JPS6322056A - オレフイン性化合物の製造法 - Google Patents

オレフイン性化合物の製造法

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JPS6322056A
JPS6322056A JP62104855A JP10485587A JPS6322056A JP S6322056 A JPS6322056 A JP S6322056A JP 62104855 A JP62104855 A JP 62104855A JP 10485587 A JP10485587 A JP 10485587A JP S6322056 A JPS6322056 A JP S6322056A
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compound
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JP62104855A
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カウ−ミン・チエン
ゲツツ・エドワード・ハートマン
プラサド・コテスワラ・カパ
ジヨージ・テイ・リー
ジエローム・リンダー
ソンポン・ワタナシン
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Sandoz AG
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Sandoz AG
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/64Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms, e.g. histidine
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/02Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
    • C07D209/04Indoles; Hydrogenated indoles
    • C07D209/10Indoles; Hydrogenated indoles with substituted hydrocarbon radicals attached to carbon atoms of the hetero ring
    • C07D209/18Radicals substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804Compounds having Si-O-C linkages

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は有機化合物の製造法、更に待に7−置換3,5
−ジヒドロキシ−ヘプト−6−エン酸誘導体の製造法並
びに本質的に該方法における中間体に関する。 本発明は式I 、R−CH のトランス−オレフィンの新規な製造法を提供する。こ
こに上式において、R3は水素、R2又はMであり、但
しR2は生理学的に許容しうる且つ加水分解しうるエス
テル基であり、モしてMは製薬学的に許容しうるカチオ
ンであり;そしてRは基A−Hのいずれかである。但し
それぞれの場合Xは (H を表わす: [式中、Rlas Rza及びR3aの各は独立に水素
、ハロゲン、C1〜、アルキル、C1〜、ハロアルキル
、フェニル、或いはハロゲン、CI〜4フルフキシ、0
2〜.アルカノイロキシ、cl〜、アルキル又はCI〜
、ハロアルキルで置換されたフェニル、或いはORdで
あり、但しRdは水素、02〜.フルカッイル、ベンゾ
イル、フェニル、ハロフェニル、フェニルCI〜、アル
キル、C,−、アルキル、シンナモイル、C2〜、ハロ
アルキル、アリール、シクロアルキル−C1〜、アルキ
ル、アゲマンチル−01〜、アルキル、又は置換フェニ
ル−01〜、フルキルのいずれがであり、なおこの置換
基はハロゲン、C1〜4アルコキシ、C1〜、アルキル
又は01〜.ハロアルキルからなる群から選択される(
へロメン原イはフルオル又はクロルを含み、そしてシク
ロアルキルはシクロヘキシルを含む月; 弐B [式中、2つのRobは一緒になって式の基を形成し、
但し R2bは水素、C=、アルキル、n−ブチル、i−ブト
キシ、トリフルオルメチル、フルオル、クロル、7エ/
キシ又はベンジロキシであワ;R3bは水素、C1〜、
アルキル、C6〜コアルフキシ、トリプルオルメチル、
フルオル、クロル、フェノキシ又はペンノロキシであり
、なおR2b及びR,bの高々1つがトリプルオルメチ
ルであり、R2b及びR3bの高々1つが7二/キシで
あり、モしてR2b及びRJの高々1つがベンジロキシ
であワ: R,bは水素、C3〜、アルキル、フルオル、クロル又
はベンジロキシであり; R,bは水素、Cl−3アルキル、n−ブチル、i−ブ
チル、C3〜コアルフキシ、n−ブトキシ、i−ブトキ
シ、トリプルオルメチル、フルオル、クロル、フェノキ
シ又はペンノロキシであり; R,bは水素、01〜.アルキル、C1〜コアルコキシ
、トリフルオルメチル、フルオル、クロル、7エ/キシ
又はベンジロキシであり、なおR,b及びR,bの高々
1つはトリフルオルメチルであり、R,bおよVR,b
の高々1つはフェノキシであり、そしてR,b及びR6
bの高々1つはペンノロキシであり; 随時環CはC1〜2アルキル、C1〜2アルコキシ、フ
ルオル又はクロルを有していてもよく;更に但し側IA
XとR,bを有するフェニル基(環C)は互いにオルト
位である】 のす7チル又はテトラヒドロナ7ナル構造;式C そして他はC3〜、アルキル、n−ブチル又はi−ブチ
ルであり、但し R1,cは水素、C,−、フルキル、n−ブチル、i−
ブチル、C2〜3アルコキシ、n−ブトキシ、i−ブト
キシ、)+7フルオルメチル、フルオル、クロル、フェ
ノキシ又はベンジロキシであり;そして R5’cは水素、CI〜、アルキル、C9〜、アルコキ
シ、トリフルオルメチル、フルオル、クロル、7エ/キ
シ又はベンノロキシであり、なおR、’c及びR5’c
の高々1つはトリフルオルメチルであり、R1“C及び
R3’cの高々1つはフェノキシであり、そしてR、l
c及ブR5’cの高々1つはペンノロキシであり; R2’cは水素、C,l −3アルキル、ローブチル、
1−ブチル、C1〜、アルコキシ、n−ブトキシ、i−
ブトキシ、トリフルオルメチル、フルオル、クロル、フ
ェノキシ又はベンジロキシであり;R3’cは水素、C
5〜、アルキル、C1〜、アルコキシ、トリフルオルメ
チル、フルオル、クロル、フェノキシ又はベンノロキシ
であり; 随時環A 1.t C、〜2アルキル、CI〜2アルコ
キシ、フルオル又はクロルを有していてもよく;更に但
し R2°C及びRコ’cの高々1つはトリプルオルメチル
であり、R2’c及びR3”cの高々1つはフェノキシ
であり、そしてR2°C及びR3’cの高々1つはベン
ノロキシである〕 のインドリル構造; 式D [式中、R,dは不斉炭素原子を含有しないC1〜6ア
ルキルであり; R,d及びRsdの各は独立に水素、01〜コアルキル
、ローブチル、i−ブチル、し−ブチル、C1〜ffア
ルフキシ、n−ブトキシ、i−ブトキシ、トリフルオル
メチル、フルオル、クロル、フェニル、フェノキシ又は
ベンノロキシであり;R,d及びRadの各は独立に水
素%C1〜コアルキル、C1〜3アルフキシ、トリフル
オルメチル、フルオル、クロル、フェノキシ又はペンノ
ロキンであり; R4d及びR,dの各は独立に水素、C2〜2アルキル
、C1〜2アルフキシ、フルオル又はクロルであり;但
し R,d及びRzdの高々1つはトリプルオルメチルであ
り、R2d及びRzdの高々1つはフェノキシであり、
R2d及1/’R,dの高々1つはベンジロキシであり
、R,d及びR6dの高々1つはトリフルオルメチルで
あり、R、d及びR6dの高々1つはフェノキシであり
、そしてR5d及びR6dの高々1つはベンノロキシで
ある1のイミグゾール基; 式E 1式中、Reは水素或いは不斉炭素原子を含まない第1
級又は第2@C,〜6アルキルであり、そして R,eは不斉炭素原子を含まない第1a又は第2級C2
〜6アルキルであり又は Re及びR,eは一緒になって−(CHz)to−又は
(Z)−CH,−CH=CH−CH,−であり、なお1
