JPS63213903A

JPS63213903A - Ｐｔｃ抵抗材料

Info

Publication number: JPS63213903A
Application number: JP62046901A
Authority: JP
Inventors: 昇一ノ瀬; 真岩　宏司; 福島　伸; 芳野　久士
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-03-03
Filing date: 1987-03-03
Publication date: 1988-09-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明はＰ　Ｔ　Ｃ（Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ　ｔｈｅｒｍａ
ｌ　ｃｏｅｆｆｉｃｉａｎｔ　）抵抗材料に関する。

（従来の技術）従来よりＰＴＣ抵抗材料として用いられている代表的な
ものにＢａＴ１０ａセラミツクがある。またＶ−Ｏｘ系
材料についても研究がなされている。　　（ＥＰ公開３
５８５９　、　　特開昭６０−２６２３０３号、特開昭
６１−２２０４０３号等）、　　ＢａＴｉ０．系の材料
は低抵抗状態の電気抵抗が１０’０１以上と大きく、ま
たＰＴＣ特性が粒界層に起因する機構によっているため
、大電力用の用途に用いることは困難である。

（発明が解決しようとする問題点）抗値を怪→は十分とはいえない。

るＰＴＣ抵抗材料を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）本発明は、（シア５〜山）２０１の一般式で表わされることを特徴とするＰＴＣ抵抗材料
である。

また（Ｖ、−ｘＡｘ）−０−の基本組成に対し、Ｆｅ、
　Ｃｏ。

Ｎｉ、　Ｃｕ、　Ｓｎ及びＹ２Ｏ３から選ばれた少なく
とも一種を５０１１以下含有しても良く、前記（Ｖニー
ｘＡつ）、０゜の基本組成に対し、Ｎｏ、１及びＳｉＯ
□から選ばれた少なくとも一種を５０重量％以下含有し
ても良い。

さらに前記（’ｂ−ｘＡｘ）−０，の基本組成に対し、
Ｆａ。

Ｃｏ、　Ｎｉ、　Ｃｕ、　Ｓｎ及びＹ２Ｏ３から選ばれ
た少なくとも一種と、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉＯ□から選ばれ
た少なくとも一種とを５０重量％以下含有しても良い。

（作用） ■２０．は室温付近で１０−３〜１０’″４Ω国と低い
電気抵抗率を示す導電性の酸化物であるがこれに微量の
Ｍｇ、　Ｈｆから選ばれた少なくとも一種を添加すると
、室温から１５０℃の範囲で、金属絶縁体転移をおこし
、抵抗率が１０〜１０００倍はど増加するＰＴＣ抵抗特
性を示す、この現象は、　ＢａＴｉ０ａのＰＴＣ抵抗特
性の如き粒界層電位障壁によるものとは異なるため、高
電界印加時においても有効に利用できる。

またとのＰＴＣ抵抗特性は単結晶、多結晶焼結体。

薄膜等いずれの形態においても利用できるが、この材料
で抵抗体を得るためには、多結晶焼結体からなるセラミ
ックを製造することが最も簡便である。

この際Ｆｅ、　Ｇｏ、　Ｎｉ、　Ｃｕ、　Ｓｎ及びＹ２
Ｏ１から選ばれた少なくとも一種を添加すると、Ｆｅ、
　Ｇｏ、　Ｎｉ、　Ｃｕ。

Ｓｎでは焼結体中に金属微粒子として、またＹ、　Ｏ，
ではＶとの反応によりＹＶＯ，を形成して、該焼結体の
焼結性を向上させ、緻密で良好な電気特性を示す焼結体
を得ることができる。　またＭｏ、　’ｄ及びＳｉｎ。

から選ばれた少なくとも一種を添加することは、焼結体
焼結時の粒成長を制御し、機械強度かたかく、耐熱衝撃
性の良好な焼結体を得ることができる。

本発明における数値限定の理由は以下の如くである。Ｈ
ｆ、Ｍ［の添加量Ｘは、ＰＴＣ抵抗特性に直接影響をあ
たえるものであり、Ｏ＜　ｘ≦０．０２の範囲でＰＴＣ
抵抗特性を示し、特にＸ≧ｏ、ｏｏｔで効果的である。

Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ、　Ｃｕ、　Ｓｎ、ｙ２ｏ３＋　
Ｍｏ、　ｗ、　Ｓｔｏｗ　から選ばれる少なくとも一種
の添加については、Ｆｅ。

Ｃｏ　ＨＮｌ　＋　Ｃｕ　＋　Ｓｎ　ｐ　Ｍｏ　、Ｗの
添加量が５０ｗｔ％を超えると、ＰＴＣ抵抗変化率が低
下し望ましくなく、またＹ２Ｕｓ　ｔ　ＳｉＯ，が５θ
重景％を超えると室温抵抗率が増大して望ましくない。

これらの添加は、少量の添加で効果があられれるが、０
．１重量％以上で顕著である。

従ってＦｅ、　Ｃｏ、　Ｎｌ、　Ｃｕ、　Ｓｎ及びＹ２
Ｏ，とＮｏ、Ｖ及びＳｉＯ□とをともに含有する場合は
、双方とも０．１重量％以上で、合計量が５０重景％以
下となることが好ましい。

（実施例）市販のＶ、Ｏ，、ＨｆＯ，、ＭｇＯ，Ｆｅ、０．　、　
ＳｎＯ，、Ｙ、Ｏ，。

Ｓ１０．粉末を準備し、第１表の組成となる様各々秤量
したのち、湿式ボールミルで２４時間粉砕・混合した。

これにバインダーを加えて加圧成形したのち、水素中１
６００℃で４時間保持し焼結体を得た。

これらを切断し、断面５　＋ｍ　Ｘ　４　ｍ　、長さ１
０ｎｎの試料を得、密度測定・湿温抵抗率、ＰＴＣ抵抗
特性における抵抗変化倍率を測定した結果を第１表に示
す。

また第１表に示す如く、比較例として’ｆｆ　Ｍｇ。

Ｓｎ、　ＹｚＯｚを過剰に添加した試料を同様の方法で
作製し比較例として上記測定をおこなった。また市販の
ＢａＴｉ０．　Ｐ　Ｔ　Ｃ抵抗体の特性も比較例として
測定した上記結果をまとめて第１表に示す。

低下余白）第１表〔発明の効果〕第１表に示す如く、本発明によるＨｆあるいはＭ。

を添加したＶ、０３により、低い室温抵抗と、高いＰＴ
Ｃ抵抗変化率を示すＰＴｃ抵抗材料が得られる。

代理人　弁理士　則　近　憲　佑同　　竹花喜久男

Claims

【特許請求の範囲】

（１）原子比で（Ｖ＿１＿−＿ｘＡ＿ｘ）＿２Ｏ＿３（０＜ｘ≦０．０２ＡはＨｆ及びＭｇの少なくとも一種）の一般式で表わされることを特徴とするＰＴＣ抵抗材料
。
（２）前記（Ｖ＿１＿−＿ｘＡ＿ｘ）＿２Ｏ＿３の基本
組成に対し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ及びＹ＿２
Ｏ＿３から選ばれた少なくとも一種を５０重量％以下含
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＰ
ＴＣ抵抗材料。
（３）前記（Ｖ＿１＿−＿ｘＡ＿ｘ）＿２Ｏ＿３の基本
組成に対し、Ｍｏ、Ｗ及びＳｉＯ＿２から選ばれた少な
くとも一種を５０重量％以下含有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のＰＴＣ抵抗材料。
（４）前記（Ｖ＿１＿−＿ｘＡ＿ｘ）＿２Ｏ＿３の基本
組成に対し、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ及びＹ＿２
Ｏ＿３から選ばれた少なくとも一種と、Ｍｏ、Ｗ及びＳ
ｉＯ＿２から選ばれた少なくとも一種とを５０重量％以
下含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＰＴＣ抵抗材料。