JP3505423B2 - 液晶セルおよびその検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、スイッチング素子
を有する液晶セルおよびその検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】画像が表示可能な液晶セルは、液晶を含
む複数の画素が行列状に配置されて構成される。近年、
前記液晶セルは、より大容量の表示が可能な構成、およ
びより高画質の画像を表示可能な構成であることが、求
められている。このために前記液晶セルの構造は、該液
晶セル内の各画素にスイッチング素子が設けられた構
造、いわゆるアクティブマトリクス構造になっており、
該液晶セルの駆動方式は、いわゆるアクティブ駆動方式
になっている。前記スイッチング素子として、３端子能
動素子または２端子能動素子が用いられ、実用上では、
薄膜トランジスタ（以後「ＴＦＴ」と略称する）または
金属−絶縁体−金属素子（以後「ＭＩＭ素子」と略称す
る）が用いられている。

【０００３】図１０は、スイッチング素子としてＭＩＭ
素子を用いた液晶セル１の構成を示す分解斜視図であ
る。液晶セル１は、主基板部３と、対向基板部４と、こ
れら基板部３，４の間に介在される液晶部とを含む。主
基板部３は、主基板５、複数の画素電極６、複数本の信
号配線７、複数のＭＩＭ素子８、および配向膜を含む。
対向基板部４は、対向基板９、複数本の帯電極１０、お
よび配向膜を含む。ＭＩＭ素子８は、上部および下部電
極の間に絶縁層を挟んだ構成になっており、上部および
下部電極の交差部がＭＩＭ素子として働く。なお図１０
〜図１３では、液晶セル１は１６個の画素を４行４列の
配列で配置したものになっており、液晶部および配向膜
の記載は省略されている。

【０００４】各画素電極６、各信号配線７、および各Ｍ
ＩＭ素子８は、主基板５の一方面上に、相互に間隔を空
けてそれぞれ配置される。各ＭＩＭ素子８の下部電極が
信号配線７と接続され、該各ＭＩＭ素子８の上部電極が
画素電極６に接続される。複数本の帯電極１０は、信号
配線７の長手方向と直交する方向に平行に、対向基板９
の一方面上に並べられる。前記２枚の配向膜は、主基板
部３および対向基板部４の液晶層に最近接する位置に、
それぞれ設けられる。液晶セル１の各画素は、各画素電
極６、各ＭＩＭ素子８、帯電極１０内の該各画素電極６
と対向する部分、および該各画素電極６と該帯電極１０
内の該部分との間の液晶を、含む。液晶セル１は、使用
者が対向基板９の一方面とは反対側から液晶セル１に臨
むように用いられ、対向基板の他方面が液晶セル１の表
示面になる。もしくは、対向基板を背後に置き、主基板
の外側表面を表示面とすることもある。

【０００５】図１０の構成の液晶セル１の製造工程内に
おいて、画素電極６，信号配線７、ならびにＭＩＭ素子
８内の上部および下部電極は、フォトリソグラフィ法を
用いた形成工程によって、形成される。或る部品の形成
工程は、導電性材料からなる薄膜を主基板５の一方面上
に形成する成膜工程と、成膜された薄膜の中の該ある部
品に相当する部分だけを前記一方面上に残し残余の部分
を除去するパターニング工程とを含む。前記形成工程の
実行中に、該工程を実行する生産ライン内部および主基
板５の一方面上に異物が侵入した場合、該異物に起因し
て前記残余の部分内の一部分が除去されずに残ることが
ある。或る部品形成のための薄膜の中の残余の部分内の
一部分、すなわち該部品の膜残り部が主基板５上にある
場合、該膜残り部に起因して、画素電極６と信号配線７
とＭＩＭ素子８内の２つの電極とのうちのいずれか２つ
の部品、または任意の２つの画素電極６同士が、短絡す
ることがある。前記いずれか２つの部品間の短絡および
画素電極６同士の短絡は、液晶セル１の不良の原因とな
る。

【０００６】図１１は、上記の短絡の発生状況を具体的
に示すための液晶セル１の分解斜視図である。図１１の
液晶セル１内の膜残り部以外の構成は、図１０の液晶セ
ル１と等しい。たとえば信号配線７の膜残り部１１は、
信号配線７と画素電極６とを短絡させる。またたとえば
画素電極６の膜残り部１２，１３は、信号配線７と画素
電極６とをそれぞれ短絡させることもあり、隣合う２つ
の画素電極同士を短絡させることもある。またたとえば
ＭＩＭ素子８の上部電極の膜残り部１４は、隣合う２つ
の画素電極同士を短絡させる。

【０００７】上述の膜残り部１１〜１４に起因する短絡
は、液晶セル１の回路構成から見て不具合なものであ
る。ゆえに或る画素電極６がいずれかの膜残り部１１〜
１４に起因して他の画素電極または信号配線７と短絡さ
れている場合、液晶セル１に映像を映したならば、該或
る画素電極６を含む画素は、液晶セル１のいわゆる点欠
陥になる。すなわち膜残り部１１〜１４に起因する画素
電極の短絡は、液晶セル１の不良の原因となる。ゆえに
従来技術の液晶セル１を用いた液晶表示装置の製造工程
内において、不良な液晶セル１を用いた液晶表示装置の
生産防止を目的として、画素電極６の短絡防止のため
に、液晶セル１の製造工程が管理されて異物の侵入が抑
えられている。また前記液晶表示装置の製造工程内にお
いて、不良な液晶セル１を用いた液晶表示装置の生産防
止を目的として、液晶セル生産後、液晶セルに駆動用の
回路部が取付けられる前に、生産された全液晶セル内に
不良画素を含む液晶セルがあるかどうかが検査され、発
見された不良な液晶セルが前記液晶表示装置の製造工程
から除かれる。前記不良な液晶セルを発見するための検
査の１つとして、いわゆる点灯検査がある。

【０００８】図１２は、図１１の液晶セルの点灯検査の
ための第１の検査装置２１の構成を示す斜視図である。
第１検査装置２１は、素子側および対向側用の検査治具
２２，２３と、偏光板で実現される一対の光学フィルム
２４，２５と、光源２６とを含む。第１検査装置２１内
において、検査対象の液晶セル１は、該液晶セル１内の
信号配線７の端子および帯電極１０の端子に素子側およ
び対向側用の検査治具２２，２３がそれぞれ取付けられ
た状態で、一対の光学フィルム２４，２５に挟まれる。
かつ光源２６は、液晶セル１の表示面と反対側の面に一
方の光学フィルム２５を介して対向する位置に配置され
て、発光する。素子側用の検査治具２２は、検査対象の
液晶セル１内の全信号配線７に、相互に等しい単一の電
気的な素子側用の検査信号ＳＦ１を与える。対向側用の
検査治具２３は、検査対象の液晶セル１内の全ての各帯
電極１０に、相互に等しい単一の電気的な対向側用の第
１検査信号ＳＥ１を与える。この結果検査対象の液晶セ
ル１は、素子側用および対向側用の第１検査信号に応じ
た映像を表示する。

【０００９】検査者は、前記素子側用および対向側用の
第１検査信号ＳＦ１，ＳＥ１が供給された状態の液晶セ
ル内の画素の表示状態、すなわち第１信号供給状態の液
晶セル内の画素の濃淡を、観察する。前記第１信号供給
状態の検査対象の液晶セルにおいて、信号配線７と短絡
している画素電極６を含む不良画素の表示状態は、信号
配線および他の画素電極との短絡がない画素電極を含む
正常画素の表示状態と異なるので、画素電極６と信号配
線７との短絡に起因する不良画素が、容易に発見され
る。

【００１０】図１３は、図１１の液晶セルの点灯検査の
ための第２の検査装置２７の構成を示す斜視図である。
図１３の第２検査装置２７は、図１２の第１検査装置２
１と比較して、対向側用検査治具２８の構成が異なり、
他は等しいので、同じ部分には同じ参照符を付し、説明
は省略する。対向側用検査治具２８は、検査対象の液晶
セル１内の全ての各帯電極１０の端子に接続され、相互
に異なる複数の電気的な対向側用の第２検査信号ＳＥ２
〜ＳＥ５を、該各帯電極１０にそれぞれ与える。複数の
対向側用の第２検査信号ＳＥ２〜ＳＥ５は、たとえば信
号のレベル変化のタイミングが、相互にずれている。こ
の結果検査対象の液晶セル１は、素子側用および対向側
用の第２検査信号ＳＦ１；ＳＥ２〜ＳＥ４に応じた映像
を表示する。

【００１１】検査者は、素子側用および対向側用の第２
検査信号が供給された状態、すなわち第２信号供給状態
の液晶セル内の画素の表示状態を観察する。この結果前
記第２信号供給状態の検査対象の液晶セルにおいて、第
１検査装置２１が用いられる場合と同様に、画素電極６
と信号配線７との短絡に起因する不良画素は、容易に発
見される。また各帯電極１０に与えられる対向側用の第
２検査信号が相互に異なるため、他の画素電極６と短絡
する画素電極６を含む不良画素の表示状態が前記正常画
素の表示状態と異なる。ゆえに前記第２信号供給状態の
検査対象の液晶セルにおいて、画素電極６同士の短絡に
起因する不良画素は発見される。

【００１２】特開昭６４−２０９２号公報は、スイッチ
ング素子としてＴＦＴを用いた液晶セルであるＴＦＴパ
ネルと、該ＴＦＴパネル内のＴＦＴの短絡の検出方法と
を開示している。前記ＴＦＴパネル内において、複数の
表示電極と複数本の走査信号線と複数のＴＦＴとが第１
基板上に並べられ、隣合う２本の任意の走査信号線に該
走査信号線間にあるＴＦＴのゲート端子およびドレイン
端子がそれぞれ接続され、かつ複数の信号ラインが液晶
を介して前記各表示電極と対向している。さらに前記Ｔ
ＦＴパネルは、ＴＦＴのゲートおよびドレイン端子間の
短絡検出のための短絡検知セルを構成するために、前記
ドレイン端子と前記走査信号線との間の接続線が、前記
信号ラインに設けられた突起部に、液晶を介して対向し
ている。