は2.3.4.5又は6であり; Rzeは水素、01〜.アルキル、n−ブチル、i−ブ
チル、し−ブチル%CI〜、アルコキシ、n−ブトキシ
、i−ブトキシ、トリフルオルメチル、フルオル、クロ
ル、フェノキシ又はベンジロキシであり; R3eハ水Z 、C、〜コアルキル、C1〜コアルコキ
シ、)lJフルオルメチル、フルオル、クロル、フェノ
キシ又はペンノロキシであり、但しRze及びRzeの
高々1つはトリプルオルメチルであり、Rze及びR3
eの高々1つは7エ/キシであり、そしてR,e及びR
=’eの高々1つはペンノロキシであり: Ryeは水素、Cl−3アルキル、n−ブチル、i−ブ
チル、t−ブチル、C3〜、アルコキシ、n−ブトキシ
、i−ブトキシ、)+7フルオルメチル、フルオル、ク
ロル、フェノキシ又はベンジロキシであり; Rzeは水素、01〜.アルキル、C1〜、アルコキシ
、トリフルオルメチル、フルオル、クロル、フェノキシ
又はベンジロキシであり;R,eは水素、C+ 〜z 
フルキル、Cl−2アルコキシ、フルオル又はクロルで
あり;但しR,e及びRzeの高々1つはト1Jフルオ
ルメチルであり、R,e及びRseの高々1つはフェノ
キシであり、そしてR,e及びRzeの高々1つはペン
ノロキシである] のインデニル基; 弐F、即ち基 1式中、R,f%R,f及びR,fは神豆に原子量的1
9ご35のハロ、即ちF又はC1、水素、又は炭素数1
〜4の低級ア/L4.キルである(好ましくは基a)、
b)及びC)に対してR,fはメチルである)l。 のアリール又は部分的に還元されたアリール炭化水素基
; 弐G [式中、R+gは不斉炭素原子を含まないC1〜。 アルキルであり; Rzg及びRsgの各は独立に水素、01〜コフルキル
、n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、C0〜コアル
コキシ、n−ブトキシ、i−ブトキシ、トリフルオルメ
チル、フルオル、クロル、フェニル、7エ/キシ又はベ
ンジロキシであり; Rag及びRigの各は独立に水素、C5〜、フルキル
、CI〜、アルコキシ、トリフルオルメチル、フルオル
、クロル、フェノキシ又はペンノロキシであり; R4,及びRtgの各は独立に水素、01〜2アル斗ル
、C1m2アルコキシ、フルオル又はクロルであり;但
しRzg及びRagの高々1つはトリフルオルメチルで
あり%R2g及びR2Hの高々1つはフェノキンであり
、Rzg及びR2Hの高々1つはベンジロキシであり、
Rlg及びR@Hの高々1つはト1Jフルオルメチルで
あり、Rsg及びRagの高々1つはフェノキシ基であ
り、そしてR51r及びRlgの高々1つはペンノロキ
シであり;但し 側鎖Xはピラゾール環の4−又は5−位に存在し、また
R4基のオルト位に位置する]のピラゾリル基; 式H 1式中、RahはXであり、RbhはR2hであり、R
chはRahであり、RdhはR,hであり、そしRa
hはR,hであり、RbhはXであり、RchはRih
であり、RdhはR3hであり、そしてYoR,h R,h、 Rih、 R3h及びR,hは独立に不斉炭
素原子を含まないC8〜、アルキル、C3〜フシクロア
ルキル、又は環A0 であり;或いはR,h及びR4hの場合に更に水素よた
Rihに対してYoがO又はSのときはC1〜、フルキ
ルであり、そしてR1,及びR1,は独立に水素、CI
〜、アルキル又はフェニルであり:各R,hは独立に水
素、C1〜コアルキル、n−ブチル、1−ブチル、t−
ブチル、C1〜コアルコキシ、n−ブトキシ、i−ブト
キシ、トリフルオルメチル、フルオル、クロル、ブロム
、フェニル、フェノキシ又ハペンシロキシであり;各R
ihは独立に水素、01〜.アルキル%CI〜〕アルコ
キシ、トリフルオルメチル、フルオル、クロル、ブロム
、フェノキシ又はベンジロキシであり、そし゛て各R,
hは独立に水素、CI〜2アルキル、C1〜2アルコキ
シ、フルオル又はクロルであり;なお存在する各RAo
にはトリフルオルメチル、7エ/キシ又はベンジロキシ
の各の1つだけが存在していてもよい] の5員環複素環族基。 化合物IはR1の定義に依存して3種の化合物、j2U
ち R,=R,のとき化合物I5、 R,=Mのとき化合物I2、及び R,=Hのと浮化合物I。 からなると見なすことができる。ここにR,、R2及び
Mは上述の通りである。 化合物Iは更にRの定義に依存して7準種、即ち R=Aのとき化合物IA、 R=Bのとき化合物IB、 R=Cのとき化合物IC。 R=Dのとき化合物ID。 R=Eのとき化合物IE。 R=Fのとき化合物IF。 R=Gのとき化合物IG、そして R=Hのとき化合物IH からなると見なすことができる。ここに基A−Hは上述
の通りである。 基Rの上述の形を有する最終生成物(1)はこれらの基
の製造法並びに最終生成物の用途も開示している技術に
明らかにされている。化合物■は上述の3,5−ジヒド
ロキシ形で或いはそれから公知の方法で製造しうる対応
するラクトンの形で用いることができる。一般に最終生
成物(1)とその対応するラクトンは、酵素HMG−C
oAリグクターゼを禁止することによってホストのコレ
ステロールの合成を禁止するのに活性があるから、抗さ
れ、 開示され、 RがC)の形の化合物は(1984年6月7日公開の)
WO第84102131号及び(1985年4月11日
付けの)米国特許願第722,288号に開示され、 RがD)の形の化合物は(1986年12月4日公開の
)WO第86107054号及び(1986年5月14
日付けの)米国特許願第863,267号に開示され、 RがE)の形の化合物は(1986年6月19日公闇の
)wo第96103488号及び(198V年に開示さ
れ、  。 RがF)の形のラクトン形の化合物は(1984年10
月2日発効の)米国特許*第4,474,971号に開
示され、 開示され、そして RがH)の形の化合物は(1986年10月15日付け
の)米国特許顆第919,275号及び(1986年1
2月22日付けの)第945,428号、並びに198
6年10月21日付けのPCT世界特許順第59878
6号に開示されている。ここにこれらの文献は本明細書
に参考文献として引用される。 化合物lは技術的に公知の方法によって相互に転化でき
るから、各化合物!は他の化合物■に対する中間体とし
ても役立つ0例えばI、エステル(R,=R2)はけん
化によって対応する化合物■2(R,=M、待にM =
 N a又はK)とすることができ、そのような塩化化
合物は酸性にすることによって対応する化合物l3(R
1=H)となり、また該化合物I3は環化によって式I
4 1式中、Rは上述と同義である1 の対応するラクトンを生成しうる。 「生成物学的に許容しうる且つ加水分解しうるエステル
基」とは、それが結合している一〇〇〇−基と一緒にな
って生理学的条件下に生理学的に許容でき且つ加水分解
できて、所望の投薬量において生理学的に許容できる、
即ち無毒性であるアルコール、特に不斉中心を含まない
ものとR7が水素の式夏の化合物を生成するエステル基
を形成する基を意味する。R2として好適な種類の基は
本明細書でR,/として言及される炭素数1〜4のアル
キル又はペンシルであり:特に好適な種類は総合してR
2′として言及されるC1〜コフルキル、n−ブチル、
i−ブチル、t−ブチル及びベンジル、例えばエチルで
ある。 Mは好ましくはアルカリ金属、例えばナトリウム、カリ
ウム、或いはアンモニウムである。 R2がR1′である化合物!2は技術的に良く知られた
手段例えばエステル交換により% R2の定義内で他の
エステルに転化することができる。 本発明は光学異性体含量が100%の純度に近い化合物
Iの新規な製造法、並びにそのような化合物■の製造に
対する中間体の改良された製造法を提供する。 化合物Iは技術的に公知の方法により、式ClE式中、
P、は保護基であり、モしてR2は上述と同義、好まし
くはR2′、例えば不斉でない(C,〜4)フルキル例
えばエチルであるJのアルデヒド化合物を中間体として
用いることによって製造することができる。そのような
方法は下記の反応式At’表わされる。ここにP8、R
及びR2は上述と同義である。 反応式^ 工程Xに対する好適な試剤は 式Q   R−CH= P(R11)3   又は式Q
 y  R−CHz −P−(ORy)z  又は式W
   R−CHi−P−(ORt)zし のものである、ここにRは上述と同義であり、Rwはア
リール特に未置換の或いは1つ又は2つの低級アルキル
(C5〜4)又はクロル置換基で置換されたフェニル、
n(C1〜4)アルキル、又はシクロヘキシルであり;
