JPS6225404A - サ−ミスタ組成物 - Google Patents
サ−ミスタ組成物Info
- Publication number
- JPS6225404A JPS6225404A JP60165404A JP16540485A JPS6225404A JP S6225404 A JPS6225404 A JP S6225404A JP 60165404 A JP60165404 A JP 60165404A JP 16540485 A JP16540485 A JP 16540485A JP S6225404 A JPS6225404 A JP S6225404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- composition
- resistance value
- present
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の１
本発明はサーミスタ組成物に関し、殊に約３００〜８０
０℃程度で好適に使用されるサーミスタ組成物に関する
ものである。
０℃程度で好適に使用されるサーミスタ組成物に関する
ものである。
′ の の。
従来より一般に使用されている、例えばＭｎ−Ｎｉ系等
の殆どのサーミスタは、約３００℃迄の比較的低温域で
の使用には安定した特性を発揮するものの、それ以上の
温度領域では抵抗値の変化率が大きいため使用すること
はできない。
の殆どのサーミスタは、約３００℃迄の比較的低温域で
の使用には安定した特性を発揮するものの、それ以上の
温度領域では抵抗値の変化率が大きいため使用すること
はできない。
これに対し、約８００〜１０００℃或いはそれ以上の高
温域で使用し得るサーミスタとしては、Ａ１□０．系、
ＺｒＯユ系等のものが開発されているが、いずれも抵抗
値、サーミスタ定数値のばらつきが大きく、シかも寿命
特性も悪いという欠点があり、約３００〜８００℃で使
用する場合には抵抗値が高過ぎるのでそのような温度範
囲で使用するのは困難であるという問題がある。また、
ＺｒＯ□系のものは、焼結温度が高い（約１５００℃）
のでエネルギーコストが高くなる、印加電圧を高くする
と抵抗値が変化するという所謂バイアス特性がある等、
製造及び使用時の両方に問題がある。
温域で使用し得るサーミスタとしては、Ａ１□０．系、
ＺｒＯユ系等のものが開発されているが、いずれも抵抗
値、サーミスタ定数値のばらつきが大きく、シかも寿命
特性も悪いという欠点があり、約３００〜８００℃で使
用する場合には抵抗値が高過ぎるのでそのような温度範
囲で使用するのは困難であるという問題がある。また、
ＺｒＯ□系のものは、焼結温度が高い（約１５００℃）
のでエネルギーコストが高くなる、印加電圧を高くする
と抵抗値が変化するという所謂バイアス特性がある等、
製造及び使用時の両方に問題がある。
このように、従来のサーミスタは約３００〜８００℃の
中高温域での使用に適したものが殆どなく、中高温域で
安定した特性を有し、且つ生産性の良好なサーミスタの
開発が望まれていた。
中高温域での使用に適したものが殆どなく、中高温域で
安定した特性を有し、且つ生産性の良好なサーミスタの
開発が望まれていた。
本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、
３００〜８００℃程度の中高温域で適当な抵抗値を示し
、且つその変化率が僅であり安定した特性を発揮し、且
つ生産性の良好なサーミスタ組成物を提供することを目
的としている。
３００〜８００℃程度の中高温域で適当な抵抗値を示し
、且つその変化率が僅であり安定した特性を発揮し、且
つ生産性の良好なサーミスタ組成物を提供することを目
的としている。
、 、の
上記目的は、ＺｒＯ２、ＭＯ（但し、ＭＯはＹ２Ｏ，又
はＭｇＯのいずれか）、及びＣｏ２Ｏ３より成り、一般
式 ％式％） ：０３ で示される本発明のサーミスタ組成物により達成される
。
はＭｇＯのいずれか）、及びＣｏ２Ｏ３より成り、一般
式 ％式％） ：０３ で示される本発明のサーミスタ組成物により達成される
。
上記組成範囲内の本発明組成物によれば、中高温域で５
０００〜１００ＯＯＫ程度のサーミスタ定数、及び０．
５にΩ〜１００にΩ程度の使用可能範囲の抵抗値を示し
、且つ抵抗値の変化率が２％以内であり安定した特性を
発揮するサーミスタを得ることができるのである。
０００〜１００ＯＯＫ程度のサーミスタ定数、及び０．
５にΩ〜１００にΩ程度の使用可能範囲の抵抗値を示し
、且つ抵抗値の変化率が２％以内であり安定した特性を
発揮するサーミスタを得ることができるのである。
Ｘが上記組成範囲外のものでは、いずれも抵抗値の安定
性が悪くなり、実用に供し難いものとなる。
性が悪くなり、実用に供し難いものとなる。
ｙが０．０５未満では、抵抗値が高く、安定性も悪くな
り、焼結温度は１４００℃以上と高くなる。また、ｙが
０．５を超えると抵抗値の安定性が悪くなり、どちらの
場合も実用に供し難いものとなる。
り、焼結温度は１４００℃以上と高くなる。また、ｙが
０．５を超えると抵抗値の安定性が悪くなり、どちらの
場合も実用に供し難いものとなる。
ＭＯとしてＭｇＯを用いたものでも、Ｘの組成範囲が上
