JP3556810B2 - Icの実装方法 - Google Patents
Icの実装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3556810B2 JP3556810B2 JP21644197A JP21644197A JP3556810B2 JP 3556810 B2 JP3556810 B2 JP 3556810B2 JP 21644197 A JP21644197 A JP 21644197A JP 21644197 A JP21644197 A JP 21644197A JP 3556810 B2 JP3556810 B2 JP 3556810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency signal
- substrate
- low
- lead
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速動作ICの実装に適用でき、特に、数ギガビット以上の第一高調波成分をもつ高周波信号を入出するリードを一辺に有し、他辺に前記高周波信号より低い第一高調波成分をもつ低周波信号を入出力するリードを備えた高速動作ICにおいて、高周波特性、放熱性が優れ、リードはんだ付け部の熱疲労劣化を防ぎ、コスト上昇を抑圧する事ができる実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報処理装置の高性能化、データ通信の高速度化に伴い、データ信号を多重・分離する高速時分割ICも大容量化、高集積化が進んでいる。この高速動作ICを搭載し、駆動させるための実装方法は、高周波特性、放熱性、機械的強度、コスト面の全てにおいて優れていることが望ましい。
【0003】
図7に従来の実装の方法を示す。図7に示すように、高速動作ICは、1994年電子情報通信学会技術研究報告[集積回路]Vol.93 No.421、61ページに記載されているよう、放熱性と高周波特性に優れたセラミックを材質とする基板上に実装する方法が知られている。
【0004】
図7において、IC4のパッケージは、方形であり、一辺に高周波信号入出力用リード5を備え、他三辺にはこの高周波信号よりも第一高調波成分の低い低周波信号を入出力するための低周波信号入出力用リード6を備える。セラミック基板1には、IC4の大きさに相当する四角形の穴が開けられており、IC4は、このセラミック基板1の四角形の穴にはめ込まれる。IC4は、セラミック基板1のパッドへ、コバールを材質とするリード5および6をはんだ付けすることにより接続される。セラミック基板1の下には、IC4の放熱とセラミック基板1の補強を目的とするCuW(銅タングステン)を材質とするヒートブロック2を設置する。
【0005】
リード5および6は、高周波特性の劣化を防ぐため電気長が最短となるよう約2mm程度の長さでセラミック基板に接続される。この時IC4とセラミック基板1とヒートシンク部2との熱膨張係数は、6.9×10−6/℃であり、コバールを材質とするリード5の熱膨張係数は、6.0×10−6/℃であるので、三者の熱膨張係数差に起因する熱応力は小さい。よってリード接続部に熱疲労によるはんだクラック等は起こらず、機械的強度が確保される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このように、基板にセラミックだけを用いた従来例では、高周波特性と機械的強度と放熱性に優れた高速動作ICの実装方法が実現できる。しかし、高速動作ICの周囲をセラミック基板にて覆うため、材料費が高価なセラミック基板の面積が大きくなり、コストの面で問題がある。
【0007】
これに対して、安価なガラスエポキシ基板を使用する場合の従来技術としては、特開平7−58247号公報に記載されている。この方法は、図2に示すように、ICパッケージ4の四隅に脚部7を形成し、その底面を基板3に接着し、IC高速動作時に発生した熱や周囲温度によって熱応力が発生した場合でも、脚部7が基板のたわみ、伸縮を抑え、リードへの応力の伝達を軽減し、機械的強度を確保している。
【0008】
しかし、この方法では、現在解決しようとしている数ギガビット以上の第一高調波成分を持つ高周波信号が入出力されるリードも曲げて実装されるため、不要なインダクタンス成分が付加され高周波特性の劣化を引き起こす。また放熱性も良くないため、IC内部のジャンクション温度の上昇を招き、IC使用条件の制限となってしまう。
【0009】
本発明は、上記のような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、高周波特性と放熱性に優れ、リードはんだ付け部の熱疲労劣化を防ぎ、コスト上昇を抑圧する高速動作ICの実装方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、信号を入出力するためのリードを備えるICパッケージであって、前記リードの少なくとも一つは、凸状に湾曲させた形状を備える。
【0011】
この場合、基板は、ベース基板と、 前記ベース基板上に配置されるヒートブロックと、前記ヒートブロック上に配置されるセラミック基板と、前記ベース基板上に配置される有機系基板とを備え、前記有機系基板と、前記ヒートブロックとは、互いに接触しないで配置される。すなわち、有機系基板と、前記ヒートブロックとは、空間を設けて配置することにより、ICパッケージをヒートブロックに搭載させた場合に、凸状に湾曲させた形状のリードを有機系基板に接続しやすくなる。また、有機系基板と、前記ヒートブロックとは熱膨張係数が異なるため、これらを接触させないことにより、熱応力の影響が、接触させた場合に比べて少なくすることができる。
