JPS63200602A - マイクロ波集積回路の回路基板 - Google Patents

マイクロ波集積回路の回路基板

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JPS63200602A
JPS63200602A JP3279887A JP3279887A JPS63200602A JP S63200602 A JPS63200602 A JP S63200602A JP 3279887 A JP3279887 A JP 3279887A JP 3279887 A JP3279887 A JP 3279887A JP S63200602 A JPS63200602 A JP S63200602A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マイクロ波集積回路を構成する回路基板に
関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は、例えば特開昭60−178704号に示され
た従来のマイクロ波集積回路を示す断面図であり、図に
お^て、lA、1Bは絶縁基板としてのセラミック基板
、4A、4Bはセラミック基板IA、IBIC設けられ
た配線パターンからなるストリップ線路、5はセラミッ
ク基板1A、IBが取り付けられるキャリア、7はキャ
リア5に取り付けられるチップ、9はストリップ線路4
A。
4Bとチップ7とを接続するワイヤを示す。
次に、セラミック基板IA、IBおよびテップ7の取シ
付け、動作について説明する。
まず、−主表面を凸形に削ったキャリア5の凹部にセラ
ミック基板1A、lBを*、b付け、セラミック基板l
A、lBの間に位置するキャリア5の凸部にチップ7を
位置させ、ストリップ線路4A、4Bとチップ7とをワ
イヤ9で接続する。
このようにして取υ付けたチップ7のアースは、キャリ
ア5を介して行われる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のマイクロ波集積回路の回路基板は以上のように構
成されているので、チップ7のアースを取るためにセラ
ミック基板lA、lBを2つに分けて構成するとともに
、キャリア5を凸形に加工する必要があるので、加工に
よる歪がキャリア5に残り、温度変化によるストレスで
セラミック基板1A、iBおよびキャリア5が割れ易く
なる。
また、マイクロ波集積回路の製造工程において、チップ
7をセラミック基板IA、IBの間に位置するキャリア
5の凸部に位置させる必要があるので、チップ7の取り
付けは手間がかかる難しい作業となり、作業性が悪い等
の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、マイクロ波集積回路を作業効率良く製造で
きるとともに、スルーホールタイプのアースに比べて熱
伝達の温度係数、高周波特性のよいマイクロ波集積回路
の回路基板を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るマイクロ波集積回路の回路基板は、絶縁
基板に一方の主表面から他方の主表面へ至る導電性の金
属ブロックを埋め込むとともに、両主表面を研摩して絶
縁基板と金属ブロックとを同一平面としたものである。
〔作 用〕
この発明におけるマイクロ波集積回路の回路基板は、絶
縁基板に埋め込んだ金属ブロックによって熱伝達の温度
係数が良好となるとともに、高周波特性が向上する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図、第2図はこの発明の一実施例を示す断面図と平
面図であり、第4図と同一部分には同一符号が付しであ
る。これらの図において、1は絶縁基板としてのセラミ
ック基板を示し、貫通穴1aが設けられている。2は導
電性の金属ブロックを示し、セラミック基板10貫通孔
1aに接着剤3で埋め込まれ、セラミック基板1.金属
ブロック2は研摩によって表裏とも同一平面とされてい
る。40,4Dは配線パターンで形成されたアースパタ
ーン、5Aは後述する回路基板が取り付けられるキャリ
ア、6はアースパターン4Dとキャリア5Aとを接続す
るはんだを示す。
次に、前述したセラミック基板1.金属ブロック2等で
構成される回路基板と、マイクロ波集積回路との製造お
よび動作について説明する。
まず、セラミック基板1に丸または角形の貫通孔1aを
形成し、この貫通孔1aに、例えば銅等の金属ブロック
2を接着剤3を用いて埋め込み、セラミック基板1.金
属ブロック2の両主表面を研摩してセラミック基板1.
金属ブロック2を同一平面とし、表裏をメタライズする
。そして、セラミック基板1の表面にパターニングによ
ってストリップ線路4A 、4Bおよびアースパターン
4Cを形成するとともに、セラミック基板1の裏面にア
ースパターン4Dを形成する。
このように構成した回路基板をキャリア5Aにはんだ6
を用いて取り付ける。そして、チップ7をアースパター
ン4Dに取り付け、ストリップ線路4A、4Bとチップ
7とをワイヤ9で接続する。
前述のようにマイクロ波集積回路を構成すると、セラミ
