JPS63209214A - 相補形絶縁ゲ−トインバ−タ - Google Patents
相補形絶縁ゲ−トインバ−タInfo
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- JPS63209214A JPS63209214A JP62041837A JP4183787A JPS63209214A JP S63209214 A JPS63209214 A JP S63209214A JP 62041837 A JP62041837 A JP 62041837A JP 4183787 A JP4183787 A JP 4183787A JP S63209214 A JPS63209214 A JP S63209214A
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- transistor
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- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/133—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K2005/00013—Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
- H03K2005/0015—Layout of the delay element
- H03K2005/00195—Layout of the delay element using FET's
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、遅延された出力波形を送出する相補形絶縁
ゲートトランジスタ(以下CMIS )ランジスタと称
する)に関するものである。
ゲートトランジスタ(以下CMIS )ランジスタと称
する)に関するものである。
従来のC’MIS )ランジスタ回路においては、出力
信号を遅延させるために入力端と電源電位または接地電
位間に波形整形用のコンデンサを接続したものが用いら
れている。
信号を遅延させるために入力端と電源電位または接地電
位間に波形整形用のコンデンサを接続したものが用いら
れている。
第4図は従来のCM工Sトランジスタ回路の例である。
図において、1は入力信号を印加する入力端子、3は出
力信号を取り出す出力端子である。
力信号を取り出す出力端子である。
TrlはPチャネルMISトランジスタ、Tr2はNチ
ャネルMIS)ランジスタであり、両者でインバータ回
路Aを@ITLt、ている。C1はMOSコンデンサで
ある。
ャネルMIS)ランジスタであり、両者でインバータ回
路Aを@ITLt、ている。C1はMOSコンデンサで
ある。
このように構成された回路の動作を第5図に示すタイミ
ングチャートによって説明する。第4図の入力端子1に
供給される第5図(a)に示す入力信号が立ち上がると
きは、MOSコンデンサC1のチャネルは最初から形成
されておシ、そのコンデンサに電荷が蓄積されるため出
力信号は第5図山)に示すように遅延する。それに対し
て入力信号が立ち下がるときはMOSコンデンサのチャ
ネルは形成されておらず、出力信号の立ち上がシは第5
図0)に示すように遅延が小さい。従って出力端子3で
は立ち下がり波形のみ大きく遅延した出力信号が得られ
る。
ングチャートによって説明する。第4図の入力端子1に
供給される第5図(a)に示す入力信号が立ち上がると
きは、MOSコンデンサC1のチャネルは最初から形成
されておシ、そのコンデンサに電荷が蓄積されるため出
力信号は第5図山)に示すように遅延する。それに対し
て入力信号が立ち下がるときはMOSコンデンサのチャ
ネルは形成されておらず、出力信号の立ち上がシは第5
図0)に示すように遅延が小さい。従って出力端子3で
は立ち下がり波形のみ大きく遅延した出力信号が得られ
る。
第6図は第4図におけるMOSコンデンサC1の接続先
を変更したものであシ、その特性は第7図に示すように
、出力端子3では立ち上が夕波形のみが大きく遅延した
出力信号が得られる。
を変更したものであシ、その特性は第7図に示すように
、出力端子3では立ち上が夕波形のみが大きく遅延した
出力信号が得られる。
このように従来の回路は出力波形の立ち上が9または立
ち下がり時間が長くなるという問題を有していた。
ち下がり時間が長くなるという問題を有していた。
この発明はこのような問題を解決するためになされたも
ので、出力信号の立ち上がりまたは立ち下がり時間の短
かい出力波形が得られる回路を提供することにある。
ので、出力信号の立ち上がりまたは立ち下がり時間の短
かい出力波形が得られる回路を提供することにある。
このような目的を達成するためにこの発明は、インバー
タの入力側にNチャネルおよびPチャネルのMIS)ラ
ンジスタの並列体を挿入したものである。
タの入力側にNチャネルおよびPチャネルのMIS)ラ
ンジスタの並列体を挿入したものである。
〔作 用〕
インバータの出力信号がMIS)ランジスタの並列体に
帰還され、出力波形が遅延される。
帰還され、出力波形が遅延される。
第1図はこの発明の一実施例を示す回路図である。図に
おいて、Tr3はPチャネルMIS)ランジスタ、Tr
4はNチャネルMIS)ランジスタでsb、両トランジ
スタのゲートはインバータの出力信号が供給されるよう
になっている。このように構成された装置の動作を第2
図に示すタイミングチャートを用いて説明する。第2図
はCMISインノ(−夕回路Aの閾値を高く設定したと
きの動作例である。第2図(a)に示す入力信号が低レ
ベルの時はトランジスタTr4がオン状態になっている
ので入力信号の立ち上がりとともに第2図山)に示す第
1図のa点の電位も自動的に立ち上がJ)、a点と出力
信号の電位差がトランジスタTr4の閾値を切った時点
、すなわち第2図(b)の時点t1においてトランジス
タTr4はオフ状態になってa点d浮いた状態になり、
その電位は第2図(b)に示すように一定になる。しか
し出力信号は第2図(c)に示すように時点t2まで徐
々に低下し、その電圧と入力信号との電位差がトランジ
スタTr3の閾値を越えた時点t2で、今度はトランジ
スタTr3がオン状態となる。
おいて、Tr3はPチャネルMIS)ランジスタ、Tr
4はNチャネルMIS)ランジスタでsb、両トランジ
スタのゲートはインバータの出力信号が供給されるよう
になっている。このように構成された装置の動作を第2
図に示すタイミングチャートを用いて説明する。第2図
はCMISインノ(−夕回路Aの閾値を高く設定したと
きの動作例である。第2図(a)に示す入力信号が低レ
ベルの時はトランジスタTr4がオン状態になっている
ので入力信号の立ち上がりとともに第2図山)に示す第
1図のa点の電位も自動的に立ち上がJ)、a点と出力
信号の電位差がトランジスタTr4の閾値を切った時点
、すなわち第2図(b)の時点t1においてトランジス
タTr4はオフ状態になってa点d浮いた状態になり、
その電位は第2図(b)に示すように一定になる。しか
