JP3481353B2 - 集積回路用基板およびその製造方法 - Google Patents
集積回路用基板およびその製造方法Info
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- JP3481353B2 JP3481353B2 JP15677795A JP15677795A JP3481353B2 JP 3481353 B2 JP3481353 B2 JP 3481353B2 JP 15677795 A JP15677795 A JP 15677795A JP 15677795 A JP15677795 A JP 15677795A JP 3481353 B2 JP3481353 B2 JP 3481353B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路用基板および
その製造方法に関し、さらに詳細には、構成素子として
抵抗、インダクタあるいはキャパシタなどを含み、通信
分野などにおいて使用されるモノリシック・マイクロ波
集積回路（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＭＭＩＣ）
あるいはマイクロ波ＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＭＩＣ）のようなマ
イクロ波用の集積回路やミリ波用の集積回路などの高周
波用の集積回路用基板およびその製造方法に関する。
その製造方法に関し、さらに詳細には、構成素子として
抵抗、インダクタあるいはキャパシタなどを含み、通信
分野などにおいて使用されるモノリシック・マイクロ波
集積回路（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＭＭＩＣ）
あるいはマイクロ波ＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＭＩＣ）のようなマ
イクロ波用の集積回路やミリ波用の集積回路などの高周
波用の集積回路用基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＭＩＣやＭＩＣなどのマイクロ
波用の集積回路やミリ波用の集積回路などの高周波用の
集積回路においては、図３に示すように、集積回路用の
基板たる所定の厚さを備えた誘電体基板１００の上面に
薄膜の抵抗（以下、「薄膜抵抗」と称す。）や薄膜のキ
ャパシタ（以下、「薄膜キャパシタ」と称す。）などの
回路１０２を形成していた。
波用の集積回路やミリ波用の集積回路などの高周波用の
集積回路においては、図３に示すように、集積回路用の
基板たる所定の厚さを備えた誘電体基板１００の上面に
薄膜の抵抗（以下、「薄膜抵抗」と称す。）や薄膜のキ
ャパシタ（以下、「薄膜キャパシタ」と称す。）などの
回路１０２を形成していた。
【０００３】また、回路１０２のグラウンド面は、誘電
体基板１００の下面に導体膜１０４を着膜することによ
り形成していた。
体基板１００の下面に導体膜１０４を着膜することによ
り形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体基板
上に形成する回路の伝送線路は、誘電体基板の厚さが薄
いほど、またその誘電率が高いほど、幅を狭くすること
が可能であり、回路を小型化することができることが知
られている。
上に形成する回路の伝送線路は、誘電体基板の厚さが薄
いほど、またその誘電率が高いほど、幅を狭くすること
が可能であり、回路を小型化することができることが知
られている。
【０００５】しかしながら、回路の小型化を図るために
誘電体基板の厚さをあまり薄くすると、製造工程におい
て誘電体基板が割れてしまう恐れがありその取り扱いが
困難であるため、誘電体基板は約２００μｍ以上の厚さ
が必要であった。このため、回路の小型化を図るにあた
って、誘電体基板の厚さに起因する限界があるという問
題点があった。
誘電体基板の厚さをあまり薄くすると、製造工程におい
て誘電体基板が割れてしまう恐れがありその取り扱いが
困難であるため、誘電体基板は約２００μｍ以上の厚さ
が必要であった。このため、回路の小型化を図るにあた
って、誘電体基板の厚さに起因する限界があるという問
題点があった。
【０００６】また、回路の小型化を図るために誘電率が
高い誘電体基板を用いることも提案されているが、誘電
率の高い誘電体基板は表面が粗く、高周波用の集積回路
において必要とされる薄膜キャパシタの製作が極めて困
難であるという新たな問題点があった。
高い誘電体基板を用いることも提案されているが、誘電
率の高い誘電体基板は表面が粗く、高周波用の集積回路
において必要とされる薄膜キャパシタの製作が極めて困
難であるという新たな問題点があった。
【０００７】本発明は、従来の技術の有するこのような
