレータＢの表面
には、ハロゲンランプＤによって均一に光が照射され
る。ＣＣＤカメラＥは、モジュレータＢの表面からの反
射光によってモジュレータＢの表面を一枚の画像として
捉える。

【０００６】次に、液晶駆動基板Ａは、微小間隔をおい
てモジュレータＢに対向して配置されているので、モジ
ュレータＢの液晶シート１０内に封入された液晶は、薄
膜透明電極１１と液晶駆動基板Ａの各画素電極２との間
に発生する電界の影響を受ける。この電界の影響によっ
て、液晶シート１０内に封入された液晶は、その分子配
向を変化させ、ハロゲンランプＤによって照射される光
に対する反射率を変化させる。しかし、列配線４または
行配線６の断線、列配線４と行配線６の短絡等の不良に
よって正常に電圧が印加されない画素電極２に対向する
部分のモジュレータＢの光の反射率は、正常に電圧が印
加された画素電極２に対向する部分の光の反射率とは異
なった値となる。

【０００７】したがって、ＣＣＤカメラＥによって捉え
られるモジュレータＢの反射光による画像は、液晶駆動
基板Ａの画素電極２に印加された電圧を反映させた輝度
分布を有する画像となる。ここで、ＣＣＤカメラＥとモ
ジュレータＢの位置関係は常に一定になっているため、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
を各画素電極２について指定されている所定のアドレス
に対応させて所定の処理を施すことができる。つまり、
画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥから入力される画像
情報が何番目のアドレスの画素電極２に対応する情報で
あるのを常に認識して所定の処理を行うことができる。
これによって、画像処理装置Ｆは、各画素電極２毎に動
作状態を検出して液晶駆動基板Ａの良否を判定し、この
結果をモニタＧに表示する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述するよ
うな液晶駆動基板の検査方法において、モジュレータの
分解能の限界あるいは画像処理系の性能等が原因となっ
て、本来、正常に電圧が印加されている画素電極を正常
動作をしていない欠陥画素として判定してしまうといっ
た問題があった。

【０００９】本発明は上述する問題点に鑑みてなされた
もので、欠陥画素の誤判定を抑えることが可能な液晶駆
動基板の検査方法の提供を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶駆動
基板の検査方法は、上述する問題点を解決するために、
液晶に電界を与えるための複数の画素電極と、これらの
各画素電極に駆動電圧を印加するための回路とが形成さ
れてなる液晶駆動基板を、表面に透明電極が形成され、
かつ、電界強度に依存して光の反射率が変化する液晶シ
ートを有するモジュレータを使用して検査する液晶駆動
基板の検査方法において、 ａ．前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
ートが挟まれるように、前記モジュレータと、前記液晶
駆動基板とを対面配置し、 ｂ．前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
各画素電極との間に所定の電圧を印加し、 ｃ．上記ｂの電圧印加時における前記モジュレータの各
部の光の反射状態を測定し、この測定結果に基づいて前
記液晶駆動基板の欠陥箇所を求め、この欠陥箇所をメモ
リに記憶させ、 ｄ．上記ｃにおいて前記メモリに記憶された前記液晶駆
動基板の欠陥箇所の分布をいくつかの形状パターンに分
類し、各々の形状パターンの種類に対応した所定の処理
を施すことによって、前記欠陥箇所に含まれる偽欠陥を
除去する、 ことを特徴とする。

【００１１】請求項２記載の液晶駆動基板の検査方法
は、請求項１記載の発明において、液晶駆動基板の欠陥
箇所の分布の形状パターンを少なくとも点と、水平方向
の線と、垂直方向の線と、水平方向および垂直方向に点
が所定数集まった塊とに分類する、ことを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明の液晶駆動基板の検査方法によれば、モ
ジュレータの反射光によって得られる液晶駆動基板の画
素電極の欠陥箇所の分布形状がいくつかのパターンに分
類される。そして、各々の形状パターンの種類に対応し
た所定の処理を施すことによって、画素電極の欠陥箇所
に含まれる偽欠陥が除去される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
よる液晶駆動基板の検査方法の一実施例について説明す
る。なお、本実施例において、検査しようとする液晶駆
動基板および検査時におけるモジュレータと液晶駆動基
板の位置関係は、既に説明した図７および図８と同様で
あり、その説明を省略する。

