JPS6322445B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322445B2 JPS6322445B2 JP56057623A JP5762381A JPS6322445B2 JP S6322445 B2 JPS6322445 B2 JP S6322445B2 JP 56057623 A JP56057623 A JP 56057623A JP 5762381 A JP5762381 A JP 5762381A JP S6322445 B2 JPS6322445 B2 JP S6322445B2
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- thin film
- film resistor
- laser
- oxygen gas
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- Expired
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁基板上に薄膜抵抗を形成し、レ
ーザートリミングによつて抵抗値を所定の値に調
整する際、同時に、その薄膜抵抗の切削部周辺に
酸化処理を施すことにより、薄膜抵抗の抵抗値の
調整と安定化を同時に行なうようにしたことを特
徴とする薄膜抵抗の製造方法に関するものであ
る。
ーザートリミングによつて抵抗値を所定の値に調
整する際、同時に、その薄膜抵抗の切削部周辺に
酸化処理を施すことにより、薄膜抵抗の抵抗値の
調整と安定化を同時に行なうようにしたことを特
徴とする薄膜抵抗の製造方法に関するものであ
る。
薄膜抵抗の製造過程において、レーザートリミ
ングでその抵抗値を所定の値に調整するとき、切
削部周辺に熱の影響を受け蒸発するまでに到らな
部分、いわゆるヒートアフエクテイツドゾーンが
できる。このヒートアフエクテイツドゾーンのた
めに安定性は悪くなる。したがつてレーザートリ
ミングされた薄膜抗抵はレーザートリミングしな
い薄膜抵抗に比べ経時変化の安定性は一般に悪
い。例えば85℃の環境に3000時間放置した場合、
後者の抵抗経時変化が0.01％程度であるのに対し
て、前者のそれは0.3％程度にもなつていた。こ
れは精度の高い抵抗値が要求される薄膜抵抗では
無視できないものである。
ングでその抵抗値を所定の値に調整するとき、切
削部周辺に熱の影響を受け蒸発するまでに到らな
部分、いわゆるヒートアフエクテイツドゾーンが
できる。このヒートアフエクテイツドゾーンのた
めに安定性は悪くなる。したがつてレーザートリ
ミングされた薄膜抗抵はレーザートリミングしな
い薄膜抵抗に比べ経時変化の安定性は一般に悪
い。例えば85℃の環境に3000時間放置した場合、
後者の抵抗経時変化が0.01％程度であるのに対し
て、前者のそれは0.3％程度にもなつていた。こ
れは精度の高い抵抗値が要求される薄膜抵抗では
無視できないものである。
このようなレーザートリミングした薄膜抵抗の
抵抗経時変化の安定性を良くするため、従来は、
レーザートリミングで抵抗値を所定の値に調整し
た後、300℃の高温中に３〜４時間放置するか、
または250℃の高温中に８時間程度放置するよう
な熱安定化処理を施すことにより、切削部周辺の
ヒートアフエクテイツドゾーンに酸化保護膜を形
成するようにしていた。このように、従来は、レ
ーザートリミングで抵抗値を調整する工程を終つ
てから、抵時値の経時的安定を図るための熱安定
化処理工程を施していたため、作業工数が多いと
いう欠点があつた。
抵抗経時変化の安定性を良くするため、従来は、
レーザートリミングで抵抗値を所定の値に調整し
た後、300℃の高温中に３〜４時間放置するか、
または250℃の高温中に８時間程度放置するよう
な熱安定化処理を施すことにより、切削部周辺の
ヒートアフエクテイツドゾーンに酸化保護膜を形
成するようにしていた。このように、従来は、レ
ーザートリミングで抵抗値を調整する工程を終つ
てから、抵時値の経時的安定を図るための熱安定
化処理工程を施していたため、作業工数が多いと
いう欠点があつた。
本発明は上述の点に鑑みなされたもので、薄膜
抵抗のレーザートリミングによる抵抗値の調整と
同時に、レーザートリミングで切削される部分の
周辺に強制的な酸化処理を施すことにより、抵抗
値の調整と安定化を同時に行なうようにしたもの
である。これによつて、薄膜抵抗の製造過程にお
ける作業工数を短縮し、もつて価格の低廉化を図
るものである。
抵抗のレーザートリミングによる抵抗値の調整と
同時に、レーザートリミングで切削される部分の
周辺に強制的な酸化処理を施すことにより、抵抗
値の調整と安定化を同時に行なうようにしたもの
である。これによつて、薄膜抵抗の製造過程にお
ける作業工数を短縮し、もつて価格の低廉化を図
るものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明による製造方法の一例を示すも
ので、この図において、１はグレーズドセラミツ
クやガラスなどからなる絶縁基板で、この絶縁基
