JP2002118215A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱能力に優れ、しかも、ボンディングワイ
ヤの長さが短くて済む半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置２０Ａは、プリント基板４０
と、このプリント基板４０上に実装された電界効果トラ
ンジスタ（半導体素子）３２と、プリント基板４０上に
電界効果トランジスタ３２と並置されて実装された放熱
ブロック２８ａ、ｂと、電界効果トランジスタ３２と放
熱ブロック２８ａ、ｂをそれぞれ接続するボンディング
ワイヤ２６ａ、ｂとを備えている。
ヤの長さが短くて済む半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置２０Ａは、プリント基板４０
と、このプリント基板４０上に実装された電界効果トラ
ンジスタ（半導体素子）３２と、プリント基板４０上に
電界効果トランジスタ３２と並置されて実装された放熱
ブロック２８ａ、ｂと、電界効果トランジスタ３２と放
熱ブロック２８ａ、ｂをそれぞれ接続するボンディング
ワイヤ２６ａ、ｂとを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は半導体装置に関す
る。特に、放熱能力が改善された半導体装置に関する。
る。特に、放熱能力が改善された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】 従来から半導体装置の放熱能力を改善
する様々な技術が開発され、その一例が特開平２−１８
９５１号公報に記載されている。この公報に記載の半導
体装置を図３を参照して簡単に説明する。図中、１３６
はソースパターン、１２２はゲートパターン、１３８は
ドレインパターンであり、これらのパターンはプリント
基板１４０上に形成されている。図中１３４は金属製の
放熱ブロックであり、ソースパターン１３６上に固定さ
れている。放熱ブロック１３４上に半導体素子１３０が
接着層１２８で接着されている。図中１２６は半導体素
子１３０のソース電極を放熱ブロック１３４を介してソ
ースパターン１３６に接続するボンディングワイヤ、１
２４はゲート電極をゲートパターン１２２に接続するボ
ンディングワイヤ、１３２はドレイン電極をドレインパ
ターン１３８に接続するボンディングワイヤである。
する様々な技術が開発され、その一例が特開平２−１８
９５１号公報に記載されている。この公報に記載の半導
体装置を図３を参照して簡単に説明する。図中、１３６
はソースパターン、１２２はゲートパターン、１３８は
ドレインパターンであり、これらのパターンはプリント
基板１４０上に形成されている。図中１３４は金属製の
放熱ブロックであり、ソースパターン１３６上に固定さ
れている。放熱ブロック１３４上に半導体素子１３０が
接着層１２８で接着されている。図中１２６は半導体素
子１３０のソース電極を放熱ブロック１３４を介してソ
ースパターン１３６に接続するボンディングワイヤ、１
２４はゲート電極をゲートパターン１２２に接続するボ
ンディングワイヤ、１３２はドレイン電極をドレインパ
ターン１３８に接続するボンディングワイヤである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】 上記の構造、即ち、
プリント基板１４０上に放熱ブロック１３４を載せ、そ
の放熱ブロック１３４上に半導体素子１３０を載せる構
造の場合、必然的に、プリント基板１４０の表面から半
導体素子１３０の表面までの高さが高くなり、各ボンデ
ィングワイヤ（特にボンディングワイヤ１２４、１３
２）の長さが長くなってしまう。このために、振動・高
温・低温にさらされるような厳しい環境下で使用する
と、断線等の障害が生じやすい。
プリント基板１４０上に放熱ブロック１３４を載せ、そ
の放熱ブロック１３４上に半導体素子１３０を載せる構
造の場合、必然的に、プリント基板１４０の表面から半
導体素子１３０の表面までの高さが高くなり、各ボンデ
ィングワイヤ（特にボンディングワイヤ１２４、１３
２）の長さが長くなってしまう。このために、振動・高
温・低温にさらされるような厳しい環境下で使用する
と、断線等の障害が生じやすい。
【０００４】本発明は、放熱能力に優れ、しかも、ボン
ディングワイヤの長さが短くて済む半導体装置を提供す
ることを目的とする。