【００１４】図２は、本実施例の液晶駆動基板の検査方
法を示すフローチャートである。以下、このフローチャ
ートに沿って本実施例の検査方法を詳しく説明する。 〔ステップＳ1〕液晶駆動基板の搭載 液晶駆動基板Ａは、装着手段（図示略）によってモジュ
レータＢに対して微小距離（１０μｍ〜２０μｍ）隔
て、かつ位置精度良く検査装置に搭載される。そして、
ハロゲンランプＤによって均一な強度の光がモジュレー
タＢの表面全体に照射される。ＣＣＤカメラＥは、モジ
ュレータＢの表面を所定の位置から順次走査する。そし
て、各位置から得られる反射光の強度に対応した電圧に
変換することによって、モジュレータＢの表面の各部の
輝度を表す画像データを形成し、画像処理装置Ｆに出力
する。

【００１５】〔ステップＳ2〕Ｅ／Ｏゲインキャリブレ
ーション このステップＳ2では、画像処理装置Ｆは、以下に示す
処理によって、モジュレータＢの電気光学利得（Ｅ／Ｏ
ゲイン）を各画素電極２について算出する。図２は、モ
ジュレータＢの電気光学特性を示す図である。この図に
おいて、モジュレータＢの薄膜透明電極１１に印加する
電圧Ｅを増大させたとき、ＣＣＤカメラＥが検出するモ
ジュレータＢの反射光量Ｏは、曲線Ｐに沿って変化す
る。例えば、電圧Ｅを電圧値Ｅ0をバイアス電圧とし、
電圧Ｅ1から電圧Ｅ2まで変化させた場合、ＣＣＤカメラ
Ｅが検出する反射光量Ｏは、略直線的に反射光量Ｏ1か
ら反射光量Ｏ2まで変化する。この薄膜透明電極１１に
印加する電圧Ｅの変化量｜Ｅ2−Ｅ1｜に対する反射光量
Ｏの変化量｜Ｏ2−Ｏ1｜の比｜Ｅ2−Ｅ1｜／｜Ｏ2−Ｏ1
｜がＥ／Ｏゲインである。このＥ／Ｏゲインは、先に説
明したモジュレータ欠陥部と正常部とで異なった値とな
る。

【００１６】実際にＥ／Ｏゲインを求める場合、電圧印
加装置Ｃは、液晶駆動基板Ａの各画素電極２を接地する
状態とし、モジュレータＢの薄膜透明電極１１には、ま
ず電圧Ｅ1を印加する。この電圧Ｅ1は、同時に画像処理
装置Ｆの内部メモリに記憶される。画像処理装置Ｆは、
このときにＣＣＤカメラＥが出力する電圧ＥO1を各画素
電極２毎に内部のメモリに記憶する。ここで、液晶駆動
基板Ａは、極めて位置精度良く検査装置に装着される。
したがって、画像処理装置Ｆは、ＣＣＤカメラＥが出力
する電圧ＥO1を画素電極２に予め割り付けられているア
ドレスに対応付けて内部メモリに記憶する。

【００１７】次に、電圧印加装置Ｃは、薄膜透明電極１
１に電圧Ｅ2を印加し、画像処理装置Ｆは、このときＣ
ＣＤカメラＥが出力する電圧ＥO2、および電圧Ｅ2を内
部メモリに記憶する。画像処理装置Ｆは、このようにし
て記憶した電圧Ｅ1、Ｅ2および反射光量Ｏ1、Ｏ2にそれ
ぞれ対応した電圧ＥO1、ＥO2に基づいてＥ／Ｏゲインを
各画素電極２に対向する部分（つまり、各画素電極２の
アドレス）について求め、この値をＥ／Ｏゲイン・デー
タＸとして記憶する。このＥ／Ｏゲイン・データＸは、
以下に説明するステップＳ5のイメージ電圧の取得にお
いて、各画素電極２毎に求められた反射光量からイメー
ジ電圧を算出するときに使われる。

