JPH05266808A - 空中経路によって補償されたマイクロ波装置 - Google Patents

空中経路によって補償されたマイクロ波装置

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JPH05266808A
JPH05266808A JP4324707A JP32470792A JPH05266808A JP H05266808 A JPH05266808 A JP H05266808A JP 4324707 A JP4324707 A JP 4324707A JP 32470792 A JP32470792 A JP 32470792A JP H05266808 A JPH05266808 A JP H05266808A
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ロナルド・フランク・キールメイヤー・ジュニア
Michael Dydyk
マイケル・ディディック
Lyle A Fajen
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 マイクロ波共平面およびその他の回路基板の
性能を、局部の伝送線セグメントの特性インピーダンス
をそのセグメントが結合している特定の装置の入力また
は出力インピーダンスによりよく一致するように調整す
るための局部整合素子を設けることにより改善する。 【構成】 伝送線の能動リード線３８上に導電性の橋絡
部５０を設ける。 【効果】 特性インピーダンスを下げることができ、小
型の能動装置、ＭＭＩＣまたはＭＭＩＣ素子のような小
型の素子と実質的にインピーダンスの不一致を起こす幅
の狭い伝送線セグメントの接続に関して、これは非常に
有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波回路におけ
る導体のための改善された手段と方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】マイクロ
波周波数、すなわち一般的には約１００ＭＨｚ超、さら
に詳しくは約１ＧＨｚ超の周波数において効率的に信号
を伝播する場合の問題点は、それよりも低い周波数に起
こる問題とは実質的に異なっている。マイクロ波周波数
において普通のワイヤを用いることは、通常は実用的で
はない。同軸ケーブルを用いる接続もあるが、一般的に
同軸ケーブルは、マイクロ波回路を構築することが多い
比較的小さな部品や電子素子間の相互接続には適さな
い。そのため、当技術では、片面あるいは両面に薄い平
坦な導体層を貼り付けた誘電性回路基板を用いることが
一般的になっている。この導体層はエッチングあるいは
整形されて、基板に搭載されるさまざまな受動および／
または能動部品や素子を相互接続する、さまざまな実質
的に平面の導体トレースとなる。これらの導体トレース
により、回路基板に対する入力および出力接続部も設け
られる。
【０００３】効率的にマイクロ波信号を伝播するために
は、回路基板上の導体が、既知の良好に制御された特性
インピーダンスを有する伝送線を形成することが重要で
ある。図１ないし図４に、マイクロ波回路に広く用いら
れている２つの既知の導体装置を図示してある。図１お
よび図２はそれぞれ、誘電性基板１２，前面導体１４お
よび裏面接地面１６によって構成される、マイクロスト
リップ線１１の平面図と断面図である。このマイクロ波
導体装置の特性インピーダンスは、おもに、基板１２の
厚み１３と誘電率および表面導体１４の幅１５により決
定される。
【０００４】図３および図４には、マイクロ波回路基板
上で用いられるのに適した共平面（コプレーナ--coplan
ar）導波管装置が示される。共平面伝送線２０は、主平
面上に導体２４，２４’，２８を有する厚み２３の誘電
性基板２２より構成される。導体２４，２４’は、接地
または基準導体で、導体２８は能動（接地されていな
い）導体である。基準導体２４，２４’と能動導体２８
とは、幅２６，２６’の間隙２５，２５’により隔てら
れている。能動導体２８は幅２９を有する。共平面導波
管２０の特性インピーダンスは、おもに、能動導体２８
の幅と、間隙２５，２５’の幅２６，２６’とによって
決まる。導体２８の両側の間隙の幅２６，２６’は、等
しい必要はないが、等しければ都合が良い。
【０００５】図５は、たとえばマイクロ波トランジスタ
またはモノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）などのマイク
ロ波部品３１を含む共平面マイクロ波回路基板３０の平
面図である。回路基板３０は、誘電性基板３２によって
構成され、その上では共平面接地導体または基準導体３
４，３４’，３４”と能動導体３８，３８’，３８”と
が、間隙３５，３５’，３５”によって隔てられてい
る。たとえばワイヤボンドまたはその他のリード線３
６，３６’，３６”によって入力−出力接続が設けら
れ、能動装置３１は、たとえばその他のワイヤボンドま
たはリード線３７，３７’，３７”によって、導体３
８，３８’，３８”に結合されている。図５は、少なく
とも１個の部品を有するマイクロ波回路基板のための例
としての装置構成を示すものであって、それに限るわけ
ではないことは、当業者であればご理解いただけよう。
その他の多くの装置が可能であり、マイクロ波回路基板
は、その上に多くの部品を有することもよくある。説明
の便宜上、以後の３４，３５，３６，３７，３８，４
０，４２に対する参照は、特に明記しない限り、対応す
るダッシュ記号のついた番号に対する参照も含めるもの
とする。図５の破線４Ａは、図６および図７で多少拡大
されて図示される回路基板３０の部分を示す。
【０００６】Ｉ／Ｏ接続３６は、一般的に頑丈であり、
容易に貼付されるものでなければならないので、リード
線３８の外部リード線ボンディング領域４０は、回路３
０のその他の部分に必要とされるよりも大きな寸法にし
なければならない。外側寸法、たとえばボンディング領
域４０とそれに付属する間隙３５の幅は、一般的には、
外部接続によく適合したボンディング位置における共平
面導波管の特性インピーダンスを与えるように選択され
る。ボンディング領域４０により形成される共平面導波
管の特性インピーダンスに関しては、５０オームが通常
の目標値である。
【０００７】部品３１はきわめて小さいことが多いの
で、リード線３７が付く導体３８の関連のボンディング
部分４２は、通常は外部ボンディング領域４０よりも実
質的に小さい、すなわち幅が狭い。製造時の許容誤差に
対応するための目的で、一般には、間隙３５はリード線
の幅の減少に合わせない。そのためにリード線３８がボ
ンディング領域４２において、あるいはその周辺で幅が
狭くなると、特性インピーダンスが上がる。このため
に、重大なインピーダンスの不一致が起こり、この不一
致のためにエネルギを効率的に部品３１の内外に結合さ
せることが困難になる。このインピーダンスの不一致を
なくするように、線の寸法および／または基板の誘電率
を修正することがいつもできるとは限らない。
【０００８】従来の技術においては、回路基板の移行領
域におけるインピーダンスの不一致に対処する試みがな
されてきた。たとえば、Li他による米国特許第４，９０
６，９５３号では、表面を傾斜させて用いてインピーダ
ンスを一致させて、ビア孔を用いずにマイクロストリッ
プと共平面導波管との間の相互接続を行う装置を説明し
ている。しかし、このように傾斜のある表面を製造する
ことは、比較的費用がかかり、あらゆる状況に合うもの
ではない。
【０００９】当技術では既知のその他の装置も試みら
れ、その成功の度合はさまざまであった。しかし、これ
らの装置の多くは、製造性，歩どまり，費用および／ま
たは信頼性に関して望ましくないトレードオフを含む。
そのために、マイクロ波回路の開発に長い年月がかけら
れているにも関わらず、インピーダンスの不一致の問題
は依然として残っており、特にＭＭＩＣなどとの効率的
な結合を行う接続部に関して問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、回路基板など
の上のマイクロ波導体のための改善された手段と方法と
を提供する。本手段には、一般的に、第１特性インピー
ダンスを有する第１共平面マイクロ波導体領域と、第１
インピーダンスとは異なる第２特性インピーダンスを有
する第２共平面マイクロ波導体領域と、少なくとも第２
マイクロ波導体領域の一部まで延在し、そこからは隔て
られている別の橋絡導体であって、それにより被橋絡部
のために第２特性インピーダンスよりも小さい第３特性
インピーダンスを与える橋絡導体とから構成される。さ
らに詳細に述べると、第２特性インピーダンスは、第１
特性インピーダンスよりも大きい場合が多く、第３特性
