JPH0784401B2 - ビフエニル骨格を有する液晶物質 - Google Patents

ビフエニル骨格を有する液晶物質

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JPH0784401B2 JP16589586A JP16589586A JPH0784401B2 JP H0784401 B2 JPH0784401 B2 JP H0784401B2 JP 16589586 A JP16589586 A JP 16589586A JP 16589586 A JP16589586 A JP 16589586A JP H0784401 B2 JPH0784401 B2 JP H0784401B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔利用分野〕 本発明は新規な液晶化合物及び該液晶化合物を含有する
液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカ
イラル液晶化合物及びそれらを含有するカイラル液晶組
成物に関する。
〔従来の技術〕
現在、液晶表示素子としてはTN(Twisted Nematic)型
表示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に
於て発光型表示素子(エレクトロルミネツセンス、プラ
ズマデイスプレイ等)と比較して劣つており、この点に
於ける改善は種々試みられているにも拘らず、大巾な改
善の可能性はあまり残つていないようである。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が種
々試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用す
る表示方式がある(N.A.Clarkら;Applied Phys.lett.,3
6,899(1980))。この方式は強誘電性液晶のカイラル
スメタチツクC相(以下SC相と略称する)あるいはカ
イラルスメクチツクH相(以下SH相と略称する)を利
用するもので、それらの相が室温付近にある液晶材料が
望まれている。
本発明者らは先にこの表示方式に利用されるに適した化
合物として、特願昭58−106100号により一般式 (但し、上式に於いてl及びmは0又は1であり、nは
1,2又は3であり、Rは炭素数1〜18の直鎖又は分枝ア
ルキル基を示し、*はそのCが光学活性炭素原子である
ことを示す) で表わされる化合物を出願し、更に特願昭58−121769号
により、一般式 (上式に於い、Rは炭素数1〜18の直鎖又は分枝アルキ
ル基を示し、Xは0(酸素原子)、Co又はCH2を示し、
nは0,1又は2である。又*はそのCが光学活性炭素原
子であることを示す) で表わされる化合物を出願した。
本発明の化合物はこれらを更に発展させたカイラルスメ
クチツク液晶組成物の成分として有用なカイラルスメク
チツク液晶化合物である。
〔発明の構成〕
即ち、本発明は一般式 (上式に於てRは炭素数1〜18のアルキルオキシ基を示
し、Xは単結合を示し、1は0又は1であり、nは4又
は5である。又*は不整炭素原子を示す) で表わされる光学活性化合物及び少くともその1種を含
有する液晶組成物である。
本発明の化合物の代表的なものの相転移点を第1表に示
す。
〔発明の作用、効果〕 本発明の(I)式の化合物の殆んどは単体でカイラルス
メクチツク相を呈し、その温度範囲も広い。本発明の化
合物に於ては光学活性基の不整炭素原子が中心骨格から
離れている方が好ましく、従つてnが大きいものの方が
好ましい。例えば先に記した特願昭58−106100号には なる化合物が示されているが、これは本願の(I)式に
於てRがC8H17O−、Xが単結合、l=1、n=2に相当
するものであり、その相転移点は である。それに対し、上記化合物に対応する本願化合物
の1つであるRがC8H17O−、Xが単結合、l=1、n=
5の化合物No.10(実施例1)の化合物の相転移点は とSC相の範囲が高く、かつ広くなつており、これはカ