Ryはn(C,〜4)アルキル、特にエチルであり;R
1はn(C+〜4)アルキル又はフェニル、特にメチル
又はエチルである。 化合物C及びその製造法は(1986年2月18日発効
の)米国特許第4,571,428号に化合物Gとして
開示されている。 反応式Aの上述の工程X)及びy)は技術的に記述され
た方法、例えば本明細書に参考文献として引用される上
述の米国特許第4,571,428号の方法で行ないう
る。工程×)及びy)は該特許においばWO第8610
3488号に記述されている如き式Qyのものである。 上述したように、このように製造した式11の化合物は
例えば参考文献に記述されているように遊離形成いは塩
又はラフ1−ン形に転1ヒすることができる。 本発明の具体例はL−リンゴ酸を出発原料とする新規な
多段法によりモノ異性体3R,5S−化合物Cを製造す
る特に有利な方法であり、これは便宜上下記の反応式B
で表すことができる。 反応式Bにおいて、tはトリチル、即ちトリフェニルメ
チルであり、Plは上述と同義であり、R;及びR;は
反応条件下に不活性なエステルを形成する基である6R
;は例えばn−C,〜6アルキル、好ましくはメチル又
はエチルであり、R:は例えばn−C,−6アルキル例
えば上述の如きR;或いリルである。 化合物Cから式Iの最終生成物を製造する時、製薬学的
に許容できないR:としての残基は常法によりH,M又
はR2で置換しうることは理解されよう。 又−j5−式−」L 化合物Cの製造に対して上述した方法において、工程は
1はエステル化反応で、L−リンゴ酸のジエステルを製
造するための常法で行いうる。L−リンゴ酸の仕込み物
を、約−5〜10、例えば0〜4℃の温度において例え
ばアセチルクロライドによって提供される酸性条件下に
且つ本質的に無水の条件下に、少なくとも2当量(好ま
しくは大過剰)のアルコールR,OHで処理する方法は
とくに簡便である。この時過剰のアルコール反応物は反
応媒体として役立ち、対応するジエステル(L)を得る
。 工程k)は還元であり、例えばジエステル(L)を、約
10〜40℃、例えば室温において、不活性な媒体例え
ばTHF(テトラヒドロフラン)中本質的に無水の条件
下にボランジメチルスルフィド錯体及び触媒量の水素化
ホウ素り千つムで処理することによって達成することが
できる:無水のアルコール(R,OH)を、生成物の回
収前に還元触媒を]失活」させるために添加し、一方得
られるヒドロキシモノエステル(1り)の回収中には水
との接触を避ける。 工程j)は対応するトリチロキシ化合物(J)を得るた
めの化合物lくの第1級ヒドロキシ官能基のエーテル化
であり、そのような方法は技術的に良く知られている。 これは化合物Kを、不活性な溶媒例えば塩化メチレンの
ようなハロゲン化低級アルカン中酸受容体例えばピリジ
ンの存在下に約15〜50℃、例えば室温(R,T、)
においてトリチルクロライド(僅かに過剰量)と反応さ
せることによって行うことができる。 工程h)は2過程からなる。最初に化合物Jをけん化し
、次いで得られた塩を酸で中和し、対応する化合物Hを
得る。そのような反応は通常の手段で行いうる。即ち化
合物Jを、共溶媒例えばTHF中、適度な温度例えば1
0〜80℃、・例えばR,T、において、水性アルカリ
金属水酸化物例えばNaOHで処理することは簡便であ
る0次いで得られる塩を穏やかな酸例えばクエン酸でそ
の場で中和することができる。 工程g)はホモロゲーション反応であり、化合物Hをリ
ンゴ酸モノエステル(反応物Z)のマグネシウム塩と反
応させて対応するケトニスデル(G*)を製造する。工
程g)は不活性な媒体例えば”T’HF中1.1−カル
ボニルイミダゾールの存在下且つ本質的に無水の条件下
において、適度な温度例えばR,T、で行われる。 反応物Zは、式Z′ E式中、R;は例えばR;に対して定義したような意味
を有する] のモノエステル2当量をマグネシウムメトキシド1当量
と反応させることによって得られる(工程ma)、この
反応は不活性な極性媒体例えばTHF中、°本質的に無
水の条件下に適度な温度で行うことができる。化合物Z
及びZ゛は公知である。 工程f)は第1に化合物Gaをトリアルキルボラン(G
r)と反応させ(工程f、)、次いでこの反応混合物を
水素化ホウ素ナトリウムで処理(工程f2)シて錯体を
得、次いでこれを開!2(工程f、)シて対応する化合
物Fを得る。 工程f、に用いるトリアルキルボラン試剤は弐G「 Gr     (R4)3B 1式中、R1は炭素数2〜4の第1級または第2級のア
ルキルであるJ を有する。 工程rdは本質的に無水の条件下、約−80〜30℃、
例えば−70〜20 ”Cで行なわれ、また反応媒体は
R1が7リル又は炭素数1〜4の、好ましくは第3級で
ないアルキル例えばメチル又はエチルである式R,OH
のアルコール/テトラヒドロフラン(T HF )の、
約1:3〜6、特に約1:3〜4のアルコール:THF
の比(v/v)の混合物から本質的になる。 Grの化合物Gに対する割合は約1〜2.5モル、好ま
しくは1.02〜1.3モル比:1であってよIll。 他にトリアルキルボラン(G r)の代りに、式GkG
k          R5−0B   (R−)2「
式中、R4は上述と同義であり、またR6はアリル又は
炭素数1〜4の低級アルキル、好ましくは第3級の基で
ないアルキル基である1のモノアルコキシノアルキルボ
ランを当量で用いてもよい、R4、R2及びR@は同一
であってよいが、そうである必要はない、化合*Gkの
製造はコスタ−(Koster)ら、アン(Ann、)
、1975.352及びチェン(Chen)ら、テトラ
ヘドロン・レターズ(TeLrihedron  Le
tters)、28.155(1987)に記述されて
いる。 第2段階(f2)において、第1段階の生成物をその場
で、先ず一70℃の温度下に水素化ホウ素ナトリウムで
処理し、次いで室温(20〜30℃)まで暖める。第3
段階(f、)では、第2段階の生成物、即ち式Gp及び
/又はGq G。 Gq      R,1 [式中、R:、し及びR4は上述と同義である]の中間
体を極性の有機溶媒例えば低級アルカノール又はTHF
或いはこれらの混合物に溶解し、中性、Hにおいて先ず
低温、例えば約−70℃下に水性過酸化水素(例えば3
0%)溶液で処理し、次いで反応混合物を適度な温度例
えばR,T、まで暖めて対応する化合物Fを得る。好適
なアルカノールはエタ/−ル及びメタ/−ルである。 他に工程f2)の生成物を、本質的に無水の条件下に例
えば約60〜80″Cの温度においてメタノール又はエ
タノール、好ましくはメタノールと共沸させて対応する
化合物Fを得てもよい。 工程「)の全3段階を、各段階の生成物をその場で用い
ることにより一70°Cで且つ同一・の媒体中で行なう
ことは特に簡便である。 試剤Gkをその場で生成せしめる場合、アルフール11
当qの化合物Grの好適なモル比は約0゜2〜1.2ミ
リモル/+sl、特に約0.5ミリモル/輸1である。 工程e)において、化合物FI7)遊離のヒドロキシ官
能基は公知の手段によって保護される。 適当な保護基P、は、3置換シリル基を含み、少くとも
2つ、好ましくは3つのかさ高い基(例えば2つの7リ
ール及び1つのアルキル)、即ちa)MS3級アルキル
(C,〜C8)基待にt−ブチル、及びb)アリール、
好ましくは未置換でも或いは2つまでの(好ましくは0
又は1つの)低級アルキル(C+〜C,)、クロル、ニ
トロ、トリプルオルメチルで置換され、又はパラ位がフ
ェニルもしくはベンジル(これは未置換でもよく或いは
順次上述のような基の1つ又は2つで、特にp−位が置
換されていてもよい)でモノ置換されていてもよいフェ
ニル、からなる群から選択される基を有する;かさ高で
ない基は低級アルキルくC3〜、)例えばメチルである
。好適な保護基はジフェニル−terL−ブチルシリル
である。保護基は同一である必要はないけれど、それら
は同一である方が同時に導入(且つ続いて除去)できる
からより簡便である。 工程e)はノオール(F)を式Ep E p     P + L 1式中、P、は上述の通りであり、そしてLは開裂基例
えばクロル、ブロム、又はp−メチルベンゼンスルホニ
ル、好ましくはクロルである】 の試剤例えばりフェニル−tert−ブチルシリルクロ
ライドの少くとも2当量で、酸受容体例えばイミダゾー
ルの存在下、例えば20〜100℃、特に60°C1無
水の条件下且つ不活性な媒体例えばDMF中において処
理することによって行なうことができる。 工程d)は選択的な開裂であり、即ちトリチル基を除去
