JPS6315240A - パタ−ニング方法及びレジスト - Google Patents
パタ−ニング方法及びレジストInfo
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- JPS6315240A JPS6315240A JP16027586A JP16027586A JPS6315240A JP S6315240 A JPS6315240 A JP S6315240A JP 16027586 A JP16027586 A JP 16027586A JP 16027586 A JP16027586 A JP 16027586A JP S6315240 A JPS6315240 A JP S6315240A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パターニング方法及びレジストの改良である。
露光されたレジストを、気相で現像しうるようにする改
良である。
良である。
主鎖に三重結合または三重結合を有するポリマー（ｌ、
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストを使用し、この
レジストを塗布して形成したレジスト膜の所望の領域を
露光し、酸素を含むガスを用いてなすダウンブローエツ
チング法を使用し、または、オゾンを接触させて、未露
光のレジストを除去し、露光されたレジストを、気相で
現像するパターニング方法と、このパターこング方法の
実施に直接使用するレジストすなわち主鎖に二重結合ま
たは三重結合を有するポリマー（１，４−ポリブタジェ
ン１．４−ポリブタジインまたはそれらの誘導体等）を
主成分とするレジストとである。
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストを使用し、この
レジストを塗布して形成したレジスト膜の所望の領域を
露光し、酸素を含むガスを用いてなすダウンブローエツ
チング法を使用し、または、オゾンを接触させて、未露
光のレジストを除去し、露光されたレジストを、気相で
現像するパターニング方法と、このパターこング方法の
実施に直接使用するレジストすなわち主鎖に二重結合ま
たは三重結合を有するポリマー（１，４−ポリブタジェ
ン１．４−ポリブタジインまたはそれらの誘導体等）を
主成分とするレジストとである。
本発明は、パターニング方法及びレジストの改良に関す
る。特に、露光されたレジストを、気相で現像しうるよ
うにするパターニング方法の改良と、このパターニング
方法の実施に直接使用されるレジストとに関する。
る。特に、露光されたレジストを、気相で現像しうるよ
うにするパターニング方法の改良と、このパターニング
方法の実施に直接使用されるレジストとに関する。
紫外光等をもってする露光によって架橋等をなして不溶
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解・除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等における重要な工程の一
つである。
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解・除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等における重要な工程の一
つである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
たＣ１上記せる従来技術におけるパターニング方法にお
いては、未露光のレジスト膜を溶解・除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程においてＷ潤することを免れず、その結果、微
細パターンのパターン精度が不十分であるという欠点が
ある。
いては、未露光のレジスト膜を溶解・除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程においてＷ潤することを免れず、その結果、微
細パターンのパターン精度が不十分であるという欠点が
ある。
この欠点を解消するため１ｇ＠光済みの基板を液体に接
触させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する
努力がなされているが、広く実用される段階には到達し
ていない。
触させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する
努力がなされているが、広く実用される段階には到達し
ていない。
本発明の目的は、この努力の一環であり、露光されたレ
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第１の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主成分とするレジストを基板上に
塗布してレジストの膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビームをもって露光し
、露光されたレジスト膜を有する基板に、酸素を含むガ
スを用いてなすダウンフローエツチング法をなしてパタ
ーニングすることにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主成分とするレジストを基板上に
塗布してレジストの膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビームをもって露光し
、露光されたレジスト膜を有する基板に、酸素を含むガ
スを用いてなすダウンフローエツチング法をなしてパタ
ーニングすることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第２の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主成分とするレジストを基板上に
塗布してレジストの膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビームをもって露光し
、露光されたレジスト膜を有する基板にオゾンを接触さ
せてパターニングすることにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主成分とするレジストを基板上に
塗布してレジストの膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビームをもって露光し
、露光されたレジスト膜を有する基板にオゾンを接触さ
せてパターニングすることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第３の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）をもってレジストとすることにある
。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）をもってレジストとすることにある
。
上に例記せる種類の、主鎖に二重結合または三重結合を
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１．４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘導体等）を主成分とするレ
ジストに紫外光・Ｘ線・電子ビーム等をもってエネルギ
ーを供給すると、付加反応が発生して相互に結合して、
さらに大きなポリマーとなる。
