JPS63169377A - 陰極スパッタリングを実行する方法および陰極スパッタリング用の噴霧化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はカソード材料・ツタリング装置用の噴霧化装置
或は微粒子化装置（Ｚｅｒｓｔａｕｂｕｎｇｓｑｕｅｌ
ｌｅ）およびこのような噴霧化装置によって陰極スパッ
タリングを実行する方法に関する。

以下余白 〔従来技術、および発明が解決しようとする問題点〕 カソードスパッタリングプロセスは薄膜を製造する上で
特に広範囲−に普及しているものである。

この場合所望の物質は適切な発生源からのイオン衝撃に
よって微粒子化されることになる。この目的に必要なイ
オンは、負電圧をカソードに供給することによりガス放
電により生成されカソードに対し加速される。プラズマ
密度とそれに対する噴霧化速度はその場合附加的磁界に
よって増加され得る。その場合にはプラズマ発生器が直
流、交流、高周波またはマイクロ波のいずれの放電によ
って形成されるかは問題にならない。

噴霧化プロセスの途中で、カソード材料は散布可能な進
行中の期間に対して腐食されることになる。一定量の材
料が噴霧化されれば噴霧化プロセスは中断され、腐食さ
れたカソードは新しいカソードに取替えられなければな
らない。

カソード材料はカソードスパッタリングプロセスの途中
で非常に強く冷却されねばならない。その場合二つの方
法は区別されている。直接冷却法の場合にはカソードの
背面は冷却剤と直接接触している。間接方法によればカ
ソードは閉じた冷却剤チャンネルに端子で固定すること
により接触される。このようなカソードが完全にそれを
通って浸食されることが許容されるならば、ある場合に
は冷却剤が処理室に流れ出るであろうし、別の場合には
冷却チャンネルの構造材料が噴霧化する。

製造される薄層に課せられた高い純度の要求に関してこ
のような完全に広がった浸食によって役に立たない層の
質に導かれ、したがって全装置を停止させるに至ること
になる。それに加えて装置の汚染により必要な清浄化を
実施するために長期間の休止時間を必要とすることにな
る。

他方で本質的と思われることは、カソード材料が取替え
られる前に出来るだけ多くのカソード材料を使用し消耗
され得ることで、その理由はこのような状態では銀、金
、プラチナまたはパラジウムの如き貴金属材料がターゲ
ットとして使用され得るからである。それ故にターゲッ
トの浸食プロセスを抑制することは単に操作の安全性を
決定するのみならず、またターゲットの有効寿命および
それによって陰極スパッタリング装置の効率をも決定す
るものである。

噴霧化ターゲットの浸食を実現する周知の方：去はこの
噴霧化ターゲットの操作において用いられる電力測定法
から成立っている。このエネルギーの予め定められた業
績値に達すると噴霧化源はオフになる。しかしながら業
績されたエネルギーとは別に、ターゲットの浸食率は種
々の他のパラメータ、たとえば材料特性、圧力、使用ガ
スの形式、噴霧化源の構成特性、および電力密度のごと
きパラメータに依存し、したがってこの方法によって浸
食またはターゲットの残余部の厚みを間接的に検知する
に至るにすぎず、それ故にシステムの先行する校正によ
って補足されねばならない。この方法の正確さと信軌性
とはしたがって低い。信頼性のある結果を得るためには
十分の余力を以て比較的に早く遮断せねばならず、その
ことに関してユニットを短いサービス寿命に導くもので
ある。

更に当該技術より推察されることは、陰極装置にターゲ
ットの最大の浸食の位置に温度センサを一体化すること
である。このようなセンサにより測定される温度はこの
位置におけるターゲット材料の厚みに関する測定である
（米国特許第４，３２４，６３１号および４，４０７，
７０８号参照）。予め一定の温度値に達すると、噴霧化
装置は遮断されることになる。