し、一方P、基をその場に残す、これは公知の手段例え
ば酸性試剤を用いることによって行なうことができる0
例えば不活性な媒体、例えばハロゲン化低級アルカン、
例えば塩化メチレン/水中において2ケ所の保護された
エステル(E)にCF、C0OHを〜78℃で添加し、
次いで反応混合物を凡そ0℃に保つ。 工程C)では化合物りの−CH20H単位をアルデヒド
官能基に酸化する。このような反応は公知の方法で行な
いうる。例えば化合物りを、不活性な媒体例えばハロゲ
ン化炭化水素、例えば塩化メチレン中モレキュラーシー
ブの存在下且つ適度な温度例えばRoT、においてビリ
ノニウムクロルクロメートで処理するとよい。 他にR2’がt−ブチルである化合物Gは、化合物Jを
、不活性な媒体例えばT)IF中、本質的に無水の条件
下且つ約−70〜−60℃の温度において、リチウムt
−ブチルアセテート(試剤Bp)で処理することによっ
て一段階で製造することができる。試剤Bpは公知の手
段で、例えばし−ブチルアセテートを、不活性な媒体例
えばTHF中例えば−65〜−70℃において、リチウ
ムジイソプロピルアミドで処理することによって製造し
うる。 試剤Bpの製造及び使用を、化合物Jとの反応と同一の
媒体中且つすべて無水の条件下にその場で行なうことは
特に簡便である。 上記反応式Aで言及される工程X)(ウイテイツヒ反応
)による化合物Yf)gl遣は公知の方法により、但し
特にトランス異性体に冨んだ生成物を得るために原料と
方法の選択に注意を払い、次いで更に生成物を公知の技
術例えばりaマドグラフィーで処理し、次の工程で用い
るのにできるだけ高割合で所望の異性体を有するように
化合物Yを得ることによって行なうことができる。しか
しながら本発明の他の具体例は、特にトランス異性体に
冨む上述の如き式Yのオレフィン性エステルの改良され
た合成法であり、上述した式Cの化合物を式W R−CHz−P 40Rt)t W       ↓
【式中、Rは上述と同義であり、モしてR2は上述と同
義であるJ のホスホネートエステルと反応させる、即ち工程X′)
である。 試剤Wは次の2段階反応によって製造される。 最初に式W′ W’    R−CI、−0)1 1式中、Rは上述と同義である] のR含有化合物をハロゲン化し、用いるハロゲン化剤に
依存して対応するパライトW″ W”   R−CH,−Z    ′ r式中、Rは上述と同義であり、そしてZはC1又はB
r、好ましくはclである】を製造する。このハロゲン
化は常法テ、例え1rZ=CIが望ましい場合には塩化
チオニルを低温例えば約10〜60℃で用い、例えば反
応物を約θ℃で混合し、次いで例えば不活性な媒体例え
ば対応するハロゲン化アルカン、Z=CIの時には例え
ば塩化メチレン中において室温で処理することによって
行なうことができる。 第2段階は、得られる化合物W″を、不活性な溶媒例え
ばトルエンのような芳香族炭化水素中において80〜1
40 ’C1例えば反応混合物の還流温度まで加熱しつ
つトリ(低級アルキル)ホスファイト例えばトリメチル
ホスファイトと反応させることを含む。 化合物WをウイティッヒV、剤として用いる工程×7)
は便宜上2段階で行ないうる。fIS1段階では、化合
物Wを不活性な媒体、例えば環状エーテル例えばTHF
中、本質的に無水の条件下且つ低温例えば約−20〜0
℃において、強リチウム塩基、例えば有機化合物のリチ
ウム塩例えば低級アルキルリチウム、特にn−ブチルリ
チウムと反応させて式WA 1式中、R及びR7は上述の通りである】の対応するリ
チウムアニオンを生成せしめる。いくらかの塩化リチウ
ムを含有することは有利である。 ゛  第2段階において、試剤WAを同様に不活性な媒
体例えば1’ HF中且つ本質的に無水の条件下に低温
例えば約−20〜0℃において化合物Cとその場で反応
させる6次いでこの反応混合物を例えば酢酸で処理して
反応を停止し、得られた化合物Yを分離する。 化合物Yのその対応する化合物■への脱保護基は常法に
より、例えばTHF中酢酸及びテトラ1くとも2当量(
例えば6当量)で適度な温度例えば20〜60℃下に処
理することによって行ないうる。 本発明の更なる具体例は、アリルエステル中間体を含む
化合物l3(R2=)I)の製造法である。この方法は
便宜上下記の反応式c”c”表される。ここにR及びP
lは上述と同義である。化合物I2′は標準的な脱保護
基の工程の第2段階で水酸化ナトリツムを用いる場合に
得られるナトリウム塩である。 反応式C 上述反応式Cを参照して、工程X″)は上述した工程×
)又はx′)と同様に行なわれる。化合物C′はエステ
ル部分がアリルの化合物Cである。そのような化合物は
上述した化合物Cの製造(反応式Bによる)と同様の方
法に従い化合物2)のアリルエステル同族体を用いるこ
とにより或いは米国特許第4.571,428号に記述
された方法に従いその方法e)においてアリルアルコー
ルを用いることにより製造できる。 工程aa)において、化合物I2の、2つの官能基す を保護したアリルエステルを1脱アリル化」し、即ちア
リルエステル(Y′)をその元のカルボン酸化合物に転
化する。この工程aa)は塩化メチレン或いは環状エー
テル例えばジオキサン又はTHF中カルボン酸物質例え
ば酢酸又はぎ酸アンモニウムの存在下且つ過大な温度例
えば20〜90℃、簡便には室温又は混合物の還流温度
において、可溶性中性パラジウム例えばテトラキス)+
77二二ルホスフインパラジウム錯体を存在させて行な
える。好適なバラジッム源はテトラキス(トリフェニル
ホスホニル)パラジウムである: 脱保護基(工程ab)は上述の工程y)と同一の方法で
行ないうる。一端化合物I2が得られると、これは上述
の如く化合物Iの他の形に転化することができる。 反応式Cの方法の明白な利点は、化合物I2が精製操作
を複雑にするラクトン(I4)の生成を殆んど又は全然
伴なわずに得られるということである。更に、脱保護基
は平滑に進行し、エリトロ異性体を高収率で生成する。 本明細書に記述する試剤及び出発物質、例えば化合物Q
、Z’ 、EP、W’ 、W” 、Gr、Gk及びBP
は、公知であり且つ公知の手段で製造でき、或いは公知
でない時には公知の同族体の1!!遣に対して文献に報
告されている方法を適用して製造することができる。い
くつかの化合物は市販されている。 本明細書に記述される最終生成物及び中間体化合物は所
望により常法で、例えば結晶化、蒸留、或いはクロマト
グラフィー技術例えばカラム又は薄層クロマトグラフィ
ー、例えばシリカゲルのカラムクロマトグラフィーによ
って回収及び精製することができる。 次の実施例は本発明を例示する。断らない限りすべての
温度はセラ氏であり、また室温(R,T、)は20〜3
0゛Cである。蒸留は真空下に最小加熱で行なった。有
機相の乾燥は断らない限り無水硫酸マグネジツムで行な
った。THFはテトラヒドロ7ランであり、DMFはジ
メチルホルムアミドであり、THAはトIノフルオル酢
酸であり、そしてTPはテトラキス(トリフェニルホス
ホニル)パラジウムである。 聚】jL−L マグネシウムビス(モノアルキルマロネート)第1段階
、モノアリル、モノ酸マロネートアリルアルコール81
中ノアリルマロネート2゜908g(15,8ミリモル
]の溶液に2N水性水酸化カリウム81を0℃で添加し
た。この反応混合物を室温で2時間攪拌した。この時点
で溶液のpHは7〜8であった。この溶液を減圧下に濃
縮して残渣を得、次いで残渣をエーテル及び水で希釈し
た。有機層を捨て、水性層をpHが2〜3になるまで2
N塩酸で酸性にし、次いで固体の塩化ナトリウムを飽和
させた。 次いで水性層を酢酸エチルで抽出した。−緒にした有8
!1層を飽和塩化ナトリウム水溶液で1回洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。 有機溶媒を減圧下に除去して本段階の標題のモノエステ
ル2.043gを得た。 12Fi階、マグネシウムビス(モノアルキルマロネー
 ト ) 上記tJrJ1段階のモノエステル6.693g(4(
5゜5ミリモル)を乾燥”rHF116mlに溶解し、
この溶液にマグネシウムメトキシド2g(23,2ミリ
モル)を室温で添加した。この混合物を1時間攪拌し、
これをロータリーエバポレータにかけて溶媒を減圧下に
除去し、標題の生成物1.163gを得た。 ノ7リルマロネートの代りに a) ツメチルマロネート、又は b) ツメチルマロネート またアリルアルコールの代りに a)エタノール、又は b) メタノール を凡そ当量で月いる以外上述の製造法を繰返すことによ