【００１３】前記ＴＦＴパネル内のＴＦＴの短絡検査の
際には、検査対象のＴＦＴのゲート端子が接続される任
意の１本の走査信号線以外の残余の走査信号線および信
号ラインが相互に等しい電位に保たれ、かつ前記任意の
走査信号線と前記信号ラインとの間に予め定める電圧が
印加される。この結果検査対象のＴＦＴのゲート端子お
よびドレイン端子が短絡しているならば、該ドレイン端
子に接続される接続線を含む短絡検知セルが予め定める
状態、たとえばオン状態になる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、液晶セ
ル内の不良画素検出のために図１２の第１検査装置２１
が用いられる場合、検査対象の液晶セル１内の全帯電極
１０に、相互に等しい対向側用の第１検査信号ＳＥ１が
与えられている。この結果前記第１信号供給状態におい
て、画素電極６同士の短絡が画素の表示状態に影響しな
いので、検査者が画素電極６同士の短絡に起因する不良
画素を発見することは困難である。また液晶セル内の不
良画素検出のために図１３の第２検査装置２７が用いら
れる場合、検査対象の液晶セル１内の全ての各帯電極１
０に、相互に異なる対向側用の第２検査信号ＳＥ２〜Ｓ
Ｅ５がそれぞれ与えられている。検査対象の液晶セル１
内の隣合う２本の帯電極１０の間隔は、一般的には数１
００μｍ程度である。これらの結果第２検査装置２７の
対向側用検査治具２８は、たとえば複数の針状のプロー
バから構成される必要があるので、該検査治具２８の構
造が複雑になりかつ高価になりやすい。またこれらの結
果第２検査装置２７は、点灯検査時に、複数の各プロー
バを複数の各帯電極１０の端子に１本ずつ接触させ、該
各プローバから各帯電極１０に相互に異なる各検査信号
をそれぞれ供給する必要があるので、点灯検査時の対向
側用の検査治具の取扱いが困難になりやすい。このよう
に第１および第２検査装置２１，２７がそれぞれ用いら
れる場合、前記第２検査治具を簡素でかつ安価な構成に
しつつかつ画素電極６同士の短絡に起因する不良画素を
発見することは、困難である。

【００１５】特開昭６４−２０９２号公報に開示される
ＴＦＴパネル内の短絡検知セルは、ＴＦＴの短絡検出の
ためのものであるので、表示電極同士の短絡の検出は困
難である。また前記公報に開示されるＴＦＴパネル内の
ＴＦＴの短絡の検出方法において、全走査信号線のうち
のいずれか１本の信号線と、該全走査信号線のうちの該
いずれかの信号線を除く残余の信号線とは、信号ライン
との接続状態が相互に異なる。この結果前記走査信号線
と信号ラインとの間に介在される治具の構成が複雑にな
りやすい。

【００１６】本発明の目的は、画素電極と信号配線との
短絡および画素電極同士の短絡にそれぞれ起因する不良
画素を、構成が容易な検査治具を用いて容易に検出可能
な液晶セルおよびその検査方法を提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１および第
２端子を少なくともそれぞれ有する複数のスイッチング
素子と、前記各スイッチング素子の第１端子がそれぞれ
接続される少なくとも１本の第１信号配線と、前記各ス
イッチング素子の第２端子がそれぞれ接続される複数の
画素電極と、液晶から成る液晶部と、液晶部を介して前
記各画素電極と対向する複数の対向電極とを含み、該画
素電極が行列状に配置され、該画素電極の行数が前記第
１信号配線の本数と等しく、かつ該画素電極の列数が前
記対向電極の本数と等しい液晶セルであって、少なくと
も２つの前記画素電極を短絡させる導電性の部材が前記
液晶セル内にある場合、前記第１信号配線へ電圧を印加
した時に、一方の画素電極と短絡した画素電極を含む画
素を、該第１信号配線と短絡した画素電極を含む画素に
成さしめるように、該部材と前記第１信号配線とを電気
的に接続させるための細いライン状の配線材から構成さ
れる少なくとも１つの短絡検知用回路を含むことを特徴
とする液晶セルである。

【００１８】本発明に従えば、液晶セルは、画素電極と
対向電極と液晶部とスイッチング素子と第１信号配線と
の他に、短絡検知用回路を含み、画素電極は対向電極お
よび第１信号配線の各本数と等しく対応して行列状に配
列されている。この結果前記液晶セル内の任意の２つの
画素電極が短絡した場合、該画素電極を短絡させた導電
性部品は短絡検知用回路によって前記信号配線に接続さ
れる。これによって前記液晶セルにおいて、２つの画素
電極間の短絡と、該２つの各画素電極および前記信号配
線の短絡とが、等価になる。この結果前記液晶セル内に
おいて、短絡検知用回路により、他の画素電極と短絡し
た画素電極を含む画素を、信号配線と短絡した画素電極
を含む画素と、等価に取扱うことができる。

【００１９】第２の発明の液晶セルは、前記各短絡検知
用回路は、導電性を有する材料から形成されて前記第１
信号配線と接続され、かつ隣合う２つの前記画素電極間
に配置されることを特徴とする。

【００２０】本発明に従えば、液晶セルは、第１の発明
の液晶セルと同じ構成を有し、かつ各短絡検知用回路が
上述の構成になっている。この結果前記第２の発明の液
晶セルの構成が複雑になることを防止しつつ、短絡発生
時に前記導電性部品と前記信号配線とを結ぶための回路
部品、すなわち短絡検知用回路が形成可能になる。特に
前記液晶セル内の画素電極、スイッチング素子、信号配
線、および短絡検知用回路が単一の基板上に形成される
場合、該基板上の部品の構成および配置を複雑にするこ
となく、短絡検知用回路を設けることができる。

【００２１】第３の発明の液晶セルは、前記各短絡検知
用回路は、導電性を有する材料から形成されて前記各ス
イッチング素子の第１端子と接続され、前記各スイッチ
ング素子および各短絡検知用回路は、隣合う２つの前記
画素電極間に配置されることを特徴とする。

【００２２】本発明に従えば、液晶セルは、第１の発明
の液晶セルと同じ構成を有し、かつ各短絡検知用回路お
よびスイッチング素子が上述の構成になっている。この
結果前記第３の発明の液晶セルは、前記短絡検知用回路
に起因する液晶セルの開口率の低下を防止することがで
きる。

【００２３】第４の発明の液晶セルは、前記短絡検知用
回路は、前記スイッチング素子内の導電性の部材、前記
画素電極、および前記第１信号配線のうちの少なくとも
１つを形成する材料と同じ材料から形成されることを特
徴とする。

【００２４】本発明に従えば、液晶セルは、第１の発明
の液晶セルと同じ構成を有し、かつ各短絡検知用回路が
上述の材料から形成される。この結果前記第４の発明の
液晶セルの製造工程において、前記スイッチング素子内
の導電性の部材、前記画素電極、および前記第１信号配
線のうちの少なくとも１つと、前記短絡検知用回路と
を、同時に単一の形成工程によって同時に形成すること
ができる。この結果短絡検知用回路の追加に起因する前
記液晶セルの製造コストおよび製造時間の増加が防がれ
る。

【００２５】第５の発明の液晶セルは、前記スイッチン
グ素子は、２端子非線形素子であることを特徴とする。

【００２６】本発明に従えば、液晶セルは、第１の発明
の液晶セルと同じ構成を有し、かつ前記スイッチング素
子は、２端子非線形素子で実現される。この結果第１の
発明と同じ理由に基づき、スイッチング素子として２端
子非線形素子を用いた液晶セル内において、他の画素電
極と短絡した画素電極を含む画素を、信号配線と短絡し
た画素電極を含む画素と、等価に取扱うことができる。
またこの結果スイッチング素子が端子を２つだけ有する
ので、液晶セル内の信号配線の構成が簡単になり、かつ
液晶セルの開口率が向上する。

【００２７】第６の発明は、上記の液晶セルの検査方法
であって、前記液晶セル内の全第１信号配線および全対
向電極に、前記全ての各画素電極および各対向電極間に
予め定める電界を生じさせるための予め定める第１およ
び第２検査信号をそれぞれ与え、前記各画素電極および
各対向電極間の液晶の表示に拘わる状態に基づき、前記
液晶セルが良品であるか否かを判断することを特徴とす
る液晶セルの検査方法である。