ック基板1の表裏が金属ブロック2によって導通するの
で、熱伝達の温度係数がスルーホールタイプに比べてよ
くなるために熱放散が良好となるとともに、広い面積を
電流が流れるために高周波特性も向上する。
また、セラミック基板1は1枚でよくなるため、部品点
数が減少するとともに、テップ7を回路基板に実装でき
るので、作業性よくマイクロ波集積回路が製造できる。
さらに、回路基板を取り付けるキャリア5Aの取付面は
平坦でよいので、製造による歪がキャリア5Aに残りに
〈<、温度変化によるストレスでの損傷がなくなるとと
もに、キャリア5Aの加工性もよくなる。
第3図はこの発明のマイクロ波集積回路の回路基板の他
の使用例を示す断面図であシ、第1図と同一部分には同
一符号が付しである。この図において、7Aはフリップ
チップを示し、電極8A。
8B、gCが設けられている。そして、電極8Aはスト
リップ線路4Aに、電極8Bはストリップ線路4Bに、
電極8Cはアースパターン8Cにそれぞれ接続される。
第3図に示すように、電極8A〜8Cをストリップ線路
4A、4Bおよびアースパターン4Cに接続して7リツ
プチツプ7Aを取り付けると、ストリップ線路4A 、
4Bおよびアースパターン4Cは同じ高さにバターニン
グで形成できるので、フリップチップ7Aを容易に同一
平面で取シ付けることができる。
なお、上記実施例では、回路基板にチップT。
フリップチップ7Aを実装する例で説明したが、回路基
板にチップ7.7リツプチツプIA以外の回路素子を実
装した場合、および回路素子を実装しない場合にも適用
できることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、絶縁基板に一方の主
表面から他方の主表面へ至る導電性の金稿ブロックを埋
め込むとともに、両主表面を研摩して絶縁基板と金属ブ
ロックとを同一平面としたので、絶縁基板の表裏が金属
ブロックによって導通ずるので、熱伝達の温度係数がス
ルーホールタイプに比べてよくなるために熱放散がよく
なるとともに、広い面積を電流が流れるために高周波特
性もよくなる。
また、絶縁基板は1枚でよくなるので、部品点数が減少
するとともに、チップを回路基板に実装できるため、作
業性よくマイクロ波集積回路が製造できる等の効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるマイクロ波集積回路
の回路基板を示す断面図、第2図は第1図に示す回路基
板の平面図、第3図は回路基板の他の使用例を示す断面
図、第4図は従来のマイクロ波集積回路の回路基板を示
す断面図である。 図において、1はセラミック基板、1aは貫通孔、2は
金属ブロック、3は接着剤、4A、4Bはストリップ線
路、4C,4Dはアースパターンを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 特許出願人  三菱電機株式会社 】 : tラミ・2基尤女         4Aニス
トリ、ノブIff昏第1図 第2図 〆芝■

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  絶縁基板と、この絶縁基板に設けた貫通孔に接着剤を
    用いて埋め込んだ導電性の金属ブロックと、前記絶縁基
    板と前記金属ブロックとの両主表面を研摩して同一平面
    とした後に設けた配線パターンとからなるマイクロ波集
    積回路の回路基板。
JP62032798A 1987-02-16 1987-02-16 マイクロ波集積回路の回路基板 Expired - Lifetime JPH0612843B2 (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661715A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波集積回路及びその製造方法
CN108184312A (zh) * 2017-12-29 2018-06-19 赛创电气(铜陵)有限公司 一种双面导通陶瓷线路板及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62191202U (ja) * 1986-05-26 1987-12-05

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62191202U (ja) * 1986-05-26 1987-12-05

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661715A (ja) * 1992-08-10 1994-03-04 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波集積回路及びその製造方法
CN108184312A (zh) * 2017-12-29 2018-06-19 赛创电气(铜陵)有限公司 一种双面导通陶瓷线路板及其制备方法

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