り、それぞれ a)  マグネシウムビス(モノメチルマロネート)、
又は b)  マグネシウムビス(モノメチルマロネート)を
同様にして得た。これを下記の実施例1で使用する。 聚L1L−虹 [[1−(4−フルオルフェニル)−4−イソプロピル
−2−フェニル−IH−イミタソル−5−イル)メチル
]−ホスホン酸ジメチルエステル ホ 塩化メチレン1.25J及び1−(4−フルオル7エ二
ル)−4−イソプaビル−2−フェニル−IH−イミダ
ゾルー5−メタノール310.5.からなる溶液をO″
Cまで冷却した。この反応混合物に塩化チオニル178
.4gを、内部温度を10℃に保ちながら数分間にわた
って添加した。この反応物を室温で16時間攪拌した。 30〜Someの減圧下及び最高内部温度40〜50℃
において、できるだけ多くの溶媒を留去した0次いでこ
の反応混合物にトルエン250m1を添加して蒸留を続
けた。次いで大気圧において反応混合物にトルエン20
0+clを添加した0反応物を90〜95℃に加熱した
。 次いでトリノチルホス7フイ)1.32kgを30〜6
0分間にわたってゆっくりと添加した。この反応混合物
を加熱し、還流温度に2時間保った。 蒸留しうる溶媒を20〜40mmで留去し、残渣を得た
。得られた固体残渣にトルエン25o1を添加し、更に
留出物が回収されなくなるまで蒸留を続けた。得られた
固体をトルエン1.11から結晶化して標題の化合物2
33gを得た。融点139〜142℃。 11−L [[1−(3,5−ジメチルフェニル)−3−メチル−
2−す7タレニル]メチル】−ホスホン酸ジメチルエス
テル 塩化メチレン21曽1に1−(3,5−ツメチル7エ二
ル)−3−メチル−2−ナフタレンメタノール16゜7
gを添加した。この反応混合物を17℃まで冷却し、最
高内部温度を24℃に維持しなが塩化チオニル4.6g
をゆっくり添加した。反応混合物を2時間攪拌した。2
0〜30IflIIlの減圧及(、’f3s℃の外部温
度下に蒸留した溶媒を除去し、粘稠な油を残渣として回
収した。この残渣にトルエン50+alを添加し、すべ
ての溶媒が回収されるまで蒸留を続けた。トルエンの添
加及び蒸留を更に2回繰返し、粘稠な油を得た。この粘
稠な油にトリメチルホスファイト351を添加した0次
いでこの反応混合物を、トリメチルホスファイトが蒸留
によって回収されなくなるまで減圧下に濃縮した0次い
でこの反応物にヘプタン30m1を添加し、蒸留を減圧
下に継続した。ヘプタンの添加を数回繰返した。すべて
の溶媒を留去して標題の粗生成物を橙色の固体残渣とし
て得た。この残渣をヘプタンから再結品して線通の生成
物1f3gを得た。融点132〜135℃。 毀1」1−」− [E1′−イソプロピル−3’−(4“−フルオルフェ
ニル)−インドルー2′−イル]メチル]ホスホン酸ツ
メチルエステル 乾燥′I゛トIF50(3+ol中ジメチルホルムアミ
ド2゜51a1に、3−(4−フルオルフェニル)−1
−イソフ゛ロビルーIH−2−インドールメタノール5
0.を添加した。この反応混合物に、最高温度を25°
Cに維持しながら塩化オキザリル50m1を(20分間
にわたって)添加した。反応の内容物をRoT、で2時
間攪拌した。 20〜30mmの減圧及び40℃の外部温度下に、でさ
る限り多くの溶媒を蒸留により回収した。残存した反応
混合物にトルエン250+alを添加し、溶媒が流出し
なくなるまで蒸留を続けた。この反応物にトリメチルホ
スファイト100a+Iを添加し、反応混合物を1.5
時間還流するまで加熱した。 20〜301の減圧下にすべての溶媒を除去し、次いで
トルエン250m1を添加し、溶媒が流出しなくなるま
で蒸留を続けて油状残渣を得た。標題の生成物を39g
を油から(ヘキサンを用いて)結晶化させた。融点94
〜6°。 及1涯−上 (3R,3S)−ビス−(ジフェニル−jerk−ブチ
ルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸エチルエステル
第1段階、ジメチルL(−)マレート メタノール1356m1を仕込んだ容器中に、塩化アセ
チル67.8m1(78,5g1モル)を3〜4℃で滴
々に添加した。この溶液にL −1)ンゴ酸176g(
134g1モル)を3.5分間にわたって導入した0次
いで反応混合物を0℃で2時間、次いで室温で約18時
間攪拌し、真空下に濃縮した。 残渣の蒸留を真空下に行ない本段階での標題の化合物を
得た(沸点78〜86℃/ 0 、77 IIIn)。 第2段階、メチル3S、4−ノヒドロキシブチレート 乾燥THF(250論1)中上記第1段階のヒドロキシ
−ジエステル19.2g(0,12モル)を仕込んだ容
器に、ボランツメチルスルワイド(0,122モル)の
10M溶液12.jnlを窒素雰囲気下に添加し、そし
て混合物を16〜20°Cで0.5時間攪拌した(水素
〃スを発生)。次いでこの混合物に0.28のNaBH
,(6ミリモル)を添加し、得られた溶液を更に0.5
時間攪拌した。この期間中温度は20から25℃に上昇
した。次いで乾燥メタノール?7a+1を添加し、攪拌
を0.5時間継続した。溶媒を先ずアスピレータ−で除
去し、次いで減圧下に蒸発させて本段階の粗生成物17
.34゜を得た。これを酢酸エチル:ヘキサン(2:1
 )を最初の流出剤として及び酢酸エチルを最終流出剤
として用いるカラムクロマトグラフィー(5X18゜5
cm)により精製し、本段階の標題の生成物14゜55
6gを得た。 第3段階、メチル4−トリチロキシ−38−ヒドロキシ
ブチレート ピリジン257m1に溶解した上記第2段階の生成物2
5.75g(0,192モル)に、塩化メチレン172
m1に溶解したトリチルクロライド56゜25g(0,
201モル)を0℃で滴下した。添加の完了後、反応混
合物を室温まで暖め、攪拌を約16時間続けた6次いで
溶媒を減圧下に除去して残渣を得、これを酢酸エチルに
溶解した。有機層を2N塩酸で洗浄してビリノンを除去
し、続いて炭酸水素す17 )ラムの飽和水溶液で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した0次いで
溶媒を蒸発させて本段階の標題の粗生成物を得、これを
酢酸エチル:ヘキサン(1:18)を流出剤とするカラ
ムクロマトグラフィーで精製し、本段階の標石の化合物
61.4gを固体として得た。[α]=−4°。 第4段階、3−ヒドロキシ−4−トリチロキシ酪酸第3
段階のヒドロキシエステル生成物7.227g(19,
22ミリモル)を0℃下にTHF20+*1に溶解し、
この溶液にIN水酸化ナリトウム溶液20w1(20ミ
リモル)を0℃下に滴下した。添加の完了後、得られた
溶液を暖め、室温で2時間攪拌した(この時点でTLC
は出発原料のないことを示した)、この溶液にクエン酸
(25II+1.28%水溶液)を注いだ中和した。水
性層を塩化メチレン1501ずっで3回抽出した。−緒
にした有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、本段階
の生成物を得た。これを次の段階で直接使用した。 rjS5段階、エチル5S−ヒドロキシ−6−ドリチロ
キシー3−オキソ−ヘキサノエート 無水THF19.2il中の上記第4段階のヒドロキシ
酸生成物1.392g(3,84ミリモル)の溶液に、
1,1−カルボニルノイミグゾール0.685g(4,
228ミリモル)を0℃で添加した。得られた溶液を室
温で4時間攪拌し、次いでこの溶tl:Mg(Coo−
CHz−COOC2Hs)z 1.218g(4,22
8ミリモル)を同一の温度で添加し、そして反応混合物
を約16時間攪拌した0次いで溶媒を減圧下に蒸発させ
て残渣を得、これを酢酸エチルに溶解した。この混合物
に25%クエン酸溶液11R1を添加して酸性にした。 水溶液を酢酸エチルの更に90m1で抽出した。−緒に
した育成IGを、水性層が塩基性になるまで炭酸水素ナ
トリウム水溶fi(10%)25zi’ずつで2回洗浄
し、抽出物を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、i!過し
た。 溶媒を減圧下に除去して本段階の標題の粗生成物を得た
。これを酢酸エチル:ヘキサン(1:4)を流出剤とす
るカラムクロマトグラフィーで精製し、本段階の標題の
生成物0.72 sgを得た。[α]。 =−10,14° 。 第6段階、エチル(syn) 3 w 5−ジヒドロキ
シ−6−トリチロキシヘキサノエート 無水THF8z1及びエタノール2′1.lに溶解した