種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と
するところは、伝送線路の幅を狭くすることを可能と
し、それにより回路の小型化を図ることのできる集積回
路用基板およびその製造方法を提供しようとするもので
ある。
種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的と
するところは、伝送線路の幅を狭くすることを可能と
し、それにより回路の小型化を図ることのできる集積回
路用基板およびその製造方法を提供しようとするもので
ある。
【０００８】また、本発明の目的とするところは、集積
回路用基板の表面を平坦化し、薄膜キャパシタを形成可
能とした集積回路用基板およびその製造方法を提供しよ
うとするものである。
回路用基板の表面を平坦化し、薄膜キャパシタを形成可
能とした集積回路用基板およびその製造方法を提供しよ
うとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、取り扱いにおいて破損する恐れがない所
定の厚さ（例えば、約２００μｍ以上の厚さ）を備えた
Ｓｉや金属材料などの低抵抗材料からなり、回路のグラ
ウンド面として構成されるグラウンド用基板の表面に、
ガラスなどの誘電体よりなる厚さが非常に薄い（例え
ば、約３０〜５０μｍの厚さ）薄層状の誘電体基板を接
合するようにしたものである。
に、本発明は、取り扱いにおいて破損する恐れがない所
定の厚さ（例えば、約２００μｍ以上の厚さ）を備えた
Ｓｉや金属材料などの低抵抗材料からなり、回路のグラ
ウンド面として構成されるグラウンド用基板の表面に、
ガラスなどの誘電体よりなる厚さが非常に薄い（例え
ば、約３０〜５０μｍの厚さ）薄層状の誘電体基板を接
合するようにしたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明による請求
項１に記載の集積回路用基板においては、表面に回路を
形成する集積回路用基板において、所定の厚さを備えた
低抵抗材料からなり、回路のグラウンド面として構成さ
れる回路のグラウンド用基板と、上記グラウンド用基板
の表面に接合され、上面に回路が形成される薄層状の誘
電体基板とを有し、上記回路のグラウンド用基板の表面
に、上記誘電体基板を密着させ、上記誘電体基板の表面
に緩衝板を配置し、上記グラウンド用基板と上記緩衝板
とにそれぞれ電極を配置して電界をかけ、上記グラウン
ド用基板と上記誘電体基板とが陽極接合されたようにし
たものである。また、本発明による請求項２に記載の集
積回路用基板においては、表面に回路を形成する集積回
路用基板において、低抵抗材料からなり、回路のグラウ
ンド面として構成される約２００μｍ以上の厚さのグラ
ウンド用基板と、上記グラウンド用基板の表面に接合さ
れ、上面に回路が形成される約３０〜５０μｍの厚さの
誘電体基板とを有し、上記グラウンド用基板に用いる材
料は、上記誘電体基板に用いる材料の膨張係数と同程度
の膨張係数の材料であり、上記誘電体基板の上面に形成
される回路は、上記誘電体基板の所定箇所を除去して形
成されるスルーホールに配線を通して上記グラウンド基
板と接続可能なものであるようにしたものである。
項１に記載の集積回路用基板においては、表面に回路を
形成する集積回路用基板において、所定の厚さを備えた
低抵抗材料からなり、回路のグラウンド面として構成さ
れる回路のグラウンド用基板と、上記グラウンド用基板
の表面に接合され、上面に回路が形成される薄層状の誘
電体基板とを有し、上記回路のグラウンド用基板の表面
に、上記誘電体基板を密着させ、上記誘電体基板の表面
に緩衝板を配置し、上記グラウンド用基板と上記緩衝板
とにそれぞれ電極を配置して電界をかけ、上記グラウン
ド用基板と上記誘電体基板とが陽極接合されたようにし
たものである。また、本発明による請求項２に記載の集
積回路用基板においては、表面に回路を形成する集積回
路用基板において、低抵抗材料からなり、回路のグラウ
ンド面として構成される約２００μｍ以上の厚さのグラ
ウンド用基板と、上記グラウンド用基板の表面に接合さ
れ、上面に回路が形成される約３０〜５０μｍの厚さの
誘電体基板とを有し、上記グラウンド用基板に用いる材
料は、上記誘電体基板に用いる材料の膨張係数と同程度
の膨張係数の材料であり、上記誘電体基板の上面に形成
される回路は、上記誘電体基板の所定箇所を除去して形
成されるスルーホールに配線を通して上記グラウンド基
板と接続可能なものであるようにしたものである。
【００１１】また、本発明による集積回路用基板の製造
方法においては、表面に回路を形成する集積回路用基板
の製造方法において、所定の厚さを備えた低抵抗材料よ
り構成される回路のグラウンド用基板の表面に、薄層状
の誘電体基板を密着させ、上記誘電体基板の表面に緩衝
板を配置し、上記グラウンド用基板と上記緩衝板とにそ
れぞれ電極を配置して電界をかけ、上記グラウンド用基
