JPH09321177A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
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- JPH09321177A JPH09321177A JP13808396A JP13808396A JPH09321177A JP H09321177 A JPH09321177 A JP H09321177A JP 13808396 A JP13808396 A JP 13808396A JP 13808396 A JP13808396 A JP 13808396A JP H09321177 A JPH09321177 A JP H09321177A
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- JP
- Japan
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- substrate
- electrode
- frequency circuit
- circuit device
- high frequency
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波部品の他基板上への確実に実装し、温
度変化に対して半田が割れにくい高周波回路装置を提供
する。 【解決手段】 半導体素子を含む高周波回路を有する第
１の基板の裏面周端部に形成された複数の第１の電極
と、第２の基板とが半田によって固定されている高周波
回路装置であって、前記第１の電極の、前記第１の基板
の主平面の周囲方向の長さの合計を、前記第１の基板の
主平面の全周長の３６％以上とする。
度変化に対して半田が割れにくい高周波回路装置を提供
する。 【解決手段】 半導体素子を含む高周波回路を有する第
１の基板の裏面周端部に形成された複数の第１の電極
と、第２の基板とが半田によって固定されている高周波
回路装置であって、前記第１の電極の、前記第１の基板
の主平面の周囲方向の長さの合計を、前記第１の基板の
主平面の全周長の３６％以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種通信機器に用
いられる半導体素子を含む高周波回路装置に関するもの
である。
いられる半導体素子を含む高周波回路装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミック基板は特開平４ー３５
２４５８号に記載されたものが知られている。図３
（ａ）、（ｂ）は、高周波回路装置の構造を示す図であ
る。図３（ａ）は実装時の断面図で、１は第１の基板で
あるセラミック基板、２は第１の電極、３は半田、４は
第２の基板であるガラスエポキシ基板である。図３
（ｂ）はセラミック基板１の裏面図で、電極パターンを
示している。図３の例では、基板の４隅に他の電極より
比較的大きい電極を構成している。
２４５８号に記載されたものが知られている。図３
（ａ）、（ｂ）は、高周波回路装置の構造を示す図であ
る。図３（ａ）は実装時の断面図で、１は第１の基板で
あるセラミック基板、２は第１の電極、３は半田、４は
第２の基板であるガラスエポキシ基板である。図３
（ｂ）はセラミック基板１の裏面図で、電極パターンを
示している。図３の例では、基板の４隅に他の電極より
比較的大きい電極を構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このセラミック基板に
おいては、他の基板との半田接続を強化し電気的接続の
信頼性を高めることが要求されている。しかしながらセ
ラミック基板はガラスエポキシ樹脂等で作成された他の
基板との熱膨張係数が異なるため、温度サイクル等のス
トレスによって半田付け部に亀裂が生じやすく、特にパ
ワーモジュール等の大型の部品でこの傾向が著しく、移
動体通信機の信頼性の確保が困難になるという課題を有
していた。例えば、10mm角の部品の場合、-40℃〜+120
℃の温度サイクル数十回で半田割れがおこる。
おいては、他の基板との半田接続を強化し電気的接続の
信頼性を高めることが要求されている。しかしながらセ
ラミック基板はガラスエポキシ樹脂等で作成された他の
基板との熱膨張係数が異なるため、温度サイクル等のス
トレスによって半田付け部に亀裂が生じやすく、特にパ
ワーモジュール等の大型の部品でこの傾向が著しく、移
動体通信機の信頼性の確保が困難になるという課題を有
していた。例えば、10mm角の部品の場合、-40℃〜+120
℃の温度サイクル数十回で半田割れがおこる。
【０００４】本発明は上記の課題を解決するもので、セ
ラミック基板等を有する高周波回路装置の信頼性に優れ
た実装を可能にすることを目的とする。
ラミック基板等を有する高周波回路装置の信頼性に優れ
た実装を可能にすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の発明は、半導体素子を含む高周波回路を有する第１の
基板の裏面周端部に形成された複数の第１の電極と、第
２の基板とが半田によって固定されている高周波回路装
置であって、前記第１の電極の、前記第１の基板の主平
面の周囲方向の長さの合計が、前記第１の基板の主平面
の全周長の３６％以上であることを特徴とする高周波回
路装置であり、第１の基板と第２の基板との半田付けを
強化し信頼性に優れた実装を可能とするという作用を有
する。
の発明は、半導体素子を含む高周波回路を有する第１の
基板の裏面周端部に形成された複数の第１の電極と、第
２の基板とが半田によって固定されている高周波回路装
置であって、前記第１の電極の、前記第１の基板の主平
面の周囲方向の長さの合計が、前記第１の基板の主平面
の全周長の３６％以上であることを特徴とする高周波回
路装置であり、第１の基板と第２の基板との半田付けを
強化し信頼性に優れた実装を可能とするという作用を有
する。
【０００６】請求項２に記載の発明は、前記第１の基板
裏面の周端部に設けられた前記複数の第１の電極には、
前記第１の基板側面から前記第１の基板の内側方向に向
かってそれぞれ掘り込みが設けられ、掘り込みにより形
成された前記第１の基板の壁面にも前記第１の電極がそ
れぞれ延長形成されていることを特徴とする請求項１記
載の高周波回路装置であって、第１の基板と第２の基板
との半田付けをさらに強化し信頼性に優れた実装を可能
とするという作用を有する。
裏面の周端部に設けられた前記複数の第１の電極には、
前記第１の基板側面から前記第１の基板の内側方向に向
かってそれぞれ掘り込みが設けられ、掘り込みにより形