この方法の不都合な点は、先づ第一にこの臨界温度値は
丁度全温度経過と同様に校正曲線により経験的に決定さ
れねばならないという事実であり、その理由は、温度は
噴霧化性能に依存するのみならず、また陰極材料、設計
上の配置および冷却法にも依存する。浸食度の直接的お
よび高信軌性の測定はしたがってまた、この方法によっ
ては達成されないことになる。

最後に当該技術の立場より推測され得ることは、ターゲ
ットの浸食の測定は、噴霧化電圧の測定（チェコ特許第
６５７，３８２号）により、また強磁性材ターゲットに
対しては音響プローブ（英国特許第２，１４４．７７２
号請求の範囲第８項）を用いることにより、ターゲット
直下の磁気誘導を測定することにより、また磁気漂遊磁
界の誘導（西独公開特許第３４２５６５９号第７３ペー
ジ）を測定することにより、または非磁性のターゲット
材料に関してはプラズマインピーダンスを測定したり、
プロセス室内のプラズマの電圧（西独公開特許第３４２
５６５９号第７５ページ以降）を測定することにより行
われるものである。それにも拘らずこれらの方法により
ターゲットの浸食の間接測定をするように導かれ、した
がって当該システムの校正用の、附加的なかつ成程度大
規模な経験的試験を必要とし、それ故に特に高度の自動
化された生産単位の操作においてではなく、操作の実用
性において受入れられない相対的な不確定性が残ること
になる。

本発明の目的はしたがって陰極スパッタリングプロセス
の途中における噴霧化ターゲットの浸食状態を直接に高
信頬度を以て決定するとともに、そうすることによって
実質的に動作時の安全性または信顧性を改善し噴霧化源
の効率を向上することにある。

タスクは、以下の区別を示す特色を示す属名により定義
される種類の噴霧化装置により完成されることになる。

即ち （ａ）運び去られるべきターゲット本体は、予め定めら
れた、および陰極スパッタリングプロセスの途中で不変
の位置において少（とも１個のセンサを有することを特
徴とする。

（ｂ）　このセンサは予め定められた位置においてター
ゲット本体の広がって行く浸食を直接に検知することを
意図するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明においては、 （ａ）少（とも１個の予め定められ、陰極スパッタリン
グプロセスの間は不変である、ターゲット本体１におけ
るまたはその内部の位置における、ターゲット本体１の
全面的に広がった浸食が直接的におよび自動的に検知さ
れる段階；（ｂ）浸食部１２がターゲット本体１の関係
する位置に到達した後に、噴霧化プロセスが予め設定さ
れた期間内で停止される段階；および（ｃ）ターゲット
本体１を置換する段階、 とを具備することを特徴とする、陰極スパッタリングを
実行する方法、 が提供される。

更に本発明の他の形態によれば、ターゲット表面の浸食
を記録するための装置を備えた陰極スパッタリング装置
用の噴霧化装置であって、該噴霧化装置は、（ａ）浸食
せられるべきターゲット本体１が、予め定められた、か
つ陰極スパッタリングプロセスの間中不変である位置に
おいて、少くとも１個のセンサ１４を具備することを特
色とし、（ｂ）該センサは予め定められた位置において
、ターゲット本体１の全面的に広がってゆく浸食を直接
検知する意図を有するものである、ことを特徴とする、
噴霧化装置、 が提供される。

本発明は次の考察に基くものである、即ちセンサもしく
はセンサの設置されるターゲ・ノド本体のすきまはター
ゲット大体の浸食の途中に露出されるようになり、プロ
セス室の内側への直接の近接がそれにより得られるとい
う事実により突然の変化を受けるようなセンサが成る値
に反応するということである。したがって「当該技術水
準」において開示された方法と装置に比較されるように
、本発明に係る装置にとって先行する校正は不必要であ
る。之と反対に測定された変数が突然に変化する瞬間は
具体的なプロセスの急迫した状勢に従ってセンサの対応
する位置により自由に選択され得るものである。センサ
の露出（広がってゆく浸食）による関係する測定値の突
然の変化によりターゲット表面の浸食に関する「直接」
測定が構成されるが、その理由はセンサの選択された位
置が予め定められており、２次効果によって浸食のみを
間接に検知する当該技術により開示された装置に比較し
て、陰極スパッタリングプロセスの途中では変化されな
いからである。

