JPS63215790A - 液晶組成物 - Google Patents

液晶組成物

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JPS63215790A
JPS63215790A JP62048099A JP4809987A JPS63215790A JP S63215790 A JPS63215790 A JP S63215790A JP 62048099 A JP62048099 A JP 62048099A JP 4809987 A JP4809987 A JP 4809987A JP S63215790 A JPS63215790 A JP S63215790A
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liquid crystal
trans
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Shinichi Sawada
沢田 信一
Tetsuya Matsushita
哲也 松下
Toyoshiro Isoyama
磯山 豊志郎
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00Liquid crystal materials
    • C09K19/04Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/42Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は液晶表示用の液晶組成物に関する。
さらに詳しくは、高時分割表示装置に使用される液晶組
成物に関する。
(従来の技術) 最近の情報機器の急速な発達、特に携帯用端末機器の成
長に伴い、従来のCRT羞みの表示容量、表示品質をも
つ小形、薄形、低消費電力の表示デバイスに対する要求
が強まってきている。液晶表示装置は上述の小形、薄形
、低消費電力という要請にこたえて従来からねじれ角が
90′であるTN型液晶セルのマルチプレックス駆動に
よシ時計、電卓をはじめ1/100デユ一テイ程度まで
の表示端末装置として使用されてきたが、原理上これ以
上のデユーティ数の拡大は表示品質の低下をもたらし困
難なものとされている。
これに対し、カイラルネマチック液晶の電気光学特性で
の双安定性が生じるぎシぎシのねじれ角を180〜27
0’の間に定めた液晶セルの複屈折効果を利用するスー
パーツイスト複屈折効果方式(以下SBE方式と略す)
が提案されている。このSBE方式は、通常の90″ツ
イストのTN方式のマトリックスディスプレイと同じ駆
動方法、すなわち印加電圧の実効値に応答するファスト
スキャンアドレッシング方式で駆動するマトリックスデ
ィスプレイが可能であり、また90”ツイストTNディ
スプレイよりもかなシ良好なコントラストとより広い視
角をもつことがシエファー等によシ報告されている。
(T、 J、 5cheffer、 J、 Nehri
ng : Appl、 Phys、 Lett、 45
゜1021 (1984)参照) SBE方式の表示素子に用いられる液晶混合物に要求さ
れる特性としては、まず、 (11電圧−透過率特性が急峻であること。
さらに現在の90”ツイストのTN方式においても要求
されている。
(2)ネマチック−等方性液相転移温度が高いこと。
(3)セル厚(dと略記する)に応じて適当な屈折率異
方性値(以下Δnと略記する)をとりうろこと。
(4)粘度が小さいこと。
等である。
(2)の特性はSBE方式においては、Δnの温度依在
住によってディスプレイに色づきが生じるのを抑えるた
めに必要で、透明点は70℃以上であることが望まれる
。(4)はツイスト角が240′よシ小さく、プレチル
ト角が6″未満のSBE方式の液晶セルにおいてその応
答時間を小さくするのに特に有効である。
(発明が解決しようとする課題) 本発明の目的は、前記したように高い透明点と小さい粘
度をもちさらに所望のΔn値をとシうることに加えて、
SBE方式表示において電圧−透過率特性における急峻
性を改良したネマチック液晶混合物を提供するにある。
本発明の別の目的はSBE方式において電圧−透過率曲
線が急峻でコントラストの良い液晶表示素子を提供する
ことにある。
(課題を解決するための手段) 本発明の第一は、 ((■)式中、i(Iは炭素数1〜8のアルキル基を示
し、R2はHまたはFを示す)にて表わされる化合物か
らなる第一の成分、および 一般式 ((■)式中、R1は前記した意味をもち、R8は炭素
数1〜8のアルキル基もしくはアルコキシ基を示す)に
て表わされる化合物から々る第二の成分、および 一般式 (@)式中、R1は前記した意味をもち、R4はF、−
CNまたは炭素数1〜8のアルキル基もしくはアルコキ
シ基を示す)にて表わされる化合物からなる第三の成分
とを合計して少なくとも70重量パーセント含有してな
る液晶組成物。
(2)  前項において、第一、第二および第三の成分
の含量がそれぞれ20〜40重量パーセント、10〜4
0重量パーセントおよび20〜50重量パーセントであ
る液晶組成物。
(3)前記第(2)項において、第一の成分が、一般(
QV)式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を示す)
にて表わされる化合物からなる成分である、液晶組成物
(4)前記第(2)項において、第一の成分が一般式(
(V)式中、R1は炭素数1〜8のアルキル基を示す)
にて表わされる化合物からなる成分である、液晶組成物
本発明の第二は、前記の第(11項ないし第(4)項の
いずれか1項に記載の液晶組成物を用いることを特徴と
する液晶表示素子、である。
本発明の組成物において (IJ式で表わされる第一の成分化合物の含有量は20
〜40重量パーセントが好適である。含量が20重量パ
ーセント未満ではしきい値電圧の低下が充分ではない。
また、含量が40%をこえると得られる液晶組成物の透
明点が低下し、このため屈折率異方性量(Δn)の温度
依存性が大きくな夛、ひいてはディスプレイの色味を変
化せしめる悪影響が生じるので好ましくない。
(If)式で表わされる第二の成分化合物の含有量は1
0〜40重量パーセントが好適である。含量が10重量
パーセント未満では充分なるΔnが得られず、含量が6