【００２８】本発明に従えば、第１〜第５の発明の液晶
セルの検査方法が用いられる場合、前記液晶セル内の全
第１信号配線に相互に等しい第１検査信号がそれぞれ与
えられ、かつ該液晶セル内の全対向電極に相互に等しい
第２検査信号がそれぞれ与えられた状況下における、前
記各画素内の液晶の表示に拘わる状態に基づいて、該液
晶セルが良品であるか否かが判断される。前述したよう
に第１〜第５の発明の液晶セルは、画素電極同士の短絡
と信号配線および画素電極同士の短絡とが等価になって
いる。これらの結果前記検査方法が用いられる場合、簡
単な方法で前記液晶セル内から上述の２種類の短絡に起
因する不良な画素を容易に発見することができるので、
該液晶セルの良／不良を容易に検査することができる。
またこの結果全第１信号配線および全対向電極への検査
信号の供給が極めて簡単になるので、該検査信号の供給
のための検査治具の構成および全検査信号の信号構成
を、従来よりも簡略化することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態の液晶セル３１の等価回路図である。液晶セル３１
は、いわゆるアクティブ駆動方式で駆動されるアクティ
ブマトリクス型の液晶セルであり、スイッチング素子と
して２端子非線形素子、具体的にはＭＩＭ素子を用いて
いる。液晶セル３１は、電気的には、複数の画素３２
と、少なくとも１つの短絡検知用回路４１と、少なくと
も１本の素子側信号配線４２と、少なくとも１本の対向
側信号配線４３とを、少なくとも含む。各画素３２は、
液晶層３３と、スイッチング素子であるＭＩＭ素子３７
とを、それぞれ含む。なお本明細書の等価回路図では、
４個の画素３２が２行２列で配列された例を示している
が、画素の数は４個には限らない。かつ複数の各画素３
２の構成は相互に等しいので、本明細書の等価回路図に
おいて、液晶層３３およびＭＩＭ素子３７の内部部品の
参照符は、右下の１つの画素３２内の液晶層３３および
ＭＩＭ素子３７だけに付し、他の画素３２では適宜省略
している。本明細書では、短絡検知用回路４１ならびに
素子側および対向側信号配線４２，４３がそれぞれ複数
ある例を示している。

【００３０】各液晶層３３は、液晶と、該液晶を介して
相互に対向する画素電極３４および対向電極３５とを含
む。液晶は高抵抗材料でありかつ液晶は画素電極３４お
よび対向電極３５間に挟まれるので、各液晶層３３の等
価回路は、抵抗Ｒ_LCが第１のコンデンサＣ_LCに並列に接
続された回路になっている。相互に接続された抵抗Ｒ_LC
の一方端子および第１コンデンサＣ_LCの一方電極が、画
素電極３４に相当し、相互に接続された抵抗Ｒ_LCの他方
端子および第１コンデンサＣ_LCの他方電極が、対向電極
３５に相当する。

【００３１】ＭＩＭ素子３７は、電圧に応じて抵抗値が
変化する２端子能動素子、すなわち２端子非線形素子で
あり、かつ後述するように、絶縁層が下部電極および上
部電極で挟まれた構成になっている。ゆえにＭＩＭ素子
３７の等価回路は、可変抵抗Ｒ_MIM が第２のコンデンサ
Ｃ_MIM に並列に接続された回路になっている。相互に接
続された可変抵抗Ｒ_MIM の一方端子および第２コンデン
サＣ_MIM の一方電極、すなわちＭＩＭ素子３７の第１端
子が、いずれかの素子側信号配線４２に接続され、相互
に接続された可変抵抗Ｒ_MIM の他方端子および第２コン
デンサＣ_MIM の他方電極、すなわちＭＩＭ素子３７の第
２端子が、画素電極３４に接続される。本実施の形態で
は、ＭＩＭ素子３７の第１および第２端子は、該ＭＩＭ
素子３７内の下部電極３９および上部電極４０の端部で
それぞれ実現される。

【００３２】各短絡検知用回路４１は、液晶セル３１内
に任意の２つの画素電極３４の短絡の原因となる導電性
の部品（以後「短絡部品」と称する）がある場合、該短
絡部品をいずれかの素子側信号配線４２に電気的に接続
させるための回路部品である。このために各短絡検知用
回路４１の一端は、いずれかの素子側信号配線４２に接
続され、かつ該各短絡検知用回路４１は、画素電極３４
間の短絡の原因となる短絡部品が存在し得る場所に配置
される。本実施の形態は、各短絡検知用回路４１が、該
回路４１を用いて短絡が検知され得る画素電極３４を含
む画素のＭＩＭ素子が接続される素子側信号配線４２に
接続されている例を、示している。各素子側信号配線４
２は、ＭＩＭ素子３７の接続状態が上述のようになって
いるので、少なくとも１つの画素電極３４に、ＭＩＭ素
子３７を介して、それぞれ接続される。各対向側信号配
線４３は、少なくとも１つの対向電極３５に、それぞれ
接続される。

【００３３】以上の構成の液晶セル３１において、任意
の画素３２の等価回路は、該画素３２内のＭＩＭ素子３
７が接続されたいずれかの素子側信号配線４２の端子Ｊ
１、該配線４２と該ＭＩＭ素子３７との接続点Ｊ２、該
ＭＩＭ素子３７、該ＭＩＭ素子３７と該画素３２内の液
晶層３３との接続点Ｊ３、該液晶層３３、および該液晶
層３３といずれかの対向側信号配線３５の接続点Ｊ４、
および該対向側信号配線４３の端子Ｊ５を順次経る回路
になっている。ゆえに前記いずれかの素子側および対向
側信号配線の端子Ｊ１，Ｊ５に画素３２内の液晶の表示
に拘わる状態を規定する為の制御信号をそれぞれ与えた
場合、該画素３２の表示状態が該制御信号に応じて定め
られる。

【００３４】図２は、図１の液晶セル３１の具体的な構
成を示す分解斜視図である。液晶セル３１は、主基板部
５１と対向基板部５２と液晶部とに区分される。主基板
部５１は、主基板５５、全画素電極３４、全素子側信号
配線４２、全ＭＩＭ素子３７、および配向膜を含む。対
向基板部５２は、対向基板５６、全対向電極３５、全対
向側信号配線４３、および配向膜を含む。前記液晶部は
全画素３２内の液晶を含む略平板状の部であり、具体的
には前記液晶部は液晶から構成され、かつ主基板部５１
および対向基板部５２の間に介在される。ＭＩＭ素子３
７は、下部電極３９と上部電極４０と絶縁層とを含む。
主基板５５および対向基板５６は、相互に平行に、予め
定める間隔を空けて、かつ両基板５５，５６の一方面５
７，５８を向かい合わせて、配置される。液晶セル３１
は、使用者が対向基板５６の一方面５８とは反対側から
液晶セル３１に臨むように用いられ、この結果対向基板
５６の他方面が液晶セル３１の表示面５９になる。なお
本明細書の分解斜視図では、液晶部、配向膜、およびＭ
ＩＭ素子３７内の絶縁層は省略されている。また本明細
書の分解斜視図では、１６個の画素３２が４行４列に配
列される例を示しているが、画素３２の数は１６個には
限らない。かつ複数の各画素３２およびその周囲の構成
は相互に等しいので、本明細書の分解斜視図において、
左下の１つの画素３２およびその周囲の部品だけに詳細
に参照符を付し、他の部分の参照符は適宜省略する。

【００３５】全素子側信号配線４２、全画素電極３４、
全ＭＩＭ素子３７、および全短絡検知用回路４１は、主
基板５５の一方面５７上に以下の配列で配置されてい
る。複数本の素子側信号配線４２は、相互に平行に、か
つ相互に予め定める間隔を空けて、並ぶ。全画素電極３
４は、素子側信号配線４２の長手方向および該長手方向
と直交する方向にそれぞれ平行に、相互に間隔を空けて
並べられる。結果として画素電極３４の配列は行列状に
なる。本明細書において、行列状に配置された複数の要
素のうち、走査信号線の長手方向に平行に並ぶ一群の要
素を「行」と総称し、該長手方向と直交する方向に平行
に並ぶ一群の要素を「列」と総称する。画素電極３４の
行および列の数は素子側信号配線４２および対向側信号
配線４３の本数とそれぞれ等しい。すなわち画素電極３
４の各行は、各素子側信号配線４２の隣に、間隔を空け
て配置される。

【００３６】各ＭＩＭ素子３７は、各画素電極３４の近
傍にそれぞれ配置される。本実施の形態では、画素電極
３４は１辺の一部分に切欠きのある略四角形の導電性の
膜片になっており、ＭＩＭ素子３７は該切欠き内に配置
される。各ＭＩＭ素子３７の下部電極３９および上部電
極４０は絶縁層を介して相互に重合わされた構成になっ
ており、下部および上部電極３９，４０ならびに絶縁層
が重なった交差部がＭＩＭ素子３７として働き、下部お
よび上部電極３９，４０の端部がＭＩＭ素子３７の第１
および第２端子となる。各ＭＩＭ素子３７の下部電極３
９が素子側信号配線４２と接続され、該各ＭＩＭ素子３
７の上部電極４０が画素電極３４に接続される。

【００３７】各短絡検知用回路４１は、具体的には、導
電性を有する材料から成る帯状の部材である。各短絡検
知用回路４１は、複数の各画素電極３４の間に、長手方
向が素子側信号配線４２の長手方向と直交する方向と平
行になり、かつ隣の画素電極３４との間にそれぞれ間隔
が空くように、配置される。各短絡検知用回路４１の一
端は、該部品４１の隣の画素電極３４に接続されるＭＩ
Ｍ素子３７の下部電極３９が接続される素子側信号配線
４２に、接続される。この結果相互に隣合う任意の２つ
の画素電極３４を短絡させる短絡部品が液晶セル３１内
にある場合、該画素電極３４間の短絡検知用回路４１お
よび該短絡部品が、該画素電極３４に接続されるＭＩＭ
素子３７に並列に接続される回路を、構成する。

【００３８】全対向電極３５および全対向側信号配線４
３は、対向基板５６の一方面５８上に、以下のように配
置される。各画素３２の対向電極３５は、基本的には、
前記液晶部を介して該各画素３２の画素電極３３と対向
する位置に、配置される。この結果全対向電極３５の配
列は、基本的には画素電極３３と同じ配列になる。複数
本の対向側信号配線４３は、対向電極３５の各列の隣
に、該列と平行に並べられる。ゆえに各対向側信号配線
４３は、素子側信号配線４２から見て、ねじれの位置に
ある。各対向側信号配線４３は、該信号配線４３の隣の
列内の全対向電極３５に、それぞれ電気的に接続され
る。