原理的には、すべての変数は、本発明に係る測定用変数
として適切なものであり、該変数は陰極スパッタリング
プロセスの間中、外側よりもむしろプロセス室の内側に
おいて実質的に相異なる値を有し、したがって該変数は
浸食即ち光化学的変数（光度、光束密度、光束など）、
電荷担体の量と密度、温度、圧力などによりセンサの露
出の瞬間に信号、突然の変化を生ずる。特殊な応用に関
しては、例えばプロセス室内の特定の成分の部分圧力と
か放射光の波長などのように別の測定用変数が適切であ
るように思われる。プラズマ放電の測定用変数それ自身
が評価に使用されるならば、本発明の実施は特に簡単で
あり有効である。

陰極スパッタリングプロセスの間中に最大の浸食が恐ら
く生ずるターゲット本体のその位置にセンサーを設置す
ることは特に有利であるように思われる。ターゲット浸
食の最後の状態のみならずまた中間段階が測定万能であ
る噴霧化源に対して、浸食（像）の発展の段階的観察が
可能となるターゲット本体の水平な相異なる位置に多数
のセンサを設置することは更に附加的に有利なことであ
る。

多数のセンサが、ターゲット表面の漸進的な浸食に対応
する、ターゲットの垂直方向の相異なる位置に設置され
るならばこの段階的な観察は一層情報量を余分に提供し
てくれることになる。

本発明のすべてのこれらの実施例の形式において除去せ
らるべきターゲット本体の内側のすきま内にセンサは設
置されるか、もしくはターゲット本体の背面にある冷却
板のすきま内部にセンサは設置され得る。後者の場合に
関して、センサは部分的にターゲット本体のすきまの内
に達するか、もしくはターゲット本体の後方又は下方面
におけるすきまに丁度接続され得るか、もしくは最終的
にターゲット本体のこの面に対して機械的又は光学的接
触状態に止まることが可能である。

ターゲットの広がってゆく浸食とそれに接続されたセン
サの露出の後に、センサそれ自身が材料の再スパツタリ
ングにより部分的に処理されるという危険が存在する。

最も簡単な場合としてこれはセンサ、変電なる清掃を必
要とし、最も好ましくない場合として測定された信号が
それによって妨害されることになる。

この望ましくない副作用が回避され得るのは、ターゲッ
トの広がって行（浸食が検知されると思われる予め定め
られた位置がセンサが設置される位置と同一でないとい
うこと、およびこれらの位置がターゲット本体内のすき
まによって接続されているということによるからである
。いずれにせよ戻りスパッタリングされた材料はすきま
の側面に沈積しセンサそれ自身は影響を受けないことに
なる。

ターゲットの広がってゆ（浸食とそれに帰因するセンサ
の露出の後に、センサそれ自身の材料は短期間噴霧化さ
れる。これによってプロセス室内に生じた薄膜層内の不
純物を導くことになり、それらの層に対する高純度の要
求を考えれば恐らく大きな効率損失を導くことになる。

この困難性はターゲット本体とセンサおよび必要ならば
またセンサ取付は支持部や活性領域のカバーが同一の材
料により製作されているという事実によって消去され得
る。露出されたセンサの材料が噴霧化されればいずれに
してもこれは層の品質に影響を与えなくなるであろう。

