JPS6315241A - パタ−ニング方法及びレジスト - Google Patents
パタ−ニング方法及びレジストInfo
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- JPS6315241A JPS6315241A JP16027686A JP16027686A JPS6315241A JP S6315241 A JPS6315241 A JP S6315241A JP 16027686 A JP16027686 A JP 16027686A JP 16027686 A JP16027686 A JP 16027686A JP S6315241 A JPS6315241 A JP S6315241A
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- resist film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/18—Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パターニング方法及びレジストの改良である。
露光されたレジストを、気相で現像しうるようにする改
良である。
良である。
主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（１，
４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤とするレジス
トを使用し、このレジストを塗布して形成したレジスト
膜の所望の領域を露光し、酸素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法を使用し、または、オゾンを
接触させて、未露光のレジストを除去し５露光されたレ
ジストを、気相で現像するバターニング方法と、このパ
ターニング方法の実施に直接使用するレジストすなわち
主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（１，
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘電体等）を主剤とじアジドを付加剤とするレジス
トとである。
４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤とするレジス
トを使用し、このレジストを塗布して形成したレジスト
膜の所望の領域を露光し、酸素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法を使用し、または、オゾンを
接触させて、未露光のレジストを除去し５露光されたレ
ジストを、気相で現像するバターニング方法と、このパ
ターニング方法の実施に直接使用するレジストすなわち
主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（１，
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘電体等）を主剤とじアジドを付加剤とするレジス
トとである。
本発明は、パターニング方法及びレジストの改良に関す
る。特に、露光されたレジストを、気相で現像しうるよ
うにするパターニング方法の改良と、このパターニング
方法の実施に直接使用されるレジストとに関する。
る。特に、露光されたレジストを、気相で現像しうるよ
うにするパターニング方法の改良と、このパターニング
方法の実施に直接使用されるレジストとに関する。
紫外光等をもってする露光によって架橋等をなして不溶
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解・除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等におけるｆｆｉ要な工程
の一つである。
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解・除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等におけるｆｆｉ要な工程
の一つである。
たＣ１上記せる従来技術におけるパターニング方法にお
いては、未露光のレジスト膜を溶解・除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程において膨潤することを免れず、その結果、微
細パターンのパターン精度が不十分であるという欠点が
ある。
いては、未露光のレジスト膜を溶解・除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程において膨潤することを免れず、その結果、微
細パターンのパターン精度が不十分であるという欠点が
ある。
この欠点を解消するため、露光済みの基板を液体に接触
させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する努
力がなされているが、広く実用される段階には到達して
いない。
させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する努
力がなされているが、広く実用される段階には到達して
いない。
本発明の目的は、この努力の一環であり、露光されたレ
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第１の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
ｌ、４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤とするレ
ジストを基板上に塗布してレジストの膜を形成し、この
レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビー
ムをもって露光し、露光されたレジスト膜を有する基板
に、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチン
グ法をなしてパターニングすることにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
ｌ、４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤とするレ
ジストを基板上に塗布してレジストの膜を形成し、この
レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビー
ムをもって露光し、露光されたレジスト膜を有する基板
に、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチン
グ法をなしてパターニングすることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第２の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤とするレ
ジストを基板上を二塗布してレジストの膜を形成し、こ
のレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、露光されたレジスト膜を有する基
板にオゾンを接触させてパターニングすることにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤とするレ
ジストを基板上を二塗布してレジストの膜を形成し、こ
のレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、露光されたレジスト膜を有する基
板にオゾンを接触させてパターニングすることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第３の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリｆ−（
１，４−ポリブタジェン１．４＝ポリブタジインまたは
それらの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤としてレ
ジストを製造することにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリｆ−（
１，４−ポリブタジェン１．４＝ポリブタジインまたは
それらの誘電体等）を主剤としアジドを付加剤としてレ
ジストを製造することにある。
上に例記せる種類の、主鎖に二重結合または三重結合を
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘電体等）を主剤としアジド
を付加剤とするレジストに紫外光・Ｘ線・電子ビーム等
をもってエネルギーを供給すると、付加反応が発生して
、ポリマーの主鎖の二重結合が開き、同時に、アジドが
アジド基の部分で分解して互に結合する。
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘電体等）を主剤としアジド
を付加剤とするレジストに紫外光・Ｘ線・電子ビーム等
をもってエネルギーを供給すると、付加反応が発生して
、ポリマーの主鎖の二重結合が開き、同時に、アジドが
アジド基の部分で分解して互に結合する。
ところで、上に例記せる種類のポリマーもアジドも、酸
素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチング法を
使用することにより、または、オゾンを接触させること
により、容易に分解することができるが、上記の付加反
応によって発生した付加体ポリマーは、酸素を含むガス
を用いてなすダウンフローエツチング法を使用すること
により、または、オゾンを接触させることによっては分
解しない。
素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチング法を
使用することにより、または、オゾンを接触させること
により、容易に分解することができるが、上記の付加反
応によって発生した付加体ポリマーは、酸素を含むガス
を用いてなすダウンフローエツチング法を使用すること
により、または、オゾンを接触させることによっては分
解しない。
そこで、所望の領域のみを紫外光・Ｘ線・電子ビーム等
をもって露光した後、酸素を含むガスを用いてなすダウ
ン２０−エツチング法を実行するかオゾンを接触するか
すれば、未露光の領域のみが除去され、バターニングが
可１后となる。
をもって露光した後、酸素を含むガスを用いてなすダウ
ン２０−エツチング法を実行するかオゾンを接触するか
すれば、未露光の領域のみが除去され、バターニングが
可１后となる。
以下、本発明の二つの実施例に係るバターニング方法と
レジストとについてさらに説明する。
レジストとについてさらに説明する。
庇上」
主剤である主鎖に二重結合または三重結合を有するポリ
で−（１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジイン
またはそれらの誘電体等）として、下記に構造式を示す
１．４−ポリイソプレンを使用する。
で−（１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジイン
またはそれらの誘電体等）として、下記に構造式を示す
１．４−ポリイソプレンを使用する。
ＣＨ３
イＣＨ２−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ，，＋。
また、アジドとして、下記にａ造式を示すアジドを使用
する。
する。
この１，４−ポリイソプレンを主剤としＬ記のアジドを
付加剤とするレジストをキシレン等の溶剤に溶解して半
導体基板上にスピンニートし、厚さ１μ】のレジスト膜
を形成する。
付加剤とするレジストをキシレン等の溶剤に溶解して半
導体基板上にスピンニートし、厚さ１μ】のレジスト膜
を形成する。
通常のフォトマスクを使１Ｈシ、波長約３００ｎｓの紫
外光（水銀クセノンランプの発する尤）をもって１分間
露光する。この露光により付加反応が発生して、１，４
−ポリイソプレンの主鎖の二重結合が開き、同時にアジ
ドがアジド基の部分で分解して互に結合し、下記に示す
構造のポリマーに転換される。
外光（水銀クセノンランプの発する尤）をもって１分間
露光する。この露光により付加反応が発生して、１，４
−ポリイソプレンの主鎖の二重結合が開き、同時にアジ
ドがアジド基の部分で分解して互に結合し、下記に示す
構造のポリマーに転換される。
Ｈ３
＼ ｌ
■
ＣＨ３
真空中で約 １００℃に５分間加熱してベーキングをな
した後、５％のオゾンを ＋３０°Ｃにおいて３分間接
触させる。露光済みの領域ではレジスト膜は分解して除
去される。残膜率は、お−むね８０％である。
した後、５％のオゾンを ＋３０°Ｃにおいて３分間接
触させる。露光済みの領域ではレジスト膜は分解して除
去される。残膜率は、お−むね８０％である。
この１，４−ポリイソプレンを主剤とし上記のアジドを
付加剤とするレジストは、オゾンに接触させる方法のみ
でなく、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法によってもドライ現像するこ
とができ、その場合の残膜率は、お〜むね７０り６であ
る。
付加剤とするレジストは、オゾンに接触させる方法のみ
でなく、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法によってもドライ現像するこ
とができ、その場合の残膜率は、お〜むね７０り６であ
る。
匹」Ｌカ
主剤であるｊ：鎖に三重結合または三１ｒＬ結合を有す
るポリマー（１，４−ポリブタジエ７１ 、４−ボリブ
タジインまたはそれらの話を体′Ｖ−）として、下記に