【００３９】本実施の形態では、各対向側信号配線４３
と該信号配線４３に接続される対向電極３５とがそれぞ
れ一体化されて、該信号配線４３と同数の帯電極６０に
なっている。各帯電極６０は、略帯状の導電体の膜片で
ある。この結果対向基板５６の一方面５８上には、実際
には、全帯電極６０が、その長手方向を素子側信号配線
４２の長手方向と直行する方向に平行に、かつ相互に間
隔を空けて、並べられている。各帯電極６０内の各画素
電極３４に対向する部分が、該各画素電極３４を含む画
素３２内の対向電極３５に相当するので、該部分を「対
向電極３５」と称する。列電極５９は、素子側信号配線
４２から見て、ねじれの位置にある。

【００４０】前記２枚の各配向膜は、主基板部５１およ
び対向基板部５２の前記液晶部に最近接する位置に、配
置される。すなわち主基板部５１の配向膜は、主基板５
５の一方面５７の露出した部分および該一方面上の全部
品３４，３９，４１，４２を覆い、対向基板部５２の配
向膜は、対向基板５６の一方面５８の露出した部分およ
び該一方面５８上の全部品６０を覆う。前記配向膜は、
画素電極３４と対向電極３５との間に電圧が印加されて
いない時点、すなわち電圧無印加時における前記液晶部
内の液晶分子の配向状態を、規定する。

【００４１】また前記液晶部がいわゆるネマティック液
晶によって形成され、かつ液晶セル３１がいわゆるＴＮ
型またはＳＴＮ型のものである場合、該液晶セル３１は
２枚の偏光板をさらに含む。２枚の偏光板は、２つの基
板部５１，５２および該基板部５１，５２間の前記液晶
部を挟んで、相互に平行に配置される。液晶セル３１が
いわゆるノーマリホワイト表示のものであるならば、前
記２枚の各偏光板の偏光軸は、該各偏光板と前記液晶部
との間にある各基板部５１，５２の配向膜の配向方向
と、それぞれ平行である。液晶セル３１がいわゆるノー
マリブラック表示のものであるならば、前記２枚の偏光
板のうちのいずれか一方の偏光軸は、該一方の偏光板と
液晶部との間にある基板部の配向膜の配向方向と平行で
あり、かつ該２枚の偏光板のうちのいずれか他方の偏光
軸は、該他方の偏光板と液晶部との間にある基板部の配
向膜の配向方向と直交する。

【００４２】液晶セル３１が透過型である場合、少なく
とも、主基板５５、対向基板５６、全画素電極３４、全
対向電極３５、および２枚の配向膜は、透光性を有す
る。液晶セル３１が反射型である場合、少なくとも、主
基板部もしくは対向基板部のうちのいずれか一方の構成
材料は、透光性を有する。さらに液晶セル３１がカラー
画像を表示可能である場合、主基板５５または対向基板
５６上に、カラーフィルタがさらに設けられる。さらに
また液晶セル３１は、各画素３２の画素電極３４および
対向電極３５間の電圧の保持のために、各画素３２の液
晶部３３に並列に接続される付加容量部をさらに含んで
いても良い。各素子側信号配線４２、各ＭＩＭ素子３
９、および各画素電極３４のうちの少なくとも２種類の
部品は、該部品間の短絡を防止する処置が施された状態
で、相互に重なって配置されていてもよい。前記短絡の
防止の処置として、前記２種類の部品の間に、絶縁層が
介在される。以上が液晶セル３１の構造説明である。

【００４３】液晶セル３１を構成する部品の材料は、た
とえば以下に示すものが用いられることが好ましい。な
お以下に挙げる材料は最適例の例示であり、各部品が有
するべき特性を実現可能な材料であれば、他の材料が用
いられても良い。主基板５５および対向基板５６は、ガ
ラスから形成される。対向電極３５および画素電極３４
は、たとえばＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）から形成
される。対向電極３５および画素電極３４は、透光性を
必要とする場合、たとえばＩＴＯから形成され、透光性
を必要としない場合、金属材料から形成される。下部お
よび上部電極３９，４０、ならびに素子側信号配線４２
は、たとえば金属材料から形成される。帯電極６０は、
たとえばＩＴＯから形成される。下部電極３９は、具体
的にはたとえばタンタル（Ｔａ）から形成され、上部電
極４０は、具体的にはたとえばチタン（Ｔｉ）またはク
ロム（Ｃｒ）から形成される。ＭＩＭ素子３７内の絶縁
層は、酸化タンタル（ＴａＯ_x ）から形成される。

【００４４】下部電極３９の材料となる導電性材料は、
該材料の酸化物が絶縁性を有するものであることが好ま
しい。これは、下部電極３９が上述の材料から形成され
る場合、主基板部５１の製造工程内において、下部電極
３９製造後に該下部電極３９の表面を陽極酸化すること
によって該下部電極３９表面に絶縁性材料から成る層が
形成され、該絶縁性材料の層をＭＩＭ素子３７の絶縁層
として用いることができるので、ＭＩＭ素子３７の形成
が容易になるからである。酸化物が絶縁性を有する導電
性材料は、たとえばタンタルである。

【００４５】短絡検知用回路４１の材料は、主基板部品
５１内の導電性の部品、すなわち画素電極３４と素子側
信号配線４２と下部および上部電極３９，４０とのうち
の少なくとも１つの材料と等しいことが好ましい。これ
は、前記少なくとも１つの導電性の部材と短絡検知用回
路４１との材料が等しいならば、主基板部４１の製造工
程において、該導電性の部材と短絡検知用回路４１とを
単一の形成工程で同時に形成することができるので、前
記製造工程が簡略化されるため、液晶セル４１の製造コ
ストおよび製造期間を低減させることができるためであ
る。本実施の形態では、下部電極３９と短絡検知用回路
４１と素子側信号配線４２とが、相互に同じ導電性の材
料から形成されている。以上が液晶セル３１の構成説明
である。

【００４６】液晶セル３１を含む表示装置は、上述の液
晶セル３１の他に、駆動部を少なくとも含む。前記駆動
部は、液晶セル３１の各画素３２内の液晶の表示に拘わ
る状態を制御するための電気信号である第１および第２
制御信号を、液晶セル３１の素子側信号配線４２および
帯電極６０に、供給する。液晶セル３１が透過型である
場合、前記表示装置は、液晶セルの表示面５９とは反対
側の面近傍に配置される光源をさらに含む。液晶セル３
１が反射型である場合、前記表示装置の構成は、全画素
電極３４と主基板５５と主基板部５１の配向膜とが透光
性をさらに有し、かつ該表示装置が液晶セル３１の表示
面５９とは反対側に配置される反射板をさらに含む構成
でもよく、画素電極３４が光を反射可能な導電性材料で
形成されて反射板を兼ねる構成でもよい。以上が表示装
置の説明である。

【００４７】図１および図２を再び参照して、液晶セル
３１内の短絡部品について説明する。なお以下の説明に
おいて、液晶セル３１の等価回路内にある２つの接続点
Ｊａ，Ｊｂを両端とする一部分である回路の参照符とし
て「Ｊａ−Ｊｂ」を用い、液晶セル３１の等価回路内に
ある２つの接続点Ｊａ，Ｊｂを両端としてかつ接続点Ｊ
ｃを経由する一部分である回路の参照符として「Ｊａ−
Ｊｃ−Ｊｂ」を用いる。Ｊａ，Ｊｂ，Ｊｃは任意の接続
点である。

【００４８】液晶セル３１の点欠陥の原因となる短絡を
引起こす短絡部品として、画素電極３４と素子側信号配
線４２とを短絡させる第１短絡部品６６と、隣合う２つ
の画素電極を短絡させる第２短絡部品６７とがある。こ
れら短絡部品６６，６７は、従来技術で説明したよう
に、液晶セル３１の主基板部５１内の導電性の部品が薄
膜の成膜およびパターニング工程を含む形成工程によっ
て形成される状況下で、該薄膜内の除去するべき部分内
の一部分が除去されずに主基板部５１上に残されたも
の、すなわちいわゆる膜残り部で実現される。前記導電
性の部品は、たとえば、少なくとも画素電極３４，素子
側信号配線４２、下部電極３９、および上部電極４０で
ある。図２の分解斜視図は、液晶セル３１内に上述の膜
残り部６１〜６４がある状況を示す例になっている。た
とえば第１短絡部品６６は、具体的には、素子側信号線
の膜残り部６１、または画素電極３４の膜残り部６２で
ある。またたとえば第２短絡部品６７は、具体的には、
画素電極３４の膜残り部６３、または上部電極４０の膜
残り部６４である。

【００４９】第１短絡部品６６は、或る画素３２の画素
電極３２と素子側信号配線４２とを短絡させるので、該
或る画素３２内のＭＩＭ素子３７および画素電極３４の
接続点Ｊ３と、該ＭＩＭ素子３７が接続される素子側信
号配線４２上の接続点Ｊ６とを両端とする短絡回路Ｊ３
−Ｊ６を構成する。すなわち第１短絡部品６６はＭＩＭ
素子３７に並列に接続されるので、該第１短絡部品６６
がある場合、素子側信号配線４２に供給された信号が、
ＭＩＭ素子３７を経由せずに第１短絡部品６６を介し
て、画素電極３４に直接供給される。

【００５０】このように第１短絡部品６６に起因する短
絡回路Ｊ３−Ｊ６がＭＩＭ素子３７と並列な回路である
場合、該第１短絡部品６６に起因する短絡のある不良な
画素３２内の対向電極３５およびＭＩＭ素子３７がそれ
ぞれ接続される対向側および素子側信号配線４３，４２
の端子Ｊ１，Ｊ５、すなわち該不良な画素３２の等価回
路の両端子Ｊ１，Ｊ５に予め定める２種類の検査信号が
それぞれ供給された状況下で、該画素３２の表示状態、
すなわち該画素の濃淡は、短絡のない正常な画素の表示
状態と異なる。つまり前記場合、上述の状況下で、画素
の状態に短絡の影響が現れる。これらの結果或る画素３
２における前記第１短絡部品６６に起因する短絡の有無
は、上述の状況下で該画素３２の表示状態を観察するこ
とによって、判断することができる。