上記第5Fj、階のヒドロキシ−ケト−エステル生成物
0.429g(0,988ミリモル)をIM)リエチル
ポラン(ヘキサン中)2.2zj!と室温で混合した。 (熱は発生しなかった)、得られた溶液を室温で2時間
攪拌し、次いで水素化ホク素ナトリツム41゜61鋤g
を一78℃で添加した。この反応混合物を室温で5時間
攪拌した。(TLCは痕跡量の出発原料が存在すること
を示した)、この溶液を、工タノールー 7,24u(
1,pH=7.00の促衝溶液17.24zN及び30
%水性過酸化水素8.62xfの溶液に一70℃で注い
だ。冷却を止めた後、溶液をR,T、で30分間攪拌し
た。次いで有機溶媒のほとんどを減圧下に蒸発させて残
渣を得た。この残渣を塩化メチレンで2回抽出し、−緒
にした有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、it過
し、蒸発させて本段階の標題の粗生成物を得た。これを
カラムクロマトグラフィーで精製して、本段階の標題の
ジオール−エステルの精製物を得た(348B)。[α
]  =−4,72°(約98%5yn)。 トリエチルボランの代りに凡そ当量のモノメトキシ、ノ
エチルボランを用いる以外上述の段階を繰返すことによ
り、同一の生成物を得た(約98% 5ynliA性体)。 第7段階、エチル(syn)−3+ 5−ノー(フェニ
ルLert−ブチルシロキシ)−6−)リチロキシーヘ
キサ/エート 上記第6段階のジオール−エステル生成物0.263g
(0,6ミリモル)をDMF2,5zlに溶解し、この
溶液にイミダゾール0.205g(5当量)を添加した
。この混合物を10分間攪拌し、次いで1−ブチル−ジ
フェニルシリルクロライド0.373g(1,32ミl
jモル)を注射器で滴々に導入した。 4時間攪拌した後、反応混合物を60゛まで加熱し、1
8時間攪拌し続けた。次いで混合物を酢酸エチルで希釈
し、3回水洗した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、iIl!過しだ。そして溶媒を除去して本段階の
標題の粗生成物を得た。これを酢酸エチル:ヘキサン(
1:25)を流出ルーとするカラムクロマトグラフィー
で精製し、本段階の標題の精製した生成物480+nH
を得た。[α1 =−24,553“。 ’jS 8 j、x階、エチル(syu)−3、5−ジ
(ジフェニルterL−プチルシリロシキ)−6−ヒト
ロキシーヘキサノエート 上記第7段階のジシロキシーエステル生成物0゜443
g(9,486ミリモル)を塩化メチレン5xlに1M
し、70%(v/V)水性トリプルオル酢酸0゜5z1
と一78°Cで混合した。添加の完了後、反応混合物を
O′Cまで暖め、その温度で3時間攪拌した0次いで反
応混合物を酢酸エチルで希釈し、飽和炭酸水素ナトリウ
ム溶液で洗浄した1次(1で有機溶媒を除去して本段階
の標題の粗生成物を得た。 これをヘキサンで希釈し、所望の生成物のν・ずれでも
汚れていないトIJフェニルメタノールを沈殿させた。 固体を濾別し、母液を真空下に濃縮して粗混合物を得た
。これを酢酸エチル:ヘキサン=1:10を流出剤とす
るカラムクロマトグラフィーでN製し、本段階の生成物
0.272gを得た。 [a] =−7,8°。 第9段階、3 R,5S−ビス−(ジフェニル−ter
t−ブチルシロキシ)−6−ヘキサン酸エチルエステル
上記第8段階のヒドロキシ生成物0.239g(0,3
57ミリモル)を塩化メチレン2 、5 xiに溶解し
た。この溶液にモレキュラーシーブ(4A)0゜48g
を添加し、次いでビリノニウムクロルクロメート0.2
4g(1,11ミリモル)を室温で添加した。得られた
混合物を室温で1時間攪拌した。 全混合物を、セライトを含む濾過漏斗の上に置き、生成
物を塩化メチレンで流出させて本実施例の標題の生成物
215ragを得た。[α]D=−1,31°。 第5段階において′−′  マグネジツムビス−(モノ
エチルマロネート)の代りに凡そ当量の a) マグネジツムビス−(モノアリルマロネート)又
は b)  マグネジ1ンムビスー(モノ7ナルマロネート
)(上記製造例1で製造) を用い、また第6段階においてエタノールの代りに当量
の a)  7リルアルコール又は b) メタノール をそれぞれ用いる以外本実施例の方法を繰返すことによ
り、対応して a)  3R,5S−ビス−()7.エニJレーjer
k−ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸7リル
エステル、又は b)  3R,5S−ビス−(ノフェニルーLert−
ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸メチルニス
チル をそれぞれ得た。 実施例2 (E)−ナトリウムエリスロ−7−[1”−イソプロピ
ル−3’−(4”−フルオルフェニル−インドルー2°
−イル]−3.5−シ′ヒドロキシヘプト−6−エノエ
ート第1段階、アリル、エリスロ−3,5−ノー()7
エ二ルーt−ブチルシロキシ)−6−ヒトミキシーヘキ
サノエート(ラセミ体) アリルアルコール132z1にT F A 1 ml及
ゾシスー2−オキシ−4,6−ノー(ジフェニル−ドブ
チルシロキシ)−シクロヘプタノン30gを添加した。 (米国特許第4,571,428号の実施例1、第り段
階に開示されている)、この混合物をa流(内部温度約
97℃)するまで5〜6時間加熱した1次いで混合物を
室温まで冷却させた。存在する少量の固体を濾別し、濾
液を蒸発乾固させて本段階の標題のヒドロキシ生成物を
残渣として得た。この残渣に水と塩化メチレンを添加し
、生成物を抽出した(分離は乳化のため遅かった)、抽
出物から、次の段階で使用するために溶媒を蒸発させる
ことによって精製し生成物を回収した。 第2段階、エリスロ−3,5−ジ・(ジフェニル−t−
ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸アリルエス
テル(ラセミ体) 上記第1段階のヒトaキシ生成物1.36g(2ミリモ
ル)、ビリジニエムクロルクロメー)1.0’8g(5
ミリモル)、モレキュラシープ4Aの粉末2.00g、
及び塩化メチレン30R1を容器に仕込み、混合物をR
,T、で2時間攪拌した0次いで混合物をシリカゾルを
通して!を過し、濾液を蒸発させて本段階の標題のアル
デヒド生成物を残渣として得た。これを次の段階で使用
した。 m3段階、(E)−7リル、エリスロ−7−[1“−イ
ソプロピル−3’−(4−フルオルフェニル)−インド
ルー2′−イル]−3,5−(ジフェニル−L−プチル
シαキンンーヘプトー6−エノエート 上記製造例4で得た[1゛−イソプロピル−3°−(4
’−フルオルフェニル)インドルー2゛−イルコメチル
−ホスホン酸ジメチルエステル0.75g(2ミリモル
)を乾燥THF”rzlに溶解し、混合物を一20℃ま
で冷却した0次いでn−ブチルリチ゛クムの1゜5M溶
a(”r HF溶り1.4mlをm加L、混合物を一2
0℃で20分間攪拌した。 この混合物に、乾燥THF3ml中のエリスロ−3.5
−シー(ノフェニルーE−ブチルシロキシ)−6−オキ
ソ−ヘキサン酸アリルエステル(上記第2段階の生成物
0.34g(229モル)を添加し、混合物を0℃で5
時間攪拌した。 反応混合物を塩化メチレン5011で希釈し、飽和塩化
アンモニウム水溶液で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、蒸発させて本段階の粗生成物を含有す
る残渣を得た。この残渣を、ヘキサン/酢酸エチル(4
/1)で流出させるシリカゾルでのクロマトグラフィー
に供し、本段階の標題のi/l!!シた生成物を回収し
た(収率的50%)。 ′jS4段階、(E)−エリスロ−7−[1’−インプ
ロピル−3’−(4”−フルオルフェニル)−インドル
ー2′−イル]−3,5−(ノフェニルーし一ブチルシ
ロキシ)−ヘプト−6−エン酸 上記第3段階のアリルエステル0.90g(1ミリモル
)、氷酢酸311R、トリフェニルホスフィン4+og
、バラノウムチトラ(トリフェニルホスフィン)40+
B及び塩化メチレン3x(lの混合物を、RlT、で1
時間攪拌した0次いで混合物を蒸発乾固して残渣を得た
。この残渣をヘキサン:酢酸エチル(4:1)を流出剤
とするシリカゾルでのクロマトグラフィーに供し、本段
階の標題の精′51された生成物を得た。 第5段階、(E)−ナトリウムエリスロ−7−[1’−
イソプロピル−3’−<4“−フルオルフェニル)イン