板と上記誘電体基板とを陽極接合するようにしたもので
ある。
方法においては、表面に回路を形成する集積回路用基板
の製造方法において、所定の厚さを備えた低抵抗材料よ
り構成される回路のグラウンド用基板の表面に、薄層状
の誘電体基板を密着させ、上記誘電体基板の表面に緩衝
板を配置し、上記グラウンド用基板と上記緩衝板とにそ
れぞれ電極を配置して電界をかけ、上記グラウンド用基
板と上記誘電体基板とを陽極接合するようにしたもので
ある。
【００１２】ここで、緩衝板は、例えば、０．５ｍｍほ
どの厚さのものを用いればよく、その材料としては、誘
電体基板としてガラスを用いる場合にはガラスを用いる
ことができる。
どの厚さのものを用いればよく、その材料としては、誘
電体基板としてガラスを用いる場合にはガラスを用いる
ことができる。
【００１３】
【作用】集積回路用基板を構成する、例えば、厚さ約３
０〜５０μｍの薄層状の誘電体基板上に回路を構成する
ことができるので、回路の伝送線路の幅を狭くすること
が可能となり、それにより回路の小型化を図ることがで
きる。
０〜５０μｍの薄層状の誘電体基板上に回路を構成する
ことができるので、回路の伝送線路の幅を狭くすること
が可能となり、それにより回路の小型化を図ることがで
きる。
【００１４】また、誘電体基板としてガラスを用いた場
合には、その表面を平坦化することができるので、回路
として薄膜キャパシタを形成することができる。
合には、その表面を平坦化することができるので、回路
として薄膜キャパシタを形成することができる。
【００１５】ところで、集積回路用基板にスルーホール
を形成する際には、一般に集積回路用基板の厚さが薄い
ほどスルーホールを微細に形成することができる。
を形成する際には、一般に集積回路用基板の厚さが薄い
ほどスルーホールを微細に形成することができる。
【００１６】本発明によれば、エッチングなどにより薄
層状の誘電体基板の所定箇所を除去することによりスル
ーホールを形成することができるので、極めて微細なス
ルーホールの形成が可能となる。
層状の誘電体基板の所定箇所を除去することによりスル
ーホールを形成することができるので、極めて微細なス
ルーホールの形成が可能となる。
【００１７】そして、エッチングなどにより薄層状の誘
電体基板の所定箇所を除去して形成したスルーホールに
配線を通して、回路とグラウンド用基板とを接続すれば
よい。
電体基板の所定箇所を除去して形成したスルーホールに
配線を通して、回路とグラウンド用基板とを接続すれば
よい。
【００１８】
【実施例】以下、図面に基づいて、本発明による集積回
路用基板およびその製造方法を詳細に説明するものとす
る。
路用基板およびその製造方法を詳細に説明するものとす
る。
【００１９】なお、図３と同一あるいは相当する構成に
は、本発明の理解を容易にするとともに説明を簡略化す
るために、図３と同一の符号を付して示すこととする。
は、本発明の理解を容易にするとともに説明を簡略化す
るために、図３と同一の符号を付して示すこととする。
【００２０】図１には本発明の一実施例による集積回路
用基板が示されており、集積回路用基板１０は、回路１
０２のグラウンド面として構成されるＳｉや金属材料な
どの低抵抗材料からなる、例えば、厚さが約２００μｍ
以上のグラウンド用基板１２と、グラウンド用基板１２
の上面１２ａに接合された、例えば、厚さが約３０〜５
０μｍの極めて薄い薄層状の誘電体基板１４とよりな
り、誘電体基板１４の上面１４ａに薄膜抵抗や薄膜キャ
パシタなどの回路１０２が形成される。
用基板が示されており、集積回路用基板１０は、回路１
０２のグラウンド面として構成されるＳｉや金属材料な
どの低抵抗材料からなる、例えば、厚さが約２００μｍ
以上のグラウンド用基板１２と、グラウンド用基板１２
の上面１２ａに接合された、例えば、厚さが約３０〜５
０μｍの極めて薄い薄層状の誘電体基板１４とよりな
り、誘電体基板１４の上面１４ａに薄膜抵抗や薄膜キャ
パシタなどの回路１０２が形成される。
【００２１】この誘電体基板１４の材料は特に限定され
ないが、本実施例においてはガラスを用いており、ガラ
スの中でも極めて薄い薄層状の板状体を作成できる硼珪
酸ガラスが望ましい。
ないが、本実施例においてはガラスを用いており、ガラ
スの中でも極めて薄い薄層状の板状体を作成できる硼珪
酸ガラスが望ましい。
【００２２】ここで、Ｓｉや金属材料からなるグラウン
ド用基板１２の上面１２ａに、硼珪酸ガラスからなる誘
電体基板１４を接合して集積回路用基板１０を形成する
には、例えば、図２に示すようにして、誘電体基板１４
の破損を防止しながら、所謂、陽極接合を行う。
ド用基板１２の上面１２ａに、硼珪酸ガラスからなる誘
電体基板１４を接合して集積回路用基板１０を形成する
には、例えば、図２に示すようにして、誘電体基板１４
の破損を防止しながら、所謂、陽極接合を行う。