【００５１】第２短絡部品６７は、隣合う２つの画素電
極３４を短絡させるので、２つの各画素３２内のＭＩＭ
素子３７および画素電極３４の接続点Ｊ３を両端とする
回路Ｊ３−Ｊ３を構成する。従来技術の液晶セルでは、
第２短絡部品６７だけに起因する短絡回路Ｊ３−Ｊ３は
ＭＩＭ素子３７に並列な回路ではないので、前記２つの
各画素３２内の対向電極３５にそれぞれ接続される２本
の対向側信号配線の端子にそれぞれ異なる信号を供給す
る必要がある。本実施の形態の液晶セル３１は、第２短
絡部品６７と素子側信号配線４２とを接続させるための
短絡検知用回路４１を備え、第２短絡部品６７と短絡検
知用回路４１とは、接続点Ｊ７で接続する。この結果２
つの各画素３２内の前記接続点Ｊ３と短絡検知用回路４
１および素子側信号配線４２の接続点Ｊ８とを両端とし
てかつ第２短絡部品６７内の接続点Ｊ７を経由する短絡
回路Ｊ３−Ｊ７−Ｊ８が、ＭＩＭ素子３７に並列に接続
される。この結果第２短絡部品６７がある場合、素子側
信号配線４２に供給された信号が、ＭＩＭ素子３７を経
由せずに第２短絡部品６７および短絡検知用回路４１を
介して、画素電極３４に供給される。

【００５２】このように液晶セル３１内に第２短絡部品
６７がある場合、該セル３１内には短絡検知用回路４１
が予め設けられているので、該第２短絡部品６７に起因
する短絡回路Ｊ３−Ｊ７−Ｊ８が、ＭＩＭ素子３７に並
列に接続される。この結果該第２短絡部品６７に起因す
る短絡回路Ｊ３−Ｊ７−Ｊ８は第１短絡部品６６に起因
する短絡回路Ｊ３−Ｊ６と同等なものになるので、第２
短絡部品３７は、第２短絡部品６７に起因する短絡があ
る画素３２の等価回路の両端子Ｊ１，Ｊ５に予め定める
２種類の検査信号がそれぞれ供給された状況下で、該画
素３２の表示状態に影響を与える。これによって第２短
絡部品３７に起因する不良な画素は、第１短絡部品６６
に起因する不良な画素の同じ検査手法を用いて、発見す
ることができる。

【００５３】このように図１の構成の液晶セル３１で
は、或る画素３２内に短絡の原因となる短絡部品がある
場合、短絡検知用回路が予め備えられているので、該短
絡部品が画素電極３４と素子側信号配線４２とを短絡さ
せる場合だけでなく、該短絡部品が２つの画素電極３４
を短絡させる場合でも、該短絡部品の少なくとも一部分
を含みかつ画素電極３４と素子側信号配線４２とを、Ｍ
ＩＭ素子３７と並列に接続する短絡回路が、形成され
る。この結果或る画素３２の等価回路の両端子Ｊ１，Ｊ
２に予め定める２種類の検査信号がそれぞれ供給された
状況下で、画素電極３４に第１および第２短絡部品６
６，６７に起因する短絡がある２種類の場合の該画素３
２の表示状態はどちらも、該画素電極３４に短絡のない
場合の該画素の表示状態と、それぞれ異なる。これによ
って図１の構成の液晶セル３１が、前述の状況下で、画
素の表示状態に基づき、画素電極３４と素子側信号配線
４２との短絡および画素電極３４間の短絡に起因する２
種類の不良画素と、短絡の無い画素電極３４を含む正常
画素との両方を、画素の表示状態に基づいて容易に判別
することができる。

【００５４】図２の液晶セル３１内の主基板部５１の製
造工程を以下に説明する。なお以下の製造工程内におけ
る各部品の詳細な形成手法は最適例の例示であり、他の
手法が用いられても良い。最初に下部電極３９と短絡検
知用回路４１と素子側信号配線４２とが、主基板５５の
一方面５７上に形成される。これらの部品３９，４１，
４２の形成工程は、具体的には、該部品３９，４１，４
２の材料となる導電性材料の薄膜が主基板５５の一方面
５７上に成膜される成膜工程と、該薄膜内の全ての各部
品３９，４１，４２に相当する部分だけが一方面５７上
に残されるように該薄膜内の残余の部分を除去するパタ
ーニング工程とが、この順で行われる。

【００５５】下部電極３９と短絡検知用回路４１と素子
側信号配線４２との形成後、ＭＩＭ素子３７の絶縁層
が、少なくとも下部電極３９の表面を覆うように、形成
される。前記絶縁層の形成工程は、たとえば酸化物が絶
縁性材料となる材料から下部電極３９が形成されている
場合、陽極酸化法を用い、下部電極４０表面を酸化させ
る工程で、実現される。絶縁層形成後、上部電極４０が
主基板５５の一方面５７上に形成される。上部電極４０
の形成工程は、具体的には、上部電極４０の材料となる
導電性材料の薄膜が、主基板５５の一方面５７上に、少
なくとも絶縁層を覆って成膜される成膜工程と、該薄膜
内の上部電極４０に相当する部分だけが一方面５７上に
残されるように、該薄膜内の残余の部分を除去するパタ
ーニング工程とが、この順で行われる。この結果ＭＩＭ
素子３７が完成する。

【００５６】上部電極形成後、画素電極３４が主基板５
５の一方面５７上に形成される。画素電極３４の形成工
程は、具体的には、画素電極３４の材料となる導電性材
料の薄膜が、主基板５５の一方面５７上に成膜される第
３成膜工程と、該薄膜内の画素電極３４に相当する部分
だけが一方面５７上に残されるように、該薄膜内の残余
の部分を除去する第３パターニング工程とが、この順で
行われる。上述の３回の各パターニング工程は、たとえ
ばフォトリソグラフィ法を用いてそれぞれ行われる。上
部電極形成後、主基板５５の一方面上に、形成された全
ての部品、すなわち画素電極３４とＭＩＭ素子３７と素
子側信号配線４２を覆うように、配向膜が形成される。
これらの結果、主基板部５１が完成する。

【００５７】主基板部５１の製造工程の前後または該製
造工程と並行して、対向基板部５２が製造される。対向
基板部５６の製造工程は、たとえば、導電性材料から形
成された薄膜が対向基板５６の一方面５８上に形成さ
れ、該薄膜内の帯電極６０となるべき部分だけが残るよ
うに該薄膜がたとえばフォトリソグラフィ法を用いて加
工される工程と、主基板５５の一方面上に、帯電極６０
を覆うように、配向膜が形成される工程とを、この順で
含む。主基板部５１および対向基板部５２形成後、これ
らの基板部５１，５２が、配向膜を相互に対向させてか
つ間隔を空けた状態で、該基板部５１，５２間の空間に
液晶を封入する。この結果液晶セル３１が完成する。

【００５８】上述の主基板部５１の製造工程は、従来技
術の液晶セルの主基板部の製造工程と比較した場合、下
部電極３９の材料からなる薄膜のパターニング工程にお
いて、主基板５５上に残すべき部分の形状だけが異な
り、他は等しい。この結果本実施の形態の液晶セル３１
の製造工程は、従来技術の液晶セルの製造工程と比較し
て、下部電極３９の材料からなる薄膜のパターニング工
程において用いられるマスクだけが変更されているの
で、短絡検出用部品４１を設けたことに起因する液晶セ
ル３１の製造工程内の工程数の増加が、防止される。こ
の結果短絡検出用部品４１の追加に起因する本実施の形
態の液晶セル３１の製造コストおよび製造期間の増加
が、抑えられる。

【００５９】図３は、本発明の液晶セル検査方法を用い
た図１の液晶セル３１の点灯検査のための検査装置７１
の概略的構成を示す分解斜視図である。なお本明細書の
検査装置の分解斜視図は、検査対象の液晶セル３１が透
過型のものまたは反射型でありかつ反射板が液晶セル３
１外に設けられる構成のものである場合の例を示し、か
つ該検査対象の液晶セル３１が１６個の画素３２が４行
４列の配列で配置されたものである場合の例を示してい
る。検査装置７１は、素子側および対向側検査治具７
２，７３と、素子側および対向側光学フィルム７４，７
５と、光源７６と、信号供給部とを含む。

【００６０】素子側および対向側検査治具７２，７３
は、検査対象の液晶セル３１内の素子側信号配線４２の
端子Ｊ１および対向側信号配線４３の端子Ｊ５に、それ
ぞれ取付けられる。対向側信号配線４３の端子Ｊ５は、
帯電極６０の端子と等価である。素子側および対向側光
学フィルム７４，７５は、検査対象の液晶セル３１を挟
んで対向する。光源７６は、液晶セル３１の表示面５９
と反対側の面に対向側光学フィルム７５を介して対向す
る位置に、配置される。素子側および対向側光学フィル
ム７４，７５は、たとえば偏光板で実現される。素子側
および対向側光学フィルム７４，７５の配置位置は、た
とえば、液晶セル３１の製品化時に液晶セル３１に取付
けられる一対の偏光板の配置位置と等しく、光源７６の
配置位置は、たとえば、液晶セル３１の製品化時に液晶
セル３１に取付けられる光源および反射板の配置位置
と、等しい。