ドルー2°−イル]−3,5−7ヒドロキシヘプトー6
−エノエート 1Mテトラブチルアンモニウムフルオリド(THF中)
20z1を氷酢酸1,2x(lと)昆合した。得られた
;斧液に、2つの保護基を有する上記第4段階の酸を添
加し、次いで混合物を大気温度で約501時間攪拌した
。 反応混合物を酢酸エチル200zNで希釈し、4回水洗
した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、蒸発さ
せて残渣を得た。この残渣を水及びヘキサン間に分配し
、固体を得た。この固体は標題の生成物の遊離の酸であ
り、これを濾過によって回収した(収率的100%)。 この遊離酸を常法によりナトリウム塩に添加した。 第八段に上述した技術を用いて本実施例の第4段階の工
程を繰返すことにより、改良された収率が達成できた。 第3 pi階におけるWとして、a)製造例2、b)製
造例3、又はc)[1”−イソプロピル−3°−(3”
。 5゛−ツメチルフェニル)インドルー2°−イルJメチ
ルホスホン酸ツメチルエステル(同様に製造)のホスホ
ネートエステルを用いて本実施例の工程を繰返すことに
より、a)(E)−エリスロ−7−[1’−(4”−フ
ルオルフェニル)−4’−イソ70ビル−2’−7二二
ルー1:]−イミグゾルー5−イル]−3.S−ノヒド
ロキンヘプト−6−エン酸及びそのナトリウム塩;b)
(E)−エリスロ−7−[1−(3,5−ツメチルフェ
ニル)−3−メチル−2−す7タレニル]−3,5−ジ
ヒドロキシヘプト−6−エン酸及ゾそのナトリウム塩;
及び(c)(E )−エリスロ−7−[1’−イソプロ
ピル−3゛−(3゛、5゛−ツメチルフェニル)−イン
ドルー2°−イルl−3,5−ノビトロキシ−6−エン
酸及びそのナトリウム塩を製造した。 ラセミ体の二人りロー3,5−ノ(ノフェニルー1−ブ
チルシロキン)−6−オキソ−ヘキサン酸アリルエステ
ルの代りに、実施例1で製造した3 R,5S−キラル
体を用いる以外実施例を繰返すことにより、3 R,5
S−キラル形の本実施例の標題の生成物を得た。 実施例3 氷酢酸/)リフェニルホスフイン/パラジウムテトラ(
トリフェニルホスフィン)系の代りに第八段の系を当量
で用い且つ第八段に特記する反応条件を変える以外実施
例2の第4段階の工程を繰返すことによって第八段に示
す如き結果を得た。 実施例4 し−ブチル5S−ヒドロキシ−6−ドリチロキシー3−
オキソ−6−ヘキサノエート 窒素雰囲気下0℃において、ローブチルリチウム1.5
M(132ミリモル)を乾燥THF150−2中ジイソ
プロピルアミン18.49mj2(132ミリモル)に
滴下し、混合物を30分間攪拌してリチウムノイソプロ
ビルアミド試剣を製造した。 この試剤の溶液を一70℃まで冷却し、これに乾j2T
HF25mj!中酢酸t−ブチル17.76mjt(1
32ミリモル)の溶液を−65〜−70℃で1時間にわ
たって添加し、リチウムt−ブチルアセテートを生成せ
しめた。完全に添加した後、冷却を保ち、得られた溶液
を1.5時間攪拌した。 リチウムt−ブチルアセテートの溶液に、乾燥THF7
5mj!中メチル4−トツメチル4−トリチロキシドロ
キシブチレート(実施例1の第3段階で製造N 1.2
8g(30ミリモル)を−65〜−70℃で添加した。 トリチルエステルの添加の完了後、得られる黄色の溶液
を約−70℃で0.5時間攪拌し、次いでこれを一10
℃まで暖め、−10℃で1時間攪拌した(この時TLC
は反応の終了を示した)、飽和水性塩化アンモニウム1
50噛2を添加して、反応を−60〜−70℃で停止さ
せ、次いで混合物を0℃に暖めた0次いで全反応混合物
を分液枦斗に移し、酢酸エチルで希釈し、有機相を分離
した。 次いで水性層を酢酸エチルの更なる200mj!で抽出
し、IN塩酸90mj!、飽和水性炭酸水素ナトリウム
90m1で洗浄し、乾燥し、濾過した。 次いで有機抽出溶液を蒸発させて粗生成物17゜43g
を得た(純度はクロマトグラフィー分析によると本段階
の標題の生成物の約80%と推定される)。 実施例5 (E)−エリスロ−7−[1’−(4”−フルオル7エ
二ル)−4’−イV70ビルー2’−7二二ルーIH−
イミダゾルー5−イル]−3R,5S−ジヒドロキシヘ
プト−6−エン酸ナトリウムエリスロ−3.5−シー(
ジフェニル−t−ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキ
サン酸アリルエステル(ラセミ体)の代りに凡そ当量の
、a)(3R,5S)−ビス−()7sニル−tert
−ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸アリルエ
ステル; b)(3R,5S)−ビス−(ジフェニル−tert−
ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸エチルエス
テル; c)  (3R,5S’)−ビス−(ノフェニルーte
rt−ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸メチ
ルエステル(実施例1に従って製造)、又はd) 上記
実施例4の!!J、題のt−ブチルエステルアルデヒド
生成物、 を用い且つ製造例4のインドールホスホネートエステル
の代りに凡そ当量の製造例2のインド−ルホスホネート
エステルを用いる以外実施例2の第2段階の工程を繰返
すことにより、それぞhエリスロ−?−[1’−(4”
−フルオルフェニル)−4′−インプロピル−2′−フ
ェニル−I H−イミダゾルー5−イル]−3R,5S
−ツー()7工二ルーtert−ブチルシロキシ)−6
−ヘプテン酸のアリル、エチル、メチル、又はt−ブチ
ルエステル形を得た。これらは脱保護基によりそれぞれ
標題の酸塩の a) アリル、 b) エチル、 C) メチル、又は cl)  t−ブチル エステル形を生成し、この各はけん化した時或いは常法
により、例えば米国特許第4,571.428号及びW
O34102131号に記述されている方法と同様にし
て加水分解し、続いてナトリウム塩とした時に標題の生
成物を与えた。 標記生成物 融点=207−210°C(色消失)α分
= + 18.31°(0,7CH、OH)メチルエス
テル 融点=139−140℃α竹= +41.51(
2,28CH、OH)t−ブチルエステル 融点=14
4−145℃α竹= +8.48(2,19CH,Cl
2)実施例6 (E)−エリスロ−7−[1’−イソプロピル−3′−
(4”−フルオルフェニル ル]ー3R,5Sージヒドロキシヘプト−6−エン酸ナ
トリウム エリスロ−3.5−シー(ジフェニル−t−ブチルシロ
キシ)−6−オキソ−ヘキサン酸アリルエステル(ラセ
ミ体)の代りに凡そ当量の、a)(3R,5S)−ビス
−(ジフェニル−tert −ブチルシロキシ)−6−
オキソ−ヘキサン酸7リルエステル; b)(3R,5S)−ビス−(ジフェニル−tertー
プチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸エチルエス
テル; c)(3R,5S)−ビス−(ノフェニルーtert 
−ブチルシロキシ)−6−オキソ−ヘキサン酸メチルエ
ステル(実施例1に従って製造)、又はd)上記実施例
4の標題のし一ブチルエステルアルデヒド生成物、 を用いる以外実施例2の第2段階の工程を繰返すことに
より、エリスロ−?−[1’−イソプロピル−3’−(
4”−フルオルフェニル −イル]ー3R,5SーノーC?)yxニル−tert
−ブチルシロキシ)−6−ヘプテン酸のアリル、エチル
、メチル、又はt−ブチルエステル形を得た。 これらは脱保護基によりそれぞれ標題の酸塩のa〕 ア
リル、 b) エチル、 C) メチル、又は d)  L−ブチル エステル形を生成し、この各はけん化した時或いは常法
により、例えば米国特許第4,571,428号及びW
O8 410 2 1 3 1号に記述されている方法
と同様にして加水分解し、続いてナトリウム塩とした時
に標題の生成物を与えた。 実施例7 第1工程を一70℃で5時間(室温で2時間の代りに)
行なう以外実施例1の第6段階を繰返すことにより、そ
の段階の標題の生成物を同様にして得た。 実施例8 エチル3 R.5 S−ジヒドロキシ−6−トリチロキ
シヘキサノエート 乾燥THF180aiA及びメタノール(モレキュラー
シープで乾燥)45mlをR.T.且つアルゴン雰囲気
下に含有する容器に、THF(45mA>中IM)リエ
チルボラン45mlを添加した.得られた混合物をR.