イラルスメクチツクC液晶組成物の成分として非常に好
ましい性質である。
(I)式の化合物を使用して液晶組成物を構成する場
合、(I)式の複数の化合物のみより構成することも可
能であり、又、(I)式の化合物と他の非光学活性スメ
クチツク液晶、特にSC液晶と混合してSC相を呈する液
晶組成物を製造することも可能である。
なお、上記SC(スメクチツクC)液晶としては、5−オ
クチル−2−(4′−オクチルオキシフエニル)−ピリ
ミジン、 5−オクチル−2−(4′−ノニルオキシフエニル)−
ピリミジン、 5−オクチル−2−(4′−デシルオキシフエニル)−
ピリミジン 等の化合物に代表される5−アルキル−2−(4′−ア
ルコキシフエニル)−ピリミジン系化合物、5−ヘプチ
ル−2−(4′−オクチルオキシフエニル)−ピリジ
ン、 5−オクチル−2−(4′−オクチルオキシフエニル)
−ピリジン、 5−ヘプチル−2−(4′−ノニルオキシフエニル)−
ピリジン、 5−ノニル−2−(4′−ノニルオキシフエニル)−ピ
リジン 等の化合物に代表される5−アルキル−2−(4′−ア
ルコキシフエニル)−ピリジン系化合物、 5−オクチル−2−(4′−ヘキシル−4−ビフエニリ
ル)−ピリミジン系化合物、 4−オクチルオキシフエニル−4−オクチルオキシ−ベ
ンゾエート、 4−ノニルオキシフエニル−4−オクチルオキシ−ベン
ゾエート、 4−デシルオキシフエニル−4−ノニルオキシ−ベンゾ
エート 等の化合物に代表される4−アルコキシフエニル−4−
アルコキシ−ベンゾエート系化合物 等が挙げられる。
(I)式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチツク液晶に添加することによつて捩れ
た構造を誘起する能力を有する。捩れた構造を有するネ
マチツク液晶、即ちカイラルネマチツク液晶はTN型表示
素子のいわゆるリバース・ドメイン(reverse domain、
しま模様)を生成することがないので(I)式の化合物
はリバース・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
尚、(I)式の化合物に対応するラセミ体は、下記に示
す光学活性体(I)の製法に於いて原料として光学活性
アルコールの代りに相当するラセミ型アルコールを使用
することによつて、同様に製造されるものであるが、
(I)とほぼ同じ相転移点を示す。そして、このラセミ
体はらせん構造を示さないので、光学活性な液晶組成物
に添加した場合、その特性を阻害せず、その組成物のら
せんピツチを小さくするという、光学活性体の(I)式
の化合物とは異つた作用効果を有している。
〔化合物の製法〕
次に本発明の(I)式の化合物の製造法について述べ
る。
便宜的に(I)式の化合物をXの種類とlの値によつて
次の2つのグループに分ける。即ち、 (I)式でXが単結合でl=0のものは (I)式でXが単結合でl=1のものは まず(Ia)式の化合物は次の経路で合成される。
即ち、n−メチルアルカノイツクアシドのハロゲン化物
をP−メトキシビフエニル(3)に反応させて(4)と
し,さらにウオルフーキツシユナー還元を行ない(5)
としたのち、臭化水素酸を作用させ(6)とする。さら
に(6)にアルキルハライドを反応し、(Ia)式の化合
物を得る。
(I)式の化合物のうち(Ib)式の化合物は次の経路で
合成される。
即ち、前記(Ia)のところにでて来た中間体(6)にビ
リジンの如き塩基性溶媒中p−アルキル安息香酸ハライ
ドあるいは、p−アルコキシ安息香酸ハライドを反応さ
せて(Ib)式の化合物を得る。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明の光学活性エステル液晶化合
物につき、更に詳細に説明する。尚、以下の実施例に於
ては原料の光学活性アルコールとしてはS型のものを使
用した例だけを記載するが、R型の光学活性アルコール
を原料とした場合にも夫々同一の相転移温度のものが得
られる。これは理論上からも当然のことである。但し施
光度、ら施の捩れ向き、自発分極の向きはS型とR型と
では逆になる。