ディングワイヤの長さが短くて済む半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用と効果】 本発
明に係る半導体装置は、プリント基板と、このプリント
基板に実装された半導体素子と、この半導体素子と並置
されてそのプリント基板に実装された放熱ブロックと、
前記半導体素子と前記放熱ブロックを接続するボンディ
ングワイヤとを備えている。この半導体装置は、プリン
ト基板表面から半導体素子表面までの高さが高くなら
ず、ボンディングワイヤの長さが長くならない。このた
めに、振動・高温・低温にさらされるような厳しい環境
下で使用しても、断線等の障害が生じにくい。即ち、信
頼性が向上する。
明に係る半導体装置は、プリント基板と、このプリント
基板に実装された半導体素子と、この半導体素子と並置
されてそのプリント基板に実装された放熱ブロックと、
前記半導体素子と前記放熱ブロックを接続するボンディ
ングワイヤとを備えている。この半導体装置は、プリン
ト基板表面から半導体素子表面までの高さが高くなら
ず、ボンディングワイヤの長さが長くならない。このた
めに、振動・高温・低温にさらされるような厳しい環境
下で使用しても、断線等の障害が生じにくい。即ち、信
頼性が向上する。
【０００６】プリント基板裏面にヒートシンクが設けら
れている場合には、放熱ブロックがプリント基板に設け
られた凹部に実装されていることが好ましい。この場
合、半導体素子から放熱ブロックに放熱された熱は、効
果的にヒートシンクに放熱され、放熱能力が非常に高
い。
れている場合には、放熱ブロックがプリント基板に設け
られた凹部に実装されていることが好ましい。この場
合、半導体素子から放熱ブロックに放熱された熱は、効
果的にヒートシンクに放熱され、放熱能力が非常に高
い。
【０００７】
【発明の実施の形態】 後記する本発明の実施例の主要
な特徴を記載する。 （形態１） プリント基板が導電部材を備え、１本のボ
ンディングワイヤが半導体素子から放熱ブロックを経て
導電部材にまで伸びていることを特徴とする半導体装
置。 （形態２） プリント基板裏面にヒートシンクが設けら
れ、そのプリント基板を貫通してヒートシンクに達する
凹部が設けられ、その凹部に放熱ブロックが収容され、
その放熱ブロックが絶縁層を介してヒートシンクに固定
されていることを特徴とする半導体装置。
な特徴を記載する。 （形態１） プリント基板が導電部材を備え、１本のボ
ンディングワイヤが半導体素子から放熱ブロックを経て
導電部材にまで伸びていることを特徴とする半導体装
置。 （形態２） プリント基板裏面にヒートシンクが設けら
れ、そのプリント基板を貫通してヒートシンクに達する
凹部が設けられ、その凹部に放熱ブロックが収容され、
その放熱ブロックが絶縁層を介してヒートシンクに固定
されていることを特徴とする半導体装置。
【０００８】
【実施例】 （第１実施例）第１実施例に係る半導体装
置について、図１を参照して説明する。図１は第１実施
例に係る半導体装置の断面図である。図１に示すよう
に、この半導体装置２０Ａの場合、ヒートシンク３６の
側部上にハウジング２４が載置されている。ヒートシン
ク３６は熱伝導性の高い材料、例えば、銅、アルミニウ
ム等の金属材料等によって形成されており、ハウジング
２４は樹脂等によって形成されている。このハウジング
２４には、電極バスバー（導電部材）２２ａ、ｂが挟み
込まれ固着されている。ヒートシンク３６の中央部上に
は、プリント基板４０が載置されている。このプリント
基板４０は、有機系材料（フェノール樹脂、エポキシ樹
脂等）や、セラミック、ガラス等によって平板状に形成
されている。このプリント基板４０の下部には、熱伝導
性の高い放熱グリス３８が塗布されており、プリント基
板４０とヒートシンク３６の間の熱抵抗を低減させてい
る。このプリント基板４０の内部には、上面から下面を
貫通するようにサーマルビア４０ａが形成されている。
このサーマルビア４０ａは、電気的に接続される配線の
一部として使用されるものではなく、放熱のために形成
されている。サーマルビア４０ａは、プリント基板４０
にスルーホールをパンチングで形成した後に、熱伝導性
の高いサーマルビアペーストを充填することによって形
成されている。
置について、図１を参照して説明する。図１は第１実施
例に係る半導体装置の断面図である。図１に示すよう
に、この半導体装置２０Ａの場合、ヒートシンク３６の
