JPS6059703A - Ptc抵抗体用セラミツク組成物 - Google Patents

Ptc抵抗体用セラミツク組成物

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Publication number
JPS6059703A
JPS6059703A JP58167446A JP16744683A JPS6059703A JP S6059703 A JPS6059703 A JP S6059703A JP 58167446 A JP58167446 A JP 58167446A JP 16744683 A JP16744683 A JP 16744683A JP S6059703 A JPS6059703 A JP S6059703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
ptc
ceramic composition
ptc resistor
ceramic
Prior art date
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Pending
Application number
JP58167446A
Other languages
English (en)
Inventor
福島 伸
芳野 久士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6059703A publication Critical patent/JPS6059703A/ja
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  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明FiPTC抵抗体用セラミック組成物に関する。
さらに詳しくはその低抵抗状態において電気抵抗が小さ
いことを特徴とするPTC机抗体用セラミック組成物に
関するものである。
[発明の技術的背顎とその問題点] 従来よりPTC抵抗体材料として用いらtL/−1代表
的なものに各種不純物をax加したBa’、ri03士
ラミシラミック。これらはその低抵抗状態における電気
抵抗が通常10°Ω鋸以上と太きくt7−そのl) T
C現象が粒界層に起因する機構によっているため大電力
用途に用いることは困難である。−1:た近年Crある
いはAI、Scを微弼、添加したコランダム型化合物v
208における金属−絶縁体転移を’;il用したPT
C抵抗体用セラミックがある。しかしながらこの材料に
おけるPTC効果は當イ4−fる添加不純物量に大きく
影響をうけかつP ’I’ Cii″f性を示す不純物
添加の領域は非常に限定されるものであり安定したクリ
品の生産には困難が伴うものであった。
[発明の目的] 本発明は上記の小情に鑑みv2o8を生体とするPTC
抵抗抵抗体用セラミツ2物成物いてPTC特性を力える
診i加不純物量の領域を大巾に拡大することを目的とし
てなされたものである。
[発明の概少] 本発明f”t: (Vi−x−ycrxTty)20B
ただシ(0< x <o、oa、 O<y<0.03.
 o<x−y<O,o15)からなる組成にFe、 C
u、 Ni 、 Coの少なくとも1種を0〜15重量
%含有したP ’[” C抵抗体用セラミック組成物で
あり(Vl−xcrx)20Bに対してゴiを添加する
ことによりCr添刀!lI貴のよりひろい範囲にわたっ
て安定したPTC特件なもつ多結晶焼結体をあたえるも
のである。Ti冷加はv2o3に対するCrの添加効果
を相殺する作用があt) Cr象別量のイ〕効範囲を犬
1]に拡大することが可能となった。
丈た上記の組成物に対してr e + CII + N
i量 L oのうち少なくとも1種を冷加すると、焼結
体においてオ立界層を形成し焼結性をたかめるとともに
PTC特性を改害するものでおる。
さらにAI、Scはv2o8に対しCrと同様の添加効
果を有し、χの一部あるいは全部をA、l、Scで館換
[7た組成に対しさらにTIを添加した場合もCrとT
iのみの添加をおこなった組成と同様の特性な示すもの
である。
なお本発明に分ける組成成分の限定1」由は以下の如く
である。
Cr添加葉XはPTC特性に1h接影響を与えるもので
あり5T118”加をおこなわない焼結体のμ′jば0
< X < 0.015の範囲でP’ll”C特性を示
すが本発明によるTiの複合添加の場合その範囲H:0
<x<0.03に拡大される。しかしX>0.03では
焼結体σ高抵抗状態を保ちPTC特性を示さない。
従ってCr妃加邦Xの範囲はO〈x ’y O,03i
−限定さ1する。
址たx−y<OずなわちTi過剰においてVi焼結体は
低抵抗状態を保ち]’ T C特性を示さない。さらに
x −y > o、oi5においては焼結体(・1高抵
抗状態のみと々すP T C%性を示さないものである
。また添加するFe、 Cu、 Ni量が151書6%
以上の場合PTC倍率の低下をもたらし望ましくない。
[発明の効果] 以上の如く本発明組成を選択する事により低抵抗状態で
電気抵抗が小さく、優れた特性のPTC抵抗抵抗体用セ
ラミツ2物成物られる。
[発明の実施例] 以下実施例に基き本発明の詳細な説明する。
市販のV2O5,Cr20B、 Ti2O3及びB’e
20B粉末を準備し第1表に示す組成と々るよう各々秤
量した後湿式ボールミルで45時間混合・粉砕をおこな
ったのち、水素気流中で600℃2時間のちに1000
℃3時間保持して還元をおこなった。得られた粉末に有
機バインダーを加えて加圧成形後水素気流中1400℃
4時間の焼結をおこない試料とした。
電気抵rL率の測定はHP社インピーダンスメータな用
いておこなった。甘た第1表に示す如く比較例として′
l′頂を添加しない試料、またTI過剰の組成をもつ試
料及びCr過剰の組成をもつ試料を同様の方法で作製し
測定した。
以下余白 第1表 第1表に示す如く上表の本発明による組成範囲をもつセ
ラミック試料においてはぞの゛f戊気追(統率はPTC
特性を示すが比較例においては同特性を示さないことが
わかる。なお第1図中の肴号は第1表の試料NOをそれ
ぞれ示す。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例及び比較例に2ける試料の′6気抵抗率
の温度依存性を示す曲線図。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)コランタム型化合物(yl−X−ycrxTiy
    )20aただしくo<x<o、oa 、 o<y<o、
    oa 、o <、 x −y <o、ols)の組成に
    Fe、 Cu、 Ni 、 Co (7)少なくとも1
    種をθ〜15重蔗チ含有してなることを特徴とするPT
    C抵抗抵抗体用セラミツ2物成 物2、特許請求の範囲第1項において0.015 < 
    xく003でちることを特徴とするPTC抵抗体用セラ
    タック加成物。 (8)特許iト丁木の範囲第1項においてCrの一部あ
    るいは全部をAI、8cのうち少なくとも一種で置換す
    ることを特徴とするPTC抵抗体用セラミック絹成物。
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