JPS6322533A - ビフエニル骨格を有する液晶物質 - Google Patents
ビフエニル骨格を有する液晶物質Info
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- JPS6322533A JPS6322533A JP16589586A JP16589586A JPS6322533A JP S6322533 A JPS6322533 A JP S6322533A JP 16589586 A JP16589586 A JP 16589586A JP 16589586 A JP16589586 A JP 16589586A JP S6322533 A JPS6322533 A JP S6322533A
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
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- C09K19/126—Compounds containing at least one asymmetric carbon atom
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- C09K19/2021—Compounds containing at least one asymmetric carbon atom
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は新規な液晶化合物及び該液晶化合物を含有する
液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカ
イラル液晶化合物及びそれらを含有するカイラル液晶組
成物に関する。
液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカ
イラル液晶化合物及びそれらを含有するカイラル液晶組
成物に関する。
現在、液晶表示素子としてはT N (Twisted
N6matic )型衷示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレクトロ
ルミネッセンス、プラズマディスプレイ等)と比較して
劣っておシ、この点に於ける改善は種々試みられている
Kも拘らず、大巾な改善の可能性はあまり残っていない
ようである。
N6matic )型衷示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレクトロ
ルミネッセンス、プラズマディスプレイ等)と比較して
劣っておシ、この点に於ける改善は種々試みられている
Kも拘らず、大巾な改善の可能性はあまり残っていない
ようである。
そのためTN型表示素子に代わる別の原理による液晶表
示装置が槙々試みられているが、その一つに強誘1!性
液晶を利用する表示方式がちる(N、A、C1arkら
; Applied Phya、 1ett、、 36
,899(1980) )。この方式は強誘電性液晶の
カイラルスメクチックC相(以下SC*相と略vj・す
る)おるいはカイラルスメクチックH相(以下SH*相
と略称する)を利用するもので、それらの相が室温付近
にある液晶材料が望まれている。
示装置が槙々試みられているが、その一つに強誘1!性
液晶を利用する表示方式がちる(N、A、C1arkら
; Applied Phya、 1ett、、 36
,899(1980) )。この方式は強誘電性液晶の
カイラルスメクチックC相(以下SC*相と略vj・す
る)おるいはカイラルスメクチックH相(以下SH*相
と略称する)を利用するもので、それらの相が室温付近
にある液晶材料が望まれている。
本発明者らは先にこの表示方式に利用されるに適した化
合物として、特願昭58−106100号によシ一般式 (但し、上式に於いてl及びmはO又はlであり、nは
1,2又は3であり、Rは炭素数1〜18の直鎖又は分
校アルキル基を示し、*はそのCが光学活性炭素原子で
あることを示す)で表わされる化合物を出願し、更に特
願昭58−121769号により、一般式 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐アルキ
ル基を示し、XFiO(酸素原子)、CO又はCH2を
示し、nは0.1又は2である。
合物として、特願昭58−106100号によシ一般式 (但し、上式に於いてl及びmはO又はlであり、nは
1,2又は3であり、Rは炭素数1〜18の直鎖又は分