側部上にハウジング２４が載置されている。ヒートシン
ク３６は熱伝導性の高い材料、例えば、銅、アルミニウ
ム等の金属材料等によって形成されており、ハウジング
２４は樹脂等によって形成されている。このハウジング
２４には、電極バスバー（導電部材）２２ａ、ｂが挟み
込まれ固着されている。ヒートシンク３６の中央部上に
は、プリント基板４０が載置されている。このプリント
基板４０は、有機系材料（フェノール樹脂、エポキシ樹
脂等）や、セラミック、ガラス等によって平板状に形成
されている。このプリント基板４０の下部には、熱伝導
性の高い放熱グリス３８が塗布されており、プリント基
板４０とヒートシンク３６の間の熱抵抗を低減させてい
る。このプリント基板４０の内部には、上面から下面を
貫通するようにサーマルビア４０ａが形成されている。
このサーマルビア４０ａは、電気的に接続される配線の
一部として使用されるものではなく、放熱のために形成
されている。サーマルビア４０ａは、プリント基板４０
にスルーホールをパンチングで形成した後に、熱伝導性
の高いサーマルビアペーストを充填することによって形
成されている。
【０００９】プリント基板４０の中央部上には導体パタ
ーン３４が印刷されている。この導体パターン３４は、
銀、銅等の熱と電気伝導性の良好な金属等によって形成
されている。この導体パターン３４は、印刷、めっき、
あるいはエッチング等の通常の方法を用いて形成するこ
とができる。この導体パターン３４には、電界効果トラ
ンジスタ３２のソース電極３２Ｓがはんだ３０ではんだ
付けされている。電界効果トランジスタ３２は、下部に
ソース電極３２Ｓを持ち、上方にドレイン電極３２Ｄと
ゲート電極３２Ｇを持っている。この電界効果トランジ
スタ３２と並列に載置されて放熱ブロック２８ａ、ｂが
はんだ３０ではんだ付けされている。放熱ブロック２８
は、銅、アルミ、モリブデン、シリカ等の熱伝導性の高
い材料で形成されている。これらのはんだ付けは、リフ
ロー炉内でリフローはんだ付けによって行われる。
ーン３４が印刷されている。この導体パターン３４は、
銀、銅等の熱と電気伝導性の良好な金属等によって形成
されている。この導体パターン３４は、印刷、めっき、
あるいはエッチング等の通常の方法を用いて形成するこ
とができる。この導体パターン３４には、電界効果トラ
ンジスタ３２のソース電極３２Ｓがはんだ３０ではんだ
付けされている。電界効果トランジスタ３２は、下部に
ソース電極３２Ｓを持ち、上方にドレイン電極３２Ｄと
ゲート電極３２Ｇを持っている。この電界効果トランジ
スタ３２と並列に載置されて放熱ブロック２８ａ、ｂが
はんだ３０ではんだ付けされている。放熱ブロック２８
は、銅、アルミ、モリブデン、シリカ等の熱伝導性の高
い材料で形成されている。これらのはんだ付けは、リフ
ロー炉内でリフローはんだ付けによって行われる。
【００１０】電界効果トランジスタ３２と放熱ブロック
２８はできるだけ近くに並置することが好ましい。図１
には２つの放熱ブロック２８ａ、ｂが示されているが、
できるだけ数多く設けることが好ましい。前記したサー
マルビア４０ａは、電界効果トランジスタ３２と放熱ブ
ロック２８に対応する領域内にそれぞれ複数形成されて
いる。このサーマルビア４０ａはできるだけ数多く形成
することが好ましい。
２８はできるだけ近くに並置することが好ましい。図１
には２つの放熱ブロック２８ａ、ｂが示されているが、
できるだけ数多く設けることが好ましい。前記したサー
マルビア４０ａは、電界効果トランジスタ３２と放熱ブ
ロック２８に対応する領域内にそれぞれ複数形成されて
いる。このサーマルビア４０ａはできるだけ数多く形成
することが好ましい。
【００１１】電界効果トランジスタ３２のドレイン電極
３２Ｄはドレイン側の電極バスバー２２ａにボンディン
グワイヤ２６ａで接続されている。このボンディングワ
イヤ２６ａの中間点は放熱ブロック２８ａにはんだ付け
されている。即ち、一本のボンディングワイヤ２６ａ
が、電界効果トランジスタ３２のドレイン電極３２Ｄか
ら放熱ブロック２８ａを経て電極バスバー２２ａに伸び
ている。このボンディングワイヤ２６ａは、例えばアル
ミニウム、金等の電気抵抗並びに熱抵抗の低い金属材料
で形成されている。同様に、電界効果トランジスタ３２
のゲート電極３２Ｇはゲート側の電極バスバー２２ｂに
ボンディングワイヤ２６ｂで接続されている。このボン
ディングワイヤ２６ｂの中間点は放熱ブロック２８ｂに
はんだ付けされている。即ち、一本のボンディングワイ