インピーダンスと第１特性インピーダンスとは実質的に
等しいことが望ましい。
【００１１】さらに、一般的には、所定の構成の少なく
とも第１および第２導体を有する、第１導体層をその上
に持つ絶縁基板を設ける段階によって構成される方法が
提供される。第１導体は第１の幅の第１部分と、第１の
幅よりも大きな第２の幅を持つ第２部分とを有する。第
２導体は、第１導体の両側に延在し、しかしそこからは
隔てられている第１および第２部分を有する。第１導体
層の上に、第１マスクが設けられる。第１マスクはその
中に少なくとも２個の開口部を有し、第１開口部は前記
の第１部分まで延在し、第２開口部は前記の第２部分ま
で延在する。第２導体層が、第１マスクの上に設けら
れ、第１および第２開口部を通じて第１導体層に対する
接触を行い、２つの開口部の間で、第１導体の第１部分
の少なくともあるところまで延在して第２導体の第１部
分と第２部分とを電気的に接続する橋絡部分を有するよ
うに整形される。
【００１２】好適な実施例によってさらに詳細に述べる
と、第２マスクが橋絡部分の意図された位置の上に保護
領域を有する第２導体層上に設けられて、第２導体層の
橋絡部分を保護して、第２導体層のその他の部分は除去
される。
【００１３】ここで用いられる「空中経路（airbridge
）」という言葉は、他の導体上を架橋し、あらゆる種
類の誘電性材料または高抵抗率材料によりその導体から
隔てられる導体を指す。これにはあらゆる種類の空気ま
たはその他の気体の誘電体および固体の誘電体が含まれ
るが、これに限定されない。
【００１４】
【実施例】図６は、図５のマイクロ波回路の一部の簡単
な平面図であり、図７は、図６の断面図である。図６お
よび図７は、導体３４，３８を有するマイクロ波回路３
０の部分４６を示す。導体３８は、幅４１の部分４０
と、幅４３の部分４２とを有し、これらは幅可変移行部
４４により結合されている。幅の広い部分４０は、幅の
狭い部分４２または移行部４４よりも幅が広いために、
それよりも低い特性インピーダンスを有する。同様に幅
の狭い部分４２は、幅の広い部分４０および移行部４４
よりも高いインピーダンスを有する。リード線３６から
部品３１に効率的にエネルギを結合させることを困難に
しているのは、この状況であって、特に部品３１がイン
ピーダンスの低い装置である場合、すなわち、導体３８
の隣接部分４２の特性インピーダンスよりもはるかに入
力（または出力）インピーダンスが小さい装置である場
合にこれは顕著である。
【００１５】図８および図９に示されるような、接地面
３４を電気的に結合する導電性橋絡部５０を導体３８の
両側に設けることにより、装置３１，等価の装置，素子
または回路部分に結合する伝送線セグメント（たとえば
導体部分４２）の特性インピーダンスを変更して、装置
または素子の性質を接続される伝送線によりよく一致さ
せることができる。導電性橋絡部５０は、インピーダン
スを修正したい導体３８の部分、たとえば幅の狭い部分
４２の上を通り、高さ５４の領域５２により導体３８か
ら隔てられている。領域５２は空隙であっても、あるい
は誘電性その他の比較的導電性の悪い物質で充填されて
いてもよい。橋絡部５０は、接地面または基準導体３４
に直接電気的に接続されているのが好ましいが、そこに
容量的にあるいは他の方法で結合されていてもよい。
【００１６】橋絡部５０は、橋絡部５０の下にある導体
３８のその部分の接地（または他の基準電位）に対する
容量を増大させ、それによって特性インピーダンスを下
げる。このように、幅の狭い領域４２の上に橋絡部５０
があることにより、導体の幅の減少を補償して、望まし
い特性インピーダンスを維持することができる。このた
めに装置または回路素子３１に対する動力の効率的なや
り取りが非常に簡単になる。
【００１７】図１０は、図５の基板３０と類似のマイク
ロ波回路基板５８であるが、高さが５４，５４’，５
４”の橋絡部５０，５０’，５０”が含まれている。橋
絡部５０，５０’，５０”は、すべてのリード線３８内
に設けられて図示されているが、当業者には、橋絡部は
任意の本数のリード線上に設けることができることが理
解いただけよう。さらに、橋絡部５０，５０’，５０”
により導かれるインピーダンスの変化は、高さ５４，５
４’，５４”を可変するか、さらに／あるいは長さ５
３，５３’，５３”をある程度可変することにより、調
整することができる。図１０内の破線５Ａは、図８およ
