KR100206569B1 - 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다수의 데이터선이 형성되어 있는 표시 패널에서 오픈된 데이터선의 위치를 검출하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 기판 위에 형성되어 있는 신호선의 오픈 쇼트를 검사하기 위해 신호선의 한쪽 끝에 연결되어 있는 각각의 패드에 전압을 인가하여 오픈된 신호선을 검출하고 오픈된 신호선의 패드에 교류 전압을 인가하여 오픈된 신호선의 오픈 위치를 찾고 오픈된 신호선의 복구가 가능하면 신호선의 복구를 실시하고, 복구가 불가능하면 기판을 불량으로 처리한다. 따라서 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법에서는 액정 주입 공정 전에 복구가 불가능한 신호선을 조기에 발견할 수 있으므로 실시간으로 불량 검출이 가능하고, 액정 주입 공정 전에 오픈된 신호선을 복구할 수 있으므로 그로스 검사를 완벽하게 실시할 수 있으며 불량 판정이 액정 주입 공정 전에 이루어지므로 원가를 줄이는 효과가 있다.

Description

표시 장치의 제조 방법

본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다수의 데이터선이 형성되어 있는 표시 패널에서 오픈된 데이터선의 위치를 검출하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

도1은 일반적인 표시 장치의 한 패널의 구조를 도시한 평면도이다.

일반적으로 액정 표시 장치에 사용되는 하나의 기판에는 도1에서 보는 바와 같이, 다수의 데이터선(1)이 게이트선(2)과 수직으로 교차하면서 형성되어 있고 게이트선(2)과 데이터선(1)이 교차하여 이루는 영역에는 화소 전극(도시하지 않음) 및 박막 트랜지스터(도시하지 않음)가 형성되어 있고 다수의 화소 전극 및 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 영역인 활성 영역이 있다. 그리고 기판에서 활성 영역 이외의 가장자리 부분에 다수의 게이트선(2) 및 데이터선(1)에 신호를 인가하기 위해 게이트선(2) 및 데이터선(1)에서 연장되어 있으며 군집적으로 다수의 패드(3)가 형성되어 있는 영역인 OLB 패드부가 있다.

이러한 기판의 제조 방법에서는 트랜지스터의 단자로 사용되는 소스/드레인 전극을 형성하고 두 전극 사이에 노출되어 있으며 고농도로 도핑된 콘택층을 식각한 후에 다수의 게이트선(2)과 데이터선(1)의 오픈(OPEN) 또는 쇼트(SHORT) 상태를 테스트하게 된다.

그러면, 첨부한 도면을 종래의 표시 장치의 제조 방법에 대하여 더욱 자세하게 알아보면 다음과 같다.

도2는 종래의 기술에 따른 표시 장치의 제조 방법을 그 순서에 따라 도시한 흐름도이다.

도2에서 보는 바와 같이, 종래의 기술에 따른 표시 장치의 제조 방법은 우선 앞에서 설명한 대로 박막 트랜지스터를 형성하고 두 전극 사이에 노출된 n⁺고농도층을 식각한다(S10).

다음, 데이터선(1)에 연결되어 있는 패드(3)에 측정기의 프로브를 접촉시키고 전압을 인가하여 전류를 측정하고 저항값을 계산하여 오픈된 데이터선을 찾는다(S20).

이어, 컬러 필터가 형성되어 있는 다른 기판과 압착 공정을 통하여 부착한 다음, 두 기판 사이에 액정을 주입한다(S30).

다음, 그로스(GROSS) 검사를 실시하여 오픈된 데이터선에서 오픈된 위치를 찾는다(S40).

마지막으로, 오픈된 데이터선의 오픈된 위치를 레이저를 이용하여 복구한다(S50).

여기서, 그로스 검사는 모듈을 장착한 제품과 동일한 상태에서 제품을 구동할 수 있는 동일한 구동 신호를 인가하여 실제 상태와 유사한 검사를 할 수 있다. 그러므로 오픈된 데이터선의 오픈된 위치에서는 화소 전극이 구동 신호에 따라 구동되지 않고 검거나 희게만 나타난다.

이렇게 하여 나타난 오픈된 데이터선의 오픈된 위치를 레이저를 이용하여 쇼트시켜 오픈된 데이터선을 복구한다(S50).