ヤ２６ｂが、電界効果トランジスタ３２のゲート電極３
２Ｇから放熱ブロック２８ｂを経て電極バスバー２２ｂ
に伸びている。
３２Ｄはドレイン側の電極バスバー２２ａにボンディン
グワイヤ２６ａで接続されている。このボンディングワ
イヤ２６ａの中間点は放熱ブロック２８ａにはんだ付け
されている。即ち、一本のボンディングワイヤ２６ａ
が、電界効果トランジスタ３２のドレイン電極３２Ｄか
ら放熱ブロック２８ａを経て電極バスバー２２ａに伸び
ている。このボンディングワイヤ２６ａは、例えばアル
ミニウム、金等の電気抵抗並びに熱抵抗の低い金属材料
で形成されている。同様に、電界効果トランジスタ３２
のゲート電極３２Ｇはゲート側の電極バスバー２２ｂに
ボンディングワイヤ２６ｂで接続されている。このボン
ディングワイヤ２６ｂの中間点は放熱ブロック２８ｂに
はんだ付けされている。即ち、一本のボンディングワイ
ヤ２６ｂが、電界効果トランジスタ３２のゲート電極３
２Ｇから放熱ブロック２８ｂを経て電極バスバー２２ｂ
に伸びている。
【００１２】第１実施例に係る半導体装置２０Ａでは、
電界効果トランジスタ３２と放熱ブロック２８ａ、ｂを
並置しているため、一度にはんだ付けでき半導体装置２
０Ａの製造工程を簡素化できる。また、プリント基板４
０に特殊な構造が必要とされるわけでもなく、放熱ブロ
ック２８ａ、ｂも電界効果トランジスタ３２等と同時に
実装できるため、製造も容易である。さらに、電界効果
トランジスタ３２と放熱ブロック２８を並置しているた
め、プリント基板４０に対し高さ方向のスペースを大き
くとる必要がない。このため、半導体装置２０Ａを薄型
化できる。
電界効果トランジスタ３２と放熱ブロック２８ａ、ｂを
並置しているため、一度にはんだ付けでき半導体装置２
０Ａの製造工程を簡素化できる。また、プリント基板４
０に特殊な構造が必要とされるわけでもなく、放熱ブロ
ック２８ａ、ｂも電界効果トランジスタ３２等と同時に
実装できるため、製造も容易である。さらに、電界効果
トランジスタ３２と放熱ブロック２８を並置しているた
め、プリント基板４０に対し高さ方向のスペースを大き
くとる必要がない。このため、半導体装置２０Ａを薄型
化できる。
【００１３】さらに、従来技術である図３と比較すると
明らかに、この半導体装置２０Ａの場合には、ボンディ
ングワイヤ２６ａ、ｂが高さ方向に伸びる必要がなく、
電界効果トランジスタ３２と放熱ブロック２８間の距
離、放熱ブロック２８と電極バスバー２２の距離を短く
することができる。このために、ボンディングワイヤ２
６の自由長（ここでははんだ点とはんだ点の間を無支持
状態で伸びる距離をいう）が短い。ボンディングワイヤ
２６の自由長を短くできるために、この半導体装置２０
Ａを振動の激しい環境下で使用したときにもボンディン
グワイヤ２６が大きく振動することを防止でき、断線等
の事故の発生を効果的に抑制することができる。また、
一本のボンディングワイヤ２６が、電界効果トランジス
タ３２から放熱ブロック２８を経て電極バスバー２２に
伸びるために、電界効果トランジスタ３２と放熱ブロッ
ク２８間、放熱ブロック２８と電極バスバー２２間を別
々のボンディングワイヤで接続する場合に比して、使用
するワイヤ本数とはんだ付け箇所を少なくすることがで
きる。
明らかに、この半導体装置２０Ａの場合には、ボンディ
ングワイヤ２６ａ、ｂが高さ方向に伸びる必要がなく、
電界効果トランジスタ３２と放熱ブロック２８間の距
離、放熱ブロック２８と電極バスバー２２の距離を短く
することができる。このために、ボンディングワイヤ２
６の自由長（ここでははんだ点とはんだ点の間を無支持
状態で伸びる距離をいう）が短い。ボンディングワイヤ
２６の自由長を短くできるために、この半導体装置２０
Ａを振動の激しい環境下で使用したときにもボンディン
グワイヤ２６が大きく振動することを防止でき、断線等
の事故の発生を効果的に抑制することができる。また、
一本のボンディングワイヤ２６が、電界効果トランジス
タ３２から放熱ブロック２８を経て電極バスバー２２に
伸びるために、電界効果トランジスタ３２と放熱ブロッ
ク２８間、放熱ブロック２８と電極バスバー２２間を別
々のボンディングワイヤで接続する場合に比して、使用
するワイヤ本数とはんだ付け箇所を少なくすることがで
きる。
【００１４】次に、第１実施例に係る半導体装置２０Ａ
の電界効果トランジスタ３２で発生した熱の伝達作用に