成された前記第１の基板の壁面にも前記第１の電極がそ
れぞれ延長形成されていることを特徴とする請求項１記
載の高周波回路装置であって、第１の基板と第２の基板
との半田付けをさらに強化し信頼性に優れた実装を可能
とするという作用を有する。
【０００７】請求項３に記載の発明は、前記第１の基板
の裏面の中央付近に第２の電極が形成され、前記第２の
電極と、前記第２の基板とは半田によって固定されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高
周波回路装置であり、第１の基板と第２の基板との半田
付けをさらに強化し信頼性に優れた実装を可能とすると
いう作用を有する。
の裏面の中央付近に第２の電極が形成され、前記第２の
電極と、前記第２の基板とは半田によって固定されてい
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高
周波回路装置であり、第１の基板と第２の基板との半田
付けをさらに強化し信頼性に優れた実装を可能とすると
いう作用を有する。
【０００８】請求項４に記載の発明は、前記第１の電極
と前記第２の電極との間にスリットが設けられているこ
とを特徴とする請求項３記載の高周波回路装置であり、
第１の基板と第２の基板との半田付けに際して、電極パ
ターン間の半田流れを抑止することで、再現性に優れた
安定した実装を可能とするという作用を有する。
と前記第２の電極との間にスリットが設けられているこ
とを特徴とする請求項３記載の高周波回路装置であり、
第１の基板と第２の基板との半田付けに際して、電極パ
ターン間の半田流れを抑止することで、再現性に優れた
安定した実装を可能とするという作用を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１、図２および図４を用いて説明する。
て、図１、図２および図４を用いて説明する。
【００１０】（実施の形態１）図１（ａ）、（ｂ）は、
高周波回路装置の構造を示す図である。図１（ａ）は実
装時の断面図で、１は第１の基板であるセラミック基
板、２は第１の電極、３は半田、４は第２の基板である
ガラスエポキシ基板である。図１（ｂ）はセラミック基
板１の裏面図で、電極パターンを示している。セラミッ
ク基板１の裏面の周辺部に形成された第１の電極２は、
バイアス用電極及び高周波信号の入出力端子、接地用電
極またはダミー電極である。また、裏面中央部には第２
の電極が設けられている。セラミック基板１としてはア
ルミナAL2O3、窒化アルミALN、あるいはこれらのセラミ
ックとガラス材の混合材料等が用いられる。また、第１
及び第２の電極にはNi/Au等が用いられる。本実施の形
態では、セラミック基板１の大きさは 10mm x 10mm、厚
さ0.85mm、裏面電極の総面積は約７mm2である。
高周波回路装置の構造を示す図である。図１（ａ）は実
装時の断面図で、１は第１の基板であるセラミック基
板、２は第１の電極、３は半田、４は第２の基板である
ガラスエポキシ基板である。図１（ｂ）はセラミック基
板１の裏面図で、電極パターンを示している。セラミッ
ク基板１の裏面の周辺部に形成された第１の電極２は、
バイアス用電極及び高周波信号の入出力端子、接地用電
極またはダミー電極である。また、裏面中央部には第２
の電極が設けられている。セラミック基板１としてはア
ルミナAL2O3、窒化アルミALN、あるいはこれらのセラミ
ックとガラス材の混合材料等が用いられる。また、第１
及び第２の電極にはNi/Au等が用いられる。本実施の形
態では、セラミック基板１の大きさは 10mm x 10mm、厚
さ0.85mm、裏面電極の総面積は約７mm2である。
【００１１】第１の電極２の、セラミック基板１の主平
面の周囲方向の長さをXiとするとその合計の長さは、セ
ラミック基板１の全周長の３６％以上となるよう作成さ
れている。また、中央部には、第２の電極５が形成され
接地用かつ部品から発生する熱の放散用として用いられ
る。第１の電極２および第２の電極５は実装時に半田付
けされるが、本実施の形態では周辺及び中央部で十分な
半田付け面積が確保されているため、温度サイクル等の
ストレスに対する強度が高く、高信頼性実装を可能とす
ることができる。
面の周囲方向の長さをXiとするとその合計の長さは、セ
ラミック基板１の全周長の３６％以上となるよう作成さ
れている。また、中央部には、第２の電極５が形成され
接地用かつ部品から発生する熱の放散用として用いられ
る。第１の電極２および第２の電極５は実装時に半田付
けされるが、本実施の形態では周辺及び中央部で十分な
半田付け面積が確保されているため、温度サイクル等の
ストレスに対する強度が高く、高信頼性実装を可能とす
ることができる。
【００１２】一方、図３に示す従来例では半田による接
着面積が小さく、温度ストレス等によって半田または半
田と金属電極の接着部で亀裂を生じてしまう可能性が大
きい。
着面積が小さく、温度ストレス等によって半田または半
田と金属電極の接着部で亀裂を生じてしまう可能性が大
きい。
【００１３】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２の高周波回路装置を示す図である。それぞれの第１
の電極２に半円形、長方形、長円形等の形状を有する基
板表面から裏面に達する掘り込みが設けられ、その壁面
にも第１の電極２が延長形成されている。
態２の高周波回路装置を示す図である。それぞれの第１
の電極２に半円形、長方形、長円形等の形状を有する基
板表面から裏面に達する掘り込みが設けられ、その壁面
にも第１の電極２が延長形成されている。
【００１４】半田付け時には、半田３が壁面即ち第１の
基板の側面にも回り込む事ができ、半田付け面積を拡大
できるため、さらに強い接着強度を得ることができる。
また、裏面中央部の第２の電極５は、接地用電極として
用いられ、周辺の接地用電極の一部とパターンをつなぐ
ことで、高周波接地を強化している。この周辺との接続
部にはスリット状のパターンを設け、実装時の半田の流
れを抑制している。
基板の側面にも回り込む事ができ、半田付け面積を拡大
できるため、さらに強い接着強度を得ることができる。
また、裏面中央部の第２の電極５は、接地用電極として
用いられ、周辺の接地用電極の一部とパターンをつなぐ
ことで、高周波接地を強化している。この周辺との接続
部にはスリット状のパターンを設け、実装時の半田の流
れを抑制している。
【００１５】図４のグラフは高周波回路装置を-40℃〜+
120℃の範囲で１００回温度変化させたときの半田割れ
の発生率ｓと、第１の基板の主平面の全周長に対する、
第１の電極の、第１の基板の主平面の周囲方向の長さの
