JP2004134697A - ガラス端子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ブロック状の放熱体が形成されたアイレット10に、信号用リード20がガラス封着されたガラス端子において、前記信号用リード20が、前記アイレット10に設けられた挿通孔25に、リードの上端面とアイレットの上面とを面一に、所定の特性インピーダンス値に調節されて封着され、前記アイレット10の上面に、所定の特性インピーダンス値に設定された導体パターン32が形成された絶縁基板30が、下端面をアイレット10の上面に当接させ、裏面を前記放熱体の側面に接合して取り付けられているとともに、絶縁基板30の基端部で前記導体パターン32が前記信号用リード20の上端面に電気的に接続されていることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス端子に関し、より詳細には光通信等で使用される高速通信用のガラス端子に関する。
【0002】
【従来の技術】
ガラス端子は、金属からなるアイレットにリードをガラス封着し、ブロック状に形成した光素子搭載部をアイレット上に起立形状に設けたものであり、光素子搭載部に光素子(レーザ素子)を搭載し、リードと光素子とを電気的に接続することにより光半導体装置として使用される。図6は、光素子を搭載するガラス端子の従来の構成例を示す。同図で、10がアイレット、12がアイレット10に設けた挿通孔に挿通してガラス封止したリード、14が光素子搭載部、16が光素子である。
【0003】
ガラス端子を用いた光半導体装置は、光通信等の高周波信号を取り扱う通信装置等にも使用されるが、光通信等の高周波信号を取り扱う場合には、伝送路の特性インピーダンスをマッチングさせるといった信号の伝送特性について考慮する必要があり、高周波特性を改善したガラス端子の構造が考えられている。たとえば、アイレットにリードを挿通してガラスによって封着した部位はリードを芯線とした同軸構造となるから、この同軸構造部分で挿通孔の孔径やリードの径を調節したり、ガラスの表面にガラスとは誘電率の異なる被覆材を被覆したりして特性インピーダンスを調節するといった方法である(たとえば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平6−29451号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
高周波信号を取り扱う光半導体装置には専用の装置が開発されているが、これらの専用装置は高価であり、低コストでの生産が可能なガラス端子は量産に好適であるという利点がある。
ところで、取り扱う信号が10GHzといったきわめて高周波の信号になってくると、図6に示すような従来形式のガラス端子では、仮に、リード12の同軸構造部分で特性インピーダンスを調節したとしても、アイレット10上にはリード12がそのまま露出して配置されている等により特性インピーダンスをマッチングさせることが不可能であり、高周波信号についての伝送損失を無視することができなくなる。
【0006】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、図6に示すようなアイレット上に光素子を搭載する形式のガラス端子の高周波特性を改善して、光通信等の高周波信号を取り扱う光半導体装置として好適に使用することができるガラス端子を提供するにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、ブロック状の放熱体が形成されたアイレットに、信号用リードがガラス封着されたガラス端子において、前記信号用リードが、前記アイレットに設けられた挿通孔に、リードの上端面とアイレットの上面とを面一に、所定の特性インピーダンス値に調節されて封着され、前記アイレットの上面に、所定の特性インピーダンス値に設定された導体パターンが形成された絶縁基板が、下端面をアイレットの上面に当接させ、裏面を前記放熱体の側面に接合して取り付けられているとともに、絶縁基板の基端部で前記導体パターンが前記信号用リードの上端面に電気的に接続されていることを特徴とする。
【0008】
また、前記絶縁基板が、アイレットに所定間隔離間して設けられている一対の信号用リードの上端面間にかけわたして配置されているとともに、絶縁基板の導体パターンが設けられた面が、信号用リードの上端面と交差する配置に設けられていることにより、絶縁基板をアイレットに接合することによって、容易に導体パターンと信号用リードとを電気的に接続することができる。