【0012】
凸状に湾曲させた形状のリードは、有機系基板、例えば、ガラスエポキシ基板に接続され、高周波信号よりも低い第一高調波成分をもつ低周波信号を入出力をする際に利用することができる。 凸状に湾曲させた形状にすることにより、IC4高速駆動時に発生する熱や、周囲温度変動に起因する熱応力によって有機系基板の膨張または収縮を、吸収することができ、リードの接続部分のはんだクラック、熱疲労劣化を防ぐことができる。また、それ以外のリードは、最短でセラミック基板に接続することにより、高周波特性と機械的強度と放熱性に優れ、高周波信号を入出力する場合に利用することができる。
【0013】
また、前記有機系基板は、前記ベース基板上に固定するための固定部材を備える。固定部材は、例えば、ねじ止めにて固定することにより、各々の基板の熱応力による熱疲労劣化などを防ぐことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0015】
図1および図3に、本発明の実施の形態における高速動作ICとその実装方法の全体構造の平面図および断面図を示す。 また、図8に、ヒートブロック2およびセラミック基板1の構成を示し、図9に、ヒートブロック2、セラミック基板1およびガラスエポキシ基板3の構成を示す。
【0016】
図1および図3において、IC4を搭載させた基板は、 情報処理装置名銅に利用されるものである。IC4のパッケージは、方形であり、一辺に高周波信号入出力用リード5を備え、他三辺にはこの高周波信号よりも第一高調波成分の低い低周波信号を入出力するための低周波信号入出力用リード6を備える。 セラミック基板1は、少なくともIC4の高周波信号入出力用リード5を備える辺の長さを含む大きさを備える。高周波信号入出力用リード5を備える一辺は、セラミック基板1上に配置され、そのリードは、電気長が最短となるようにセラミック基板1に接続される。ガラスエポキシ基板3は、低周波信号入出力用リード6を備える3辺に面するように構成され、本実施の形態においては、図9に示すように、コの字型に形成されている。低周波信号入出力用リード6を備える3辺は、図3に示すように、ガラスエポキシ基板3上に配置され、そのリード線は、凸状に湾曲させた形状をしている。ガラスエポキシ基板3は、テフロンや、Btレジンなどの有機系基板で構成してもよい。図1に示すように、高周波信号入出力用リード5は、低周波信号入出力用リード6より、リードの長さが短くなっている。
【0017】
図9に示すように、セラミック基板1とガラスエポキシ基板3とで、IC4をはめ込むための四角形の穴を形成する。 また、図8に示すように、セラミック基板1の下には、IC4の放熱とセラミック基板1の補強を目的とするCuW(銅タングステン)を材質とする接合金属のヒートブロック2を設置する。セラミック基板1とヒートブロック2とは、銀エポキシもしくははんだ等の導電性結合部材により結合される。また、ヒートブロック2およびガラスエポキシ基板は、互いに接触しないでベース基板10に配置され、ネジどめすることによりベース基板10に結合される。
【0018】
高周波信号入出力用リード5は、高周波特性の劣化を防ぐため電気長が最短となるよう約2mm程度の長さでセラミック基板1のパッドにはんだ付けすることにより接続される。高周波信号入出力用リード5は、数ギガビット以上の第一高調波成分をもつ高周波信号伝送を目的とするため約2mm程度と実装上可能な限り短く、かつ、ストレートな形状とし、IC4とセラミック基板1間はすき間がないようにはんだ付けする。この構成により不要なインダクタンスが付加されず高周波信号系での高周波特性劣化は生じない。ヒートブロック2の熱膨張係数は6.0×10−6/℃、IC4のパッケージおよびセラミック基板部1の熱膨張係数は6.9×10−6/℃であるので、3者の間では熱膨張係数差に起因する熱応力は小さく熱疲労劣化は生じない。また、高周波信号入出力用リード5の熱膨張係数は6.0×10−6/℃であるので、IC4のパッケージとセラミック基板部1との間で熱応力は小さく熱疲労劣化は生じない。
【0019】
図4に、ガラスエポキシ基板3とIC4とを接続する低周波信号入出力用リード6のフォーミングの形状の詳細図を示す。IC4は、ガラスエポキシ基板3と、コバールを材質とする低周波信号入出力用リード6とをはんだ付けすることによりガラスエポキシ基板3に接続される。ガラスエポキシ基板部3の熱膨張係数は12.5×10−6/℃であり、低周波信号入出力用リード6の熱膨張係数の約2倍の大きさであり、2者の間での熱応力は無視できない。そこで、本実施の形態においては、IC4とガラスエポキシ基板部3との間に約1mm程度の空間を作り、低周波信号入出力用リード6を、図3に示すようにフォーミングしてガラスエポキシ基板部3にはんだ付けする。IC4の高速駆動時に発生する熱や、周囲温度変動に起因する熱応力によってガラスエポキシ基板3の膨張または収縮を、このフォーミングした低周波信号入出力用リード6が吸収するため、低周波信号入出力用リード6接続部のはんだクラックや熱疲労劣化を防ぐことができる。図3に示すように、ガラスエポキシ基板3は、ベース基板10に支柱を介してねじ9により固定され、この構造により水平方向のガラスエポキシ基板3の伸縮を抑えることができる。
【0020】
ここで、低周波信号入出力用リード6を図4に示す形状としたときのリードの直線部分の長さをL1、曲げの長さをL2とし、はんだフィレット8を図4に示すような形状に形成し、長さL1、L2をパラメータとして予測寿命Nf(サイクル)を有限要素法を用いた熱応力解析により求めた結果を図5に示す。この予測寿命とは、温度−40℃〜85℃〜−40℃を1サイクルとして、何サイクルではんだフィレット8にクラックが入るかを推定した計算値である。図5に示すように、L1=L2=2mmに設定する事により、1000サイクル以上の寿命が得られる。