実施例1 〔光学活性4−オクチルオキシ安息香酸4−(6″−メ
チルオクチル)−4′−ビフエニリルエステル((I)
式に於いてn=5,l=1,X=単結合,R=C8H17O−のもの
(化合物No.10)の製造〕 (i)4−メトキシ−4′−(5″−メチルヘプチルカ
ルボニル)ビフエニルの製造 十分に乾燥したフラスコに無水塩化アルミニウム190gと
二酸化炭素500gを入れる。ここへp−メトキシビフエニ
ル250g(1.32モル)と光学活性6−メチルオクタン酸塩
化物240g(1.36モル)を二硫化炭素500gに溶解したもの
を氷冷下滴下し、更に2時間室温で攪拌す。次に、約40
℃で2時間還流し一晩放置する。反応物をHCl水に注意
深くあけたあと二硫化炭素を留去し析出した結晶を過
しエタノールから再結晶して4−メトキシ−4′−
(5″−メチルヘプチルカルボニル)ビフエニル212gを
得た。
(ii)4−メトキシ−4′−(6″−メチルオクチル)
ビフエニルの製造 4−メトキシ−4′−(5″−メチルヘプチルカルボニ
ル)ビフエニル160g(0.5モル)と80%ヒドラジンヒド
ラート140mlを1のジエチレングリコールに加え加熱
攪拌し、120℃で1時間を保つたのち冷却し50℃に保ち
ながら、水酸化カリウム60g(1.22モル)を水30mlに溶
解した溶液を一挙に加える。系の温度が200℃になるよ
うに低留分を留去してから200℃で4時間保ち冷却し
た。次いで水とトルエンを加え抽出し、有機層を中性に
なるまで洗浄した。さらにトルエンを留去したのち残査
を減圧で蒸留し留出物をエタノールから再結晶して110g
の4−メトキシ4′−(6″−メチルオクチル)ビフエ
ニルを得た。
(iii)4−ヒドロキシ−4′−(6″−メチルオクチ
ル)ビフエニルの製造 4−メトキシ−4′−(6″−メチルオクチル)ビフエ
ニル110g(0.35モル)を酢酸900mlに溶解し、47%臭化
水素酸600mlを加える。加熱し攪拌しながら還流し40時
間を保つ。冷却し氷水にあけ析出した結晶を集めさらに
n−ヘプタンから再結晶して66gの4−ヒドロキシ−
4′−(6″−メチルオクチル)ビフエニルを得た。
(iv)標題化合物の製造 4−ヒドロキシ−4′−(6″−メチルオクチル)ビフ
エニル30g(0.10モル)を乾燥ピリジン175mlに溶解す
る。ここへp−n−オクチルオキシ安息香酸クロリド25
g(0.092モル)を氷冷下滴下しさらに水浴に入れ50〜60
℃で2時間保つたのち一晩放置する。ここへ水、トルエ
ンを加えよく攪拌したのち有機層を6N−HCl、次いで水
洗次いで2N−水酸化ナトリウム水溶液で洗浄し、更に中
性になるまで水洗する。
有機層を乾燥したのち、トルエンを留去し残査をエタノ
ールから再結晶して目的物である光学活性4−オクチル
オキシ安息香酸4−(6″−メチルオクチル)−4′−
ビフエニリルエステルを得た。このものの相転移点はC
−SC点78.5℃、SC−Ch点135.9℃、Ch−I点154.7℃
であつた。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。
実測値 計算値(C36H48O3として) C 81.10% 81.77% H 9.00% 9.08% (i)で使用した光学活性6−メチルオクタン酸塩化物
の代わりに種々の光学活性n−メチルアルカン酸塩化物
を、又(iv)で使用した4−n−オクチルオキシ安息香
酸クロリドの代わりに種々の4−アルコキシ安息香酸ク
ロリドを使用することにより種々の(I)式の光学活性
−アルコキシ安息香酸4−(n″−メチルアルキル)−
4′−ビフエニルエステルが得られる。それ等の相転移
点は第1表に示した通りである。
実施例2 〔光学活性4−ヘプチルオキシ−4′−(6″−メチル
オクチル)ビフエニル((I)式に於いてn=5,l=0,X
=単結合、R=C7H15O−のもの化合物No.9)の製造〕 実施例1(iii)で製造した4−ヒドロキシ−4′−
(6″−メチルオクチル)ビフエニル9.0g(0.03モル)
と水酸化カリウム1.7g(0.03モル)をエタノール30mlに
溶解し、攪拌還流しながらヘプチルブロマイド6.0g(0.