合計の割合ｔとの関係を示したものである。この結果、
ｔが３６％以上のとき、半田割れが生じない様にするこ
とがわかる。
120℃の範囲で１００回温度変化させたときの半田割れ
の発生率ｓと、第１の基板の主平面の全周長に対する、
第１の電極の、第１の基板の主平面の周囲方向の長さの
合計の割合ｔとの関係を示したものである。この結果、
ｔが３６％以上のとき、半田割れが生じない様にするこ
とがわかる。
【００１６】
【発明の効果】以上、説明したところから明らかなよう
に、本発明の高周波回路装置は、高周波部品の他基板上
への確実に実装し、温度変化に対して半田が割れにくい
という効果を奏するものである。
に、本発明の高周波回路装置は、高周波部品の他基板上
への確実に実装し、温度変化に対して半田が割れにくい
という効果を奏するものである。
【図１】本発明の実施の形態１における高周波回路装置
を示す図
を示す図
【図２】本発明の実施の形態２における高周波回路装置
を示す図
を示す図
【図３】従来の高周波回路装置の構造を示す図
【図４】温度サイクル試験の結果を示す図
１ セラミック基板 ２ 第１の電極 ３ 半田 ４ ガラスエポキシ基板 ５ 第２の電極
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子を含む高周波回路を有する第
１の基板の裏面周端部に形成された複数の第１の電極
と、第２の基板とが半田によって固定されている高周波
回路装置であって、前記第１の電極の、前記第１の基板
の主平面の周囲方向の長さの合計が、前記第１の基板の
主平面の全周長の３６％以上であることを特徴とする高
周波回路装置。 - 【請求項２】 前記第１の基板裏面の周端部に設けられ
た前記複数の第１の電極には、前記第１の基板側面から
前記第１の基板の内側方向に向かってそれぞれ掘り込み
が設けられ、掘り込みにより形成された前記第１の基板
の壁面にも前記第１の電極がそれぞれ延長形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の高周波回路装置。 - 【請求項３】 前記第１の基板の裏面の中央付近に第２
の電極が形成され、前記第２の電極と、前記第２の基板
とは半田によって固定されていることを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の高周波回路装置。 - 【請求項４】 前記第１の電極と前記第２の電極との間
にスリットが設けられていることを特徴とする請求項３
記載の高周波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13808396A JPH09321177A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13808396A JPH09321177A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321177A true JPH09321177A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15213563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13808396A Pending JPH09321177A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09321177A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1104225A1 (en) * | 1999-11-25 | 2001-05-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface mounting component and mounted structure of surface mounting component |
| US20120318572A1 (en) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Endoscope device and circuit board |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP13808396A patent/JPH09321177A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1104225A1 (en) * | 1999-11-25 | 2001-05-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface mounting component and mounted structure of surface mounting component |
| US6693243B1 (en) | 1999-11-25 | 2004-02-17 | Murata Manufacturing Co, Ltd. | Surface mounting component and mounted structure of surface mounting component |
| EP1755367A2 (en) * | 1999-11-25 | 2007-02-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface mounting component and mounted structure of surface mounting component |
| EP1755367A3 (en) * | 1999-11-25 | 2007-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface mounting component and mounted structure of surface mounting component |
| US20120318572A1 (en) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Endoscope device and circuit board |
| JP2013000360A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-07 | Toshiba Corp | 内視鏡装置および基板 |
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