그러나 이러한 종래의 신호선의 오픈 위치 검출 방법에서는 박막 트랜지스터의 기판 구조가 복구 링을 갖는 구조가 아니라 화소 단위로 복구할 수 있는 구조이기 때문에 오픈된 데이터선을 찾는 단계에서 오픈된 데이터선의 오픈된 위치를 찾을 수 없기 때문에 데이터선의 복구를 실시할 수 없고 두 기판을 부착하고 액정을 주입한 후에 데이터선의 복구를 실시하면 오픈된 위치를 복구하는 데 어려움이 있으므로 공정 수율이 떨어지고 오픈된 데이터선을 복구할 수 없는 경우에는 액정 주입 공정까지 실시된 상태에서 불량으로 처리되므로 손실되는 생산량이 증가하여 원가 크게 소요되는 문제점을 가지고 있다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 오픈된 데이터선을 찾는 단계에서 데이터선의 오픈된 위치를 찾을 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제시하는 데 있다.

도1은 일반적인 표시 장치의 한 패널의 구조를 도시한 평면도이고,

도2는 종래의 기술에 따른 표시 패널의 제조 방법을 그 순서에 따라 도시한 흐름도이고,

도3은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 그 순서에 따라 도시한 흐름도이다.

이러한 본 발명에 따른 신호선의 라인 오픈 위치 검출 방법은 기판 위에 형성되어 있는 신호선의 오픈 쇼트를 검사하기 위해 신호선의 한쪽 끝에 연결되어 있는 각각의 패드에 전압을 인가하여 오픈된 신호선을 검출하고, 오픈된 신호선의 패드에 교류 전압을 인가하여 오픈된 신호선의 오픈 위치를 찾는다. 그리고 오픈된 신호선의 복구가 가능하면 신호선의 복구를 실시하고, 복구가 불가능하면 기판을 불량으로 처리한다.

또한 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은 하나의 기판 위에 스위칭 소자를 형성하고 신호선의 오픈 쇼트를 검사하기 위해 신호선의 한쪽 끝에 연결되어 있는 각각의 패드에 전압을 인가하여 오픈된 신호선을 검출하고, 오픈된 신호선의 패드에 교류 전압을 인가하여 오픈된 신호선의 오픈 위치를 찾는다. 그리고 오픈된 신호선의 복구가 가능하면 신호선의 복구를 실시하고, 복구가 불가능하면 기판을 불량으로 처리한다. 다음, 공통 전극이 형성되어 있는 다른 기판을 접착하고 두 기한 사이에 액정 주입한다.

이러한 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법에서는 액정 주입 공정 전에 복구가 불가능한 신호선을 조기에 발견할 수 있고, 액정 주입 공정 전에 오픈된 신호선을 복구할 수 있게 된다.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법의 한 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.

도3은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 그 순서에 따라 도시한 흐름도이다.

도3에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 종래의 기술과 동일하게 기판 위에 게이트선(2)과 데이터선(1)을 이용하여 박막 트랜지스터를 형성한다. 게이트선(2)과 교차하도록 형성되어 있는 데이터선(1)의 오픈/쇼트를 검사하기 전에 박막 트랜지스터의 n⁺고농도층의 일부를 식각한다(S100)(도1 참조). 여기서 n⁺고농도층은 액정 표시 장치의 스위칭 소자인 박막 트랜지스터의 두 단자인 소스/드레인 전극 사이에 노출된 콘택층이다.

다음, 데이터선(1)에 연결되어 있는 패드 및 쇼팅 바(SHORT BAR)에 저항 측정기의 프로브를 접촉하고 양단에 전압을 인가하여 전류를 측정하고 이에 따른 저항값을 계산하여 오픈된 데이터선(1)을 찾는다(S200)(도1 참조).