【００２３】即ち、Ｓｉや金属材料からなるグラウンド
用基板１２の上面１２ａに、硼珪酸ガラスからなる薄層
状の誘電体基板１４を密着させ、誘電体基板１４の上面
に誘電体基板１４を保護するための緩衝板としてのガラ
ス板（厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度である。）１６
を配置する。そして、グラウンド側電極１８によりグラ
ウンド用基板１２を上方へ押すとともに、陽極側電極２
０でガラス板１６を下方へ押すことにより、グラウンド
用基板１２と誘電体基板１４とを密着させながら電界を
かける。
用基板１２の上面１２ａに、硼珪酸ガラスからなる薄層
状の誘電体基板１４を密着させ、誘電体基板１４の上面
に誘電体基板１４を保護するための緩衝板としてのガラ
ス板（厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度である。）１６
を配置する。そして、グラウンド側電極１８によりグラ
ウンド用基板１２を上方へ押すとともに、陽極側電極２
０でガラス板１６を下方へ押すことにより、グラウンド
用基板１２と誘電体基板１４とを密着させながら電界を
かける。
【００２４】ここで、陽極側電極２０により直接に誘電
体基板１４を押すと、薄層状の誘電体基板１４が破損す
る恐れがあるが、ガラス板１６を介して誘電体基板１４
を押すことにより誘電体基板１４の破損が防止され、誘
電体基板１４を破損することなくグラウンド用基板１２
と誘電体基板１４との密着を保持しながら陽極接合を行
うことができる。
体基板１４を押すと、薄層状の誘電体基板１４が破損す
る恐れがあるが、ガラス板１６を介して誘電体基板１４
を押すことにより誘電体基板１４の破損が防止され、誘
電体基板１４を破損することなくグラウンド用基板１２
と誘電体基板１４との密着を保持しながら陽極接合を行
うことができる。
【００２５】なお、陽極接合とは、例えば、Ｓｉとガラ
スとを接合する場合において、Ｓｉとガラスとを密着さ
せて電界をかけると、Ｓｉとガラスとの界面でイオンが
移動して両者の接合が行われるというものである。
スとを接合する場合において、Ｓｉとガラスとを密着さ
せて電界をかけると、Ｓｉとガラスとの界面でイオンが
移動して両者の接合が行われるというものである。
【００２６】また、グラウンド用基板１２に用いる材料
としては、誘電体基板１４として用いる材料の膨張係数
と同程度の材料を選択することが好ましい。
としては、誘電体基板１４として用いる材料の膨張係数
と同程度の材料を選択することが好ましい。
【００２７】従って、誘電体基板１４としてガラス（線
膨張係数：５〜７×１０-6）を用いる場合には、グラウ
ンド用基板１２としてはＳｉ（線膨張係数：４．２×１
０-6）を用いることができるのは勿論であるが、コバー
ル（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、線膨張係数：５．３×１０
-6）やＣｕ−Ｗ（線膨張係数：６．５〜９×１０-6）な
どのような膨張係数の低い金属材料も用いることができ
る。
膨張係数：５〜７×１０-6）を用いる場合には、グラウ
ンド用基板１２としてはＳｉ（線膨張係数：４．２×１
０-6）を用いることができるのは勿論であるが、コバー
ル（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、線膨張係数：５．３×１０
-6）やＣｕ−Ｗ（線膨張係数：６．５〜９×１０-6）な
どのような膨張係数の低い金属材料も用いることができ
る。
【００２８】上記したように、集積回路用基板１０にお
いては、集積回路用基板１０を構成する、例えば、厚さ
約３０〜５０μｍの薄層状の誘電体基板１４上に回路１
０２を構成することができるので、回路１０２の伝送線
路の幅を狭くすることが可能となり、それにより回路１
０２の小型化を図ることができる。
いては、集積回路用基板１０を構成する、例えば、厚さ
約３０〜５０μｍの薄層状の誘電体基板１４上に回路１
０２を構成することができるので、回路１０２の伝送線
路の幅を狭くすることが可能となり、それにより回路１
０２の小型化を図ることができる。
【００２９】また、誘電体基板１４としてガラスを用い
た場合には、その表面を平坦化することができるので、
回路１０２として薄膜キャパシタを形成することができ
る。
た場合には、その表面を平坦化することができるので、
回路１０２として薄膜キャパシタを形成することができ
る。
【００３０】さらに、エッチングなどにより薄層状の誘
電体基板１４の所定箇所を除去することによりスルーホ
ールを形成することができるので、極めて微細なスルー
ホールの形成が可能となる。
電体基板１４の所定箇所を除去することによりスルーホ
ールを形成することができるので、極めて微細なスルー
ホールの形成が可能となる。
【００３１】そして、エッチングなどにより薄層状の誘