033モル)を滴下する。さらに4時間還流したのち放冷
する。
次に、水トルエンを加え攪拌したのち有機層を2N−水酸
化ナトリウム水溶液で十分洗浄する。さらに中性になる
まで水洗し、有機層を乾燥したのちトルエンを留去し
た。残査はエタノールから再結晶し、目的物である光学
活性4−ヘプチルオキシ−4′−(6″−メチルオクチ
ル)ビフエニルを得た。このものの相転移点はC−SI
点18.0℃、SI−I点629℃、また冷却時にSG相が出
現しその相転移点はSI−SG点17.0℃であつた。又、
この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致し
た。
実測値 計算値(C28H42Oとして) C 85.10% 85.21% H 10.50% 10.73% ヘプチルブロマイドの代わりに種々のアルキルブロマイ
ドを使用することにより種々の光学活性4−アルキルオ
キシ−4′−(6″−メチルオクチル)ビフエニルが得
られる。それらの相転移点は第1表に示した通りであ
る。
実施例3(使用例1) からなるネマチツク液晶組成物を、配向処理剤としてポ
リビニルアルコール(PVA)を塗布し、その表面をラビ
ングして平行配向処理を施した透明電極からなる電極間
隔10μmのセルに注入してTN型表示セルとし、これを偏
光顕微鏡下で観察したところ、リバース・ツイストドメ
インを生じているのが観察された。
この上記のネマツチク液晶組成物に本発明の(I)式
で、n=4,l=0,X=単結合でR=C5H11O−なる化合物、
すなわち、 を1重量%添加し、同様にTN型セルにて観察したとこ
ろ、リバース・ツイストドメインは解消され、均一なネ
マチツク相が観察された。
実施例4(使用例2) 本発明の化合物No.5及び10の液晶化合物と他のカイラル
スメクチツク液晶化合物及びネマチツク液晶化合物を用
いて、下記の組成の液晶組成物を調製した。
組成物の調製法は、上記7種の液晶化合物を所定の重量
秤量し、7種の化合物を試料ビン中で加熱溶解しながら
混合するものである。
得られた組成物を配向処理剤としてPVAを塗布し、表面
をラビングして平行配向処理を施した透明電極を備えた
セル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を2枚の直
交する偏光子の間に設置し、電界を印加したところ、20
Vの印加によつて透過光強度の変化が観察された。
この時の透過光強度の変化から応答時間を求めると、25
℃で約0.4msecの値であつた。
尚、上記液晶組成物について偏光顕微鏡によりテクスチ
ユアの温度変化を調べたところ、0℃から60℃の温度範
囲で強誘電性液晶となることが判明し、その自発分極の
大きさは、25℃で12nC/cm2であり、チルト角は23゜であ
つた。
比較例1(比較使用例1) 非カイラルなSC相を有する下記の組成の液晶組成物を調
製した。
この組成物は、4℃から65℃の温度範囲でSC相を示し、
それ以上の温度でSA相を示し、79℃でN相となり、90℃
で等方性液体となる。
この組成物に本発明の範囲外の下記の化合物を各々10重
量% ずつ添加したところ、5℃から70℃の温度範囲で強誘電
性を示すSC相が現われた。
この組成物を配向処理剤として、PVAを塗布し、表面を
ラビングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセ
ル厚2μmのセルに注入し、この液晶素子を2枚の直交
する偏光子の間に設置し、電界を印加したところ、20V
の印加によつて透過光強度の変化が観察された。
この時の透過光強度の変化から応答時間を求めると、25
℃で約1.7msecの値であり、この値は実施例4のそれよ
り劣るものであった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−231043(JP,A) 特開 昭60−13729(JP,A) 特開 昭62−187421(JP,A) 特開 昭62−190134(JP,A) 特開 昭62−209191(JP,A)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (上式に於いて、Rは炭素数1〜18のアルキルオキシ基
    を示し、Xは単結合を示し、1は0又は1であり、nは
    4又は5である。又*は不整炭素原子を示す)で表わさ
    れる光学活性化合物。
  2. 【請求項2】一般式 (上式に於いて、Rは炭素数1〜18のアルキルオキシ基
    を示し、Xは単結合を示し、1は0又は1であり、nは
    4又は5である。又*は不整炭素原子を示す)で表わさ
    れる光学活性化合物を少くとも1種含有することを特徴
    とする少なくとも2成分以上からなるカイラルスメクチ
    ツク液晶組成物。
  3. 【請求項3】一般式 (上式に於いて、Rは炭素数1〜18のアルキルオキシ基
    を示し、Xは単結合を示し、1は0又は1であり、nは
    4又は5である。又*は不整炭素原子を示す)で表わさ
    れる光学活性化合物を少くとも1種含有するカイラルス
    メクチツク液晶組成物を使用して構成された光スイツチ
    ング素子。
JP16589586A 1986-07-15 1986-07-15 ビフエニル骨格を有する液晶物質 Expired - Lifetime JPH0784401B2 (ja)

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DE8787110102T DE3765353D1 (de) 1986-07-15 1987-07-13 Optisch aktive verbindungen mit einem biphenylskelett, fluessigkristall-zusammensetzungen und sie enthaltender schalter.

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EP0256307A1 (en) 1988-02-24
EP0256307B1 (en) 1990-10-03
DE3765353D1 (de) 1990-11-08

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