T.で15分間攪拌し、次いで一70℃まで冷却し、−
70℃で20分間攪拌し、そして反応混合物を−70〜
−67℃に維持しながら乾燥THF60mj2及び乾燥
メタノール15イ2中エチル5S−ヒドロキシ−6−ト
リチロキシへギサノエート(実施例1の第5段階で製造
)15、20g(35ミリモル)を30分間にわたって
攪拌しつつ添加した。添加の完了後、反応混合物を−7
0℃で25分間攪伸した。 次いでこの反応混合物に、攪拌しつつ一70℃に保ちな
がら水素化ホラ素ナトリウム(ペレット)1.47gを
添加した。添加が終ってから約3分後に泡の発生が観察
された。混合物を一70℃で3時間攪拌し続けた。 次いで飽和水性塩化アンモニ9ムを−70〜−60℃で
添加して反応を停止させた0次いで酢酸エチル200e
tJ2を添加し、混合物をゆっくりとR,T、まで暖め
た。次いで有機層を回収した。水性層を酢酸エチル25
01で抽出した。−緒にした酢酸エチル抽出物を乾燥し
、濾過し、蒸発乾固して残渣(ボロネート錯体)を得た
。 次いでこの残渣にHPLC級メタノールを添加し、ボロ
ネート錯体が標題のジオール生成物に転化されるまで(
TLCで監視)得られた混合物を共沸させた;必要に応
じてメタノールを追加した。 次いでシリカでのカラムクロマトグラフィー(酢酸エチ
ル/ヘキサン=に6で流出)によって標題のジオール生
成物を回収した。 実施例9 約−70℃の反応器中において、乾燥THF240ml
、乾燥、メタノール60mjt、二チル5S−ヒドロキ
シ−6−ドリチロキシー3−オキソ−ヘキサノニー)1
5.20g及びIM)リエチルボラン(T HF中)4
5+*lを一緒に出発物質とし、また室温段階を省略す
る以外実施例8の工程を繰返すことにより、対比しうる
結果を得た。 実施例10 ケト−ヒドロキシエチルエステルの代りに当量のt−ブ
チル、メチル又はアリルエステル同族体を用いる以外実
施例8及び9の工程を繰返すことにより、対比しうる結
果を得た。 特許出願人 サンド・アクチェンデゼルシャ7ト

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、1)式H ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(H) [式中、tはトリフエニルメチルである] のカルボン酸を式Z Mg(OOCCH_2COOR^0_2)_2……(Z
    ) [式中、R^0_2は反応条件下で不活性であるエステ
    ルを形成する基である] のビスマグネシウム塩と反応させて式Ga ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(G) [式中、t及びR^0_2は上述と同義である] の対応するケト−ヒドロキシエステルを製造し; 2)式Gaの化合物を還元して式F ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(F) [式中、t及びR^0_2は上述と同義である] の対応するジオールを製造し; 3)該式Fの化合物を2ケ所保護して式E ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(E) [式中、P_1は保護基であり、そしてR^0_2は上
    述と同義である] の対応する化合物を製造し; 4)該式Eの化合物のt−(トリフエニル)メトキシ基
    を開裂して式D ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(D) [式中、P_1及びR^0_2は上述と同義である] の対応する5−ヒドロキシ化合物を製造し;そして 5)該式Dの化合物を酸化し式Cの対応する化合物を製
    造する、 ことを特徴とする3R,5R−OP_1形の式C ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(C) [式中、P_1及びR^0_2は上述と同義である] の化合物の製造法。 2、a)特許請求の範囲第1項記載の式Cの化合物を、
    適当なR含有試剤とのウイテイツヒ反応に供して式Y ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(Y) [式中、Rは後述する基A〜Hのいずれかであり、そし
    てP_1及びR^0_2は上述と同義である] の化合物を製造し; b)この化合物の保護基を除去して式I_1 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(I_1) [式中、R及びR^0_2は上述と同義である] の化合物を製造し; c)所望により又は適当ならばこれを常法によつてR^
    0_2がR_1又は他の基である式Iの化合物又は他の
    化合物に転化する、 ことを特徴とする3R_1、5S−形の式I ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(I) [式中、R及びR_1は上述と同義である] の化合物の製造法。 3、R含有試剤を式Q R−CH=P(Rw)_3…(Q) 又は式Qy ▲数式、化学式、表等があります▼…(Qy) 又は式W ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(W) のものから選択する、但し上式中Rは上述と同義であり
    、Rwはアリール特に未置換のフエニルであるか或いは
    1つ又は2つの低級アルキル(C_1_〜_4)又はク
    ロル置換基で置換されたフエニルであるか又はn−(C
    _1_〜_4)アルキル或いはシクロヘキシルであり、
    Ryはn−(C_1_〜_4)アルキル特にエチルであ
    り、そしてR_7はn−(C_1_〜_4)アルキル又
    はフエニル特にメチル又はエチルである、特許請求の範
    囲第2項記載の方法。 4、R^0_2がアリル(allyl)である特許請求
    の範囲第2項記載の方法。 5、R含有基試剤が特許請求の範囲第3項記載の式Wの
    ものである特許請求の範囲第2、3又は4項記載の方法
    。 6、a)式L ▲数式、化学式、表等があります▼…(L) [式中、R’_3は反応条件下で不活性であるエステル
    形成基である] のリンゴ酸のジエステルを還元して式K ▲数式、化学式、表等があります▼…(K) [式中、R’_3は上述と同義である] の化合物を製造し、 b)式Kの化合物をトリチル化して式J ▲数式、化学式、表等があります▼…(J) [式中、t及びR_3’は上述と同義である] の化合物を製造し、そして c)式Jの化合物をけん化し且つ得られた塩を中和する
    、 ことによつて式Hの化合物を製造する特許請求の範囲第
    1項記載の方法。 7、式Y’ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・(Y’) [式中、P_1及びRは上述と同義である] の化合物。 8、ラセミ体の分割以外の方法で製造した3R,5S−
    形にある特許請求の範囲第2項に記載の式Iの化合物。 9、3R,5S−光学異性体の含量が100%に近似す
    る特許請求の範囲第2項に記載の式Iの化合物。 10、実質的に純粋な(E)エリスロ−7−[1’−(
    4”−フルオロフエニル)−4’−イソプロピル−2’
    −フエニル−1H−イミダゾール−S−イル]−3R,
    5S−ジヒドロキシヘプト−6−エン酸の遊離形、ナト
    リウム塩形又はそのアリル、エチル、メチルもしくはt
    −ブチルエステル。
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