이어, 오픈된 데이터선(1)의 패드(3)에 교류 전압을 인가하고 교류 전압의 음의 구간에 해당하는 오픈된 데이터선(2)에 존재하는 누설 커패시터의 방전 시간을 타이머를 이용하여 측정하고 이를 커패시터 용량으로 변환시켜 정상적인 데이터선이 갖는 커패시터 용량과 비교하여 오픈된 데이터선(2)의 위치를 찾는다. 즉, 오픈된 데이터선(1)과 이웃하는 데이터선(1) 및 게이트선(2) 사이에서 발생되는 누설 커패시터는 정상적인 신호선 사이에서 발생되는 커패시터 용량보다 작게 나타난다. 타이머를 이용하여 오픈된 데이터선의 누설 커패시터의 방전 시간을 계산하고 방전 시간을 주파수로 환산한 다음, 이 주파수를 이용하여 누설 커패시터의 용량을 계산할 수 있다. 우선, 정상적인 신호선에서 발생하는 누설 커패시터 용량과 오픈된 데이터선에서 발생하는 누설 커패시터의 용량의 차이(X)를 산출하고, 커패시터 용량의 차이를 미리 계산된 다수의 데이터선과 게이트선에서 발생하는 커패시터 용량의 차이와 비교하여 오픈된 데이터선의 위치를 찾아낸다.

이러한 누설 커패시터의 용량의 차이와 오픈된 데이터선(1)의 게이트선(2) 사이에는 아래와 같은 관계식으로 표현된다.

Y = 19.245 * X - 12.768 (Y : 게이트선, X : 누설 커패시터 용량의 차)

이러한 관계식을 통하여 앞에서 계산된 누설 커패시터의 용량을 대입하면 오픈된 데이터선(1)과 오픈된 위치에서 교차하는 게이트선(2)이 결정된다. 따라서 오픈된 데이터선(1)과 게이트선(2) 교차하는 부분이 오픈된 데이터선의 오픈 위치임을 알 수 있다(S300)(도1 참조).

다음, 오픈된 데이터선의 복구가 가능하면 데이터선의 복구를 실시하고, 복구가 불가능하면 기판을 불량으로 처리한다(S400)(도1 참조).

이러, 복구가 가능한 오픈된 데이터선(1)을 레이저를 이용하여 오프된 데이터선(1)의 오픈된 위치를 복구한다(S500)(도1 참조).

이후의 공정은 종래의 공정과 동일하다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 액정 주입 공정 전에 복구가 불가능한 신호선을 조기에 발견할 수 있고, 액정 주입 공정 전에 오픈된 신호선을 복구할 수 있다.

따라서 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법에서는 액정 주입 공정 전에 복구가 불가능한 신호선을 조기에 발견할 수 있으므로 실시간으로 불량 검출이 가능하고, 액정 주입 공정 전에 오픈된 신호선을 복구할 수 있으므로 그로스 검사를 완벽하게 실시할 수 있으며 불량 판정이 액정 주입 공정 전에 이루어지므로 원가를 줄이는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 기판 위에 형성되어 있는 신호선의 오픈 쇼트를 검사하기 위해 신호선의 한쪽 끝에 연결되어 있는 각각의 패드에 전압을 인가하여 오픈된 신호선을 검출하는 단계,

   상기 오픈된 신호선의 상기 패드에 교류 전압을 인가하여 상기 오픈된 신호선의 오픈 위치를 찾는 단계,

   상기 오픈된 신호선의 복구가 가능하면 신호선의 복구를 실시하고, 복구가 불가능하면 기판을 불량으로 처리하는 단계

   를 포함하는 신호선의 오픈 위치 검출 방법.
2. 하나의 기판 위에 주사선과 신호선이 교차하는 스위칭 소자를 형성하는 단계,

   상기 기판 위에 형성되어 있는 상기 신호선의 오픈 쇼트를 검사하기 위해 신호선의 한쪽 끝에 연결되어 있는 각각의 패드에 전압을 인가하여 오픈된 신호선을 검출하는 단계,

   상기 오픈된 신호선의 상기 패드에 교류 전압을 인가하여 상기 오픈된 신호선의 오픈 위치를 찾는 단계,

   상기 오픈된 신호선의 복구가 가능하면 신호선의 복구를 실시하고, 복구가 불가능하면 기판을 불량으로 처리는 단계

   상기 기판과 공통 전극이 형성되어 있는 기판을 부착하고 액정을 주입하는 단계

   를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
3. 청구항 2에서, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터인 표시 장치의 제조 방법.