記範囲外である場合は、上と同様の結果が生ずる。
記範囲外である場合は、上と同様の結果が生ずる。
実−」１−出御
以下に実施例を挙げる。
ＺｒＯ工、Ｃ０ＩＯＪ及びＭＯとしてＹ２Ｏ３又はＭｇ
Ｏの各粉末を下記第１表の組成となるように湿式混合し
た後、乾燥した。これを空気中で１１００℃で２時間仮
焼し、仮焼体を微細に粉砕した。
Ｏの各粉末を下記第１表の組成となるように湿式混合し
た後、乾燥した。これを空気中で１１００℃で２時間仮
焼し、仮焼体を微細に粉砕した。
得られた粉末に打機バインダーとしてエチルセルロース
及び溶剤としてα−テレピネオールを加えてスラリーを
作製した。次いで、ドクターブレード法により厚さ０．
５ｍｍのシートを作製し、このシートを３０ｍｍＸ２０
ｍｍの矩形に切断し、その両面にＰｔペーストを印刷し
た。ペーストを乾燥後、０．８ｍｍ角に切断し、１２５
０〜１４００℃で２時間焼成して第１表のサーミスタ組
成物試料片を得た。
及び溶剤としてα−テレピネオールを加えてスラリーを
作製した。次いで、ドクターブレード法により厚さ０．
５ｍｍのシートを作製し、このシートを３０ｍｍＸ２０
ｍｍの矩形に切断し、その両面にＰｔペーストを印刷し
た。ペーストを乾燥後、０．８ｍｍ角に切断し、１２５
０〜１４００℃で２時間焼成して第１表のサーミスタ組
成物試料片を得た。
次いで、これら試料片のリード付けを行い、樹脂で外装
して、それぞれのサーミスタ定数、抵抗値及びその変化
率を測定した。その結果を第１表に示す。
して、それぞれのサーミスタ定数、抵抗値及びその変化
率を測定した。その結果を第１表に示す。
上記の実施例では、サーミスタチップの作製はシート法
によって行ったが、粉末成形−焼成−スライス−電極付
け一ダイシングとするという工程で作製されたサーミス
タチップによっても同様の結果が得られる。この場合に
は、電極の材料としては、Ｐｔの他に、Ａ２ｇＳＡｕ等
を使用することも可能である。
によって行ったが、粉末成形−焼成−スライス−電極付
け一ダイシングとするという工程で作製されたサーミス
タチップによっても同様の結果が得られる。この場合に
は、電極の材料としては、Ｐｔの他に、Ａ２ｇＳＡｕ等
を使用することも可能である。
第１表
（山※印を付したものは本発明の範囲外のものである。
光朋！歳記」
以上の説明及び第１表に示す結果から明らかなように、
本発明のサーミスタ組成物（第１表の試料Ｎｏ、２〜４
、Ｎｏ、７〜９、Ｎｏ、１２−１４）は、中高温域に於
いてサーミスタ定数が５０００〜１００００にの範囲内
、抵抗値が０．５にΩ〜ＬｏｏｋΩの範囲内、抵抗値の
変化率が２％以下の範囲内にあり、本発明に含まれない
ものに比べると、各特性は顕著に優れており、安定した
特性を発揮することができる。また、本発明のサーミス
タ組成物は、ＺｒＯ２を含んでいるのにも拘わらず、従
来のものに比して焼結温度が比較的低いものであり、抵
抗値のバイアス特性がないので安定した特性を有するも
のである。
本発明のサーミスタ組成物（第１表の試料Ｎｏ、２〜４
、Ｎｏ、７〜９、Ｎｏ、１２−１４）は、中高温域に於
いてサーミスタ定数が５０００〜１００００にの範囲内
、抵抗値が０．５にΩ〜ＬｏｏｋΩの範囲内、抵抗値の
変化率が２％以下の範囲内にあり、本発明に含まれない
ものに比べると、各特性は顕著に優れており、安定した
特性を発揮することができる。また、本発明のサーミス
タ組成物は、ＺｒＯ２を含んでいるのにも拘わらず、従
来のものに比して焼結温度が比較的低いものであり、抵
抗値のバイアス特性がないので安定した特性を有するも
のである。
このように、本発明のサーミスタ組成物は、約３００〜
８００°Ｃの中高温域での使用に適したものであり、且
つ生産性も高いものである。
８００°Ｃの中高温域での使用に適したものであり、且
つ生産性も高いものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＺｒＯ＿２、ＭＯ（但し、ＭＯはＹ＿２Ｏ＿３又はＭ
ｇＯのいずれか）、及びＣｏ＿２Ｏ＿３より成り、一般
式 （１−ｙ）｛（１−ｘ）ＺｒＯ＿２・ｘＭＯ｝・ｙＣｏ
＿２Ｏ＿３ （ここで、０．０５≦ｘ≦０．２５、 ０．０５≦ｙ≦０．５０） で示されるサーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165404A JPS6225404A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | サ−ミスタ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165404A JPS6225404A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | サ−ミスタ組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225404A true JPS6225404A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15811764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165404A Pending JPS6225404A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | サ−ミスタ組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225404A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05503985A (ja) * | 1990-02-02 | 1993-06-24 | ホートン・インコーポレイテッド | 回転制御装置 |
