JPS61181139A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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Publication number
JPS61181139A
JPS61181139A JP2110285A JP2110285A JPS61181139A JP S61181139 A JPS61181139 A JP S61181139A JP 2110285 A JP2110285 A JP 2110285A JP 2110285 A JP2110285 A JP 2110285A JP S61181139 A JPS61181139 A JP S61181139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor integrated
integrated circuit
electrode terminals
common electrode
wafer
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Pending
Application number
JP2110285A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Ishii
石井 利生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61181139A publication Critical patent/JPS61181139A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体集積回路装置では1回路試験時に
回路内部の論理や電圧を調べるために、半導体集積回路
チップ内に入出力や電源のための電極端子とは独立に内
部電位検査用電極端子を設けることが行なわれている。
この検査用電極端子は試験以外の時は不要であるが、探
針等を行なえる程度の電極端子の大きさと間隔が必要で
あった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体集積回路装置は入出力電極端子等
とは別個の内部電位検査用電極端子を有しているので、
半導体集積回路チップの面積が増加するという欠点があ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路装置は、複数個の半導体集積回
路が形成されているウェハーにおいて、K1の半導体集
積回路の配線の一部が前記ウェハーを個々の半導体集積
回路に分割する際の分割予定線をまたいで該ウェハー上
の隣接する第2の半導体集積回路の電極端子に接続され
ている。
〔実施例〕
次に1本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の半導体集積回路装置の一実施例を示す
部分平面図である。
同図は、複数個の同一形の半導体集積回路が形成された
ウェハーの一部を示し1個々の半導体集積回路を区切る
スクライブ予定線lと、このスクライブ予定M1によっ
て囲まれた領域内にある内部回路部2と、内部回路部2
に直接接続されている専用電極端子3と、内部回路部2
の入力に入力バッファー回路4を介して接続されている
共用電極端子5と、内部回路部2から引出し出力バッフ
ァー回路6を介して隣接する他の半導体集積回路の共用
電極端子5を接続している内部電位引出し配線7とから
成る。ここで入力バッファ回路4は高入力インピーダン
スのバッファー回路であり、引出し出力バッファー回路
6は高出力インピーダンスのバッファー回路である。
ウェハーをスクライブする前の状態で1つの半導体集積
回路の試験を行なう場合の動作について説明する。試験
中の半導体集積回路の専用電極端子3及び共用電極端子
5には、それぞれの機能に従って半導体試験装置(図示
していない)等から電源や入力が与えられ出力の判定等
が行なわれる。
このとき試験中の半導体集積回路の共用電極端子5には
低出力インピーダンスの駆動回路(図示していない)か
ら入力を与えれば、隣接する半導体集積回路の引出し出
力バッ7アー回路6の出力インピーダンスが高いので、
内部電位引出し配線7によって接続されていても該試験
中の半導体集積回路の共用電極端子5には期待通シの入
力波形が与えられる。また試験中の半導体集積回路内部
の状aは、引出し出力バッファー回路6及び内部電位引
出し配線7を通じて隣接する半導体集積回路の共用電極
端子5に出力される。
ウェハーをスクライブした後の状態では内部電位引出し
配線7は切断され、共用電極端子5は通常の入力用の電
極端子として動く。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ウェハー上の半導体集積
回路の配線の一部を隣接する半導体集積回路の電極端子
に接続することにより、チップ間で電極端子が検査用と
して共用され、半導体集積回路チップの面積を増加させ
ることなくウェハーを分割する前の段階で回路内部の状
態を調べることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体集積回路装置の一実施例を示す
部分平面図である。 1・・・・・・スクライブ予定線、2・・・・・・内部
回路部、3・・・・・・専用電極端子、4・・・・・・
入カバッ7ア回路、5・・・・・・共用電極端子、6・
・・・・・引出し出力バッファ回路、7・・・・・・内
部電位引出し配線。 代理人 弁理士  内 原   晋(ブ゛1に−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  複数個の半導体集積回路が形成されているウェハーに
    おいて、第1の半導体集積回路の配線の一部が前記ウェ
    ハーを個々の半導体集積回路に分割する際の分割予定線
    をまたいで該ウェハー上の隣接する第2の半導体集積回
    路の電極端子に接続されることを特徴とする半導体集積
    回路装置。
JP2110285A 1985-02-06 1985-02-06 半導体集積回路装置 Pending JPS61181139A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0427328A2 (de) * 1989-11-08 1991-05-15 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen sowie integrierte Schaltung
JP2002319841A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置前駆体、弾性表面波装置の製造方法、通信装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0427328A2 (de) * 1989-11-08 1991-05-15 Philips Patentverwaltung GmbH Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen sowie integrierte Schaltung
JP2002319841A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置前駆体、弾性表面波装置の製造方法、通信装置

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