JPS6276588A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPS6276588A JPS6276588A JP21574785A JP21574785A JPS6276588A JP S6276588 A JPS6276588 A JP S6276588A JP 21574785 A JP21574785 A JP 21574785A JP 21574785 A JP21574785 A JP 21574785A JP S6276588 A JPS6276588 A JP S6276588A
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- Japan
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- integrated circuit
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は混成集積回路装置に係り、特に混成集積回路
装置を構成する１こめのろう材に関するものである。
装置を構成する１こめのろう材に関するものである。
汀２図は従来の高出力用の混成集積回路装置を示す断面
図であり、図において（１）は放熱用σつ金属板、（２
）は導体パターンを有するセラミック基板、（３ａ）（
３ｂ）は各々部品装置用のＰｂ−５ｎ系の半田および金
属板（１）とセラミック基板（２）を接合する１こめの
Ｐｂ−８ｎ系の半田、（５）は半田（３）によりセラミ
ック基板（２）に固着されｔこチップコンデンサ、（６
）はセラミック基板（２１ｋに固着されｆこ半導体素子
である。
図であり、図において（１）は放熱用σつ金属板、（２
）は導体パターンを有するセラミック基板、（３ａ）（
３ｂ）は各々部品装置用のＰｂ−５ｎ系の半田および金
属板（１）とセラミック基板（２）を接合する１こめの
Ｐｂ−８ｎ系の半田、（５）は半田（３）によりセラミ
ック基板（２）に固着されｔこチップコンデンサ、（６
）はセラミック基板（２１ｋに固着されｆこ半導体素子
である。
従来の混成集積回路装置においては、セラミック基板（
２）上の部品（５）装着用の半田（３ａ）と、セラミッ
ク基板（２）と金属板（１）とを接合する半田（３ｂ）
とは同一成分で、一般には融点が１８０℃であるｐｂ−
５ｎ系の半田を使用している。組立方法としては■セラ
ミック基板（２） Ｊｚの部品（５）装着をリフロー等
で半田付し、後に金属板（１）上への半田付けを行なう
。
２）上の部品（５）装着用の半田（３ａ）と、セラミッ
ク基板（２）と金属板（１）とを接合する半田（３ｂ）
とは同一成分で、一般には融点が１８０℃であるｐｂ−
５ｎ系の半田を使用している。組立方法としては■セラ
ミック基板（２） Ｊｚの部品（５）装着をリフロー等
で半田付し、後に金属板（１）上への半田付けを行なう
。
■セラミック基板（２）上の部品（５）装着と金、麿板
（１）北への半田付を同時におこなう。
（１）北への半田付を同時におこなう。
といった２通りが一般的である。
［発明が解決し、ようとする問題点〕
従来の構造ならびに組立方法においては、完成品番こお
いてセラミック基板（２）と金属板（１）の熱膨張係数
の差により、金属板（１）にソリが発生し、放熱効果を
減少させろという問題があった。まｔこ。
いてセラミック基板（２）と金属板（１）の熱膨張係数
の差により、金属板（１）にソリが発生し、放熱効果を
減少させろという問題があった。まｔこ。
Ｐｂ−３ｎ系の半田（３）は使用環境の温度差により塑
性領域（こ到達しｔ、：場合半田疲労により、セラミッ
ク基板（２）と金属板（１）との界面が剥離するという
大きな問題もある。さらに組立方法としてセラミック基
板（２）上の部品装着をリフロー等で半田付し、後に金
属板（１）上への半田付けをおこなうという方法を適用
しｔコ場合、８品装着の半田（３ａ）が２回ｍ融するこ
とになり、半田クワレにより部品の外部′成極を損傷す
るという問題もある。
性領域（こ到達しｔ、：場合半田疲労により、セラミッ
ク基板（２）と金属板（１）との界面が剥離するという
大きな問題もある。さらに組立方法としてセラミック基
板（２）上の部品装着をリフロー等で半田付し、後に金
属板（１）上への半田付けをおこなうという方法を適用
しｔコ場合、８品装着の半田（３ａ）が２回ｍ融するこ
とになり、半田クワレにより部品の外部′成極を損傷す
るという問題もある。
この発明は上記のような問題点を解消するために１（さ
れたもので、従来より信頼性の高い、使用用途に適合し
た混成集積回路装置を得ろことを目的とする。
れたもので、従来より信頼性の高い、使用用途に適合し
た混成集積回路装置を得ろことを目的とする。
〔問題点を解決する１こめの手段）
この発明に係る混成集積回路装置は、放熱板とこの放熱
板の熱膨張率と異なる熱膨張率の基板との固着にインジ
ウム系半田を使用し１：ものである。
板の熱膨張率と異なる熱膨張率の基板との固着にインジ
ウム系半田を使用し１：ものである。
この発明における混成集積回路装置は、放熱板と基板と
の固着にインジウム系の半田を使用し１このでＩｎ系半
田Ｏつもつ性質であるクリープ性により、放熱板のソリ
が解消でき、塑性による半田疲労の問題は実使用上完全
に解決できる。
の固着にインジウム系の半田を使用し１このでＩｎ系半