| WO1998049121A1 (fr) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Kyocera Corporation | Agglomere de zircone semiconducteur et element eliminateur d'electricite statique comprenant un agglomere de zircone semiconducteur |
| US6669871B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-12-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| US7835663B2 (en) | 2006-06-30 | 2010-11-16 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image-forming device having sheet metal frame fixed over resin frame with screws |
| US7894743B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-02-22 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image-forming device having side walls |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60165404A patent/JPS6225404A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05503985A (ja) * | 1990-02-02 | 1993-06-24 | ホートン・インコーポレイテッド | 回転制御装置 |
| WO1998049121A1 (fr) * | 1997-04-25 | 1998-11-05 | Kyocera Corporation | Agglomere de zircone semiconducteur et element eliminateur d'electricite statique comprenant un agglomere de zircone semiconducteur |
| US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-08-14 | Kyocera Corporation | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
| US6669871B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-12-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | ESD dissipative ceramics |
| US7579288B2 (en) | 2000-11-21 | 2009-08-25 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Method of manufacturing a microelectronic component utilizing a tool comprising an ESD dissipative ceramic |
| US7835663B2 (en) | 2006-06-30 | 2010-11-16 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image-forming device having sheet metal frame fixed over resin frame with screws |
| US7894743B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-02-22 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image-forming device having side walls |
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