【0021】
また、図6に、低周波信号入出力用リード6を図4に示すようにフォーミングし、L1=L2=2mmとした場合の高周波信号の伝送損失を計算機によって解析した結果を示す。図6において、横軸に周波数、縦軸に伝送損失を示す。
【0022】
図6に示すように、1.0GHzの信号でも0.2dBの減衰にとどまることから、ガラスエポキシ基板に接続されるリードを通る低周波信号が1.0Ghzでも、本実施の形態の適用が可能であることが判る。
【0023】
また、図10に、ヒートブロック2、セラミック基板1およびガラスエポキシ基板3の他の構成を示す。ガラスエポキシ基板3は、図10に示すように、方形で、セラミック基板1及びヒートブロック2の大きさに相当する四角形の穴をあけて構成しておいてもよい。この場合、この穴に、セラミック基板1及びヒートブロック2が、接触しないように差し込まれ、その上にIC4がはめ込まれ、接続される。これにより、セラミック基板の面積をより小さくして、コストを抑えることができる。
【0024】
また、情報処理装置において、本実施の形態における実装を行なう場合には、高周波信号の配線部分は、セラミック基板を利用し、低周波信号の配線部分は、ガラスエポキシ基板を利用することができる。
【0025】
本実施の形態によれば、IC放熱用及び基板補強用のヒートブロック上に搭載された高周波信号伝達用セラミック基板に、高速動作ICを搭載するため、放熱性に優れ、 ICの高周波信号入出力用のリードとその同一辺に整列したその他リードは電気長が最短となる形状でセラミック基板に接続するため、高周波特性の劣化はない。また、前記高周波信号よりも低い第一高調波成分の低周波信号リードとその同一辺に整列したその他リードは、該低周波信号リードを持つ辺を囲うよう配置されたガラスエポキシ基板に、リードを凸状に湾曲させた形状でガラスエポキシ基板に接続しているため、熱膨張、熱収縮による熱応力をリードの変形によって吸収し、はんだ付け部の熱疲労劣化を防止し、ガラスエポキシ基板を使用できるためセラミック基板面積の減少によりコスト上昇の抑圧ができる。
【0026】
また、ベース基板上に高速ICパッケージの近傍にてネジ止めにより固定するため、水平方向のガラスエポキシ基板3の伸縮を抑えることができ、ICパッケージとリード接合部、リードおよび基板のはんだ付け部に与える熱応力を抑圧できる。
【0027】
【発明の効果】
本発明によれば、高周波特性と放熱性に優れ、リードはんだ付け部の熱疲労劣化を防ぎ、コスト上昇を抑圧する高速動作ICの実装を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態における全体構造を示す平面図と断面図。
【図2】ICパッケージに脚部を設けた従来例の断面図。
【図3】実施の形態における高速時分割ICとその実装方法の全体構造を示す平面図と断面図。
【図4】低周波信号伝送用基板部に接続する低周波信号入出力用ICリードのフォーミングの形状を示す構成図。
【図5】低周波信号入出力用リード6の形状の温度変化に対応する予測寿命の推定説明図。
【図6】低周波信号入出力用リード6の高周波信号伝送損失シミュレーション結果のグラフ。
【図7】従来例の全体構造を示す平面図と断面図。
【図8】実施の形態におけるヒートブロック2およびセラミック基板1の構成図。
【図9】実施の形態におけるヒートブロック2、セラミック基板1およびガラスエポキシ基板3の構成図。
【図10】実施の形態におけるヒートブロック2、セラミック基板1およびガラスエポキシ基板3の他の構成図。
【符号の説明】
1…セラミック基板部
2 …ヒートブロック
3 …ガラスエポキシ基板部
4 …IC(パッケージ部)
5 …ICリード(高周波信号入出力用)
6 …ICリード(低周波信号入出力用)
7 …脚部(従来例)
8 …はんだフィレット
9…ねじ
10…ベース基板。
Claims (7)
- ICパッケージの一辺に第一の高調波成分をもつ高周波信号を入出力する高周波信号入出力リードを備え、他辺に前記高周波信号よりも低い第一の高調波成分をもつ低周波信号を入出力する低周波信号リードを備えた高速動作ICの実装方法において、
前記高周波信号入出力リードとその同一辺に整列したその他のリードを、電気長が最短となる形状で高周波信号接続用基板に接続し、
前記低周波信号リードとその同一辺に整列したその他リードを、その辺を囲うように配置された低周波信号接続用基板に、凸状に湾曲させた形状で接続することを特徴とする高速動作ICの実装方法。 - 前記低周波信号接続用基板を、ベース基板上に、前記ICパッケージの近傍にてネジ止めにより固定することを特徴とする請求項1記載の高速動作ICの実装方法。
- 前記低周波信号接続用基板が、有機系基板であることを特徴とする請求項1記載の高速動作ICの実装方法。
- 前記低周波信号接続用基板が、ガラスエポキシ基板であることを特徴とする請求項1記載の高速動作ICの実装方法。
- 前記低周波信号接続用基板が、テフロン基板であることを特徴とする請求項1記載の高速動作ICの実装方法。
- 前記高周波信号接続用基板が、前記ICパッケージの放熱用かつ基板補強用のヒートブロック上に搭載されたセラミック基板であることを特徴とする請求項1記載の高速動作ICの実装方法。
- ICパッケージの一辺に第一の高調波成分をもつ高周波信号を入出力する高周波信号入出力リードを備え、他辺に前記高周波信号よりも低い第一の高調波成分をもつ低周波信号を入出力する低周波信号リードを備えた高速動作ICであって、
前記高周波信号入出力リードとその同一辺に整列したその他のリードは、電気長が最短となる形状で高周波信号接続用基板に接続されており、