校アルキル基を示し、*はそのCが光学活性炭素原子で
あることを示す)で表わされる化合物を出願し、更に特
願昭58−121769号により、一般式 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐アルキ
ル基を示し、XFiO(酸素原子)、CO又はCH2を
示し、nは0.1又は2である。
又*はそのCが光字活性炭素原子であることを示す)
で表わされる化合物を出願した。
本発明の化合物はこれらを更に発展させたカイラルスメ
クチック液晶組成物の成分として有用なカイラルスメク
チック液晶化合物である。
クチック液晶組成物の成分として有用なカイラルスメク
チック液晶化合物である。
即ち、本発明は一般式
(上式に於てRは炭素数1〜18のアルキル基又はアル
キルオキン基を示し、Xは単結合又は−〇−(畝;X原
子)を示し、lは0又は1であり、nはXが単結合のと
きは4〜12の整数、Xが−O−”’C6=Oのときは
3〜12の整数、Xが一〇−でJ=1のときは2〜12
の整数である。
キルオキン基を示し、Xは単結合又は−〇−(畝;X原
子)を示し、lは0又は1であり、nはXが単結合のと
きは4〜12の整数、Xが−O−”’C6=Oのときは
3〜12の整数、Xが一〇−でJ=1のときは2〜12
の整数である。
又*は不整炭素原子を示す)
で表わされる光学活性化合物及び少くともその1種を含
有する液晶組成物である。
有する液晶組成物である。
本発明の化合物の代表的なものの相転移点を第1表に示
す。
す。
本発明の(1)式の化合物の殆んどは単体でカイラルス
メクチック相を呈し、その温度範囲も広い。本発明の化
合物に於ては光学活性基の不整炭素原子が中心骨格から
離れている方が好ましく、従ってnが大きいものの方が
好ましい。例えば先に記した特願昭58−106100
号にはなる化合物が示されているが、これは本願の(1
)式に於てRがC3H1□0−1Xが単結合、J=l。
メクチック相を呈し、その温度範囲も広い。本発明の化
合物に於ては光学活性基の不整炭素原子が中心骨格から
離れている方が好ましく、従ってnが大きいものの方が
好ましい。例えば先に記した特願昭58−106100
号にはなる化合物が示されているが、これは本願の(1
)式に於てRがC3H1□0−1Xが単結合、J=l。
n=2に相当するものであり、その相転移点は75.3
℃ * 126.8℃ 160.6℃C←−−−3
Cch工 である。それに対し、上記化合物に対応する本願化合物
の1つである/RがC8H170−1Xが単結合、!=
1、n = 5の化合物No、13(実施例1)の化合
物の相転移点は 78.5’CSo* 135.9tll: ch 1
54.7t?:。
℃ * 126.8℃ 160.6℃C←−−−3
Cch工 である。それに対し、上記化合物に対応する本願化合物
の1つである/RがC8H170−1Xが単結合、!=
1、n = 5の化合物No、13(実施例1)の化合
物の相転移点は 78.5’CSo* 135.9tll: ch 1
54.7t?:。
とSC*相の範囲が高く、かつ広くなっており、これは
カイラルスメクチックcg晶組成物の成分として非常に
好ましい性質である。
カイラルスメクチックcg晶組成物の成分として非常に
好ましい性質である。
(13式の化合物を使用して液晶組成物を構成する場合
、(I)式の複数の化合物のみより構成することも可能
であシ、又、(I)式の化合物と他の非光学活性スメク
チック液晶、特にSC液晶と混合してSC*相を呈する
液晶組成物を製造することも可能である。
、(I)式の複数の化合物のみより構成することも可能
であシ、又、(I)式の化合物と他の非光学活性スメク
チック液晶、特にSC液晶と混合してSC*相を呈する
液晶組成物を製造することも可能である。
(1)式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することKよって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。
め、これをネマチック液晶に添加することKよって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチック液晶、即ちカイラルネマ
チック液晶はTN型表示素子のいわゆるリバース・ドメ
イン(reverse domain、 L ”!模様
)を生成することがないので(1)式の化合物はリバー
ス・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
チック液晶はTN型表示素子のいわゆるリバース・ドメ