本発明の夫々の実施例の形式に対して多数の設計上の可
能性が利用可能である。例えばセンサは、その軸がター
ゲットの浸食プロセスの軸に対応するめくら穴に設置す
ることが可能である。浸食プロセスによってこれらのめ
くら穴はまたプロセス室の側面において開口される。し
かしながらセンサはまたその軸が多かれ少かれターゲッ
トの浸食プロセスの軸に垂直である穴抜き孔やみぞ内に
設置することも可能である。この変形例はセンサが冷却
材の流れを通過することが設計上の困難さを惹き起こす
直接冷却方式の噴霧化装置に対して特に有効であるよう
に思われる。この実施例においてセンサはまた信号送信
器および信号受信器として配設され得るものであり浸食
プロセスの途中に開口またはみぞを露出させることによ
り一定の信号を干渉させることはターゲットを浸食させ
ることに関し直接の測度を構成することになる。このよ
うな考察に従って例えば光束の変化、電気導電率や開口
中の圧力の変化が浸食プロセスの検知に利用するのに適
している。

本発明に係る噴霧化製造により陰極スパッタリングを実
行するための方法は夫々次の特色を有している。

（ａ）ターゲット本体の広がり行く浸出が即時および自
動的に検知されるのは、ターゲット本体内部又はターゲ
ット本体上の少くとも１個の予め設定された、かつ陰極
スパッタリングプロセスの途中不変の位置における少く
とも１個のセンサによる。

（ｂ）予め設定された時間間隔内で、浸食作用が関係す
るターゲット本体の位置に到達した後に、噴霧化プロセ
スが停止されるようになる。

（ｃ）ターゲット本体は置き換えられる。

この処理手順は、ターゲット本体の浸食作用とそれによ
り広がってゆく浸食とは、その特性が最初に校正曲線に
おいて決定されなければならないような補助測定用変数
によらないで即時に検出されるという「当該技術」に開
示された方法よりも利点を有している。

本発明による方法では更に測定用変数の突然の変化を生
じおよびそれによる誤動作を受けることの少い明瞭な信
号を供給する。最後に与えられたシステムパラメータの
範囲内で、測定用変数のこの突然の変化の瞬間を完全に
自由に調節し、それによってターゲット本体内のセンサ
の成る位置を選択することにより、噴霧化装置の停止の
瞬間をまた調節することが可能である。

測光用変数（光の強さ、光束密度、光束、比光放射、光
量、輝度、照度など）とは別に、静電的又は電気量（電
荷担体量又は密度、導電率など）、熱源温度およびプロ
セス室内の圧力が測定用変数として使用可能である。本
発明のもう一つの実施例形式は陰極スパッタリングプロ
セスの途中の放電特性周波数に基づ（、もしくは測光変
数に対する光の特性波長に基づく発生信号の選択的処理
の記録と同様に、化学的検知方法によるプロセス室内の
個々の成分の部分圧力の記録により構成される。このこ
とは第１の場合においては、測定点で記録される信号は
、陰極スパッタリングプロセスの最中には専ら放電の特
性周波数のみが処理され、之に反して他の周波数は処理
されないように処理されるということを意味する。第２
の場合においては、波長に基づく選択的処理はモノクロ
メータの形式において処理システムへの追加を必要とす
る。

周知の光導電ファイバーは測光変数に対する信号の伝送
用に適している。このようなファイバーはその上に、セ
ンサ取付支持部１５が絶縁材料から製作されねばならぬ
という必要はないという設計上の利点を有する。

信号の処理は、ターゲット本体の広がってゆく浸食の瞬
間に測定された変数の突然の変化が噴霧化装置の動作を
遅延なしに停止させるように導くよう調整され得る。十
分な量のターゲット材料が広がってゆく浸食作用の後に
残存するように、ターゲット本体内のセンサの深さを選
択することば恐らり一層有用なことであり、したがって
既に開始されたプロセスの段階はいかなる場合にも完了
され得る。この結果、広がってゆく浸食作用における信
号の突然の変化とユニ・ノドの動作を停止することの間
にはある時間間隔が予めプログラムされねばならず、そ
れによってこの時間間隔は与えられた状態の下での完全
なプロセスステップに必要とされる時間に対応するもの
である。このようにして、プロセスは一度開始されると
、製作された層の品質に影響を与えたり、もしくは望ま
しいことではないが製造の効率の悪い遮断と同様に廃物
にさえ導かれることもある時期尚早な遮断を行うには及
ばないということが確認される。