び図９に多少拡大されて示される回路基板５８の部分を
示す。
【００１８】高さ５４が小さくなれば小さくなるほど、
単位長さ当りの容量は大きくなり、特性インピーダンス
は低くなる。長さ５３が長ければ長いほど、容量は大き
くなるが、波長に比べて長さ５３が短いと空中経路は伝
送線セグメントではなく別個の容量素子として動作する
ことが多くなり、波長に比べて長さが長くなると、伝送
線セグメントとして動作することが多くなる。空中経路
の長さが波長とほぼ等しいときに、満足の行く結果が得
られた。個々の空中経路５０，５０’，５０”の高さ５
４，５４’，５４”を（および長さ５３，５３’，５
３”をある程度）可変することにより、インピーダンス
またはインピーダンスの一致動作を、目的の部品または
素子の異なるリード線または回路の異なる部品に関し
て、個別に調整することができる。
【００１９】図１１ないし図１８は、本発明を組み込む
共平面マイクロ波回路基板の部分６０の、異なる製造段
階での簡単な断面図を示し、図１９ないし図２２は、そ
の簡単な平面図を示す。回路基板６０は、基板６２によ
って構成され、その上に導体層６３とマスク層６６とが
設けられる。導体層６３は金属であると便利であるが、
その他の導電材料を用いることもできる。基板３２と類
似の基板６２は、誘電体または表面が実質的に絶縁性の
材料であると便利である。セラミック，ガラス含浸プラ
スティック，高抵抗率のIII-V 族元素，酸化物で被覆さ
れた導体または半導体（たとえばＳｉまたはＧｅ）が、
有効な基板材料の例であるが、これに限定されない。こ
こで基板に関して用いる「誘電性（誘電体）」という言
葉は、これらとその他の適切な材料またはその組合せを
含むものとする。
【００２０】次にマスク６６を、当技術では既知の手段
を用いて処理して、マスク６６内に、下層の導体層６３
まで延在する開口領域６５を設ける（図１２参照）。マ
スク６６内の開口部６５は、完成された回路基板上の導
体を隔てる間隙３５に対応する（図１０参照）。つぎに
下層の金属層６３をエッチングするか、あるいは従来の
技術を用いて腐食させて、層６３の金属領域３４，３
４’，３８を隔てる間隙３５，３５’を設ける。
【００２１】次にマスク領域７０を、橋絡部を作りたい
導体３８の部分上方に形成する。これは、たとえば、全
体にマスク層を設けて、次に輪郭７０’（図２０参照）
に対応する画像を露光および現像してマスク７０を残す
ことにより実行すると便利である。図２０では、マスク
７０は透明なものとして図示され、破線により区切られ
て、下層の金属構造が見えるようになっている。これは
当技術では従来から用いられている方法である。
【００２２】図１５では、マスク７０は層６３の部分３
４，３４’上に少なくとも２つの開口部７１，７１’を
有して、第２導電層７２が中央の導体３８の両側で下層
の第１導体３４，３４’と、橋絡部５０を設けたい閉じ
られた部分とに接触できるようになっている。マスク７
０があるために、第２導体層７２は、下層の導体３８に
短絡することがない。
【００２３】次に第２導体層７２が第１導体領域３４，
３４’とマスク７０との上に貼付される（図１５参
照）。第２導体層７２は、金属であると便利だが、他の
導電材料を用いることもできる。第２導体層７２は、マ
スク７４により覆われるが、このマスク７４は、基板６
２の平面に平行の橋絡部５０の外側図形、すなわち幅と
長さとを規定するようにパターニングされている。マス
ク７４の輪郭７４’は、図２１では破線で示され、マス
ク７４は透明に図示されて、下層の細かい部分が見える
ようになっている。導体層７２の用いられない部分が、
マスク７４を用いて除去され、第１導体層６３の領域３
４，３４’を電気的に結合する橋絡部５０が残る（図１
７，図１８および図２２参照）。図１７の例のように、
第１マスク層の部分７０を残すこともでき、あるいはそ
れを除去して図１８の空間５２に空隙を設けることもで
きる。図１７，図１８および図２２は、図８および図９
と類似のものである。
【００２４】前記の説明に基づき、本発明は前述の問題
を解消して、目的を達成することは、当業者には明白で
あろう。さらに当業者に明白なことに、本発明は以下に
示される実質的な利点を有する：すなわち（i ）マイク
ロ波回路と接続して用いられる伝送線の特性インピーダ
ンスを補償する手段と方法とを提供する，（ii）幅の狭
いライン・セグメントのインピーダンスを低くして、さ