板１には、CrやAuなどでできた電極２，３が形
成されている。この電極２，３間には、例えばス
パツタリングによつてTaN抵抗などからなる薄
膜抵抗４が形成されている。５はレーザー装置、
６は酸素ガスを吹き付けるための酸素ノズルで、
これらのレーザー装置５および酸素ノズル６は、
前記薄膜抵抗４の所定位置に、レーザー光照射お
よび酸素ガス吹き付けができるように、前記薄膜
抵抗４に対して相対的に位置の可変ができるよう
になつている。
ので、この図において、１はグレーズドセラミツ
クやガラスなどからなる絶縁基板で、この絶縁基
板１には、CrやAuなどでできた電極２，３が形
成されている。この電極２，３間には、例えばス
パツタリングによつてTaN抵抗などからなる薄
膜抵抗４が形成されている。５はレーザー装置、
６は酸素ガスを吹き付けるための酸素ノズルで、
これらのレーザー装置５および酸素ノズル６は、
前記薄膜抵抗４の所定位置に、レーザー光照射お
よび酸素ガス吹き付けができるように、前記薄膜
抵抗４に対して相対的に位置の可変ができるよう
になつている。
ここで、薄膜抵抗４の抵抗値を調整するため
に、レーザー装置５からのレーザー光（レーザー
発振光）７を薄膜抵抗４の所定個所に照射してト
リミング（切削）をするとき、トリミング開始と
同時に酸素ノズル６から酸素ガス８がトリミング
部（切削部）９周辺に連続的に吹き付けられる。
に、レーザー装置５からのレーザー光（レーザー
発振光）７を薄膜抵抗４の所定個所に照射してト
リミング（切削）をするとき、トリミング開始と
同時に酸素ノズル６から酸素ガス８がトリミング
部（切削部）９周辺に連続的に吹き付けられる。
このとき、切削部９周辺がレーザー光７の照射
により瞬間的に高温となり、この影響を受けて切
削部９周辺にできたいわゆるヒートアフエクテイ
ツドゾーン１０は、第２図に示すように、吹き付
けられた酸素ガス８と熱の作用によつて急速に酸
化され、酸化タンタル（Ta2O5）のような酸化保
護膜が形成される。このとき、同時に、酸素ガス
の吹き付けによつて、切削部９の周辺が冷却され
るので、レーザー光７の照射による熱の影響でで
きるヒートアフエクテイツドゾーン１０の範囲
は、第２図に示すように切削部９の極く近傍に限
られる。すなわち、本発明の方法によつて形成さ
れたヒートアフエクテイツドゾーンは、従来の方
法より形成されたものと比べると、その巾は数分
の１程度になり、このことは、レーザー光照射時
に発生する熱による薄膜抵抗の抵抗経時変化の安
定性に及ぼす悪影響が、従来よりも極めて少ない
ことを意味する。
により瞬間的に高温となり、この影響を受けて切
削部９周辺にできたいわゆるヒートアフエクテイ
ツドゾーン１０は、第２図に示すように、吹き付
けられた酸素ガス８と熱の作用によつて急速に酸
化され、酸化タンタル（Ta2O5）のような酸化保
護膜が形成される。このとき、同時に、酸素ガス
の吹き付けによつて、切削部９の周辺が冷却され
るので、レーザー光７の照射による熱の影響でで
きるヒートアフエクテイツドゾーン１０の範囲
は、第２図に示すように切削部９の極く近傍に限
られる。すなわち、本発明の方法によつて形成さ
れたヒートアフエクテイツドゾーンは、従来の方
法より形成されたものと比べると、その巾は数分
の１程度になり、このことは、レーザー光照射時
に発生する熱による薄膜抵抗の抵抗経時変化の安
定性に及ぼす悪影響が、従来よりも極めて少ない
ことを意味する。
前記実施例では、レーザートリミング時に、同
時に切削部周辺に酸素ガスを連続的に吹き付ける
ようにしが、本発明はこれに限るものでなく、例
えば、または酸素ガスを含んだガスを吹き付ける
ことによつて強制的な酸化処理を施すようにした
ものでもよい。
時に切削部周辺に酸素ガスを連続的に吹き付ける
ようにしが、本発明はこれに限るものでなく、例
えば、または酸素ガスを含んだガスを吹き付ける
ことによつて強制的な酸化処理を施すようにした
ものでもよい。
本発明は、上記のように薄膜抵抗の抵抗値の調
整と同時に、抵抗の経時変化の安定性を図るため
の手段を講じたので、薄膜抵抗の製造過程におけ
る作業工数を、従来より大幅に短縮でき、このこ
とは価格の低廉化を可能とする。
整と同時に、抵抗の経時変化の安定性を図るため
の手段を講じたので、薄膜抵抗の製造過程におけ
る作業工数を、従来より大幅に短縮でき、このこ
とは価格の低廉化を可能とする。
さらに、レーザートリミングによつて高温とな
つている切削部周辺に、酸素ガスを吹き付ける強
制的な酸化処理が施されているので、切削部周辺
にすぐにかなりの厚さの酸化保護膜が形成され
る。このため、レーザー光照射により発生する熱
が薄膜抵抗の安定性にそれ程悪影響を及ぼすこと
がない。これは、形成された酸化保護膜が、切削
部周辺にできた部分、いわゆるヒートアフエクテ
イツドゾーンを熱的に安定化するとともに薄膜抵
抗の内部へ酸化が進行するのを防ぐためであると
考えられる。
つている切削部周辺に、酸素ガスを吹き付ける強
制的な酸化処理が施されているので、切削部周辺
にすぐにかなりの厚さの酸化保護膜が形成され
る。このため、レーザー光照射により発生する熱