【００６１】前記信号供給部は、素子側検査治具７２を
介して、検査対象の液晶セル３１内の全素子側信号配線
４２に、相互に等しい単一の電気的な第１検査信号であ
る素子側検査信号ＳＡを与え、かつ第２検査治具７３を
介して、検査対象の液晶セル３１内の全ての各対向側信
号配線４３に、相互に等しい単一の電気的な第２検査信
号である対向側検査信号ＳＢを与える。検査者は、素子
側および対向側検査信号ＳＡ，ＳＢが供給された状態の
液晶セル内の画素の表示状態、すなわち信号供給状態の
液晶セル内の画素の濃淡を、素子側光学フィルム７４を
介して液晶セル３１の表示面５９を臨む位置から、観察
する。また検査者の代わりに、検査装置７１が前記臨む
位置から液晶セル３１を観察するための観察部をさらに
備えていても良い。

【００６２】図４（Ａ），（Ｂ）は、素子側および対向
側検査信号ＳＡ，ＳＢの波形図である。素子側および対
向側検査信号ＳＡ，ＳＢは、液晶表示装置の複雑な駆動
波形そのものを用いることもできるが予め定める周期で
電圧が変化する周期信号であって、同期したものでも良
く、たとえば図示したような簡便な交流の矩形波形を用
いることができる。

【００６３】すなわち対向側検査信号ＳＢは、ある一定
の期間Ｔの間、信号の振幅の大きさがＶＳＢになる状態
に周期的に繰返される信号とする。信号のレベルを＋Ｖ
ＳＢ→−ＶＳＢ→＋ＶＳＢのように極性を反転させるの
は、液晶材料の信頼性を確保するために一般的に行われ
るものである。

【００６４】一方、素子側検査信号ＳＡは、各画素の表
示を決定する信号である。表示の状態は選択期間Ｔ中に
与えれる信号ＳＡのレベルを＋ＶＳＡ〜−ＶＳＡの間で
任意に変えることにより表示の濃淡が決まる。一度決ま
った表示の状態は次の選択期間が来るまで保持される。

【００６５】すなわち、信号ＳＢの信号レベルが＋ＶＳ
Ｂ（または−ＶＳＢ）であり、信号ＳＡの信号レベルが
−ＶＳＡ（または＋ＶＳＡ）である組合せになった場合
に表示がＯＮになる。また、信号ＳＢが＋ＶＳＢ（また
は−ＶＳＢ）と信号ＳＡが＋ＶＳＡ（または−ＶＳＡ）
の組合せになった場合に表示がＯＦＦになる。

【００６６】前述したように、或る画素３２が接続され
た素子側および対向側信号配線４２，４３に予め定める
検査信号ＳＡ，ＳＢが供給された状態で、該画素３２内
の画素電極３４が素子側信号配線４２および他の画素電
極３４のいずれかと短絡している場合の表示状態は、該
画素３２内の画素電極３４に短絡が無い場合の表示状態
と異なる。この結果前述の観察者は、全素子側信号配線
４２に相互に等しい素子側検査信号ＳＡが供給されかつ
全対向側信号配線４３に相互に等しい対向側検査信号Ｓ
Ｂが供給された状況下で、検査対象の液晶セル３１内の
全ての各画素の表示状態を相互に比較、または検査対象
の液晶セル３１内の全ての各画素の表示状態を基準の画
素の表示状態と比較するならば、該全画素３２のうちか
ら、第１および第２短絡部品６６，６７に起因する短絡
のある画素電極３４をそれぞれ含む２種類の不良画素
を、容易に判別することができる。このように本実施の
形態の液晶セル３１は、全ての素子側信号配線４２に相
互に等しい検査信号ＳＡを与えかつ全対向側信号配線４
３に相互に等しい検査信号ＳＢを与えた状況下で、画素
電極３４と信号配線４２との短絡および画素電極３４同
士の短絡に起因する不良画素を、両方とも検出すること
ができる。

【００６７】また素子側および対向側検査信号ＳＡ，Ｓ
Ｂは上述のように供給されるので、素子側および対向側
検査治具７２，７３は、全ての素子側および対向側信号
配線４２，４３の端子Ｊ１，Ｊ５と接触し得る１枚の導
電性の部材、たとえばいわゆるパットで実現される。こ
の結果図１３で説明した従来技術の第２検査装置より
も、対向側検査治具７３の構成が簡略化される。かつ素
子側および対向側検査治具７２，７３を検査対象の液晶
セル３１に取付けるには、パット状の該検査治具７２，
７３を主基板部５１および対向基板部５２内の全素子側
および全対向側信号配線４２，４３の端子Ｊ１，Ｊ５が
ある部分にそれぞれ当てるだけで良い。この結果前記従
来技術の第２検査装置よりも、対向側検査治具７３の取
扱いが容易になる。これによって本実施の形態の検査方
法は、検査方法および検査治具の簡略化と２種類の短絡
に起因する不良画素の検出とを、両立させることができ
る。

【００６８】図５は、本発明の第２の実施の形態である
液晶セル９１の等価回路図である。図６は、図５の液晶
セル９１内の主基板部９２の部分拡大平面図である。図
５と図６とを合わせて説明する。第２の実施の形態の液
晶セル（以後「第２液晶セル」と略称する）９１の構成
は、第１の実施の形態の液晶セル（以後「第１液晶セ
ル」と略称する）３１と比較して、以下に説明する点だ
けが異なり、他は等しい。第２液晶セル９１内の部品の
うち、第１液晶セル３１内の部品と等しいものは、該部
品と同じ参照符を用いて示し、詳細な説明は省略する。

【００６９】第２液晶セル９１は、第１液晶セル３１と
比較して、短絡検知用回路９３が、任意の２つの画素電
極３４間の短絡の原因となる第２短絡部品６７を、該画
素電極３４にＭＩＭ素子３７を介して接続されるいずれ
かの素子側信号配線４２とは異なる他の素子側信号配線
４２に接続させるように、設けられる。このために第２
の実施の形態の短絡検知用回路（以後「第２短絡検知用
回路」と略称する）９３は、第１の実施の形態の短絡検
知用回路（以後「第１短絡検知用回路」と略称する）４
１と比較して、一端が前記他の素子側信号配線４２に接
続されていることだけが異なり、他の構成は等しい。こ
の結果第２液晶セル９１内に第２短絡部品６７がある場
合、該第２短絡部品６７は第２短絡検知用回路９３によ
って前記他の素子側信号配線４２に接続される。これに
よって前記場合、第２液晶セル９１内には、第２短絡部
品６７によって短絡された２つの各画素電極３４とＭＩ
Ｍ素子３７との接続点Ｊ３から第２短絡部品６７内の接
続点Ｊ７を経由して第２短絡検知用回路９１と前記他の
素子側信号配線４２との接続点Ｊ９に至る短絡回路Ｊ３
−Ｊ７−Ｊ９が形成される。なお図５，６は、第２短絡
検知用回路が素子側信号配線４２と同じ材料から形成さ
れる例を示している。

【００７０】本実施の形態の点灯検査が行われる場合、
全対向側信号配線４３に相互に等しい検査信号ＳＢが与
えられると同時に、全素子側信号配線４２には相互に等
しい検査信号ＳＡが与えられる。この結果第２液晶セル
９１内の第２短絡部品６７に起因する短絡回路Ｊ３−Ｊ
７−Ｊ９を経由して画素電極３４に与えられる検査信号
ＳＡと、第１液晶セル３１内の第２短絡部品６７に起因
する短絡回路Ｊ３−Ｊ７−Ｊ８を経由して画素電極３４
に与えられる検査信号ＳＡとは相互に等しいので、これ
ら２つの短絡回路Ｊ３−Ｊ７−Ｊ９，Ｊ３−Ｊ７−Ｊ８
は相互に等価になる。これによって第２液晶セル９１
は、第１の実施の形態で説明した検査方法を用いた点灯
検査によって、画素電極３４と素子側信号配線４２との
短絡に起因する不良な画素、および画素電極３４同士の
短絡に起因する不良な画素の両方を、手順が簡単でかつ
検査治具の構成が簡単な検査方法によって、検出するこ
とができる。

【００７１】第２液晶セル９１の製造工程は、第１液晶
セル３１の製造工程と比較して、素子側信号配線４２と
下部電極３９と第１短絡検知用回路４１とが同時に形成
される形成工程において、第１短絡検知用回路４１の代
わりに第２短絡検知用回路９３が形成され、かつこのた
めに該形成工程内のパターニング工程で用いられるマス
クの形状が、第２主基板部９１内の素子側信号配線４２
と下部電極３９と第２短絡検知用回路９３とに応じた形
状になっている点が異なり、他は等しい。この結果第１
液晶セル３１の製造工程と同様に、第２液晶セル９１の
製造工程においても、短絡検知用回路９３の追加に起因
する該液晶セル９１の製造コストおよび製造期間の増加
が、抑えられる。以上が第２の実施の形態の説明であ
る。

【００７２】第１および第２の実施の形態において、第
１および第２液晶セル３１，９１内の第２短絡部品６７
に起因する短絡回路Ｊ３−Ｊ７−Ｊ８，Ｊ３−Ｊ７−Ｊ
９の説明から分かるように、全素子側信号配線４２に相
互に等しい検査信号が与えられる状況下で、第２短絡部
品６７が全素子側信号配線４２のうちの任意のいずれか
１本と短絡検出用部品を介して接続されるならば、上述
の２種類の不良な画素を、該画素の表示状態に基づいて
検出することができる。この結果、第２短絡部品６７と
素子側信号配線４２とを接続するための短絡検知用回路
と素子側信号配線４２との接続位置は、図１，２，５，
６で説明した位置に限らず、第２短絡部品６７とに起因
する短絡回路が上述の短絡回路Ｊ３−Ｊ７−Ｊ８，Ｊ３
−Ｊ７−Ｊ９と等価になる位置であれば、どのような位
置でもよい。また単一の短絡検知用回路は、複数の部品
から構成されてもよい。