【００１８】〔ステップＳ3〕基板電圧印加 次に、電圧印加装置Ｃは、モジュレータＢの薄膜透明電
極１１にバイアス電圧Ｅ0を印加し、ショーティングバ
ー５、７には、以下に示すようなパターンの電圧を各々
印加する。 （ａ）ショーティングバー７に正電圧（各ＴＦＴ３のゲ
ート端子電圧）を印加し、ショーティングバー５に電圧
Ｅx（各ＴＦＴ３のソース端子電圧）を印加する。
（ｂ）ショーティングバー７を接地し、ショーティング
バー５に電圧Ｅxを印加する。 （ｃ）ショーティングバー７に正電圧を印加し、ショー
ティングバー５を接地する。

【００１９】〔ステップＳ4〕電圧イメージ取得 上記電圧印加パターン毎に、モジュレータＢの反射光量
に対応したＣＣＤカメラＥの出力電圧が画像処理回路Ｆ
に取り込まれる。例えば、上記（ａ）の電圧印加パター
ンの場合、正常に動作する画素電極２に電圧Ｅxが印加
されたとき、この画素電極２に対向するモジュレータＢ
の反射光量は、反射光量Ｏxとなる。しかし、列配線４
ａが点ｘにおいて断線している画素電極２においては、
左側の一列の画素電極２には電圧得Ｅxが印加されない
ため、この部分に対向するモジュレータＢの反射光量
は、反射光量Ｏxになり得ず、他の部分に比較して低い
反射光量となる。

【００２０】また、上記（ｂ）の電圧印加パターンの場
合において、列配線４の点ｘと点ｙとが短絡している場
合、左上端の画素電極２のみに電圧Ｅxが印加され、こ
の部分のモジュレータＢの反射光量は、反射光量Ｏxと
なる。この場合、他の画素電極２は、反射光量Ｏxにな
り得ず、低い反射光量となる。さらに、上記（ｃ）の電
圧印加パターンの場合において、点ｙと点ｚとが短絡し
ている場合、上記と同様に左上端の画素電極２のみに電
圧Ｅxが印加され、この部分のモジュレータＢの反射光
量は、反射光量Ｏxとなる。

【００２１】このように、モジュレータＢの反射光量
は、画素電極２への電圧の印加状態を反映した反射光量
となる。画像処理装置Ｆは、この反射光量に応じて変化
するＣＣＤカメラＥの出力電圧を、先に記憶されたＥ／
Ｏゲイン・データＸを用いてイメージ電圧Ｅyに変換
し、これを内部メモリに記憶する。

【００２２】〔ステップＳ5〕２値化 各々の画素電極２について算出されたイメージ電圧Ｅy
は、上記ステップＳ3の基板電圧印加時に、各画素電極
２に実際に印加された電圧値と比較され、その差が所定
のしきい値Ｓに対して大きいか否かによって２値化され
る。例えば、｜Ｅx−Ｅy｜＜Ｓである場合、その画素電
極２は、正常画素であるとして”０”に対応させ、｜Ｅ
x−Ｅy｜≧Ｓである場合、欠陥画素であるととして”
１”に対応させる。このようにして、画像処理装置Ｆ
は、画素電極２毎に欠陥画素と正常画素とを対応させた
欠陥画素データＴを作成する。

【００２３】〔ステップＳ6〕欠陥判定 ここでは、図１に示すフローチャートに沿って欠陥判定
が行われ、液晶駆動基板Ａの良否を判定し、その結果を
モニタＧに表示して検査を終了する。または、以下に説
明するステップＳ67の欠陥情報をモニタＧに表示し、検
査装置の操作員がこの欠陥情報を基に液晶駆動基板Ａの
良否を判定することも可能である。