ついて説明する。第１に、電界効果トランジスタ３２で
発生した熱の一部は、その電界効果トランジスタ３２の
下方に設けられたサーマルビア４０ａ、放熱グリス３８
を通じてヒートシンク３６に伝達される。サーマルビア
４０ａは熱伝導性の高い部材で形成されており、サーマ
ルビア３６とヒートシンク３６の間には放熱グリス３８
が塗布されているから、ヒートシンク３６に良好に放熱
することができる。第２に、電界効果トランジスタ３２
で発生した熱の一部は、ボンディングワイヤ２６を通じ
て放熱ブロック２８に伝達される。放熱ブロック２８に
伝達された熱は、その放熱ブロック２８の下方に設けら
れたサーマルビア４０ａ、放熱グリス３８を通じてヒー
トシンク３６へ伝達される。第３に、電界効果トランジ
スタ３２で発生した熱の一部は、ボンディングワイヤ２
６を通じて電極バスバー２２に伝達される。電極バスバ
ー２２は、本来的には電気的に接続されているものであ
るが、平面視した場合には長方形状となっており、表面
積が大きいため、放熱効果も有する。このように、第１
実施例に係る半導体装置２０Ａでは、大きく分けて３つ
の放熱経路を有するため、電界効果トランジスタ３２の
実質の熱抵抗を低減することができる。
の電界効果トランジスタ３２で発生した熱の伝達作用に
ついて説明する。第１に、電界効果トランジスタ３２で
発生した熱の一部は、その電界効果トランジスタ３２の
下方に設けられたサーマルビア４０ａ、放熱グリス３８
を通じてヒートシンク３６に伝達される。サーマルビア
４０ａは熱伝導性の高い部材で形成されており、サーマ
ルビア３６とヒートシンク３６の間には放熱グリス３８
が塗布されているから、ヒートシンク３６に良好に放熱
することができる。第２に、電界効果トランジスタ３２
で発生した熱の一部は、ボンディングワイヤ２６を通じ
て放熱ブロック２８に伝達される。放熱ブロック２８に
伝達された熱は、その放熱ブロック２８の下方に設けら
れたサーマルビア４０ａ、放熱グリス３８を通じてヒー
トシンク３６へ伝達される。第３に、電界効果トランジ
スタ３２で発生した熱の一部は、ボンディングワイヤ２
６を通じて電極バスバー２２に伝達される。電極バスバ
ー２２は、本来的には電気的に接続されているものであ
るが、平面視した場合には長方形状となっており、表面
積が大きいため、放熱効果も有する。このように、第１
実施例に係る半導体装置２０Ａでは、大きく分けて３つ
の放熱経路を有するため、電界効果トランジスタ３２の
実質の熱抵抗を低減することができる。
【００１５】第１実施例に係る半導体装置２０Ａのボン
ディングワイヤ２６は、熱と電気の両者を伝える役割を
果たす。１本のボンディングワイヤ２６に２つの役割を
兼用させているため、ボンディングワイヤ２６の使用量
を低減することができる。特に、耐腐食性等からの観点
からボンディングワイヤ２６を金ワイヤ等にする必要が
ある場合には、ボンディングワイヤ２６の使用量を低減
できることは大きなメリットとなる。
ディングワイヤ２６は、熱と電気の両者を伝える役割を
果たす。１本のボンディングワイヤ２６に２つの役割を
兼用させているため、ボンディングワイヤ２６の使用量
を低減することができる。特に、耐腐食性等からの観点
からボンディングワイヤ２６を金ワイヤ等にする必要が
ある場合には、ボンディングワイヤ２６の使用量を低減
できることは大きなメリットとなる。
【００１６】（第２実施例）次に、第２実施例に係る半
導体装置について、図２を参照して説明する。図２は第
２実施例に係る半導体装置の断面図である。なお、第１
実施例に係る半導体装置２０Ａにおける部材と同様の機
能を果たす部材については、同じ参照番号を付し、その
説明を省略する。図２に示すように、半導体装置２０Ｂ
には、プリント基板４０の裏面に放熱グリス３８を介し
てヒートシンク３６が設けられている。そのプリント基
板４０には、そのプリント基板４０を貫通してヒートシ
ンク３６に達する凹部４０ｂが設けられている。この凹
部４０ｂに放熱ブロック２９ａ、ｂが収容されている。
この放熱ブロック２９ａ、ｂは、絶縁層３９を介してヒ
ートシンク３６に固定されている。この絶縁層３９は、
樹脂、セラミック、ガラス、ゴム系材料等で形成されて
いる。主にこれらの点で第１実施例に係る半導体装置２
０Ａと異なる。
導体装置について、図２を参照して説明する。図２は第
２実施例に係る半導体装置の断面図である。なお、第１
実施例に係る半導体装置２０Ａにおける部材と同様の機