【００７３】たとえば図７に示すように、単一の短絡検
知用回路９５は、隣合う２本の素子側信号配線４２にそ
れぞれ接続された２本の配線９６，９７から構成されて
もよい。前記２本の各配線９６，９７は、該各配線９
６，９７の長手方向が素子側信号配線４２の長手方向と
直交する方向に平行であり、かつ該各配線９６，９７の
中心軸線が該直交する方向と平行でかつ２つの画素電極
３４間を通る１本の仮想軸線上に、ほぼ配置される。図
７の短絡検知用回路９５を備えた主基板部９８を含む液
晶セルの形成工程は、第１および第２液晶セル３１，９
１の製造工程と比較して、素子側信号配線４２と下部電
極３９と短絡検知用回路９５とが同時に形成される形成
工程内のパターニング工程で用いられるマスクの形状
が、該主基板部内の素子側信号配線４２と下部電極３９
と短絡検知用回路とに応じた形状になっている点が異な
り、他は等しい。この結果第１および第２液晶セル３
１，９１の製造工程と同様に、上述の液晶セルの製造工
程においても、短絡検知用回路の追加に起因する該液晶
セルの製造コストおよび製造期間の増加が、抑えられ
る。

【００７４】図８は、本発明の第３の実施の形態の表示
素子である液晶セル内の主基板部１０１の部分拡大平面
図である。第３の実施の形態の液晶セル（以後「第３液
晶セル」と略称する）１０１の構成は、第１および第２
液晶セル３１，９１と比較して、以下に説明する点だけ
が異なり、他は等しい。前記第３液晶セル内の部品のう
ち、第１液晶セル３１内の部品と等しいものは、該部品
と同じ参照符を用いて示し、詳細な説明は省略する。

【００７５】前記第３液晶セル内において、短絡検知用
回路１０３の材料は、ＭＩＭ素子３７の上部電極４０と
等しい。このために短絡検知用回路１０３の一端は、素
子側信号配線４２に乗重なっている。この結果第３液晶
セルの等価回路は、図１の第１液晶セル３１の等価回路
と等しい。これによって第３液晶セル内の短絡に起因す
る不良画素は、第１の実施の形態で説明した検査方法を
用いて、容易に発見することができる。

【００７６】第３液晶セル内の主基板部１０１の製造工
程を以下に説明する。なお以下の製造工程内における各
部品の詳細な形成手法は最適例の例示であり、他の手法
が用いられても良い。また第３液晶セル内の主基板部１
０１の製造工程内の工程のうち、第１液晶セル内の主基
板部５１の製造工程内の工程と等しいものの詳細な説明
は、省略する。

【００７７】最初に下部電極３９と素子側信号配線４２
とが、主基板５５の一方面５７上に形成される。これら
の部品３９，４２の形成工程は、第１液晶セル３１の製
造工程内の素子側信号配線４２と下部電極３９と短絡検
知用回路４１との形成工程と比較して、該形成工程内の
パターニング工程で用いられるマスクの形状が、該主基
板部内の素子側信号配線４２と下部電極３９とだけと、
短絡検知用回路とに応じた形状になっている点が異な
り、他は等しい。下部電極３９と素子側信号配線４２と
の形成後、ＭＩＭ素子３７の絶縁層が、少なくとも下部
電極４０の表面を覆うように、形成される。前記絶縁層
の形成工程は、第１液晶セル３１の製造工程内の絶縁層
の形成工程と等しい。

【００７８】絶縁層形成後、上部電極４０および短絡検
知用回路１０３が主基板５５の一方面５７上に形成され
る。これら部品４０，１０３の形成工程は、具体的に
は、上部電極４０および短絡検知用回路１０３の材料と
なる導電性材料の薄膜が、主基板５５の一方面５７上
に、少なくとも素子側信号配線４２の一部分上および絶
縁層上を覆って成膜される成膜工程と、該薄膜内の上部
電極４０および短絡検知用回路１０３に相当する部分だ
けが一方面５７上に残されるように、該薄膜内の残余の
部分を除去するパターニング工程とが、この順で行われ
る。この結果ＭＩＭ素子３４が完成する。

【００７９】上部電極形成後、画素電極３４が主基板５
５の一方面５７上に形成される。画素電極形成後、主基
板５５の一方面上に、形成された全ての部品、すなわち
画素電極３４とＭＩＭ素子３７と素子側信号配線４２と
第３短絡検知用回路１０３を覆うように、配向膜が形成
される。画素電極３４および配向膜の形成工程は、第１
液晶セル３１の製造工程内の画素電極３４および配向膜
の形成工程とそれぞれ等しい。これらの結果、主基板部
５１が完成する。

【００８０】第３液晶セルの主基板部１０１の製造工程
の前後または該製造工程と並行して、対向基板部５２が
製造される。主基板部１０１および対向基板部５２形成
後、これらの基板部間の空間に液晶が封入される。対向
基板部５２の製造工程および液晶の封入工程は、第１液
晶セル３１の対向基板部５２の製造工程および液晶の封
入工程と等しい。この結果第３液晶セルが完成する。

【００８１】上述の第３液晶セルの主基板部１０１の製
造工程は、従来技術の液晶セルの主基板部の製造工程と
比較した場合、上部電極４０の材料からなる薄膜のパタ
ーニング工程において、主基板５５上に残すべき部分の
形状だけが異なり、他は等しい。この結果第３液晶セル
の製造工程は、従来技術の液晶セルの製造工程と比較し
て、上部電極４０の材料からなる薄膜のパターニング工
程において用いられるマスクだけが変更されているの
で、短絡検出用部品１０３を設けたことに起因する液晶
セルの製造工程内の工程数の増加が、防止される。この
結果短絡検出用部品１０３の追加に起因する第３液晶セ
ルの製造コストおよび製造期間の増加が、抑えられる。
以上が第３の実施の形態の説明である。

【００８２】以上説明したように、第１および第２なら
びに第３の実施の形態において、短絡検知用回路４１，
９３；１０３は、下部電極３９ならびに上部電極４０と
同じ導電性の材料からそれぞれ形成されたが、これに限
らず短絡検知用回路は、導電性の材料であればどのよう
な材料から形成されてもよい。また短絡検知用回路の材
料は、液晶セルの製造工程の工程数の増加を防止するた
めに、該液晶セル内の主基板部内にある全ての導電性の
部品のうちのいずれか１つと同じ材料で形成されること
が好ましい。さらにまた短絡検知用回路の材料は、画素
電極３４と等しいことがさらに好ましい。これは、画素
電極３４は透光性を有する導電性材料、たとえばＩＴＯ
から形成されることが多いので、短絡検知用回路が画素
電極３４と同じ材料から形成される場合、短絡検知用回
路に起因する液晶セルの開口率の低下が抑えられるの
で、該液晶セルの表示が暗くなることを未然に防止する
ことができるためである。また、ＭＩＭ素子の場合、下
部電極３９は、表示の均一性を得るために、寸法と形状
の仕上がりに高い精度が求められており、ドライエッチ
ングでパターニングされることが多い。短絡検知回路
は、小さく（細く）形成できるほうが開口率の観点から
好ましく、したがって下部電極３９と同時に形成するの
が好ましい。

【００８３】図９は、本発明の第４の実施の形態のであ
る液晶セル１１１の斜視図である。第４の実施の形態の
液晶セル（以後「第４液晶セル」と略称する）１１１の
構成は、第１〜第３液晶セルと比較して、以下に説明す
る点だけが異なり、他は等しい。前記第４液晶セル内の
部品のうち、第１液晶セル３１内の部品と等しいもの
は、該部品と同じ参照符を用いて示し、詳細な説明は省
略する。

【００８４】第４液晶セル１１１は、主基板部１１３と
対向基板部５２と液晶部とを含む。第４液晶セル１１１
内の対向基板部５２および液晶部は、第１液晶セル３１
内の対向基板部５２および液晶部と等しい。第４液晶セ
ル１１１の主基板部１１３は、第１液晶セル３１の主基
板部３１と比較して、画素電極３４の形状と、ＭＩＭ素
子３７の配置位置と、短絡検知用回路１１４の接続関係
とが異なり、他は等しい。画素電極３４は、切欠きのな
い四角形の導電体の膜片である。ＭＩＭ素子３７は、画
素３２の境界部に配置される。主基板５５の一方面内の
或る画素３２の境界部は、該画素３２内の画素電極３４
の隣の部分である。短絡検知用回路１１４は、下部電極
３９と同じ材料から形成され、該下部電極３９に接続さ
れる。すなわち短絡検知用回路１１４は、下部電極３９
を介して、素子側信号配線４２に接続される。

【００８５】このような構成の第４液晶セル１１１にお
いて、短絡検知用回路１１４の一部分が下部電極３９を
兼ね、かつ該短絡検知用回路１１４が画素３２の境界部
に配置される。これによって従来の液晶セルと比較し
て、短絡検知用回路１１４が透光性を有するか否かに拘
わらず、該短絡検知用回路１１４に起因する開口率の低
下が抑えられる。また第４液晶セルの等価回路は、図１
の第１液晶セル３１の等価回路と等しい。これによって
第４液晶セル内の短絡に起因する不良画素は、第１の実
施の形態で説明した検査方法を用いて、容易に発見する
ことができる。

【００８６】第４液晶セル内の主基板部１１３の製造工
程を以下に説明する。なお以下の製造工程内における各
部品の詳細な形成手法は最適例の例示であり、他の手法
が用いられても良い。また第３液晶セル内の主基板部１
１３の製造工程内の工程のうち、第１液晶セル内の主基
板部５１の製造工程内の工程と等しいものの詳細な説明
は、省略する。