0重量パーセントをこえると得られる液晶組成物の透明
点の低下による前述の悪影響が生じるのでやはシ好まし
くない。
(2)式で表わされる第三の成分化合物の含有量は20
〜50重量パーセントが好適である。含量が20重量パ
ーセント未満では得られる液晶組成物の透明点が高くで
きないので不充分であシ、含量が50重量パーセントを
こえると、ネマチック相下限温度が上昇し、低温側にお
ける動作温度範囲を狭くするので適当でない。
(実施例) 以下に実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれ
らの実施例に限定されるものではない。
なお、本発明において電圧−透過率特性の急峻性とはデ
ィスプレイ表示面に対して垂直な光軸方向の光の透過率
が10%、80%になるときの電圧をV、、 、 V、
、と表わすとき、次式を用いて定義される。ここでvI
oをしきい値電圧、■、。をON電圧とする。
α=v8゜/ Vl。         (1)従って
パラメータαが1に近いほど電圧輝度特性が急峻である
ことを示している。時分割数を表わすパラメータNma
xをαを用いて次式で定義する。
Nmaxが大きいほど高時分割できることを示している
また、以下の実施例および比較例において組成は重量パ
ーセントを以って表わす。
実施例1 一般式(1)の化合物として次の2つの化合物4−()
ランス−4−エチルシクロヘキシル)−2−フルオロベ
ンゾニトリル           10係4−()ラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロベ
ンゾニトリル          10%一般式(n)
の化合物として次の4つの化合物4−エチル−47−メ
チルジフェニルアセチレン    10係4−エチル−
4′−へキシルジフェニルアセチレン  10tfb4
−メチル−47−へキシルジフェニルアセチレン   
 5係4.4′−ジブチルジフェニルアセチレン   
   5係一般式(nl)の化合物として次の5つの化
合物4−(トランス−4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル)ベンゾニトリル   
                         
 7係4−(トランス−4−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−メチルベンゼ
ン                    7%4−
(トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)シクロヘキシル)−1−プロピルベンゼン   
                 17係4−(トラ
ンス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキシル)−1−フルオロベンゼン      
              4係4−(トランス−4
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キシル)−1−メトキシベンゼン          
           5%および一般式(1)〜Q[
[)以外の化合物として4−フルオロフェニルトランス
−4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)シク
ロヘキサンカルボキシレート            
    10%から彦る液晶組成物を調製した。この液
晶組成物の透明点は86.2℃、屈折率異方性は0.1
40.20℃における粘度は17.4cpであった。該
組成物にカイラル物質(メルク社製S−811)を添加
したものを、ポリイミド系の配向膜をラビングした小さ
なティルト角(<3°)ならびにツイスト角180°の
セルにd−Δn=0.9、d/P = 0.5の条件下
で封入し、緒特性を測定した。ここにPはカイラルネマ
チック液晶の固有のらせんピッチ、dはセル厚である。
25℃におけるしきい値電圧は2.15Vであシ、急峻
性をあられすパラメータαは1゜080であり、時分割
数を表わすパラメータNmaxは170であった。
実施例2 一般式(I)の化合物として次の2つの化合物4−()
ランス−4−エチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル 
                  12係4−()
ランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾニトリル
                  16係一般式(
II)の化合物として次の3つの化合物4−エチル−4
7−メチルジフェニルアセチレン    10%4−エ
チル−4′−へキシルジフェニルアセチレン  10係
4−メチル−4′−へキシルジフェニルアセチレン  
 5%一般式(I[[)の化合物として次の5つの化合
物4−(トランス−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシル)ベンゾニトリル    
                        7
係4−(トランス−4−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)シクロヘキシル)−1−メチルベンゼン 
                    6%4−(
トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル) −i −フロビルベンゼン  
                 17係4−(トラ
ンス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキシル)−1−フルオロベンゼン      
               4係4−(トランス−
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン         
            5%および一般式(1)〜(
Ill)以外の化合物として4−エトキシフェニルトラ
ンス−4−ブチルシクロヘキサンカルボキシレート  
          8係からなる液晶組成物を調製し
、実施例1と同様にしてその特性を測定した。結果を実
施例1の結果とともに第1表に示す。