【００２４】〔ステップＳ61〕点、垂直、水平、クラス
タ欠陥の認識 画像処理装置Ｆは、モジュレータＢの表面の画像に含ま
れる欠陥画素部の形状パターンを点、水平方向の線、垂
直方向の線、水平方向および垂直方向に点が所定数集ま
ったクラスタの４種類の形状に分類して認識する。つま
り、正常な画素の中に１点だけ欠陥画素が存在する場合
には、これを点欠陥と認識する。また、垂直方向に連続
して欠陥画素が存在する場合には、これを垂直欠陥と認
識する。また、水平方向に連続して欠陥画素が存在する
場合には、これを水平欠陥と認識する。さらに、水平方
向および垂直方向に点が所定数集まった塊として存在す
る場合には、これをクラスタ欠陥と認識する。

【００２５】以降のステップでは、上記ステップＳ61に
おいて一旦認識した上記各欠陥パターンを以下に説明す
る処理によって真の点欠陥、垂直欠陥、水平欠陥、クラ
スタ欠陥に分類する。 〔ステップＳ62〕不要な垂直欠陥の削除 まず、図４（ａ）に示すように、イメージ電圧Ｅyがか
なり低い欠陥（強い欠陥）の隣に断続的に短く発生し、
しきい値ぎりぎりで欠陥と判定された垂直偽欠陥を削除
する。このような垂直偽欠陥は、モジュレータＢの空間
分解能あるいはＣＣＤカメラＥを含む画像処理系の分解
能等が原因であり、強い欠陥画素の影響が隣の正常な画
素に及んで欠陥画素として検出されたものと考えられ
る。一般的な液晶駆動基板では垂直方向の画素ピッチに
対して水平方向の画素ピッチの方が狭くなるため、水平
方向の分解能が原因となって垂直偽欠陥が発生する。

【００２６】〔ステップＳ63〕不要な垂直欠陥および水
平欠陥の削除 また、図４（ａ）に示すように、強い垂直欠陥に枝状に
短い水平欠陥が発生する場合がある。このような水平偽
欠陥も、上述するような水平方向の分解能が原因となっ
て検出されるものと考えられる。一方、図５（ａ）に示
すように、複数本連続する強い水平欠陥を短い垂直欠陥
として誤検出したもの、あるいは複数本連続する強い垂
直欠陥を短い水平欠陥として誤検出したものがある。こ
れらの誤検出欠陥は、上述するように２値化することに
より欠陥画素部が抽出されたデータの欠陥判定方法に起
因するものと考えられる。

【００２７】したがって、これらの誤検出欠陥は、以下
に示すように垂直欠陥と水平欠陥との交点、および各始
点と終点を検出し、相互の長さを比較することによって
削除される。例えば、交差する垂直欠陥と水平欠陥のう
ち、一方の欠陥の長さが他方の欠陥の長さの１／１０以
下であり、かつ、短い方の欠陥の長さが１０（画素ピッ
チを考慮した長さを示す数値）以下の場合、この短い方
の欠陥は削除される。これにより図４（ｂ）に示すよう
に、強い垂直欠陥に枝状に発生する短い水平欠陥が削除
される。また、図５（ｂ）に示すように、複数本連続す
る強い水平欠陥を短い垂直欠陥として誤検出したもの、
あるいは複数本連続する強い垂直欠陥を短い水平欠陥と
して誤検出されたものが誤検出欠陥として削除される。

【００２８】なお、上述する処理では、液晶駆動基板Ａ
の端部に近いところで発生した線欠陥（垂直欠陥と水平
欠陥を合わせた線状欠陥）に付随して発生する偽欠陥を
見逃す恐れがあるため、一方の垂直欠陥あるいは水平欠
陥の始点または終点が液晶駆動基板Ａの端部にある場合
には、それと交差する垂直欠陥あるいは水平欠陥は、そ
の長さが１０（上記と同様の画素ピッチを考慮した長さ
を示す数値）以下の場合に削除される。

【００２９】さらに、連続する複数本の線欠陥の始点あ
るいは終点において短い真の欠陥と短い偽欠陥が交差す
る場合、上記の処理では、この偽欠陥を取り除くことが
できない。そこで、後述するステップＳ64の処理によっ
て線欠陥の連結が終了した後の短絡あるいは断線欠陥を
処理する際に、一方の欠陥の長さが他方の欠陥の長さの
１／１０以下の場合に短い方の欠陥を偽欠陥として削除
する。また、ここで検出された線欠陥の交点および液晶
駆動基板Ａの端部以外の始点と終点は、各々準短絡欠陥
（例えば、ＴＦＴのゲート端子とドレイン端子の短絡
等、配線間の短絡が原因で生じる欠陥）および準断線欠
陥（例えば、ゲート配線の断線等、配線の断線が原因で
生じる欠陥）として記憶される。