【００８７】最初に下部電極３９と素子側信号配線４２
と短絡検知用回路１１４が、主基板５５の一方面５７上
に形成される。図９の例では、下部電極３９がＭＩＭ素
子３７の形成に必要な長さよりも延長されて形成され、
延長された部分が短絡検知用回路１１４になっている。
これらの部品３９，４２，１１４の形成工程は、第１液
晶セル３１の製造工程内の素子側信号配線４２と下部電
極３９と短絡検知用回路４１との形成工程と比較して、
該形成工程内のパターニング工程で用いられるマスクの
形状が、該主基板部内の素子側信号配線４２と下部電極
３９と短絡検知用回路１１４とに応じた形状になってい
る点が異なり、他は等しい。下部電極３９と素子側信号
配線４２との形成後、ＭＩＭ素子３７の絶縁層および上
部電極、画素電極、ならびに配向膜が、この順で順次形
成される。第４液晶セル１１１の製造工程内の、絶縁
層、上部電極４０および画素電極３４の形成工程は、第
１液晶セル３１の製造工程内の絶縁層、上部電極４０、
および画素電極３４の形成工程と比較して、これらの部
品の形状および配置位置だけが異なり、他は等しい。こ
れらの結果、主基板部１１３が完成する。

【００８８】第４液晶セル１１１の主基板部１１３の製
造工程の前後または該製造工程と並行して、対向基板部
５２が製造される。主基板部１１３および対向基板部５
２形成後、これらの基板部１１３，５２間の空間に液晶
が封入される。第４液晶セル１１１の製造工程内におけ
る、配向膜の形成工程、対向基板部５２の製造工程、な
らびに液晶の封入工程は、第１液晶セル３１の製造工程
内における、配向膜の形成工程、対向基板部５２の製造
工程、ならびに液晶の封入工程と、それぞれ等しい。こ
の結果第４液晶セルが完成する。この結果第１液晶セル
３１の製造工程と同様に、第４液晶セル１１１の製造工
程においても、短絡検出用部品１１４の追加に起因する
該液晶セル１１１の製造コストおよび製造期間の増加
が、抑えられる。以上が第４の実施の形態の説明であ
る。

【００８９】第１〜第４の実施の形態の液晶セルおよび
その検査方法は、本発明の液晶セルおよびその検査方法
の例示であり、主要な構成が等しければ、他の様々な形
で実施することができる。たとえば前記第１〜第４液晶
セル内の部品の詳細な構成、たとえば形状および配置
は、該部品の特性が等しければ、上述の構成に限らず他
の構成によって実現されてもよい。またたとえばＭＩＭ
素子３７に代表される２端子非線形素子に代わって、ス
イッチング素子として利用可能な他の素子が用いられて
も良い。前記他の素子として、たとえば３端子能動素
子、具体的にはたとえば薄膜トランジスタが挙げられ
る。これら結果前記表示媒体を用いる本発明の表示素子
およびその検査方法は、画素電極３２同士の短絡に起因
する不良画素を容易に検出することができる。

【００９０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１およ
び第２端子を少なくともそれぞれ有する複数のスイッチ
ング素子と、少なくとも１つの前記スイッチング素子の
第１端子がそれぞれ接続される少なくとも１本の第１信
号配線と、前記各スイッチング素子の第２端子がそれぞ
れ接続される複数の画素電極と、液晶から成る液晶部
と、液晶部を介して前記各画素電極と対向する複数の対
向電極とを含み、画素電極は対向電極および第１信号配
線の各本数と等しく対応して行列状に配列された液晶セ
ルは、少なくとも１つの短絡検知用回路をさらに含む。
この結果、前記液晶セル内において、短絡検知用回路に
より、他の画素電極と短絡した画素電極を含む画素を、
信号配線と短絡した画素電極を含む画素と、等価に取扱
うことができる。

【００９１】また本発明によれば、前記各短絡検知用回
路は、隣合う画素電極間に配置される導電性の部品で実
現される。この結果前記液晶セルの構成が複雑になるこ
とを防止しつつ、短絡検知用回路が形成可能になる。さ
らにまた本発明によれば、各短絡検知用回路およびスイ
ッチング素子は、隣合う画素電極間に配置される。この
結果前記液晶セルは、前記短絡検知用回路に起因する液
晶セルの開口率の低下を防止することができる。また本
発明によれば、前記各短絡検知用回路は、前記スイッチ
ング素子内の導電性の部材、前記画素電極、および前記
第１信号配線のうちの少なくとも１つと同じ材料から形
成される。この結果短絡検知用回路の追加に起因する前
記液晶セルの製造コストおよび製造時間の増加が防がれ
る。さらにまた本発明によれば、前記スイッチング素子
は２端子非線形素子で実現される。この結果スイッチン
グ素子として２端子非線形素子を用いた液晶セル内にお
いて、他の画素電極と短絡した画素電極を含む画素を、
信号配線と短絡した画素電極を含む画素と、等価に取扱
うことができる。

【００９２】また以上のように本発明によれば、前記液
晶セルは、該液晶セル内の全第１信号配線に相互に等し
い第１検査信号がそれぞれ与えられ、かつ該液晶セル内
の全対向電極に相互に等しい第２検査信号がそれぞれ与
えられた状況下における、前記各画素内の液晶の表示に
拘わる状態に基づいて、該液晶セルが良品であるか否か
が検査される。この結果、検査信号の供給のための検査
治具の構成および全検査信号の信号構成を従来よりも簡
略化しつつ、簡単な方法で、該液晶セルの良／不良を容
易に検査することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態である液晶セル３１
の等価回路図である。

【図２】図１の液晶セル３１の分解斜視図である。

【図３】図１の液晶セル３１の検査装置７１の分解斜視
図である。

【図４】図３の検査装置７１を用いた検査の際に検査対
象の液晶セル３１に与えられる素子側および対向側検査
信号ＳＡ，ＳＢの波形図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態である液晶セル９１
の等価回路図である。

【図６】図５の液晶セル９１内の主基板部９２の部分拡
大平面図である。

【図７】液晶セル内の主基板部９８の部分拡大平面図で
ある。

【図８】本発明の第３の実施の形態である液晶セル内の
主基板部１０１の部分拡大平面図である。

【図９】本発明の第４の実施の形態である液晶セル１１
１の分解斜視図である。

【図１０】従来技術の液晶セル１の分解斜視図である。

【図１１】画素電極６の短絡の原因となる膜残り部１１
〜１４を説明するための図１０の液晶セル１の分解斜視
図である。

【図１２】図１０の液晶セル１の点灯検査のための従来
技術の第１検査装置２１の分解斜視図である。

【図１３】図１０の液晶セル１の点灯検査のための従来
技術の第２検査装置２７の分解斜視図である。

【符号の説明】

３１ 液晶セル ３２ 画素 ３４ 画素電極 ３５ 対向電極 ３７ ＭＩＭ素子 ３９ 下部電極 ４０ 上部電極 ４１，９３，９５，１０３，１１４ 短絡検知用回路 ４２ 素子側信号配線 ４３ 対向側信号配線 ７１ 検査装置 ＳＡ 素子側検査信号 ＳＢ 対向側検査信号

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/136

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１および第２端子を少なくともそれぞ
   れ有する複数のスイッチング素子と、前記各スイッチン
   グ素子の第１端子がそれぞれ接続される少なくとも１本
   の第１信号配線と、前記各スイッチング素子の第２端子
   がそれぞれ接続される複数の画素電極と、液晶から成る
   液晶部と、液晶部を介して前記各画素電極と対向する複
   数の対向電極とを含み、 該画素電極が行列状に配置され、該画素電極の行数が前
   記第１信号配線の本数と等しく、かつ該画素電極の列数
   が前記対向電極の本数と等しい液晶セルであって、 少なくとも２つの前記画素電極を短絡させる導電性の部
   材が前記液晶セル内にある場合、前記第１信号配線へ電
   圧を印加した時に、一方の画素電極と短絡した画素電極
   を含む画素を、該第１信号配線と短絡した画素電極を含
   む画素に成さしめるように、該部材と前記第１信号配線
   とを電気的に接続させるための細いライン状の配線材か
   ら構成される少なくとも１つの短絡検知用回路を含むこ
   とを特徴とする液晶セル。
2. 【請求項２】 前記各短絡検知用回路は、導電性を有す
   る材料から形成されて前記第１信号配線と接続され、か
   つ隣合う２つの前記画素電極間に配置されることを特徴
   とする請求項１記載の液晶セル。
3. 【請求項３】 前記各短絡検知用回路は、導電性を有す
   る材料から形成されて前記各スイッチング素子の第１端
   子と接続され、 前記各スイッチング素子および各短絡検知用回路は、隣
   合う２つの前記画素電極間に配置されることを特徴とす
   る請求項１記載の液晶セル。
4. 【請求項４】 前記短絡検知用回路は、前記スイッチン
   グ素子内の導電性の部材、前記画素電極、および前記第
   １信号配線のうちの少なくとも１つを形成する材料と同
   じ材料から形成されることを特徴とする請求項１記載の
   液晶セル。
5. 【請求項５】 前記スイッチング素子は、２端子非線形
   素子であることを特徴とする請求項１記載の液晶セル。
6. 【請求項６】 請求項１〜請求項５のいずれかに記載の
   液晶セルの検査方法であって、 前記液晶セル内の全第１信号配線および全対向電極に、
   前記全ての各画素電極および各対向電極間に予め定める
   電界を生じさせるための予め定める第１および第２検査
   信号をそれぞれ与え、前記各画素電極および各対向電極
   間の液晶の表示に拘わる状態に基づき、前記液晶セルが
   良品であるか否かを判断することを特徴とする液晶セル
   の検査方法。