イン(reverse domain、 L ”!模様
)を生成することがないので(1)式の化合物はリバー
ス・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
尚、(■)式の化合物に対応するラセミ体は、下記に示
す光学活性体(旬の製法に於いて原料として元字活性ア
ルコールの代りに相当する2セミ型アルコールを使用す
ることンこよって、同様に製造されるものであるが、(
I)とほぼ同じ相転移点を示す。そして、このラセミ体
はらせん構造を示さないので、光学活性な液晶組成物に
添加した場合、その特性を阻害せず、その組成物のらせ
んピッチを小さくするという、光学活性体の(1)式の
化合物とは異った作用効果を有している。
す光学活性体(旬の製法に於いて原料として元字活性ア
ルコールの代りに相当する2セミ型アルコールを使用す
ることンこよって、同様に製造されるものであるが、(
I)とほぼ同じ相転移点を示す。そして、このラセミ体
はらせん構造を示さないので、光学活性な液晶組成物に
添加した場合、その特性を阻害せず、その組成物のらせ
んピッチを小さくするという、光学活性体の(1)式の
化合物とは異った作用効果を有している。
次に本発明の(1)式の化合物の製造法について述べる
。
。
便宜的に(1)式の化合物をXの種類とlの値によって
次の4つのグループに分ける。即ち、(1)式でXが単
結合でl=oのものは(11式でXが一〇−でl=oの
ものは(1)式でXが単結合でJ=1のものは(n =
4〜12の整fi)(Ic)(1)式でXが一〇−で
J=1のものは(n=2〜12の整数)(Id) まず(1a)式の化合物は次の経路で合成される。
次の4つのグループに分ける。即ち、(1)式でXが単
結合でl=oのものは(11式でXが一〇−でl=oの
ものは(1)式でXが単結合でJ=1のものは(n =
4〜12の整fi)(Ic)(1)式でXが一〇−で
J=1のものは(n=2〜12の整数)(Id) まず(1a)式の化合物は次の経路で合成される。
(1)Rがアルキル基の場合 CH3
ジエチレングリコール
(Ia)
(ii)Rがアルキルオキシ基の場合
H3
ジエチレングリコール
(Ia)
(但し、上式に於いてR1はアルキル基を示す。)即ち
、(■)式におけるRがアルキル基の場合には既知の方
法(Mo1.Cryst Lig、Cryst、 Vo
l 114PP 237−247 (1984) )で
合成したれ一メチルアルカノイックアシドのハロゲン化
物を、無水塩化アルミニウムの如き触媒下で、P−アル
キルビフェニル(1)に反応しさらに、ウオルフーキッ
シュナー還元を行ない(Ia)式の化合物を得る。
、(■)式におけるRがアルキル基の場合には既知の方
法(Mo1.Cryst Lig、Cryst、 Vo
l 114PP 237−247 (1984) )で
合成したれ一メチルアルカノイックアシドのハロゲン化
物を、無水塩化アルミニウムの如き触媒下で、P−アル
キルビフェニル(1)に反応しさらに、ウオルフーキッ
シュナー還元を行ない(Ia)式の化合物を得る。
また、(I)弐におけるRがアルコキシ基の場合には、
n−メチルアルカノイックアシドのハロゲン化物をP−
メトキシビフェニル(3)に反応サセさらにウオルフー
キッシュナー還元を行ない(4)としたのち、臭化水素
酸を作用させ(6)とする。
n−メチルアルカノイックアシドのハロゲン化物をP−
メトキシビフェニル(3)に反応サセさらにウオルフー
キッシュナー還元を行ない(4)としたのち、臭化水素
酸を作用させ(6)とする。
さらに(6)Kアルキルハライドを反応し、(Ia)式
の化合物を得る。
の化合物を得る。
(1)式の化合物のうち(Ib)式の化合物4次の経路
(Ib) 即チ、4’−ヒドロキシ−4′−アルキルビフェニルあ
るいは4′−ヒドロキシ−4′−アルコキシビフェニル
(7ンに、既知の方法(Mol 、Crys+t、 L
ig。
(Ib) 即チ、4’−ヒドロキシ−4′−アルキルビフェニルあ
るいは4′−ヒドロキシ−4′−アルコキシビフェニル
(7ンに、既知の方法(Mol 、Crys+t、 L
ig。
Cryst、 V(11,114PP237−247(
1984) )で合成したn−メチルアルカメールのト
シル化物あるいはハロゲン化物を作用させ、(Ib)式
の化合物を得る。
1984) )で合成したn−メチルアルカメールのト
シル化物あるいはハロゲン化物を作用させ、(Ib)式
の化合物を得る。
(1)式の化合物のうち(IC)式の化合物は次の経路
で合成される。
で合成される。
(Ia)