まざまな回路素子，接続部などのインピーダンスにさら
に近づけて一致させることができる，（iii ）必要な製
造技術段階は既知のものであり、マイクロ波回路の製造
にすでに用いられており、回路内の異なる位置に設けら
れるインピーダンスの一致は、橋絡部の長さと、能動素
子上の空間を可変したり、下層の能動導体から橋絡部を
分離するために残される任意の材料の誘電率を可変する
ことにより、個々に修正することができる。
【００２５】本発明は特定の材料，構造および段階に関
して説明されたが、これらの選択は説明の便宜を図るた
めのものであって、発明を制約するものではない。ま
た、この説明に基づき当業者にはご理解いただけよう
が、本発明はその他の材料，構成および製造段階が選択
された場合にも適用される。たとえば、本発明はさまざ
まな部品を搭載したマイクロ波回路に接続した状態で用
いる場合に関して説明されているが、たとえばＳｉのII
I-V 族化合物基板内またはその上に直接構築される能動
または受動素子にインピーダンスを合わせるためにも有
用であるので、マイクロ波集積回路回路（ＭＭＩＣ）そ
のものの内部で用いることもできる。さらに、基板また
は回路基板上で、さらに空中経路に用いられるリード線
または導体には、金属，準金属，超電導体，半導体およ
び実質的に導電性を示すその他の材料を含めることがで
きる。従って、添付の請求項には、本発明に基づき当業
者が思いつくこれらとその他の変形とを含めるものとす
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術によるマイクロ波導体装置の簡単な
平面図である。
【図２】従来の技術による図１のマイクロ波導体装置の
簡単な断面図である。
【図３】従来の技術によるマイクロ波導体装置の簡単な
平面図である。
【図４】従来の技術による図２のマイクロ波導体装置の
簡単な断面図である。
【図５】上に能動素子を有する共平面導波管回路基板の
簡単な平面図である。
【図６】図５のマイクロ波回路の一部分の簡単な平面図
である。
【図７】図５のマイクロ波回路の一部分を示す図６の断
面図である。
【図８】図６と同様であるが、本発明によるマイクロ波
回路の平面図である。
【図９】図６と同様であるが、本発明によるマイクロ波
回路を示す図８の断面図である。
【図１０】図５と同様であるが、本発明を組み込む共平
面導波管回路の簡単な平面図である。
【図１１】本発明によるマイクロ波回路のある製造段階
における簡単な断面図である。
【図１２】本発明によるマイクロ波回路の別の製造段階
における簡単な断面図である。
【図１３】本発明によるマイクロ波回路の別の製造段階
における簡単な断面図である。
【図１４】本発明によるマイクロ波回路の別の製造段階
における簡単な断面図である。
【図１５】本発明によるマイクロ波回路の別の製造段階
における簡単な断面図である。
【図１６】本発明によるマイクロ波回路の別の製造段階
における簡単な断面図である。
【図１７】本発明によるマイクロ波回路の別の製造段階
における簡単な断面図である。
【図１８】本発明によるマイクロ波回路の別の製造段階
における簡単な断面図である。
【図１９】図１１ないし図１８の断面図のあるものに対
応する平面図である。
【図２０】図１１ないし図１８の断面図のあるものに対
応する平面図である。
【図２１】図１１ないし図１８の断面図のあるものに対
応する平面図である。
【図２２】図１１ないし図１８の断面図のあるものに対
応する平面図である。
【符号の説明】
３２ 基板 ３４，３４’ 導体領域 ３５，３５’ 間隙 ３８ 導体 ４０，４２ 導体部分 ４１，４３ 幅 ４４ 移行部 ４８ 回路部分 ５０ 橋絡部 ５２ 空間 ５３ 長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロナルド・フランク・キールメイヤー・ジ ュニア アメリカ合衆国アリゾナ州テンピ、エス・ マーティン・レーン6911 (72)発明者 マイケル・ディディック アメリカ合衆国アリゾナ州スコッツデー ル、イー・ターコイズ・アベニュー6146 (72)発明者 リール・アラン・フェイジェン アメリカ合衆国アリゾナ州スコッツデー ル、エヌ・シックスティファースト・プレ ース12201

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マイクロ波装置であって：絶縁面を有す