構造式を示す１．４ポリ−２，３−ジメチル−１，３−
ブタジェンを使用する。
るポリマー（１，４−ポリブタジエ７１ 、４−ボリブ
タジインまたはそれらの話を体′Ｖ−）として、下記に
構造式を示す１．４ポリ−２，３−ジメチル−１，３−
ブタジェンを使用する。
（ＣＨ２−Ｃ＝Ｃ−ＣＨ，）
また、アジドとして、下記に構造式を示すアシドを使用
する。
する。
ＣＨ３
この１．４ポリ−２，３−ジメチル−１，３＝ブタジエ
ンを主剤とし」二重のアジドを付加剤とするレジストを
キシレン等の溶剤に溶解して半・９体基板上にスピンコ
ードし、ノンさ１μｍのレジスト１１！２を形成する。
ンを主剤とし」二重のアジドを付加剤とするレジストを
キシレン等の溶剤に溶解して半・９体基板上にスピンコ
ードし、ノンさ１μｍのレジスト１１！２を形成する。
通常のフォトマスクを使用し、波長４３５Ａ３ｎｍの紫
外光（水銀ランプの発する光）をもって１分間露光する
。この露光により付加反応が発生して、ポリマーの主鎖
の二重結合が開き、同時にアジドがアジド基の部分で分
解して互に結合し、下記に示す構造の付加体ポリマーに
転換される。
外光（水銀ランプの発する光）をもって１分間露光する
。この露光により付加反応が発生して、ポリマーの主鎖
の二重結合が開き、同時にアジドがアジド基の部分で分
解して互に結合し、下記に示す構造の付加体ポリマーに
転換される。
（ＣＨ−Ｃ−Ｃ−ＣＨ２）。
＼ ｌ
ＨＣＣＨ３
真空中で約 １００℃に５分間加熱してベーキングをな
した後、酸素と四フッ化メタン中においてなすダウンフ
ローエツチング法（酸素と四フッ化メタンの比は１ ：
０．２ 、 １ ｔａｒｔ、７５０Ｗ ＞を１分間実
行する。露光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去
される。残膜率は、お−むね７０％である。
した後、酸素と四フッ化メタン中においてなすダウンフ
ローエツチング法（酸素と四フッ化メタンの比は１ ：
０．２ 、 １ ｔａｒｔ、７５０Ｗ ＞を１分間実
行する。露光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去
される。残膜率は、お−むね７０％である。
この１．４ポリ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジェ
ンを主剤とし上記のアジドを付加剤とするレジストは、
酸素を含むガスを用いてなすダウン７０−エツチング法
のみでなく、オゾンを接触する方法を３分間実行するこ
とによってもドライ現像することができ、その場合の残
膜率は、おへむね８５％である。
ンを主剤とし上記のアジドを付加剤とするレジストは、
酸素を含むガスを用いてなすダウン７０−エツチング法
のみでなく、オゾンを接触する方法を３分間実行するこ
とによってもドライ現像することができ、その場合の残
膜率は、おへむね８５％である。
以上説明せるとおり１本発明に係るパターニング方法は
、未露光の状態においては酸素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法により、または、オゾンを接
触させることにより。
、未露光の状態においては酸素を含むガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法により、または、オゾンを接
触させることにより。
容易に分解するが、紫外光Ｘ線または電子ビームをもっ
て露光すると、付加反応が発生して、酸素を含むガスを
用いてなすダウンフローエツチング法またはオゾンを接
触させることによっては分解しないポリマーに転換され
るレジストすなわち主鎖に二重結合または三重結合を有
するポリマー（１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブ
タジインまたはそれらの誘電体等）を主剤としアジドを
付加剤とするレジストを使用しているので、露光された
。レジス）Ｉｌｌを気相で現像することができる。
て露光すると、付加反応が発生して、酸素を含むガスを
用いてなすダウンフローエツチング法またはオゾンを接
触させることによっては分解しないポリマーに転換され
るレジストすなわち主鎖に二重結合または三重結合を有
するポリマー（１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブ
タジインまたはそれらの誘電体等）を主剤としアジドを
付加剤とするレジストを使用しているので、露光された
。レジス）Ｉｌｌを気相で現像することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としアジドを付加剤とするレジストを基板上に塗
布して前記レジストの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、酸素
を含むガスを用いてなすダウンフローエッチング法をな
す ことを特徴とするパターニング方法。 ［２］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としアジドを付加剤とするレジストを基板上に塗
布して前記レジストの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、オゾ
ンを接触させる ことを特徴とするパターニング方法。 ［３］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としアジドを付加剤とするレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027686A JPS6315241A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027686A JPS6315241A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315241A true JPS6315241A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15711495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16027686A Pending JPS6315241A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315241A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16027686A patent/JPS6315241A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
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