また、前記絶縁基板が、アイレットの上面に下端面がろう付けされて、導体パターンと信号用リードとが電気的に接続されていることを特徴とする。ろう付けにより、絶縁基板がアイレットに確実に接合され、同時に導体パターンと信号用リードとが電気的に接続される。
また、前記絶縁基板が、窒化アルミニウムを基材とし、導体パターンがメタライズパターンによって形成されていることを特徴とする。
また、前記放熱体が、銅材によりアイレットとは別体に形成されていることにより、熱放散性にすぐれたガラス端子として提供することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面とともに詳細に説明する。
図1は、本発明に係るガラス端子の一実施形態の構成を示す正面図および平面図である。
10は軟鋼製のアイレットであり、20は信号用リード、21はモニター用リードである。信号用リード20とモニター用リード21はアイレット10に気密にガラス封止されている。本実施形態では信号用リード20、モニター用リード21およびアースリードに鉄−ニッケル−コバルト合金を使用し、封止用のガラスとして軟質ガラスを使用した。
【0010】
30はアイレット10とは別体に形成された窒化アルミニウムからなる絶縁基板であり、アイレット10の上面に起立させるようにして取り付けられている。絶縁基板30の側面(アイレット10の上面に対して垂直となっている面)に光素子16を搭載するためのもので、絶縁基板30の表面には、アイレット10に挿通して取り付けた信号用リード20と電気的に接続する導体パターン32および所要の導体部が形成されている。
図1(b)に示すように、アイレット10の上面にはアイレット10とは別体に形成されたブロック状の放熱体40が接合され、絶縁基板30はこの放熱体40の側面に添わせるように接合して取り付けられている。
【0011】
放熱体40は光素子16の熱放散性を向上させるために設けられているものであり、銅等の熱伝導性の良好な材料によって形成される。なお、放熱体40をアイレット10とは別体に設けずに、アイレット10と一体に形成することも可能である。
絶縁基板30は光素子16と電気的に接続する導体パターン32を形成するから、基材は電気的絶縁性を備えている必要がある。本実施形態において、絶縁基板30の基材を窒化アルミニウムによって形成しているのは、窒化アルミニウムが熱伝導性の良好な電気的絶縁体であるからである。このように、絶縁基板30として、熱伝導性にすぐれた電気的絶縁体を使用することにより、光素子16で発生した熱を絶縁基板30から放熱体40に効率的に伝導させて、光素子16から好適に熱放散させることができる。
【0012】
図2に、ガラス端子の側面断面図を示す。絶縁基板30が放熱体40の側面に添うようにしてアイレット10上に取り付けられている。放熱体40の絶縁基板30を接合する面は、放熱体40をアイレット10に接合した状態でアイレット10の上面に対して垂直に起立した面に形成されており、放熱体40の側面に平板状に形成された絶縁基板30を接合することにより、絶縁基板30の光素子16を搭載する面はアイレット10の上面に対して垂直面となる。
【0013】
23はモニター用リード21を挿通するための挿通孔であり、モニター用リード21はガラス24により挿通孔23に封着されている。なお、モニター用リード21は、その上端面がアイレット10の上面と略同一高さとなるように配置されている。
22はアースリードである。アースリード22はアイレット10の下面にろう付けによって固定されている。アースリード22によりアイレット10はアース電位に設定され、アイレット10に接合されている放熱体40もアース電位となる。
【0014】
図3は、絶縁基板30の光素子16を搭載する面を正面側から見た状態、アイレット10に信号用リード20をガラス封止した状態を示す正面断面図である。アイレット10を正面方向から見て、中心線の左右に1本ずつ配置される信号用リード20は、アイレット10に設けた挿通孔25にガラス24によって気密に封着されている。従来のガラス端子では信号用リードはアイレットに設けた挿通孔を貫通して、アイレットの上方にリードの先端が延出するように設けられているが、本実施形態のガラス端子では、信号用リード20は、リードの上端面がアイレット10の上面と同一高さとなるように挿通孔25に封着されている。
【0015】