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１．４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘導体等）を主成分とするレ
ジストに紫外光・Ｘ線・電子ビーム等をもってエネルギ
ーを供給すると、付加反応が発生して相互に結合して、
さらに大きなポリマーとなる。
ところで、上に例記せる種類のポリマーは、酸素を含む
ガスを用いてなすダウンフローエツチング法を使用する
ことにより、または、オゾンを接触させることにより、
容易に分解することができるが、上記の付加反応によっ
て発生した大きなポリマーは、酸素を含むガスを用いて
なすダウンフローエツチング法を使用することにより、
または１ オゾンを接触させることによっては分解しな
い。
ガスを用いてなすダウンフローエツチング法を使用する
ことにより、または、オゾンを接触させることにより、
容易に分解することができるが、上記の付加反応によっ
て発生した大きなポリマーは、酸素を含むガスを用いて
なすダウンフローエツチング法を使用することにより、
または１ オゾンを接触させることによっては分解しな
い。
そこで、所望の領域のみを紫外光・Ｘ線・電子ビーム等
をもって露光した後、ｆｆ＃素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法を実行するかオゾンを接触す
るかすれば、未露光の領域のみが除去され、パターニン
グが可能となる。
をもって露光した後、ｆｆ＃素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法を実行するかオゾンを接触す
るかすれば、未露光の領域のみが除去され、パターニン
グが可能となる。
以下、本発明の三つの実施例に係るパターニング方法と
レジストとについてさらに説明する。
レジストとについてさらに説明する。
１土」
主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（１，
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストとして、下記に
構造式を示すポリで−を使用する。
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストとして、下記に
構造式を示すポリで−を使用する。
０００文
４ＣＨ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ）（２）。
■
このポリマーよりなるレジストをキシレン等の溶剤に溶
解して半導体基板上にスピンコードし、厚さ１膳層のレ
ジスト膜を形成する。
解して半導体基板上にスピンコードし、厚さ１膳層のレ
ジスト膜を形成する。
通常のフォトマスクを使用し、波長的３００ｎｆｆｉの
紫外光（水銀クセノンランプの発する光）をもって１分
間露光する。この露光により付加反応が発生し、二重結
合が開いて、下記に示す構造の大きなポリマーに転換さ
れる。
紫外光（水銀クセノンランプの発する光）をもって１分
間露光する。この露光により付加反応が発生し、二重結
合が開いて、下記に示す構造の大きなポリマーに転換さ
れる。
真空中で約１００℃において５分間加熱してベーキング
をなした後、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いて
なすダウンフローエツチング法を１分間実行する。露光
済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。残膜
率は、８−〇ね７０ｆ６である。
をなした後、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いて
なすダウンフローエツチング法を１分間実行する。露光
済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。残膜
率は、８−〇ね７０ｆ６である。
このポリマーよりなるレジストはＭ２と四フッ化メタン
の混合ガスを用いてなすダウンフローエツチング法のみ
でなく、５°Ｖ６のオゾンを３分間接触させることによ
ってもドライ現像することができ、その場合の残膜率は
、お〜むね８０％である。
の混合ガスを用いてなすダウンフローエツチング法のみ
でなく、５°Ｖ６のオゾンを３分間接触させることによ
ってもドライ現像することができ、その場合の残膜率は
、お〜むね８０％である。
追」Ｌカ
主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（１，
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストとして、下記に
構造式を示すポリマーを使用する。
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストとして、下記に
構造式を示すポリマーを使用する。
（ＣＨ−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ，、）ｎ
■
このポリマーよりなるレジストをシクロヘキサノン等の
溶剤に溶解して半導体基板上にスピンコードし、厚さｌ
ｐｍのレジスト膜を形成する。
溶剤に溶解して半導体基板上にスピンコードし、厚さｌ
ｐｍのレジスト膜を形成する。
通常のフォトマスクを使用し、波長４３６ｎｍの紫外光
（水銀ランプの発する光）をもって１分間露光する。こ
の露光により付加反応が発生し、二重結合が開いて、下
記に示す構造の大きなポリマーに転換される。
（水銀ランプの発する光）をもって１分間露光する。こ
の露光により付加反応が発生し、二重結合が開いて、下
記に示す構造の大きなポリマーに転換される。
（ＣＨ−Ｃ−Ｃ−ＣＨ２矢。
＼ ｌ
（ＣＨ−Ｃ＝Ｃ−ＣＨ２）ｎ
真空中で約 １００℃において５分間加熱してぺ、−キ
ングをなした後、５％のオゾンを３分間接触させる。露
光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。残
膜率は、おへむね７５％である。
ングをなした後、５％のオゾンを３分間接触させる。露
光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。残
膜率は、おへむね７５％である。
このポリマーよりなるレジストはオゾンを接触する方法
のみでなく、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いて
なすタウンフローエツチング法を１分間実行することに
よってもドライ現像することができ、その場合の残膜率
は、おへむね５５％である。
のみでなく、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いて
なすタウンフローエツチング法を１分間実行することに
よってもドライ現像することができ、その場合の残膜率
は、おへむね５５％である。
笈」１例
主鎖に二重結合または二重結合を有するボリマー（１，
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストとして、下記に
構造式を示すポリマーを使用する。
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主成分とするレジストとして、下記に
構造式を示すポリマーを使用する。
ＣＨ３
（ＣＨ２−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２）。
このポリマーよりなるレジストをキシレン等の溶剤に溶