が薄膜抵抗の安定性にそれ程悪影響を及ぼすこと
がない。これは、形成された酸化保護膜が、切削
部周辺にできた部分、いわゆるヒートアフエクテ
イツドゾーンを熱的に安定化するとともに薄膜抵
抗の内部へ酸化が進行するのを防ぐためであると
考えられる。
しかも、切削部周辺に強制的な酸化処理を施す
ための酸素ガス吹き付けは切削部周辺を冷却する
作用もするので、いわゆるヒートアフエクテイツ
ドゾーン範囲を可及的に狭くすることができる。
このため、レーザートリミング時に発生する熱が
薄膜抵抗の抵抗経時変化の安定性に与える悪影響
を最小限に抑えることができる。
ための酸素ガス吹き付けは切削部周辺を冷却する
作用もするので、いわゆるヒートアフエクテイツ
ドゾーン範囲を可及的に狭くすることができる。
このため、レーザートリミング時に発生する熱が
薄膜抵抗の抵抗経時変化の安定性に与える悪影響
を最小限に抑えることができる。
第１図は本発明による薄膜抵抗の製造方法の一
実施例を示す斜視図、第２図は第１図の１部を示
す平面図である。 １……絶縁基板、２，３……電極、４……薄膜
抵抗、５……レーザー装置、６……酸素ノズル、
７……レーザー光、８……酸素ガス、９……トリ
ミング部（切削部）、１０……ヒートアフエクテ
イツドゾーン。
実施例を示す斜視図、第２図は第１図の１部を示
す平面図である。 １……絶縁基板、２，３……電極、４……薄膜
抵抗、５……レーザー装置、６……酸素ノズル、
７……レーザー光、８……酸素ガス、９……トリ
ミング部（切削部）、１０……ヒートアフエクテ
イツドゾーン。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に薄膜抵抗を形成し、レーザート
リミングによつて抵抗値を所定値に調整する際、
同時に前記薄膜抵抗の切削部周辺に酸素ガスを吹
き付けることを特徴とする薄膜抵抗の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56057623A JPS57172702A (en) | 1981-04-16 | 1981-04-16 | Method of producing thin film resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56057623A JPS57172702A (en) | 1981-04-16 | 1981-04-16 | Method of producing thin film resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57172702A JPS57172702A (en) | 1982-10-23 |
| JPS6322445B2 true JPS6322445B2 (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=13060999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56057623A Granted JPS57172702A (en) | 1981-04-16 | 1981-04-16 | Method of producing thin film resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57172702A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537022A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-23 | Katsuji Takayama | Emergency brake |
| JPS5431596A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Fujitsu Ltd | Manufacturing process of thin film resistor |
-
1981
- 1981-04-16 JP JP56057623A patent/JPS57172702A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537022A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-23 | Katsuji Takayama | Emergency brake |
| JPS5431596A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Fujitsu Ltd | Manufacturing process of thin film resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57172702A (en) | 1982-10-23 |
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