能を果たす部材については、同じ参照番号を付し、その
説明を省略する。図２に示すように、半導体装置２０Ｂ
には、プリント基板４０の裏面に放熱グリス３８を介し
てヒートシンク３６が設けられている。そのプリント基
板４０には、そのプリント基板４０を貫通してヒートシ
ンク３６に達する凹部４０ｂが設けられている。この凹
部４０ｂに放熱ブロック２９ａ、ｂが収容されている。
この放熱ブロック２９ａ、ｂは、絶縁層３９を介してヒ
ートシンク３６に固定されている。この絶縁層３９は、
樹脂、セラミック、ガラス、ゴム系材料等で形成されて
いる。主にこれらの点で第１実施例に係る半導体装置２
０Ａと異なる。
【００１７】次に、第２実施例に係る半導体装置２０Ｂ
の電界効果トランジスタ３２で発生した熱の伝達作用に
ついて説明する。電界効果トランジスタ３２で発生した
熱は、ボンディングワイヤ２６を通じて放熱ブロック２
９に伝達される。放熱ブロック２９に伝達された熱の一
部は、ヒートシンク３６に伝達され外部に放散される。
また、放電ブロック２９に伝達された熱の一部は、プリ
ント基板４０の凹部４０ｂからも外部に放散される。こ
のため、電界効果トランジスタ３２で発生した熱は、放
熱ブロック２９によって熱の流れる面積が広げられるこ
とで良好に放熱される。なお、放熱ブロック２９の下面
に絶縁層３９を形成しているので、電界効果トランジス
タ３２がヒートシンク３６と導通して電気的に短絡する
おそれはない。
の電界効果トランジスタ３２で発生した熱の伝達作用に
ついて説明する。電界効果トランジスタ３２で発生した
熱は、ボンディングワイヤ２６を通じて放熱ブロック２
９に伝達される。放熱ブロック２９に伝達された熱の一
部は、ヒートシンク３６に伝達され外部に放散される。
また、放電ブロック２９に伝達された熱の一部は、プリ
ント基板４０の凹部４０ｂからも外部に放散される。こ
のため、電界効果トランジスタ３２で発生した熱は、放
熱ブロック２９によって熱の流れる面積が広げられるこ
とで良好に放熱される。なお、放熱ブロック２９の下面
に絶縁層３９を形成しているので、電界効果トランジス
タ３２がヒートシンク３６と導通して電気的に短絡する
おそれはない。
【００１８】以上、本発明の実施例に係る半導体装置に
ついて説明したが、本発明は上記の実施例になんら限定
されるものではなく、当業者の知識に基づいて種々の変
更、改良を施した形態で実施することができる。
ついて説明したが、本発明は上記の実施例になんら限定
されるものではなく、当業者の知識に基づいて種々の変
更、改良を施した形態で実施することができる。
【００１９】例えば、本実施例では、半導体素子として
電界効果トランジスタを用いた場合を例にして説明した
が、本発明における半導体素子はこれに限られない。例
えば、電界効果トランジスタ以外のトランジスタ（パワ
ートランジスタ等）に適用してもよく、さらには、トラ
ンジスタ以外の半導体素子、例えば、サイリスタ、３端
子レギュレータ等に適用してもよい。また、２端子のダ
イオード等に適用してもよい。
電界効果トランジスタを用いた場合を例にして説明した
が、本発明における半導体素子はこれに限られない。例
えば、電界効果トランジスタ以外のトランジスタ（パワ
ートランジスタ等）に適用してもよく、さらには、トラ
ンジスタ以外の半導体素子、例えば、サイリスタ、３端
子レギュレータ等に適用してもよい。また、２端子のダ
イオード等に適用してもよい。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体装置の断面
図。
図。
【図２】本発明の第２実施例に係る半導体装置の断面
図。
図。
【図３】従来の半導体装置の断面図。
２０Ａ、Ｂ：半導体装置 ２２：電極バスバー（導電部材） ２４：ハウジング ２６：ボンディングワイヤ ２８：放熱ブロック ３０：はんだ ３２：電界効果トランジスタ（半導体素子）、３２Ｓ：
ソース電極、３２Ｇ：ゲート電極、３２Ｄ：ドレイン電
極 ３４：導体層 ３６：ヒートシンク ３８：放熱グリス ３９：絶縁層 ４０：プリント基板、４０ａ：サーマルビア、４０ｂ：
凹部
ソース電極、３２Ｇ：ゲート電極、３２Ｄ：ドレイン電
極 ３４：導体層 ３６：ヒートシンク ３８：放熱グリス ３９：絶縁層 ４０：プリント基板、４０ａ：サーマルビア、４０ｂ：
凹部
Claims (2)
- 【請求項１】 プリント基板と、このプリント基板に実
装された半導体素子と、この半導体素子と並置されてそ