即ち、前記(Ia)のところにでて来た中間体(6)K
ピリジンの如き塩基性溶媒中p−アルキル安息香酸ハラ
イドあるいは、p−アルコキシ安息香酸ハライドを反応
させて(Ie)式の化合物を得る。
ピリジンの如き塩基性溶媒中p−アルキル安息香酸ハラ
イドあるいは、p−アルコキシ安息香酸ハライドを反応
させて(Ie)式の化合物を得る。
(11式の化合物のうち、(Id)式の化合物は次の経
路で合成される。
路で合成される。
H3
す
(Id)
即ち、ビフェノール(8)にn−メチルアルカノールの
トシル化物あるいはハロゲン化物を作用しく9)とし、
さらKp−アルキル安息香酸ハライドあるいはp−アル
コキシ安息香酸ハライドをピリジンの如き塩基性溶媒工
作用させ(Id)式の化合物を得る。
トシル化物あるいはハロゲン化物を作用しく9)とし、
さらKp−アルキル安息香酸ハライドあるいはp−アル
コキシ安息香酸ハライドをピリジンの如き塩基性溶媒工
作用させ(Id)式の化合物を得る。
以下、実施例によシ本発明の光学活性エステル液晶化合
物につき、更に詳細に説明する。
物につき、更に詳細に説明する。
尚、以下の実施例に於ては原料の光学活性アルコールと
してはS型のものを使用した例だけを記載するが、R型
の光学活性アルコールを原料とした場合にも夫々同一の
相転移温度のものが得られる。これは理論上からも当然
のことである。但し施光度、ら旋の捩れ向き、自発分極
の向きはS型とR1とでは逆になる。
してはS型のものを使用した例だけを記載するが、R型
の光学活性アルコールを原料とした場合にも夫々同一の
相転移温度のものが得られる。これは理論上からも当然
のことである。但し施光度、ら旋の捩れ向き、自発分極
の向きはS型とR1とでは逆になる。
実施例1
〔光学活性4−オクチルオキシ安息香酸4−(6′−メ
チルオクチル)−4’−ビフェニリルエステ#((11
式に於いてn=5 、 A’=1 、 X=単結合、
R=C8H,□O−のものく化合物No、13)の製造
〕 (I)4−メトキシ−4’−(5’−メチルへブチルカ
ルボニル)ビフェニルの製造 十分に乾燥したフラスコに無水塩化アルミニウム190
?と二硫化炭素50C1’i入れる。
チルオクチル)−4’−ビフェニリルエステ#((11
式に於いてn=5 、 A’=1 、 X=単結合、
R=C8H,□O−のものく化合物No、13)の製造
〕 (I)4−メトキシ−4’−(5’−メチルへブチルカ
ルボニル)ビフェニルの製造 十分に乾燥したフラスコに無水塩化アルミニウム190
?と二硫化炭素50C1’i入れる。
ここへp−メトキシビフェニル250 y(1,32モ
ル)と光学活性6−メチルオクタン酸塩化物24C1(
1,36モル)を二硫化炭素500?に溶解したものを
水冷下部下し、更に2時間室温で撹拌する。次に1約4
0℃で2時間還流し一晩放置する。反応物をHCA’水
に注意深くあけたあと二硫化炭素を留去し析出した結晶
を濾過しエタノールから再結晶して4−メトキシ−41
−(51−メチルへブチルカルボニル)ビフェニル21
2りを得た。
ル)と光学活性6−メチルオクタン酸塩化物24C1(
1,36モル)を二硫化炭素500?に溶解したものを
水冷下部下し、更に2時間室温で撹拌する。次に1約4
0℃で2時間還流し一晩放置する。反応物をHCA’水
に注意深くあけたあと二硫化炭素を留去し析出した結晶
を濾過しエタノールから再結晶して4−メトキシ−41
−(51−メチルへブチルカルボニル)ビフェニル21
2りを得た。
(ii) 4−メトキシ−4’−(6’−メチルオクチ
ル)ビフェニルの製造 4−メトキシ−4′(5#−メチルへブチルカルボニル
)ビフェニル160r(0,5モル)880%ヒドラジ
/ヒトラード140dを11のジエチレングリコールに
加え加熱撹拌し、120℃で1時間を保ったのち冷却し
50℃に保ちながら、水酸化カリウム60?(1,22
モル)を水30WLtに溶解した溶液を一挙に加える。
ル)ビフェニルの製造 4−メトキシ−4′(5#−メチルへブチルカルボニル
)ビフェニル160r(0,5モル)880%ヒドラジ
/ヒトラード140dを11のジエチレングリコールに
加え加熱撹拌し、120℃で1時間を保ったのち冷却し
50℃に保ちながら、水酸化カリウム60?(1,22
モル)を水30WLtに溶解した溶液を一挙に加える。
系の温度が200℃になるように水を留去してから20
0℃で4時間保ち冷却した。
0℃で4時間保ち冷却した。
次いで水とトルエンを加え抽出し、有機層を中性になる
まで洗浄した。さらにトルエンを留去したのち残量を減
圧で蒸留し留出物を工タノールから再結晶して110?