し出力信号は第2図(c)に示すように時点t2まで徐
々に低下し、その電圧と入力信号との電位差がトランジ
スタTr3の閾値を越えた時点t2で、今度はトランジ
スタTr3がオン状態となる。
前述したようにMISインバータAの閾値は高く設定し
であるので、第1図のa点の電位の再上昇とともに時点
t2においてCMI SインバータAの反転が起こり、
出力信号は第2図(e)に示すように急激に降下する。
であるので、第1図のa点の電位の再上昇とともに時点
t2においてCMI SインバータAの反転が起こり、
出力信号は第2図(e)に示すように急激に降下する。
第1図a点の電位は再び上昇し、入力信号の電位と等し
くなる。
くなる。
入力信号の立ち下がり時はトランジスタTr3および4
が順次オン状態になり、出力信号の立ち上がりが急激に
起こる。
が順次オン状態になり、出力信号の立ち上がりが急激に
起こる。
従って、立ち上がり時および立ち下がシ時の時間が伸び
ることなく速やかな変化で遅延した出力波形が得られる
。
ることなく速やかな変化で遅延した出力波形が得られる
。
第3図は第1図に示したCMISインバータ回路Aの閾
値を低く設定したときの動作例である。第3図(a)に
示すように入力信号の立ち上がり時にはトランジスタT
r3 、4が順次オン状態となり、入力信号の立ち下が
り時にはトランジスタTr3がオン状態からオフ状態に
変り、第3図(c)に示すように出力信号が徐々に上昇
してトランジスタTr4がオン状態になり、遅延が生じ
るとともに、その後、急激な出力反転が起こる。従って
、立ち上がり、立ち下がり時間が伸びることなく、立ち
下がりタイミングだけが遅延した出力波形が得られる。
値を低く設定したときの動作例である。第3図(a)に
示すように入力信号の立ち上がり時にはトランジスタT
r3 、4が順次オン状態となり、入力信号の立ち下が
り時にはトランジスタTr3がオン状態からオフ状態に
変り、第3図(c)に示すように出力信号が徐々に上昇
してトランジスタTr4がオン状態になり、遅延が生じ
るとともに、その後、急激な出力反転が起こる。従って
、立ち上がり、立ち下がり時間が伸びることなく、立ち
下がりタイミングだけが遅延した出力波形が得られる。
以上説明したようにこの発明は、CMISインバータ回
路の入力側にNチャネルおよびPチャネルのMIS)ラ
ンジスタの並列体を設けたので、立ち上がシまたは立ち
下がり時間が短かい状態で遅延された出力波形が得られ
るという効果を有する。
路の入力側にNチャネルおよびPチャネルのMIS)ラ
ンジスタの並列体を設けたので、立ち上がシまたは立ち
下がり時間が短かい状態で遅延された出力波形が得られ
るという効果を有する。
第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図は第
1図の動作を説明するためのタイミングチャート、第3
図は他の実施例のタイミングチャート、第4図および第
6図は従来例を示す回路図、第5図および第7図は第4
図および第6図の動作を説明するだめのタイミングチャ
ートである。 1・・・・入力端子、3・―・・出力端子、Tr1〜T
r4・・・・MIS)ランジスタ。
1図の動作を説明するためのタイミングチャート、第3
図は他の実施例のタイミングチャート、第4図および第
6図は従来例を示す回路図、第5図および第7図は第4
図および第6図の動作を説明するだめのタイミングチャ
ートである。 1・・・・入力端子、3・―・・出力端子、Tr1〜T
r4・・・・MIS)ランジスタ。
Claims (1)
- 相補形絶縁ゲートトランジスタによつて構成したインバ
ータと、PチャネルおよびNチャネル相補形絶縁ゲート
トランジスタの並列体であつてインバータの出力とそれ
ぞれのゲートとが接続されるとともにその並列体を介し
て入力信号が供給される入力回路とからなる相補形絶縁
ゲートインバータ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62041837A JPH0691444B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 相補形絶縁ゲ−トインバ−タ |
US07/155,541 US4914326A (en) | 1987-02-25 | 1988-02-12 | Delay circuit |
US07/459,238 US5063313A (en) | 1987-02-25 | 1989-12-29 | Delay circuit employing different threshold fet's |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62041837A JPH0691444B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 相補形絶縁ゲ−トインバ−タ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63209214A true JPS63209214A (ja) | 1988-08-30 |
JPH0691444B2 JPH0691444B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12619371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62041837A Expired - Lifetime JPH0691444B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 相補形絶縁ゲ−トインバ−タ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4914326A (ja) |
JP (1) | JPH0691444B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0691444B2 (ja) * | 1987-02-25 | 1994-11-14 | 三菱電機株式会社 | 相補形絶縁ゲ−トインバ−タ |
JP2946663B2 (ja) * | 1990-07-10 | 1999-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 発光素子駆動用半導体装置 |
JPH0555905A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-03-05 | Nec Corp | Cmos論理ゲート |
JP2824706B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1998-11-18 | 三菱電機株式会社 | 電流源回路およびその動作方法 |