信号用リード20の上端面の位置をアイレット10の上面と同一面に設定しているのは、アイレット10の上面に絶縁基板30の下端面を当接させてアイレット10に絶縁基板30を接合した際に、絶縁基板30に設けた導体パターン32が信号用リード20の上端面に接して、信号用リード20と導体パターン32とが電気的に接続するようにするためである。
実施形態の絶縁基板30では窒化アルミニウムを基材とし、窒化アルミニウムの表面にメタライズパターンとして導体パターン32、32を形成している。導体パターン32、32は、絶縁基板30の基部位置(アイレット10の上面に絶縁基板30が当接する位置)で、各々信号用リード20に接続する配置となるようにパターンが形成されている。
【0016】
図1(b)に示すように、絶縁基板30はアイレット10に所定間隔離間して配置されている信号用リード20、20間をかけわたすようにして配置される幅寸法に形成されており、絶縁基板30をアイレット10上に配置する際に、絶縁基板30の導体パターン32、32を形成した面が、信号用リード20、20の上端面と交差する配置となるようにする。
絶縁基板30をアイレット10の上面に接合する際には、絶縁基板30の下端面および放熱体40との接合面をろう付けによって接合するから、絶縁基板30の導体パターン32、32を形成した面が信号用リード20の上端面を交差するようにして接合することによって、導体パターン32と信号用リード20とが各々電気的に接続した状態で絶縁基板30がアイレット10に取り付けられる。
【0017】
もちろん、絶縁基板30に設けた導体パターン32と信号用リード20との電気的接続はろう付けに限らず、導電性接着剤を使用するといった方法によることも可能である。導体パターン32と信号用リード20とをろう付け等によって接続する際に、導体パターン32がアイレット10と電気的に短絡したりしないようにすることはもちろんである。
【0018】
図3では、絶縁基板30に設けた導体パターン32、32が各々、信号用リード20に電気的に接続されている状態を示す。本実施形態においては、導体パターン32は信号用リード20の軸線方向と平行に光素子16が搭載される絶縁基板30の側面上部側に延出するように形成され、導体パターン32の上端部はやや幅広のボンディング部32aに形成されている。
34は導体パターン32、32の中間に設けられた導体部である。この導体部34は光素子16を搭載する搭載部を被覆するように形成されたもので、導体パターン32と同様にメタライズパターンとして形成されている。導体部34は絶縁基板30の基端部でアイレット10の上面に接合される。これによって導体部34はアース電位となる。
【0019】
本実施形態のガラス端子において、アイレット10にガラス封着する信号用リード20の上端面をアイレット10の上端面と面一に設け、アイレット10の上面に絶縁基板30を接合することにより、信号用リード20に絶縁基板30の表面に設けた導体パターン32を電気的に接続する構成としているのは、絶縁基板30の表面に設けた導体パターン32による伝送路を高周波信号に対する特性インピーダンスをマッチングさせた伝送路として形成するためである。
【0020】
すなわち、絶縁基板30を形成する際に、導体パターン32の特性インピーダンス値を調節するため、絶縁基板30の放熱体40に接合する面の全面がアース電位となる導体層を設けて、マイクロストリップライン構造を形成するといった方法により導体パターン32を所定の特性インピーダンス値に調節することを可能としている。また、絶縁基板30の内部にもアース電位となる導体層を設けることによって、さらに低インピーダンス化を図ることが可能となる。このように、導体パターン32の特性インピーダンス値を調節することにより、信号用リード20と光素子16とを接続する伝送路の部分についての高周波特性を改善することができ、すぐれた高周波特性を備えたガラス端子を提供することができる。
【0021】
絶縁基板30にメタライズパターンとして導体パターン32を形成したり、絶縁基板30の裏面や内部に、マイクロストリップライン構造を構成するための導体パターンを形成することは、従来のセラミック回路基板における導体パターンの形成方法を利用することができる。導体パターンを複数の層構造に形成すること、導体パターンを層間で電気的に接続するビアを形成することも容易に可能であり、導体パターン32が所要の特性インピーダンス値となるように設計して形成することは容易である。
【0022】
上記ガラス端子は、絶縁基板30の導体部34に光素子16を搭載し、光素子16と導体パターン32とをワイヤボンディングすることによって光半導体装置として使用する。