のプリント基板に実装された放熱ブロックと、前記半導
体素子と前記放熱ブロックを接続するボンディングワイ
ヤとを備えた半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、
プリント基板裏面にヒートシンクが設けられ、前記放熱
ブロックがプリント基板に設けられた凹部に実装されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000308625A JP2002118215A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000308625A JP2002118215A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118215A true JP2002118215A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18788905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000308625A Pending JP2002118215A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002118215A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005158957A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2005283852A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007108191A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 液晶レンズ装置 |
| JP2007156490A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Toppoly Optoelectronics Corp | 画像表示システム |
| JP2007234303A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Minebea Co Ltd | 面状照明装置 |
| EP2365539A1 (en) * | 2003-05-26 | 2011-09-14 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Light-emitting device |
-
2000
- 2000-10-10 JP JP2000308625A patent/JP2002118215A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2365539A1 (en) * | 2003-05-26 | 2011-09-14 | Panasonic Electric Works Co., Ltd | Light-emitting device |
| JP2005158957A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| JP2005283852A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP2007108191A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 液晶レンズ装置 |
| JP2007156490A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Toppoly Optoelectronics Corp | 画像表示システム |
| JP2007234303A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Minebea Co Ltd | 面状照明装置 |
| JP4654942B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-03-23 | ミネベア株式会社 | 面状照明装置 |
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