JPH0541199U - 電子部品取付構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ハイブリッドＩＣに適用される部品に作用す
る外来ノイズの除去並びに熱ストレスを緩衝する。 【構成】 基板表面に形成された導体膜上に、ミニモー
ルド半導体、チップコンデンサ等のチップ部品を搭載す
る。これらの部品の外面を、両端が接地電位の導体膜に
はんだ付けされたシールドバーにより覆う。そして、部
品とシールドバーとの間隙にシリコーン樹脂を充填す
る。よって外来ノイズは、シールドバーを介して接地さ
れるため、部品に悪影響を及ぼすことがない。また、部
品の発熱に起因する熱ストレスは、シリコーン樹脂によ
り緩衝することができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、ハイブリッドＩＣ等に用いられる電子部品取付構造に関し、特に高 インピーダンスの電子部品に好適な電子部品取付構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

例えばハイブリッドＩＣ等に於いて、セラミック等からなる基板表面に所望の パターンに形成された導体膜の電極部には、ミニモールド半導体、チップコンデ ンサ等のチップ部品を接続することが一般的に行われている。

【０００３】 上記したハイブリッドＩＣによれば、電波、電源サージ等外部よりのノイズが 各素子に悪影響を及ぼし、特に入力段に位置する高インピーダンスのミニモール ド半導体に影響を及ぼし易いことが知られている。

【０００４】 また、通常ハイブリッドＩＣはエポキシ等の樹脂によってパッケージされるこ とから、ハイブリッドＩＣ内部に発生する熱により基板、パターン、各搭載部品 等に熱応力が発生し易いことが知られている。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

このような従来技術の問題点に鑑み、本考案の主な目的は、外来ノイズの除去 並びに熱ストレスを緩衝し得る電子部品取付構造を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

上述した目的は本考案によれば、ハイブリッドＩＣの基板表面に形成された導 体膜パターン上に搭載される部品の取付構造であって、前記部品の外面に接地電 位のシールドバーを跨がせたことを特徴とする電子部品取付構造を提供すること により達成される。特に、前記部品と前記シールドバーとの間隙にシリコーン樹 脂が充填されていると良い。

【０００７】

【作用】

このようにすれば、部品に跨がせたシールドバーにより外来ノイズを吸収でき る。また、部品とシールドバーとの間隙に充填されたシリコーン樹脂により、各 部品に作用する熱ストレスを緩衝できる。

【０００８】

【実施例】

以下に添付の図面を参照して本考案を特定の実施例について詳細に説明する。

【０００９】 図１は本考案が適用されたハイブリッドＩＣの要部斜視図を示す。セラミック 基板１上に形成された導体膜２ａ、抵抗体膜２ｂ等からなる形成パターン２の表 面には、ミニモールド半導体３ａ、チップコンデンサ３ｂ等のチップ部品３が搭 載される電極部領域４及びリードフレーム５が接合される電極部領域６以外の部 分がガラス保護膜７により覆われている。このガラス保護膜は主成分が酸化鉛（ ＰｂＯ）からなり、焼成温度が５００℃〜５５０℃の低融点ガラスからなるガラ スペーストを焼成した膜である。このガラス保護膜７を焼成した後に各電極部領 域４、６にはんだ８が盛られ、チップ部品３、リードフレーム５等が取り付けら れる。

【００１０】 ミニモールド半導体３ａ外面は、図２に良く示すように、所定間隙を介して接 地電位の導体膜２ａに両端がはんだ付けされたシールドバー９により覆われてい て、このシールドバー９とミニモールド半導体３ａとの間隙には、柔軟であって しかも純度の高いシリコーン樹脂１０が充填されている。

【００１１】 このように構成されたハイブリッドＩＣは、全体をエポキシ樹脂１１によって パッケージされているが、特に入力段に位置するミニモールド半導体３ａは高イ ンピーダンスとなることから、周知の如く外部よりのノイズの影響を受け易い。 しかしながら本考案の部品の取付構造によれば、外来ノイズは各ミニモールド半 導体３ａを跨ぐシールドバー９によって除去されてしまう。また、各ミニモール ド半導体３ａにて発生する熱は、シールドバー９により放熱されると共に、該ミ ニモールド半導体３ａに作用する熱ストレスは、シリコーン樹脂１０により緩衝 することができる。

【００１２】 従って、外部からノイズを回避し得るほか、熱ストレスに対しても十分に対処 し得る電子部品取付構造を提供できる。

【００１３】

【考案の効果】

以上の説明により明らかなように、本考案による電子部品取付構造によれば、 シールドバーにより外来ノイズを吸収することができ、特に入力段に位置する高 インピーダンス部品に適用すればその効果は大である。しかもシリコーン樹脂に より熱ストレスを緩衝でき、特にチップ部品個々に作用する熱ストレスを吸収す ることができる。従って、個々の部品の信頼性が向上されることから、対環境性 に優れたハイブリッドＩＣを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案が適用されたハイブリッドＩＣの要部斜
視図である。

【図２】図１の一部分について見た要部拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１ セラミック基板 ２ 導体膜、抵抗体膜 ３ チップ部品 ４、６ 電極部領域 ５ リードフレーム ７ ガラス保護膜 ８ はんだ ９ シールドバー １０ シリコーン樹脂 １１ エポキシ樹脂

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 ハイブリッドＩＣの基板表面に形成され
   た導体膜パターン上に搭載される部品の取付構造であっ
   て、 前記部品の外面に接地電位のシールドバーを跨がせたこ
   とを特徴とする電子部品取付構造。
2. 【請求項２】 前記部品と前記シールドバーとの間隙に
   シリコーン樹脂が充填されていることを特徴とする請求
   項１に記載の電子部品取付構造