〔実施例〕

第１図に示す如き噴霧化装置又は微粒子化源は板状のタ
ーゲット本体Ｉから構成され、該ターゲット本体は陰極
スパッタリングプロセスの途中２こ浸食するものであり
、該ターゲット本体の材料は基板上の夫々の薄膜の製造
用に使用される。このターゲット本体はその端部におい
てショルダ（肩部）を備え、プロセス室に対向し該ショ
ルダに挿入されたターゲット担体フレーム２により冷却
板５にボルト接続３を用いて接続されている。ターゲッ
ト本体１と冷却板５の間の熱接触は、良好な熱伝導率の
材料から作られる箔４を挿入することにより改善可能で
ある。これにより冷却板５は冷却剤が管路を通じて送ら
れる多数のチャネル６を備えている。

ターゲット本体１と冷却板５の構造はその内部に永久磁
石からなるマグネト−システム１０が配設された陰極本
体上に装着されている。陰極本体１１はプロセス室フラ
ンジ８上の絶縁物９により取付けられ、その側面にはプ
ロセス室に対向して黒ずんだ空間シールド７が陽極とし
て付着されている。

板状ターゲット本体ｌの浸食部１２の記録に関しては、
ターゲット本体１はプロセス室に対向していないその側
面上に、冷却板５における対応している開口に対向する
すきま１３を備えることを特色としている。センサ１４
用の取付支持部１５は冷却板５のこの開口にねじこまれ
ており、その端部は小さな板の如き形状をしておりター
ゲット本体１内のすきま１３に達する。センサ取付用支
持部はセンサにより記録されるべき測定用変数の形式に
依存して絶縁材料もしくは導電材料のいずれかより形成
される。

すきま１３の端縁部が陰極スパッタリングプロセスの途
中に浸食されるとすれば、いずれかのパラメータが測定
用変数（光化学変数、電荷、温度、圧力など）として使
用されるパラメータがゼロ値から、プロセス室内に存在
する値まで突然に変化することになる。この突然の変化
はセンサ１４により記録され、陰極本体１１内の電線１
６と開口１７を介して夫々の信号として、分離増幅器１
８、スイッチング増幅器１９およびスイッチ２０から原
理的に周知の方法で製作される処理システムに送信され
ることになる。その結果、微粒子化源は予め設定した時
間間隔の後にのみ遮断され、それによってサービス寿命
を延長させ、また貴重な材料に対して非常に重要となり
得るターゲット本体１の最適な利用を保証するものであ
る。

第２図は第１図の拡大詳細図を示す。センサ取付支持部
１５は円錐状構造として認知され得るもので冷却板５の
夫々の開口内に螺着するためのねじを備えたことを特色
としている。センサ１４はターゲット本体１のすきま１
３に達し、かつ例えばプロセス室内の電荷の検出用電橋
として使用し得る小形板２１内にて端部となっている。

この小形板は夫々のターゲット本体１と同一の材料から
製作されることが当を得ている、何となればこの小形板
の材料は広がりゆく浸食作用の後に短時間の間必然的に
微粒子化されるように思われるからである。この測定は
製作された薄い層内の不純物を阻止する。

第３図は、間接冷却方式の別のターゲット本体について
説明したものである。これは後方からターゲット本体内
に入り、相異なる深さを有する若干のすきま１３ａ、１
３ｂと１３ｃを有することを特色としている。このよう
な装置は、陰極スパッタリングプロセスの間中、相異な
る時刻におけるターゲット本体１の浸食の進展を観察す
ることを考慮し、また予めプログラムされるべき噴霧化
装置の停止を考慮している。