電体基板１４の所定箇所を除去して形成したスルーホー
ルに配線を通して、回路１０２とグラウンド用基板１２
とを接続すればよい。
電体基板１４の所定箇所を除去して形成したスルーホー
ルに配線を通して、回路１０２とグラウンド用基板１２
とを接続すればよい。
【００３２】さらに、デジタル回路においてもクロック
数が高くなると、伝送線路をマイクロ波回路的に取り扱
う必要があるため、本発明はマイクロ波用の集積回路や
ミリ波用の集積回路などの高周波用の集積回路用基板と
してばかりでなく、デジタル回路の集積回路用基板とし
ても応用できる。
数が高くなると、伝送線路をマイクロ波回路的に取り扱
う必要があるため、本発明はマイクロ波用の集積回路や
ミリ波用の集積回路などの高周波用の集積回路用基板と
してばかりでなく、デジタル回路の集積回路用基板とし
ても応用できる。
【００３３】なお、上記した実施例においては、グラン
ド用基板１２と誘電体基板１４とを陽極接合により接合
したが、これに限られものははなく、接合剤（接着剤、
ガラスペーストなど）などを用いて接合するようにして
もよいが、接合剤を用いると高周波特性が悪化するの
で、接合剤は高周波用の集積回路用基板には用いないこ
とが好ましい。
ド用基板１２と誘電体基板１４とを陽極接合により接合
したが、これに限られものははなく、接合剤（接着剤、
ガラスペーストなど）などを用いて接合するようにして
もよいが、接合剤を用いると高周波特性が悪化するの
で、接合剤は高周波用の集積回路用基板には用いないこ
とが好ましい。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００３５】取り扱いにおいて破損する恐れがない所定
の厚さ（例えば、約２００μｍ以上の厚さ）を備えたＳ
ｉや金属材料などの低抵抗材料からなり、回路のグラウ
ンド面として構成されるグラウンド用基板の表面に、ガ
ラスなどの誘電体よりなる厚さが非常に薄い（例えば、
約３０〜５０μｍの厚さ）薄層状の誘電体基板を接合す
るようにしたため、集積回路用基板を構成する、例え
ば、厚さ約３０〜５０μｍの薄層状の誘電体基板上に回
路を構成することができるので、回路の伝送線路の幅を
狭くすることが可能となり、それにより回路の小型化を
図ることができる。
の厚さ（例えば、約２００μｍ以上の厚さ）を備えたＳ
ｉや金属材料などの低抵抗材料からなり、回路のグラウ
ンド面として構成されるグラウンド用基板の表面に、ガ
ラスなどの誘電体よりなる厚さが非常に薄い（例えば、
約３０〜５０μｍの厚さ）薄層状の誘電体基板を接合す
るようにしたため、集積回路用基板を構成する、例え
ば、厚さ約３０〜５０μｍの薄層状の誘電体基板上に回
路を構成することができるので、回路の伝送線路の幅を
狭くすることが可能となり、それにより回路の小型化を
図ることができる。
【００３６】また、誘電体基板としてガラスを用いた場
合には、その表面を平坦化することができるので、回路
として薄膜キャパシタを形成することができる。
合には、その表面を平坦化することができるので、回路
として薄膜キャパシタを形成することができる。
【００３７】即ち、本発明によれば、伝送線路の幅を狭
くすることを可能とし、それにより回路の小型化を図る
ことを可能とした集積回路用基板およびその製造方法を
提供することができるという優れた効果を奏する。
くすることを可能とし、それにより回路の小型化を図る
ことを可能とした集積回路用基板およびその製造方法を
提供することができるという優れた効果を奏する。
【００３８】また、本発明によれば、集積回路用基板の
表面を平坦化することができ、薄膜キャパシタを形成可
能とした集積回路用基板およびその製造方法を提供する
ことができるという優れた効果を奏する。
表面を平坦化することができ、薄膜キャパシタを形成可
能とした集積回路用基板およびその製造方法を提供する
ことができるという優れた効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例による集積回路基板に回路を
形成した状態の断面構造を示す説明図である。
形成した状態の断面構造を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施例による集積回路基板を製造す
るための陽極接合の方法を示す説明図である。
るための陽極接合の方法を示す説明図である。
【図３】従来の集積回路基板に回路を形成した状態の断
面構造を示す説明図である。
面構造を示す説明図である。
１０ 集積回路基板
１２ グラウンド用基板
１４ 誘電体基板
１６ ガラス板
１８ グラウンド側電極
２０ 陽極側電極
１０２ 回路