実施例3 一般式(1)の化合物として次の2つの化合物4−()
ランス−4−エチルシクロヘキシル)−2−フルオロベ
ンゾニトリル           20係4−()ラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロベ
ンゾニトリル          20係一般式(II
)の化合物として次の化合物4−エチル−4′−メチル
ジフェニルアセチレン   10%一般式@)の化合物
として次の4つの化合物4−(トランス−4−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)ベ
ンゾニトリル                   
         10%4−(トランス−4−(トラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)
−1−メチルベンゼン               
     10係4−(トランス−4−(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−プ
ロピルベンゼン                  
  20%4−(トランス−4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−フルオロ
ベンゼン                   10
係からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様にして
その特性を測定した。結果を第1表に示す。
実施例4 一般式(1)の化合物として次の2つの化合物4−()
ランス−4−エチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル 
                   14%4−(
)ランス−4−エチルシクロヘキシル)−2−フルオロ
ベンゾニトリル           10係一般式(
If)の化合物として次の4つの化合物4−エチル−4
7−メチルジフェニルアセチレン    10%4−エ
チル−4′−へキシルジフェニルアセチレン  10係
4−メチル−4′−へキシルジフェニルアセチレン  
 5%4、4”−シjチルジフェニルアセチレン   
   5%一般式(I[[)の化合物として次の5つの
化合物4−(トランス−4−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)ベンゾニトリル  
                         
 7%4−(トランス−4−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−メチルベンゼ
ン                     7qb
4−(トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)シクロヘキシル)−1−プロピルベンゼン 
                   13係4−(
トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)シクロヘキシル)−1−メトキシベンゼン    
                 5係4−(トラン
ス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シ
クロヘキシル)−1−フルオロベンゼン       
              4%および一般式(I)
〜OI[)以外の化合物として4−フルオロフェニルト
ランス−4−()ラン入−4−プロピルシクロヘキシル
)シクロヘキサンカルボキシレート         
        10qbからなる液晶組成物を調製し
、実施例1と同様にしてその特性を測定した。結果を第
1表に示す。
実施例5 一般式(I)の化合物として 4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾ
ニトリル                  40%
一般式(II)の化合物として次の4つの化合物4−エ
チル−4′−メチルジフェニルアセチレン   10%
4−エチル−47−へキシルジフェニルアセチレン  
 10%4−メチル−4′−へキシルジフエニノげセチ
レン     5cI)4.4′−ジブチルジフェニル
アセチレン      5係一般式Q[[)の化合物と
して次の2つの化合物4−(トランス−4−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)ベン
ゾニトリル                    
         10係4−(トランス−4−(トラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)
 −i −7’ロピルベンゼン           
        20係からなる液晶組成物を調製し、
実施例1と同様にしてその特性を測定した。結果を第1
表に示す。
実施例6 一般式(1)の化合物として 4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾ
ニトリル                 40係一
般式(It)の化合物として次の3つの化合物4−エチ
ル−4′−メチルジフェニルアセチレン    10係
4−エチル−4′−へキシルジフェニルアセチレン  
10係4−プロピル−4′−ブトキシジフェニルアセチ
レン  10%一般式(III)の化合物として次の2
つの化合物4−(トランス−4−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)6ベンゾニトリ
ル                    10係4
−(トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)シクロヘキシル)−1−プロピルベンゼン  
                 10qbおよび一
般式(1)〜(Ill)以外の化合物として4−エトキ
シフェニルトランス−4−グチルシクロヘキサンカルボ
キシレート           10係からなる液晶
組成物を詞製し、実施例1と同様にしてその特性を測定
した。結果を第1表に示す。