第４図に示す如き本発明の実施例は、ターゲット本体の
広がってゆく浸食が期待される位置が、この広がってゆ
く浸食を記録することを示しているセンサの位置と同一
でないという特殊性を特色としている。これら２個の位
置は反対にすきま１３によってのみ接続されている。セ
ンサ１４はそのほかに冷却板５の開口内に成程度浸漬さ
れ、したがってターゲット本体１と機械的接触をしてい
ない。本発明のこの光学的センサにとって特に有利な実
施例は、ターゲットの広がってゆく浸食の後にセンサの
材料の微粒子化を阻止するのみならず、またこのセンサ
１４それ自身が測定された値を誤り伝えるとともにセン
サの広範囲の清掃を必要とするような微粒子化された材
料により処理されないことを確証するものである。不純
物を避けるために、ターゲット材料から製作された小さ
なおおい板１ａを設けることが可能である。

第５図に図示されたように、本発明の実施例形式は直接
冷却を特色とし、それにより冷却剤チャネル６は直ちに
ターゲット本体１に境して、密閉材２２がターゲット本
体と冷却板５の間に設置される。この実施例に対して、
ターゲット本体の後方からターゲット本体までセンサを
取付けることはあまり有用でないように思われる。ター
ゲット本体１の側面における、すきま１３内にセンサ１
４を設置することは一層有望であるように見える。この
すきま１３はそれによりターゲット本体の浸食部１２が
記録されるべき位置の配置にその深さが依存するめくら
穴の形状を有している。図に示したように、センサ１４
が光伝導ファイバーより構成されれば、めくら穴１３の
一層大きな深さから別の困難が帰因することもなくなり
、この場合にはセンサ取付支持部１５はまた、絶縁材料
から製作される必要はない。

本発明のこの実施例の変形例は第６図に示されている。

この変形例によれば、２個の横方向に取付けたセンサは
、信号送信器１４ａおよび信号受信器１４ｂとして配列
され、連続開口２３により接続されている。例えば光束
密度の如き光化学的変数が測定用変数として使用される
ならば、その場合には図示の装置はトランス照度（ｔｒ
ａｎｓｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）防護壁として動作す
る。この変形例の存する有利な点は、ターゲット本体ｌ
の浸食が全領域にわたって同時に観測可能なことである
ことと、またしたがって最大浸食部１２の位置が各点に
おいて予め設定されている必要がないということである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は間接冷却方式の本発明に係る噴霧化装置の断面
図； 第２図は第１図の拡大詳細図； 第３図は多数のセンサと間接冷却方式を備えた、本発明
に係る噴霧化装置の断面図； 第４図は期待の広がりゆく浸食の位置がセンサの位置と
同一でない、本発明に係る別の噴霧化装置の断面図； 第５図は直接冷却方式の、本発明に係る噴霧化装置の断
面図； 第６図は間接冷却方式であってそれによって両方のセン
サが信号送信器と信号受信器として配列されている、本
発明に係る噴霧化装置の断面図；を夫々示している。 １・・・ターゲット本体、１ａ・・・おおい板、２・・
・ターゲ・ノ日旦体フレーム、 ３・・・ボルト接続、　　　４・・・箔、５・・・冷却
板、　　　　　６・・・冷却剤チャネル、７・・・空間
シールド、　　８−・・フランジ、９　・・・客色縁物
、 １０・・・マグネト−システム、 １１・・・陰極本体、　　　１２・・・浸食部、１３・
・・すきま、　　　１３ａ　、　ｂ　、　ｃ・・・すき
ま、１４・・・センサ、　　　　１５・・・センサ取付
支持部、１６・・・電線、　　　　　１７・・・開口、
１８・・・分離増幅器、 １９・・・スイッチング増幅器、 ２０・・・スイッチ、　　　２１・・・小形板、２２・
・・密閉材、　　　２３・・・連続開口。 以下余白 ］ｂ Ｆｉｇ、　２ 紀