【００３０】〔ステップＳ64〕線欠陥の連結および不要
な垂直、水平欠陥の削除 点欠陥、水平欠陥、およびクラスタ欠陥が同じ水平ライ
ン上に複数存在する場合、および点欠陥、垂直欠陥及び
クラスタ欠陥が同じ垂直ライン上に複数存在する場合
に、それらを同じ断線欠陥から発生しているものと仮定
する。そして、液晶駆動基板Ａの端部側と反対の方向に
最も遠い断線欠陥を真の欠陥と判定し、その他の欠陥を
偽欠陥として削除する。しかし、垂直ラインの両端に欠
陥の始点と終点が存在する場合、あるいは水平ラインの
両端に欠陥の始点と終点が存在する場合は、途中に断線
が存在しない線欠陥（垂直欠陥あるいは水平欠陥）と判
定する。

【００３１】ここで、偶然に同一の水平ラインまたは垂
直ラインに発生した点欠陥あるいはクラスタ欠陥を線欠
陥と誤認識しないために、特定の間隔以内で断続的に発
生する欠陥のみを線欠陥として連結する。この間隔は、
水平方向と垂直方向とで各々個別の値を設定し、例え
ば、水平方向は６０画素、垂直方向は２０画素とする。
さらに、同一の水平ラインまたは垂直ラインに断続的に
発生する真の点欠陥を線欠陥と判定しないため次のよう
な条件を加えて処理する。つまり、このような点欠陥
は、液晶駆動基板Ａの端部まで連続していない確率が高
いという性質に着目して、上記の連結を行う際、連結す
る欠陥の中に線欠陥が存在し、かつ、この線欠陥が液晶
駆動基板Ａの端部に存在する場合のみに、その連結した
線欠陥を真の線欠陥と判定し、それ以外は連結しない。
水平方向および垂直方向に対して全て連結が終了する
と、垂直欠陥と水平欠陥の交点が存在するペアを検出
し、一方の欠陥が他方の欠陥に対して１／２０以下の場
合、短い方の欠陥を削除する。また、この処理によって
残った垂直欠陥あるいは水平欠陥を真の線欠陥と判定す
る。

【００３２】〔ステップＳ65〕クラスタ欠陥の認識 ステップＳ64において線欠陥と判断された短い線欠陥の
うち、水平方向と垂直方向とに二次元的な塊となってい
るもの、例えば、水平方向５画素以下かつ垂直方向２画
素以下のものは、クラスタ欠陥と判定する。また、ステ
ップＳ61においてクラスタ欠陥と認識された欠陥から、
上記連結処理によって削除対象とされたクラスタ欠陥を
除いた残りのクラスタ欠陥は、真のクラスタ欠陥と判定
する。図６（ａ）は、偽欠陥を削除する前のクラスタ欠
陥の表示例であり、上述する一連の処理を経て最終的に
クラスタ欠陥として判定されたものが図６（ｂ）に示す
ものである。

【００３３】〔ステップＳ66〕断線欠陥、短絡欠陥の算
出 以上に示した処理結果を基に、列配線の断線あるいは行
配線の断線等の断線によって生じた断線欠陥、または、
ゲート端子とドレイン端子との短絡あるいはソース端子
とドレイン端子との短絡等の短絡が原因で生じた短絡欠
陥を算出する。

【００３４】〔ステップＳ67〕欠陥情報出力 画像処理装置Ｆは、点欠陥、垂直欠陥、水平欠陥、クラ
スタ欠陥に分類された各欠陥が、断線によって生じた断
線欠陥かあるいは短絡によって生じた断線欠陥かを識別
し、欠陥情報としてモニタＧに出力する。