    る基板（５８）；前記基板上に配置されて、第１マイク
    ロ波伝送線を形成する第１（３８），第２（３４）およ
    び第３（３４’）導体であって、前記第１導体（３８）
    は、前記第２（３４）および前記第３（３４’）導体の
    間に配置されて、それらから横方向に隔てられ、前記第
    １導体（３８）が、第１幅（４３）を持ち前記第１導体
    （３８）の第１端から、前記第１幅（４３）よりも広い
    第２幅（４１）を持つ前記第１導体（３８）の第２領域
    （４０）に向かって延在する第１領域（４２）を有す
    る、第１（３８），第２（３４）および第３（３４’）
    導体；前記第１導体（３８）の前記第１端に近接し、そ
    こに電気的に接続された端子（３７）を有する半導体装
    置（３１）；および前記第２（３４）および第３（３
    ４’）導体間であって、前記第１導体（３８）の前記第
    １領域（４２）上方に延在する空中経路を形成する第４
    導体（５０）；によって構成されることを特徴とするマ
    イクロ波装置。
  2. 【請求項２】 マイクロ波装置であって：所定のマイク
    ロ波周波数において第１インピーダンスを有する第１共
    平面マイクロ波導体領域（４０）；前記第１共平面マイ
    クロ波導体領域に結合され、前記の所定の周波数におい
    て前記第１インピーダンスとは異なる第２インピーダン
    スを有する第２共平面マイクロ波導体領域（４２）；前
    記第２共平面マイクロ波導体領域の端部に近接し、それ
    に電気的に結合された（３７）電子素子（３１）であっ
    て、前記第２共平面マイクロ波導体領域（４２）に対し
    て所定の周波数において第３インピーダンスを提示する
    電子素子（３１）；および前記第２マイクロ波導体領域
    （４２）の少なくとも一部分の上方に延在する空中経路
    導体（５０）であって、それにより前記空中経路導体
    （５０）と前記第２導体領域（４２）との組合せに関し
    て所定の周波数において第４インピーダンスを与えて、
    前記第４インピーダンスの大きさが前記第２インピーダ
    ンスよりも前記第３インピーダンスに近い空中経路導体
    （５０）；によって構成されることを特徴とするマイク
    ロ波装置。
  3. 【請求項３】 マイクロ波導体装置を形成する方法であ
    って：第１導体層（６３）をその上に有する絶縁基板
    （６０）を設ける段階；前記導体層（６３）の１つ以上
    の部分（３５，３５’）を除去して、少なくとも第１
    （３８）および第２（３４，３４’）導体を規定する段
    階であって、前記第１導体（３８）は、第１幅（４３）
    の第１部分（４２）と、前記第１幅（４３）よりも大き
    い第２幅（４１）の第２部分（４０）とを有し、前記第
    ２導体（３４，３４’）は、前記第１導体（３８）の両
    側に延在してそれからは隔てられている第１（３４）お
    よび第２（３４’）部分を有するように除去する段階；
    前記導体層（６３）上に、少なくとも２個の開口部を有
    する第１マスク（７０）を設ける段階であって、第１開
    口部は前記第１部分（３４）に延在し、第２開口部は前
    記第２部分（３４’）に延在するように設ける段階；前
    記第１マスク（７０）上に、第２導体層（７２）を設
    け、前記第１および第２開口部内で第２導体（３４，３
    ４’）に対する接触を行う段階；前記第２導体層（７
    ２）を整形して、前記の２つの開口部間であって前記導
    体（３８）の前記第１部分（４２）の少なくとも一部分
    の上方に延在する橋絡部（５０）を設ける段階であっ
    て、これにより前記第２導体（３４，３４’）の前記第
    １（３４）および第２（３４’）部分を電気的に接続し
    て、前記第１導体（３８）の前記第１部分（４２）のマ
    イクロ波インピーダンスを下げる段階；および前記の段
    階群の途中であるいはその後で、前記第１導体（３８）
    の前記第１部分（４２）を近くにある半導体装置（３
    １）に電気的に接続する段階；によって構成されること
    を特徴とするマイクロ波導体装置を形成する方法。
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