解して半導体基板上にスピンコードし、厚さ１鉢膳のレ
ジスト膜を形成する。
解して半導体基板上にスピンコードし、厚さ１鉢膳のレ
ジスト膜を形成する。
電子ビームで露光する。この露光により付加反応が発生
し、二重結合が開いて、下記に示す構造の大きなポリマ
ーに転換される。
し、二重結合が開いて、下記に示す構造の大きなポリマ
ーに転換される。
ＣＨ３
（Ｃ）（−Ｃ−ＣＨ−ＣＨ，、）。
ＣＨ３
真空中で約 １００℃において５分間加熱してベーキン
グをなした後、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用い
てなすダウンフローエツチング法ヲ１分間実行する０ｇ
ｌ光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。
グをなした後、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用い
てなすダウンフローエツチング法ヲ１分間実行する０ｇ
ｌ光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。
残膜率は、お−むね７０％である。
このポリマーよりなるレジストは酸素を含むガスを用い
てなすダウンフローエツチング法のみでなく、５％のオ
ゾンを３分間接触させることによってもドライ現像する
ことができ、その場合の残膜率は、お−むね８０％であ
る。
てなすダウンフローエツチング法のみでなく、５％のオ
ゾンを３分間接触させることによってもドライ現像する
ことができ、その場合の残膜率は、お−むね８０％であ
る。
以上説明せるとおり、本発明に係るパターニング方法は
、未露光の状態においては酸素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法により、または、オゾンを接
触させることにより、容易に分解するが、紫外光Ｘ線ま
たは電子ビームをもって露光すると、付加反応が発生し
て、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチン
グ法またはオゾンを接触させることによっては分解しな
いポリマーに転換されるレジストすなわち主鎖に二重結
合または三重結合を有するポリマー（１，４−ポリブタ
ジェン１．４−ポリブタジインまたはそれらの誘導体等
）を主成分とするレジストを使用しているので、露光さ
れたレジスト膜を気相で現像することができる。
、未露光の状態においては酸素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法により、または、オゾンを接
触させることにより、容易に分解するが、紫外光Ｘ線ま
たは電子ビームをもって露光すると、付加反応が発生し
て、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチン
グ法またはオゾンを接触させることによっては分解しな
いポリマーに転換されるレジストすなわち主鎖に二重結
合または三重結合を有するポリマー（１，４−ポリブタ
ジェン１．４−ポリブタジインまたはそれらの誘導体等
）を主成分とするレジストを使用しているので、露光さ
れたレジスト膜を気相で現像することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主成分とするレジストを基板上に塗布して前記レジス
トの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、酸素
を含むガスを用いてなすダウンフローエッチング法をな
す ことを特徴とするパターニング方法。 ［２］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主成分とするレジストを基板上に塗布して前記レジス
トの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、オゾ
ンを接触させる ことを特徴とするパターニング方法。 ［３］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主成分とするレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027586A JPS6315240A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027586A JPS6315240A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315240A true JPS6315240A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15711473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16027586A Pending JPS6315240A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315240A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| EP0333591A2 (en) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Limited | Process for formation of resist patterns |
| JPH022563A (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | レジスト及びパターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH02251961A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| US5194364A (en) * | 1988-03-16 | 1993-03-16 | Fujitsu Limited | Process for formation of resist patterns |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16027586A patent/JPS6315240A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| EP0333591A2 (en) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Limited | Process for formation of resist patterns |
| US5194364A (en) * | 1988-03-16 | 1993-03-16 | Fujitsu Limited | Process for formation of resist patterns |
| JPH022563A (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-08 | Fujitsu Ltd | レジスト及びパターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH02251961A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
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