の4−メトキシ4/ (61−メチルオクチル)ビフ
ェニルを得た。
まで洗浄した。さらにトルエンを留去したのち残量を減
圧で蒸留し留出物を工タノールから再結晶して110?
の4−メトキシ4/ (61−メチルオクチル)ビフ
ェニルを得た。
(iii) 4−ヒドロキン−4/ (a#−メチル
オクチル)ビフェニルの製造 4−メトキシ−4’−(6’−メチルオクチル)ビフェ
ニルx1or(0,35モル)を酢酸900dに溶解し
、47%臭化水素@600Mを加える。
オクチル)ビフェニルの製造 4−メトキシ−4’−(6’−メチルオクチル)ビフェ
ニルx1or(0,35モル)を酢酸900dに溶解し
、47%臭化水素@600Mを加える。
加熱し撹拌しながら還流し40時間を保つ。
冷却し氷水にあけ析出した結晶を集めさらにn−へブタ
ンから再結晶して662の4−ヒドロキシ−cl −(
6#−メチルオクチル)ビフェニルを得た。
ンから再結晶して662の4−ヒドロキシ−cl −(
6#−メチルオクチル)ビフェニルを得た。
(IV)標題化合物の製造
4−ヒドロキシ−N (61−メチルオクチル)ビフ
ェニル3C1’(0,10モル)全乾燥ピリジン175
auに溶解する。ここへp−n−オクチルオキシ安息香
酸クロリド25j’(0,092モル)を水冷下部下し
さらに水浴に入れ50〜60℃で2時間保ったのち一晩
放置する。
ェニル3C1’(0,10モル)全乾燥ピリジン175
auに溶解する。ここへp−n−オクチルオキシ安息香
酸クロリド25j’(0,092モル)を水冷下部下し
さらに水浴に入れ50〜60℃で2時間保ったのち一晩
放置する。
ここへ水、トルエンを加えよく撹拌したのち有@層を6
N−HCl、次いで水洗次いで2N−水散化ナトリウム
水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。
N−HCl、次いで水洗次いで2N−水散化ナトリウム
水溶液で洗浄し、更に中性になるまで水洗する。
有機層を乾燥したのち、トルエンを留去し残置をエタノ
ールから再結晶して目的物である光学活性4−オクチル
オキシ安息香酸4−(6′−メチルオクチル) 41
−ビフエニIJA/エステルを得た。このものの相転移
点はC−8C*点7865℃、S C*−Ch点135
.9℃、Ch−1点154.7℃であった。
ールから再結晶して目的物である光学活性4−オクチル
オキシ安息香酸4−(6′−メチルオクチル) 41
−ビフエニIJA/エステルを得た。このものの相転移
点はC−8C*点7865℃、S C*−Ch点135
.9℃、Ch−1点154.7℃であった。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。
致した。
実測値 計算値(C36H4803として)C
81,10% 8177% H9,00% 9.08% (1)で使用した光学活性6−メチルオクタン酸塩化物
の代わりに種々の光学活性n−メチルアルカン酸塩化物
を、又(1■)で使用した4−n−オクチルオキシ安息
香酸クロリドの代わシKa[々の4−アルキル安息香酸
クロリドあるいは4−アルコキシ安、け香酸クロリドを
使用することにより種々の(1)式の光学活性4−アル
キル安息香M4−(n’−メチルアルキル)−4′−ビ
フェニリルエステルあるいは4−アルコキノ安息香酸4
− (n’−メチルアルキル)−4′−ビフェニリルエ
ステルが得られる。それ等の相転移点は第1表に示した
通りである。
81,10% 8177% H9,00% 9.08% (1)で使用した光学活性6−メチルオクタン酸塩化物
の代わりに種々の光学活性n−メチルアルカン酸塩化物
を、又(1■)で使用した4−n−オクチルオキシ安息
香酸クロリドの代わシKa[々の4−アルキル安息香酸
クロリドあるいは4−アルコキシ安、け香酸クロリドを
使用することにより種々の(1)式の光学活性4−アル
キル安息香M4−(n’−メチルアルキル)−4′−ビ
フェニリルエステルあるいは4−アルコキノ安息香酸4
− (n’−メチルアルキル)−4′−ビフェニリルエ
ステルが得られる。それ等の相転移点は第1表に示した
通りである。
実施例2
〔光学活性4−へブチルオキシ−4/ −(6#−メチ
ルオクチル)ビフェニル[式に於いてn=5.l=0.