田Ｏつもつ性質であるクリープ性により、放熱板のソリ
が解消でき、塑性による半田疲労の問題は実使用上完全
に解決できる。
（発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は金属板からなる放熱板、（２）は
こ０〕放熱板（１）の熱膨張率と異なる熱膨張率のセラ
ミックからなる基板、（４）はこれら放熱板（１）と基
板（２）とを固、皆するための融点が１６０±８℃のＩ
ｎ系の半田で、その成分は［６０Ｉｎ／８７．５Ｐｂ／
８Ａｇ）のもυ〕である。（５）は上記基板（２）上に
融点が１８０＋３℃成分がＬ ３５．５Ｐｂ／６１．５
Ｓｎ／３Ａｇ：］の鉛・ｍ系の半田（３）で取り付けら
才ｔｆこチップコンデンサ、（６）は同じく基板（２）
上に半田（３）で固〜ｊされ１こ半導体素子である。
図において、（１）は金属板からなる放熱板、（２）は
こ０〕放熱板（１）の熱膨張率と異なる熱膨張率のセラ
ミックからなる基板、（４）はこれら放熱板（１）と基
板（２）とを固、皆するための融点が１６０±８℃のＩ
ｎ系の半田で、その成分は［６０Ｉｎ／８７．５Ｐｂ／
８Ａｇ）のもυ〕である。（５）は上記基板（２）上に
融点が１８０＋３℃成分がＬ ３５．５Ｐｂ／６１．５
Ｓｎ／３Ａｇ：］の鉛・ｍ系の半田（３）で取り付けら
才ｔｆこチップコンデンサ、（６）は同じく基板（２）
上に半田（３）で固〜ｊされ１こ半導体素子である。
この（ユに構成さｔ”Ｌ １：混成集積回路装置に於て
は、熱膨張率の異なる放熱板（１）と基板（２）との固
着にＩｎ系の半田（４）を用いているのでＩｎ系半田（
４）のもつ性質であるクリープ性により、放熱板（１）
の応力か吸収されてソリを防止できるものであり、まｆ
こ、半田疲労に関する問題に於ても６０１ｎ／８７．５
Ｐｂ／８Ａｇの成分Ｑつ半田を使用しｆこ場合、５０ｍ
ｍＸ２０ｍｍ の形状の混成集積回路装ａｔこおいて
、−４０℃と＋１２５℃との雰囲気温度を各３０分の間
交互に繰り返すヒートショックテストにて、 １００
０サイクルをクリアーしｊこデータを得ている。さらに
部品（５）装着されｔコ基板（４）を放熱板（１）に半
田付けする場合においても、部品（５）装着用の半田（
３）よりも基板（４）と放熱板（１）とを固着する半田
（４）の方が融点が低いので基板（４）上の半田を溶融
させない温度条件にて作業でき、従って部品（５）の外
部電極に半田クワレによる損傷を与えることはないもの
である。−なお、上記実施例に於ては、Ｉｎ系の半田（
４）として融点が１６０±３℃のものを用いたが、他の
融点をもつＩｎ系の半田でも良く、クリープ性の性質を
もつという点では、１４０℃以ｈ２００℃以下のものが
最も良いものである。
は、熱膨張率の異なる放熱板（１）と基板（２）との固
着にＩｎ系の半田（４）を用いているのでＩｎ系半田（
４）のもつ性質であるクリープ性により、放熱板（１）
の応力か吸収されてソリを防止できるものであり、まｆ
こ、半田疲労に関する問題に於ても６０１ｎ／８７．５
Ｐｂ／８Ａｇの成分Ｑつ半田を使用しｆこ場合、５０ｍ
ｍＸ２０ｍｍ の形状の混成集積回路装ａｔこおいて
、−４０℃と＋１２５℃との雰囲気温度を各３０分の間
交互に繰り返すヒートショックテストにて、 １００
０サイクルをクリアーしｊこデータを得ている。さらに
部品（５）装着されｔコ基板（４）を放熱板（１）に半
田付けする場合においても、部品（５）装着用の半田（
３）よりも基板（４）と放熱板（１）とを固着する半田
（４）の方が融点が低いので基板（４）上の半田を溶融
させない温度条件にて作業でき、従って部品（５）の外
部電極に半田クワレによる損傷を与えることはないもの
である。−なお、上記実施例に於ては、Ｉｎ系の半田（
４）として融点が１６０±３℃のものを用いたが、他の
融点をもつＩｎ系の半田でも良く、クリープ性の性質を
もつという点では、１４０℃以ｈ２００℃以下のものが
最も良いものである。
また、上記実施例に於ては、放熱板（１）と基板（２）
との固着にインジウム系の半田（４）を部品（５）の装
着に鉛−錫系の半田（３）を用いたが、部品（５）装着
用の半田（３）は他のものでも良く、要は、部品（５）
装着用の半田（３）は基板（２）と放熱板（１）とを固
着する半田（４）よりも融点が低ければ良いものである
。
との固着にインジウム系の半田（４）を部品（５）の装
着に鉛−錫系の半田（３）を用いたが、部品（５）装着
用の半田（３）は他のものでも良く、要は、部品（５）
装着用の半田（３）は基板（２）と放熱板（１）とを固
着する半田（４）よりも融点が低ければ良いものである
。
以上のように、この発明によｎば、基板と放熱板との半
田付けに、インジウム系の半田を使用しｔこので、放熱
板のソリが解消でき、まｔこ塑性による半田疲労の問題
も実使用上解決できるものであり、これによって信頼性
の昼いものが得られる効果がある。
田付けに、インジウム系の半田を使用しｔこので、放熱
板のソリが解消でき、まｔこ塑性による半田疲労の問題
も実使用上解決できるものであり、これによって信頼性
の昼いものが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による混成集積回路装置を
示す断面図、＠２図は従来の混成集積回路装置を示す断
面図である。 図において、（１〕は放熱板、（２）は基板、（３）は
基板（２）とこの基板（２）上に搭載される部品（５）