【００３５】なお、本実施例の液晶駆動基板の検査方法
では、抽出された欠陥画素部を点欠陥、垂直欠陥、水平
欠陥、及びクラスタ欠陥の分類して認識し、その各々に
ついて上述するような処理を施すことによって真の欠陥
を抽出する。しかし、本発明は上記の分類に限定される
ものではなく、他の形状分類に基づいて欠陥判定を行っ
ても良い。

【００３６】

【発明の効果】本発明による液晶駆動基板の検査方法に
よれば、欠陥画素の分布形状が少なくとも点と、水平方
向の線と、垂直方向の線と、水平方向および垂直方向に
点が所定数集まった塊に分類される。そして、分類され
た形状毎に所定の処理が施され、検出された欠陥画素に
含まれる偽欠陥が除去されることによって、液晶駆動基
板の良否がより正確に判定される。これによって、信頼
性の高い液晶駆動基板の検査が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶駆動基板の検査方法におい
て、欠陥判定の方法の一例を示すフローチャートであ
る。

【図２】本発明による液晶駆動基板の検査方法の一例を
示すフローチャートである。

【図３】モジュレータの電気光学特性の一例を示す図で
ある。

【図４】本発明による液晶駆動基板の検査方法によっ
て、垂直方向の強い欠陥の周囲に現れる誤検出された欠
陥が補正されることを説明する図である。

【図５】本発明による液晶駆動基板の検査方法によっ
て、複数の連続した強い水平欠陥が短い垂直欠陥として
誤判定された場合に、これが補正されることを説明する
図である。

【図６】本発明による液晶駆動基板の検査方法によっ
て、断線欠陥及び短絡欠陥からクラスタ欠陥が判定され
ることを説明する図である。

【図７】ＴＦＴタイプのアクティブマトリックス方式液
晶駆動基板の一構成例を示す正面図である。

【図８】本発明および従来の液晶駆動基板の検査装置の
主要部の一構成例を示す図である。

【符号の説明】

Ａ 液晶駆動基板 １ ガラス基板 ２ 画素電極 ３ ＴＦＴ ４ 列配線 ５、７ ショーティングバー ６ 行配線 Ｂ モジュレータ １０ 液晶シート １１ 薄膜透明電極 １２ 半導体反射膜 Ｃ 電圧印加装置 Ｄ ハロゲンランプ Ｅ ＣＣＤカメラ Ｆ 画像処理装置 Ｇ モニタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 睦 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 坂本 勧 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 梶 克広 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 マイク ミラー 東京都港区浜松町２−１−16 ＳＶＡＸ浜 松町第２ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内 (72)発明者 ロン チュー 東京都港区浜松町２−１−16 ＳＶＡＸ浜 松町第２ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内 (72)発明者 デビット フォン 東京都港区浜松町２−１−16 ＳＶＡＸ浜 松町第２ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶に電界を与えるための複数の画素電
   極と、これらの各画素電極に駆動電圧を印加するための
   回路とが形成されてなる液晶駆動基板を、表面に透明電
   極が形成され、かつ、電界強度に依存して光の反射率が
   変化する液晶シートを有するモジュレータを使用して検
   査する液晶駆動基板の検査方法において、 ａ．前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
   ートが挟まれるように、前記モジュレータと、前記液晶
   駆動基板とを対面配置し、 ｂ．前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
   各画素電極との間に所定の電圧を印加し、 ｃ．上記ｂの電圧印加時における前記モジュレータの各
   部の光の反射状態を測定し、この測定結果に基づいて前
   記液晶駆動基板の欠陥箇所を求め、この欠陥箇所をメモ
   リに記憶させ、 ｄ．上記ｃにおいて前記メモリに記憶された前記液晶駆
   動基板の欠陥箇所の分布をいくつかの形状パターンに分
   類し、各々の形状パターンの種類に対応した所定の処理
   を施すことによって、前記欠陥箇所に含まれる偽欠陥を
   除去する、 ことを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
2. 【請求項２】 前記液晶駆動基板の欠陥箇所の分布の形
   状パターンを少なくとも点と、水平方向の線と、垂直方
   向の線と、水平方向および垂直方向に点が所定数集まっ
   た塊とに分類する、 ことを特徴とする請求項１記載の液晶駆動基板の検査方
   法。