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(56)参考文献 特開 平６−188438（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−136383（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−226660（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−238066（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−142851（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−109823（ＪＰ，Ａ)
実開 昭55−56016（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/822
H01L 23/15
H01L 27/04
H01L 27/12
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に回路を形成する集積回路用基板に
おいて、 所定の厚さを備えた低抵抗材料からなり、回路のグラウ
ンド面として構成される回路のグラウンド用基板と、 前記グラウンド用基板の表面に接合され、上面に回路が
形成される薄層状の誘電体基板とを有し、 前記回路のグラウンド用基板の表面に、前記誘電体基板
を密着させ、前記誘電体基板の表面に緩衝板を配置し、
前記グラウンド用基板と前記緩衝板とにそれぞれ電極を
配置して電界をかけ、前記グラウンド用基板と前記誘電
体基板とが陽極接合されたことを特徴とする集積回路用
基板。 - 【請求項２】 表面に回路を形成する集積回路用基板に
おいて、 低抵抗材料からなり、回路のグラウンド面として構成さ
れる約２００μｍ以上の厚さのグラウンド用基板と、 前記グラウンド用基板の表面に接合され、上面に回路が
形成される約３０〜５０μｍの厚さの誘電体基板とを有
し、 前記グラウンド用基板に用いる材料は、前記誘電体基板
に用いる材料の膨張係数と同程度の膨張係数の材料であ
り、 前記誘電体基板の上面に形成される回路は、前記誘電体
基板の所定箇所を除去して形成されるスルーホールに配
線を通して前記グラウンド基板と接続可能なものである
ことを特徴とする集積回路用基板。 - 【請求項３】 表面に回路を形成する集積回路用基板の
製造方法において、 所定の厚さを備えた低抵抗材料より構成される回路のグ
ラウンド用基板の表面に、薄層状の誘電体基板を密着さ
せ、前記誘電体基板の表面に緩衝板を配置し、前記グラ
ウンド用基板と前記緩衝板とにそれぞれ電極を配置して
電界をかけ、前記グラウンド用基板と前記誘電体基板と
を陽極接合することを特徴とする集積回路用基板の製造
方法。 - 【請求項４】 前記低抵抗材料はＳｉであり、前記誘電
体基板は硼珪酸ガラスであり、前記緩衝板はガラスであ
る請求項３記載の集積回路用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15677795A JP3481353B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 集積回路用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15677795A JP3481353B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 集積回路用基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330522A JPH08330522A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3481353B2 true JP3481353B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=15635094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15677795A Expired - Fee Related JP3481353B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 集積回路用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3481353B2 (ja) |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP15677795A patent/JP3481353B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08330522A (ja) | 1996-12-13 |
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