とを固着する半田、（４）は放熱板（１）と基板（２）
とを固着する半田。 （５）は回路部品である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
示す断面図、＠２図は従来の混成集積回路装置を示す断
面図である。 図において、（１〕は放熱板、（２）は基板、（３）は
基板（２）とこの基板（２）上に搭載される部品（５）
とを固着する半田、（４）は放熱板（１）と基板（２）
とを固着する半田。 （５）は回路部品である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
Claims (5)
- （１）放熱板とこの放熱板の熱膨張率と異なる熱膨張率
の基板とを固着するインジウム系の半田、上記基板とこ
の基板上に搭載される部品とを固着する半田とを備えた
混成集積回路装置。 - （２）放熱板と基板とを固着するインジウム系の半田は
、融点が１４０℃以上２００℃以下であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の混成集積回路装置。 - （３）放熱板と基板とを固着するインジウム系の半田は
、上記基板とこの基板上に搭載される部品とを固着する
半田より融点が低いことを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載の混成集積回路装置。 - （４）基板とこの基板上に搭載される部品とを固着する
半田は鉛−錫系の半田であることを特徴とする特許請求
の範囲第 項記載の混成集積回路装置。 - （５）放熱板と基板とを固着するインジウム系の半田の
融点は１５７℃以上１６３℃以下であり、上記基板とこ
の基板上に搭載される部品とを固着する半田は１８０℃
以上１８３℃未満であることを特徴とする特許請求の範
囲第３項または第４項記載の混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21574785A JPS6276588A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21574785A JPS6276588A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276588A true JPS6276588A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16677539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21574785A Pending JPS6276588A (ja) | 1985-09-28 | 1985-09-28 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276588A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02220772A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Uchihashi Estec Co Ltd | Ｆｅ―Ｎｉ―Ｃｒ系耐蝕性合金の半田付け方法 |
| JP2008132508A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Toyota Motor Corp | はんだ接合装置 |
| JP2008207207A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半田接合方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-28 JP JP21574785A patent/JPS6276588A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02220772A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Uchihashi Estec Co Ltd | Ｆｅ―Ｎｉ―Ｃｒ系耐蝕性合金の半田付け方法 |
| JP2008132508A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Toyota Motor Corp | はんだ接合装置 |
| JP2008207207A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半田接合方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US8273644B2 (en) | 2007-02-26 | 2012-09-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Soldering method and method of manufacturing semiconductor device including soldering method |
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