JPS63179545A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS63179545A
JPS63179545A JP62012682A JP1268287A JPS63179545A JP S63179545 A JPS63179545 A JP S63179545A JP 62012682 A JP62012682 A JP 62012682A JP 1268287 A JP1268287 A JP 1268287A JP S63179545 A JPS63179545 A JP S63179545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
pads
power supply
integrated circuit
potential
Prior art date
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Pending
Application number
JP62012682A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasumi Konno
金野 康己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP62012682A priority Critical patent/JPS63179545A/ja
Publication of JPS63179545A publication Critical patent/JPS63179545A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0214Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発E!Aは、半導体集積回路装置に関し、特にチップ
内電源配線とボンデイングパ呼ドの構成及び配置に関す
る。
〔従来の技術〕
従来、半導体集積回路装置のチップ内同電位電源配Mt
−1,第3図に示すように、テヅプ内ですべて共通に接
続されていた。すなわち、第3図において、四角形のチ
ップ10周辺に沿って、PlないしPIOの10個のボ
ンディングパッドが配置され、このボンディングパッド
のすべてに共通に接続されている同電位電源配線2が、
横枝“をもつ粋のように形成されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体集積回路装置は、ウェーハ時のチェヴクに
おいて不良モードが検出された場合、既存の電源パッド
を用い、その供給電位を変化させ、その影響を信号パッ
ドで観察し、不良原因を究明していたが、この方法だと
、チップ全体の電源電位が変化してしまうため、不良原
因の発見は困難であった。そのため、チップの部分部分
に独立に電源電位を供給できるよう電源配線を切断する
処理をチップに施し、その切断した電源配線にプローバ
にて直接電位を供給し変化させ、その影響を信号パッド
で観察することによシ、不良の原因を発見していた。こ
のように、チップに処理を施し、チップの部分部分に独
立に電源電位を供給できるようにすることは多大な工数
を要するという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点に対し本発明では、チップ内部において分離
された同電位電源配線と、それらを別々にチップ外部に
引き出すためのボンデイングパ。
ドを有している。
〔実施例〕
つぎに本発明を実施例により説明する。
第1図は本発明の一実施例の平面図である。第1図にお
いて、四角形のチップ1の周辺内部に沿って、Plない
しPIOの10個のボンディングパッドが配置されてい
る。しかして、これらのそれぞれは、パッド数と同じ1
0個に分離された同電位電源配線し1〜LIOのそれぞ
れに接続されている。
第2図は本発明の他の実施例の平面図である。
第2図において、第1図と同じ四角なチップ10周辺内
部に沿って、10個のボンディングパッドPI〜PIO
が配置されている。しかして、第1図では、ボンディン
グパッド数と同電位電源配縁の数が同数でおったのに対
し、本例では、チップ1の四辺のそれぞれに沿うボンデ
ィングパッドPl〜P3 、P4 、P!i、P6〜P
$、P9.PIGの四つのグループに分離され、これら
のグループのそれぞれに、四つに分離されて同電位電源
配線GLI−Gl、4がそれぞれに接続されている。
上側から明らかなように、電源配線を分割し、それぞれ
をボンディングパッドに引き出せば、チップ内を電気的
に分割することができ、電源供給パッドを単独もしくは
複数用い、供給電位を変化させながら入出カバブト電位
を観察し、チップ内部構成を考慮することにより不良発
生位置を少なくともチップ全体の、同電位電源配線分離
数分の1の範囲まで限定できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体集積回路装置のチ
ップ内同電位電源配線を分離し、それぞれをボンディン
グパッドに引き出すことにより、ウェーハの状態でボン
ディングパッドごとに電源を供給できることから、チ9
プ内の不良箇所を容易に検出でき、不良解析工数を大幅
に削減することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は本発明の
他の実施例の平面図、第3図は従来の半導体集積回路装
置の平面図である。 ・l・・・・・・チップ、P1〜PIO・・・・・・ボ
ンディングパッド、i、1−LIO、GLI−GLヰ 
・・・・・・同電位電源配線。 羊 /TIJ      !2  M $3TgJ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のボンディングパッドをもつ同電位電源配線がチッ
    プ上に形成されている半導体集積回路装置において、前
    記同電位電源配線が前記チップ内で分離され、それぞれ
    前記ボンディングパッドに引出されていることを特徴と
    する半導体集積回路装置。
JP62012682A 1987-01-21 1987-01-21 半導体集積回路装置 Pending JPS63179545A (ja)

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JP62012682A JPS63179545A (ja) 1987-01-21 1987-01-21 半導体集積回路装置

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JPS63179545A true JPS63179545A (ja) 1988-07-23

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ID=11812146

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0436358A2 (en) * 1989-12-26 1991-07-10 AT&T GLOBAL INFORMATION SOLUTIONS INTERNATIONAL INC. Integrated circuit having power supply connection integrity monitor
JP2006279054A (ja) * 2000-05-08 2006-10-12 Canon Inc 半導体装置

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JP4621161B2 (ja) * 2000-05-08 2011-01-26 キヤノン株式会社 半導体装置

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