X=単結合、R=C,H,50−のもの化合物No、1
1)の製造〕 実施例1 fij)で製造した4−ヒドロキシ−4′−
(6′−メチルオクチル)ビフェニル9.01(0,0
3モル)と水酸化カリウム1.79(0,03モル)を
エタノール30−に溶解し、撹拌還流しながらヘプチル
ブロマイド6、Oj’ (0,033モル)を滴下する
。さらに4時間還流したのち放冷する。
ルオクチル)ビフェニル[式に於いてn=5.l=0.
X=単結合、R=C,H,50−のもの化合物No、1
1)の製造〕 実施例1 fij)で製造した4−ヒドロキシ−4′−
(6′−メチルオクチル)ビフェニル9.01(0,0
3モル)と水酸化カリウム1.79(0,03モル)を
エタノール30−に溶解し、撹拌還流しながらヘプチル
ブロマイド6、Oj’ (0,033モル)を滴下する
。さらに4時間還流したのち放冷する。
次に、水トルエンを加え撹拌したのち有機層を2N−水
酸化す) IJウム水溶液で十分洗浄する。
酸化す) IJウム水溶液で十分洗浄する。
ざらrこ中性になるまで水洗し、有機層を乾燥したのち
トルエンを留去した。残置はエタノールから再結晶し、
目的物である光学活性4−へブチルオキシ−4’−(6
’−メチルオクチル)ビフェニルを得た。このものの相
転移点はC−8I−18,0℃、SI*−1点629℃
、また冷却時にSG*相が出現しその相転移点はsI*
−sc”点17.0℃であった。又、この化合物の元素
分析値は次の如く計算値とよく一致した。
トルエンを留去した。残置はエタノールから再結晶し、
目的物である光学活性4−へブチルオキシ−4’−(6
’−メチルオクチル)ビフェニルを得た。このものの相
転移点はC−8I−18,0℃、SI*−1点629℃
、また冷却時にSG*相が出現しその相転移点はsI*
−sc”点17.0℃であった。又、この化合物の元素
分析値は次の如く計算値とよく一致した。
実測値 計算値(C28H420として)C85
,10% B5,21チ H10,50% 10.73チ ヘプチルプロマイドの代わ#)K81々のアルキルブロ
マイドを使用することによυ種々の光学活性4−アルキ
ルオキシ−41−(a #−メチルオクチルンビフェニ
ルが得られる。それらの相転移点は第1表に示した通シ
である。
,10% B5,21チ H10,50% 10.73チ ヘプチルプロマイドの代わ#)K81々のアルキルブロ
マイドを使用することによυ種々の光学活性4−アルキ
ルオキシ−41−(a #−メチルオクチルンビフェニ
ルが得られる。それらの相転移点は第1表に示した通シ
である。
実施例3(使用例1)
からなるネマチック液晶組成物を、配向処理剤としてポ
リビニルアルコール(PVA)を塗布し、その表面をラ
ビングして平行配向処理を施した透明電極からなる電極
間隔10μmのセルに注入してTN型表示セルとし、こ
れを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ツイス
トドメインを生じているのが観察された。
リビニルアルコール(PVA)を塗布し、その表面をラ
ビングして平行配向処理を施した透明電極からなる電極
間隔10μmのセルに注入してTN型表示セルとし、こ
れを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ツイス
トドメインを生じているのが観察された。
この上記のネマチック液晶組成物に本発明の(1)式で
、n=4.l=o、X=単結合でR= C3H1、O−
なる化合物、すなわち、 を1重量%添加し、同様にTN型セルにて観察したとこ
ろ、リバース・ツイストドメインは解消され、均一なネ
マチック相が観察された。
、n=4.l=o、X=単結合でR= C3H1、O−
なる化合物、すなわち、 を1重量%添加し、同様にTN型セルにて観察したとこ
ろ、リバース・ツイストドメインは解消され、均一なネ
マチック相が観察された。
実り例4(使用例2)
本発明の化合物N[L7,13及び14の液晶化合物と
他のカイラルスメクチック液晶化合物及びネマチック液
晶化合物を用いて、下記の組成の液晶組成物を調製した
。
他のカイラルスメクチック液晶化合物及びネマチック液
晶化合物を用いて、下記の組成の液晶組成物を調製した
。
(化合1隈14)20重量%
す
(化合物随7)10重量%
(化合*J瀧13)Loft址チ
20重量%
10重量%
組成物のp!製法は、上記7種の液晶化合物を所定の重
量秤量し、7種の化合物を試料ビン中で加熱溶解しなが
ら混合するものである。
量秤量し、7種の化合物を試料ビン中で加熱溶解しなが
ら混合するものである。
得られた組成物を配向処理剤としてPVAを塗布し、表
面をラビングして平行配向処理を施した透明1jL極を
備えたセル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を2
枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加したとこ
ろ、2ovの印加によって透過光強度の変化が観察され
た。
面をラビングして平行配向処理を施した透明1jL極を