US5477184A (en) * | 1992-04-15 | 1995-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Fet switching circuit for switching between a high power transmitting signal and a lower power receiving signal |
US5452324A (en) * | 1992-09-23 | 1995-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Packet data recovery system |
JPH0758207A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Fujitsu Ltd | データ保持タイミング調整回路及びこれを含む半導体集積回路 |
US5614856A (en) * | 1996-03-11 | 1997-03-25 | Micron Technology, Inc. | Waveshaping circuit generating two rising slopes for a sense amplifier pulldown device |
JP3714762B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2005-11-09 | 富士通株式会社 | 遅延回路および半導体記憶装置 |
US7576568B1 (en) * | 1997-09-26 | 2009-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Self-selecting precharged domino logic circuit |
US6307417B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-10-23 | Robert J. Proebsting | Integrated circuit output buffers having reduced power consumption requirements and methods of operating same |
US6377097B1 (en) * | 2000-03-13 | 2002-04-23 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method and apparatus for reducing the vulnerability of latches to single event upsets |
US6549042B2 (en) | 2000-06-23 | 2003-04-15 | Integrated Device Technology, Inc. | Complementary data line driver circuits with conditional charge recycling capability that may be used in random access and content addressable memory devices and method of operating same |
US6433602B1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-08-13 | Lattice Semiconductor Corp. | High speed Schmitt Trigger with low supply voltage |
US6865093B2 (en) * | 2003-05-27 | 2005-03-08 | Power Integrations, Inc. | Electronic circuit control element with tap element |
JP4583042B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-11-17 | 凸版印刷株式会社 | Dll回路 |
JP4558347B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-10-06 | 凸版印刷株式会社 | Dll回路 |
US7002398B2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-02-21 | Power Integrations, Inc. | Method and apparatus for controlling a circuit with a high voltage sense device |
US9571076B2 (en) * | 2014-10-14 | 2017-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bidirectional delay circuit and integrated circuit including the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5974721A (ja) * | 1982-10-21 | 1984-04-27 | Toshiba Corp | シユミツト・トリガ回路 |
JPS5996937U (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | 日本電気株式会社 | シユミツト・トリガ回路 |
GB8420651D0 (en) * | 1984-08-14 | 1984-09-19 | British Telecomm | Interface circuit |
JPS61293016A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | Nec Corp | 遅延回路 |
JPH0691444B2 (ja) * | 1987-02-25 | 1994-11-14 | 三菱電機株式会社 | 相補形絶縁ゲ−トインバ−タ |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62041837A patent/JPH0691444B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-02-12 US US07/155,541 patent/US4914326A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-29 US US07/459,238 patent/US5063313A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4914326A (en) | 1990-04-03 |
US5063313A (en) | 1991-11-05 |
JPH0691444B2 (ja) | 1994-11-14 |
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