実施例7 一般式(I)の化合物として 4−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾ
ニトリル                  40係
一般式(It)の化合物として次の2つの化合物4−エ
チル−4′−メチルジフェニルアセチレン   10係
4−プロピル−47−ブトキシジフェニルアセチレン 
  10係一般式(III)の化合物として次の2つの
化合物4−(トランス−4−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)ベンゾニトリル  
                         
10係4−(トランス−4−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−プロピルベン
ゼン                   20幅お
よび一般式(1)〜(I[[)以外の化合物2−(4−
エチルフェニル)−5−エチルピリミジン      
                10qbからなる液
晶組成物を調製し、実施例1と同様にしてその特性を測
定した。結果を第1表に示す。
比較例□ 比較のため90°ツイス)TN方式時分割駆動に汎用さ
れている 4′−エチル−4−シアノビフェニル        
 15%4′−ブチル−4−シアノビフェニル    
     10係4−ブトキシフェニルトランス−4−
プロピルシクロヘキサンカルボキシレート      
    16係4−エトキシフェニルトランス−4−ブ
チルシクロヘキサンカルボキシレート        
    12係4−メトキシフェニルトランス−4−ペ
ンチルシクロヘキサンカルボキシレート       
   12%4−エトキシフェニルトランス−4−プロ
ピルシクロヘキサンカルボキシレート        
  10係4−エトキシフェニルトランス−4−ペンチ
ルシクロヘキサンカルボキシレート         
 10係4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−シアノビフェニル            
 15係からなる液晶組成物を調製し、実施例1と同様
にしてその特性を測定した。結果を第1表に示す。
(発明の効果) 本発明のもたらす効果は、SBE方式に要求される諸性
性、とシわけ高い透明性、低い粘性、制御可能なΔnを
バランスよく保ちつつ、電圧−透過率特性における急峻
性を改善したことである。
(1)式で定義される急峻性αの値は時分割駆動方式の
液晶表示素子では1に近いほど望ましく、本発明におい
て一欺と小さなαの値が達成されている。これには(1
)、(II)、佃)式の化合物が大きく寄与していると
考えられる。これは前記した実施例と比較例との比較に
おいて端的に示されている。(1)、(II)、(2)
式の化合物を主成分として適当な割合で混合することに
よ勺、αのほかに粘性も改善されている。本発明の液晶
組成物は前述したような特性を兼ねそなえているので、
該組成物を用いることによ、りSBESBE方式1/1
00デユ一テイ以上の時分割駆動が可能となる。又、高
い透明点と低い粘性は特に急峻性を問題としない90°
ツイストTN方式における使用をも可能とすることは勿
論である。
以4

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は炭素数1〜8のアルキル基を示し、R
    ^2はHまたはFを示す)にて表わされる化合物からな
    る第一の成分、および 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1は前記の意味をもち、R^3は炭素数1
    〜8のアルキル基もしくはアルコキシ基を示す)にて表
    わされる化合物からなる第二の成分、および 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R^1は前記の意味をもち、R^4はF、−C
    Nまたは炭素数1〜8のアルキル基もしくはアルコキシ
    基を示す)にて表わされる化合物からなる第三の成分と
    を合計して少なくとも70重量パーセント含有してなる
    液晶組成物。
  2. (2)特許請求の範囲第(1)項において、第一、第二
    および第三の成分の含量がそれぞれ20〜40重量パー
    セント、10〜40重量パーセントおよび20〜50重
    量パーセントである、液晶組成物。
  3. (3)特許請求の範囲第(2)項において、第一の成分
    が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R^1は炭素数1〜8のアルキル基を示す)に
    て表わされる化合物からなる成分である、液晶組成物。
  4. (4)特許請求の範囲第(2)項において、第一の成分
    が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、R^1は炭素数1〜8のアルキル基を示す)に
    て表わされる化合物からなる成分である、液晶組成物。
  5. (5)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1は炭素数1〜8のアルキル基を、R^2
    はHまたはFをそれぞれ示す)にて表わされる化合物か
    らなる第一の成分20〜40重量パーセント、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1は前記の意味をもち、R^3は炭素数1
    〜8のアルキル基もしくはアルコキシ基を示す)にて表
    わされる化合物からなる第二の成分10〜40重量パー
    セント、および 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R^1は前記の意味をもち、R^4はF、−C
    Nまたは炭素数1〜8のアルキル基もしくはアルコキシ
    基を示す)にて表わされる化合物からなる第三の成分2
    0〜50重量パーセントからなり、かつ、前記の各成分
    を合計して少なくとも70重量パーセント含有してなる
    液晶組成物を用いることを特徴とする液晶表示素子。
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