備えたセル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を2
枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加したとこ
ろ、2ovの印加によって透過光強度の変化が観察され
た。
この時の透過光強度の変化から応答時間を求めると、2
5℃で約0.4 m5ecの値であった。
5℃で約0.4 m5ecの値であった。
尚、上記液晶組成物について偏光顕微鏡によりテクスチ
ュアの温度変化を調べたところ、0℃から6o℃の温度
範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発分極
の大きさは、25℃で12nC/−であう、チルト角は
23°であった。
ュアの温度変化を調べたところ、0℃から6o℃の温度
範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発分極
の大きさは、25℃で12nC/−であう、チルト角は
23°であった。
実施例5(使用例4)
非カイラルなSC相を有する下記の組成の液晶組成物を
調製した。
調製した。
性液体となる。
この組成物に本発明の化合物である下記の化合物を各々
10.iii% (化合物N116) (化合物階14) ずつ添加したところ、5℃から70℃の温度範囲で強誘
電性を示すsc宰相が現われた。
10.iii% (化合物N116) (化合物階14) ずつ添加したところ、5℃から70℃の温度範囲で強誘
電性を示すsc宰相が現われた。
この組成物を配向処理剤として、PvAを塗布し、異面
をラビングして平行配向処理を施した透明電極を備えた
セル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を2枚の直
交する偏光子の間に設置し、電界を印加したところ、2
ovの印加によって透過光強度の変化が観察された。
をラビングして平行配向処理を施した透明電極を備えた
セル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を2枚の直
交する偏光子の間に設置し、電界を印加したところ、2
ovの印加によって透過光強度の変化が観察された。
この時の透過光強度の変化から応答時間を釆めると、2
5℃で約1.7m++ecの値であった。
5℃で約1.7m++ecの値であった。
以上の様に1強誘電性を示さないSC相を有する化合物
(或いは組成物)に本願の化合物を添加することによシ
、非常に高速応答性を示す強誘電性液晶組成物が得られ
ることが判明した。
(或いは組成物)に本願の化合物を添加することによシ
、非常に高速応答性を示す強誘電性液晶組成物が得られ
ることが判明した。
実施例6(使用例4)
本発明の化合物及び他のカイ2ルスメクチツクを使用し
て以下の組成の組成物を調製した。
て以下の組成の組成物を調製した。
(化合物随16)30重量%
(化合物Na14)30重ft%
10重量%
10重量%
リ 15重量%得られた組成
物を実施例5と同様な処理を施したセル厚2μmのセル
に注入し、この液晶素子を2枚の直交する偏光子の間に
設置し、電界を印加したところ、20vの印加によって
透過光強度の変化が観察された。
物を実施例5と同様な処理を施したセル厚2μmのセル
に注入し、この液晶素子を2枚の直交する偏光子の間に
設置し、電界を印加したところ、20vの印加によって
透過光強度の変化が観察された。
この時の透過光強度の変化から応答時間を求めると、2
5℃で約0.4n+secの値であった。
5℃で約0.4n+secの値であった。
尚、上記液晶組成物について偏光顕微鏡によシ、テクス
チュアの温度変化を調べたところ、23℃から52℃の
温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発
分極の大きさは、25℃で8nC/cW1であり、チル
ト角は27°であった。
チュアの温度変化を調べたところ、23℃から52℃の
温度範囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発
分極の大きさは、25℃で8nC/cW1であり、チル
ト角は27°であった。
以上
Claims (3)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上式に於て、Rは炭素数1〜18のアルキル基又はア
ルキルオキシ基を示し、Xは単結合又は−O−(酸素原
子)を示し、lは0又は1であり、nはXが単結合のと
きは4〜12の整数、Xが−O−でl=0のときは3〜
12の整数、Xが−O−でl=1のときは2〜12の整
数である。又*は不整炭素原子を示す) で表わされる光学活性化合物。 - (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上式に於てRは炭素数1〜18のアルキル基又はアル
キルオキシ基を示し、Xは単結合又は−O−(酸素原子
)を示し、lは0又は1であり、nはXが単結合のとき
は4〜12の整数、Xが−O−でl=0のときは3〜1
2の整数、Xが−O−でl=1のときは2〜12の整数