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）少くとも１個の予め定められ、陰極スパッタ
   リングプロセスの間は不変である、ターゲット本体１に
   おけるまたはその内部の位置における、ターゲット本体
   １の全面的に広がった浸食が直接的におよび自動的に検
   知されるものであり、 （ｂ）浸食１２がターゲット本体１の関係する位置に到
   達した後に、噴霧化プロセスが予め設定された期間内で
   中断されるものであり、かつ （ｃ）ターゲット本体１は置換可能であることを特徴と
   する、陰極スパッタリングを実行する方法。 ２、センサ１４は輝度および、もしくはプロセス室内の
   他の測光量の強度を記録することを特徴とする、特許請
   求の範囲第１項記載の方法。 ３、測光量が光電導ファイバーを用いて検知されること
   を特徴とする、特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４、センサ１４はプロセス室内の電荷担体を検知するこ
   とを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５、センサ１４はプロセス室における熱源温度を検知す
   ることを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の方法
   。 ６、センサ１４はプロセス室における圧力を検知するこ
   とを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７、測定点において検知された信号は、陰極スパッタリ
   ングプロセスの最中の専ら放電の特性周波数のみが解析
   され、しかも他の周波数は処理されないように処理され
   ることを特徴とする、特許請求の範囲第１項ないし第６
   項記載の方法。 ８、広がって行く浸食と噴霧化装置の停止との間の時間
   間隔は完全なプロセス段階に必要な時間の距離に少くと
   も対応することを特徴とする、特許請求の範囲第１項か
   ら第７項までに記載の方法。 ９、ターゲット表面の浸食を記録するための装置を備え
   た陰極スパッタリング装置用の噴霧化装置であって、該
   噴霧化装置は、 （ａ）浸食せられるべきターゲット本体１が、予め定め
   られた、かつ陰極スパッタリングプロセスの間中不変で
   ある位置において、少くとも１個のセンサ１４を具備す
   ることを特色とし、 （ｂ）該センサは予め定められた位置において、ターゲ
   ット本体１の全面的に広がってゆく浸食を直接検知する
   意図を有するものである、 ことを特徴とする、噴霧化装置。 １０、センサ１４が、陰極スパッタリングプロセスの途
   中においてターゲット本体１の最大の浸食の位置に設置
   されることを特徴とする、特許請求の範囲第９項記載の
   噴霧化装置。 １１、多数のセンサ１４が、ターゲット本体１の浸食パ
   ターンの種々の位置において水平方向に設置されること
   を特徴とする、特許請求の範囲第９項および第１０項記
   載の噴霧化装置。 １２、多数のセンサ１４が、ターゲット表面の前進する
   浸食部１２の位置に対応して、ターゲット１の相異なる
   位置において垂直方向に設置されたことを特徴とする、
   特許請求の範囲第９項から第１１項までに記載の噴霧化
   装置。 １３、ターゲット本体１の広がっている浸食が検知可能
   である予め定められた位置と、センサが設置された位置
   とが同等でなく、かつターゲット本体１の浸食の広がっ
   ている時点で、センサ１４の汚染を避けるために該ター
   ゲット本体１におけるすきま１３を介して互に接続され
   ていることを特徴とする、特許請求の範囲第９項から第
   １２項までに記載の噴霧化装置。 １４、ターゲット本体１の広がっていく浸食の場合に、
   製作された薄層内の不純物を避けるために、ターゲット
   本体１、センサ１４およびセンサ取付用支持部１５とが
   同じ材料より製作されることを特徴とする、特許請求の
   範囲第９項から第１３項までに記載の噴霧化装置。 １５、ターゲット本体１におけるすきま１３をめくら穴
   の形式に仕上げられていることを特徴とする、特許請求
   の範囲第９項から第１４項までに記載の噴霧化装置。 １６、ターゲット本体１における多数のすきま１３はせ
   ん孔された開口２３またはみぞ（ノッチ）により関連づ
   けられていることを特徴とする、特許請求の範囲第９項
   から第１４項までに記載の噴霧化装置。 １７、センサ１４は少くとも一つの信号送信器１４ａと
   少くとも一つの信号受信器１４ｂとを具備することを特
   徴とする、特許請求の範囲第１６項記載の噴霧化装置。