この光半導体装置は、信号用リード20をアイレット10の挿通孔25にガラス封止する部位では同軸構造に形成されているから、信号用リード20の径寸法と挿通孔25の内径寸法、ガラス25の誘電率から、たとえば25Ωといった所定の特性インピーダンス値に調節することができ、信号用リード20と光素子16とを電気的に接続する導体パターン32の部分についても、上述したように、所定の特性インピーダンス値に調節することができることから、光半導体装置における伝送路の全体が特性インピーダンス値をマッチングさせた伝送路となり、高周波信号の伝送損失を抑えた、高周波特性のすぐれたガラス端子として提供することが可能になる。
【0023】
図4、5は、上記構成によるガラス端子の高周波伝送特性を検証するために、ガラス端子の内外が25Ωのインピーダンスポートに接続されたときのインピーダンスのミスマッチによる特性変化を算出したシミュレーション結果を示すグラフである。図4は入力信号に対する出力信号の周波数特性、図5は入力信号に対する反射信号の周波数特性を示す。図4に示すように、本実施形態のガラス端子によれば、従来のガラス端子に比べて出力が増大し、図5に示すように入力信号の反射が抑えられて、信号の伝送特性が向上することがわかる。
【0024】
【発明の効果】
本発明に係るガラス端子は、信号用リードと、信号用リードと光素子とを電気的に接続する伝送路が、所要の特性インピーダンス値に調節されてなるから、高周波信号の伝送特性のすぐれたガラス端子として提供することができ、光通信等の高周波信号を取り扱う装置に好適に利用することができる。また、本発明に係るガラス端子は、製造が容易であり量産性にすぐれる等の利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るガラス端子の正面図および平面図である。
【図2】ガラス端子の側面断面図である。
【図3】ガラス端子の正面断面図である。
【図4】本実施形態のガラス端子の伝送特性を示すグラフである。
【図5】本実施形態のガラス端子の反射特性を示すグラフである。
【図6】従来のガラス端子の正面図である。
【符号の説明】
10 アイレット
16 光素子
20 信号用リード
21 モニター用リード
22 アースリード
23、25 挿通孔
24 ガラス
30 絶縁基板
32 導体パターン
34 導体部
40 放熱体
Claims (5)
- ブロック状の放熱体が形成されたアイレットに、信号用リードがガラス封着されたガラス端子において、
前記信号用リードが、前記アイレットに設けられた挿通孔に、リードの上端面とアイレットの上面とを面一に、所定の特性インピーダンス値に調節されて封着され、
前記アイレットの上面に、所定の特性インピーダンス値に設定された導体パターンが形成された絶縁基板が、下端面をアイレットの上面に当接させ、裏面を前記放熱体の側面に接合して取り付けられているとともに、絶縁基板の基端部で前記導体パターンが前記信号用リードの上端面に電気的に接続されていることを特徴とするガラス端子。 - 絶縁基板が、アイレットに所定間隔離間して設けられている一対の信号用リードの上端面間にかけわたして配置されているとともに、
絶縁基板の導体パターンが設けられた面が、信号用リードの上端面と交差する配置に設けられていることを特徴とする請求項1記載のガラス端子。 - 絶縁基板が、アイレットの上面に下端面がろう付けされて、導体パターンと信号用リードとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2記載のガラス端子。
- 絶縁基板が、窒化アルミニウムを基材とし、導体パターンがメタライズパターンによって形成されていることを特徴とする請求項1、2または3記載のガラス端子。
- 放熱体が、銅材によりアイレットとは別体に形成されていることを特徴とする請求項1、2、3または4記載のガラス端子。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20170133821A1 (en) * | 2015-11-05 | 2017-05-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Optical element package and optical element device |
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