である。又*は不整炭素原子を示す) で表わされる光学活性化合物を少くとも1種含有するこ
とを特徴とする少くとも2成分以上からなるカイラルス
メクチツク液晶組成物。 - (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (上式に於て、Rは炭素数1〜18のアルキル基又はア
ルキルオキシ基を示し、Xは単結合又は−O−(酸素原
子)を示し、lは0又は1であり、nはXが単結合のと
きは4〜12の整数、Xが−O−でl=0のときは3〜
12の整数、Xが−O−でl=1のときは2〜12の整
数である。又*は不整炭素原子を示す)で表わされる光
学活性化合物を少くとも1種含有するカイラルスメクチ
ツク液晶組成物を使用して構成された光スイッチング素
子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16589586A JPH0784401B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | ビフエニル骨格を有する液晶物質 |
DE8787110102T DE3765353D1 (de) | 1986-07-15 | 1987-07-13 | Optisch aktive verbindungen mit einem biphenylskelett, fluessigkristall-zusammensetzungen und sie enthaltender schalter. |
EP87110102A EP0256307B1 (en) | 1986-07-15 | 1987-07-13 | Optically active compounds having biphenyl skeleton, liquid crystal composition and switching element containing them |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16589586A JPH0784401B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | ビフエニル骨格を有する液晶物質 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6322533A true JPS6322533A (ja) | 1988-01-30 |
JPH0784401B2 JPH0784401B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=15821015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16589586A Expired - Lifetime JPH0784401B2 (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | ビフエニル骨格を有する液晶物質 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0256307B1 (ja) |
JP (1) | JPH0784401B2 (ja) |
DE (1) | DE3765353D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5397504A (en) * | 1987-05-29 | 1995-03-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Biphenyl compound |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP16589586A patent/JPH0784401B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1987
- 1987-07-13 DE DE8787110102T patent/DE3765353D1/de not_active Expired - Fee Related
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5397504A (en) * | 1987-05-29 | 1995-03-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Biphenyl compound |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0256307A1 (en) | 1988-02-24 |
JPH0784401B2 (ja) | 1995-09-13 |
DE3765353D1 (de) | 1990-11-08 |
EP0256307B1 (en) | 1990-10-03 |
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