前記低周波信号リードとその同一辺に整列したその他リードは、その辺を囲うように配置された低周波信号接続用基板に、凸状に湾曲させた形状で接続されていることを特徴とする高速動作IC。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21644197A JP3556810B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Icの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21644197A JP3556810B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Icの実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1168018A JPH1168018A (ja) | 1999-03-09 |
JP3556810B2 true JP3556810B2 (ja) | 2004-08-25 |
Family
ID=16688597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21644197A Expired - Lifetime JP3556810B2 (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Icの実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3556810B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3526548B2 (ja) | 2000-11-29 | 2004-05-17 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11289441B2 (en) * | 2019-10-09 | 2022-03-29 | Wolfspeed, Inc. | Systems and processes for increasing semiconductor device reliability |
-
1997
- 1997-08-11 JP JP21644197A patent/JP3556810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1168018A (ja) | 1999-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6040624A (en) | Semiconductor device package and method | |
US5598031A (en) | Electrically and thermally enhanced package using a separate silicon substrate | |
US6972479B2 (en) | Package with stacked substrates | |
EP0509825A2 (en) | Package structure for semiconductor device | |
KR100620879B1 (ko) | 플립 칩 반도체 장치 | |
JP2010034294A (ja) | 半導体装置およびその設計方法 | |
US20100252936A1 (en) | Semiconductor module and portable devices | |
JPH05259334A (ja) | 半導体装置 | |
KR20140063713A (ko) | 몰딩된 하우징을 구비한 전기 제어 장치 | |
JP3556810B2 (ja) | Icの実装方法 | |
KR100271836B1 (ko) | 금속성 전자 부품 패키지 장치 | |
JP2000216550A (ja) | 積層プリント配線基板 | |
JP5091437B2 (ja) | 光伝送モジュール | |
JPH05110277A (ja) | 半導体装置 | |
JP2002118215A (ja) | 半導体装置 | |
JP3449312B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2531125B2 (ja) | Icチップキャリアモジュ―ル | |
EP2063484B1 (en) | Microwave module | |
JP2554040Y2 (ja) | 電子部品取付構造 | |
JP2003133682A (ja) | 高周波回路及びそれを用いた光伝送モジュール | |
KR200331875Y1 (ko) | 반도체볼그리드어레이패키지 | |
JP2855980B2 (ja) | 熱電冷却モジュールおよび冷却型半導体レーザモジュール | |
JPH07231055A (ja) | モジュール構造 | |
JPH10209213A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2021064771A (ja) | 電子制御装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040407 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080521 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |