JPH041764A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH041764A JPH041764A JP2103521A JP10352190A JPH041764A JP H041764 A JPH041764 A JP H041764A JP 2103521 A JP2103521 A JP 2103521A JP 10352190 A JP10352190 A JP 10352190A JP H041764 A JPH041764 A JP H041764A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体集積回路の製造時に使廟されるフォト
マスクの製造方法に関するものである。
マスクの製造方法に関するものである。
[従来技術とその問題点]
一般的に、フォトマスクはクロム等の遮光膜を一様に蒸
着されたガラス透明基板上に、電子線レジストを塗布し
、電子線照射後、現像処理を行い、レジストパターンを
形成した後、硝酸第2セリウムアンモニウム溶液に浸漬
し、ウェット(湿式)エツチングすることにより作製さ
れる。しかし、ウェットエツチングでは線幅寸法が細く
なるとクロムのエツチングパターンの直線性が低くなる
。
着されたガラス透明基板上に、電子線レジストを塗布し
、電子線照射後、現像処理を行い、レジストパターンを
形成した後、硝酸第2セリウムアンモニウム溶液に浸漬
し、ウェット(湿式)エツチングすることにより作製さ
れる。しかし、ウェットエツチングでは線幅寸法が細く
なるとクロムのエツチングパターンの直線性が低くなる
。
また、等方性エツチングのためサイドエツチングにより
遮光膜の側面がえぐられ、寸法制御性も低くならざるを
えない、近年、モリブデンシリサイド(MoSi)も遮
光膜として用いられているが、M o S iはウェッ
トエツチングではエンチング不可能で、ドライエツチン
グでなければならない。
遮光膜の側面がえぐられ、寸法制御性も低くならざるを
えない、近年、モリブデンシリサイド(MoSi)も遮
光膜として用いられているが、M o S iはウェッ
トエツチングではエンチング不可能で、ドライエツチン
グでなければならない。
しかし、反応性イオンエツチング等のドライエツチング
では、レジストのドライエツチング耐性が問題となる。
では、レジストのドライエツチング耐性が問題となる。
ネガ型レジストの、CMS (東ソー■製商品名)、5
EL−N(ソマール■製商品名)、5AL601(米国
シラプレー社製商品名)等は、エツチング耐性が高い。
EL−N(ソマール■製商品名)、5AL601(米国
シラプレー社製商品名)等は、エツチング耐性が高い。
しかし、PBS(チッソ■製画品名)、EBR−9(東
し■製画品名)、FBM−120(ダイキン工業■製商
品名)等のポジ型レジストの耐性は低い。そのため、前
記ポジ型レジストを用いた場合には、ドライエツチング
耐性が低いため、レジストパターンの後退が生じ、遮光
膜パターンにテーパーがついたり、設計寸法が得られな
いということがおきた。
し■製画品名)、FBM−120(ダイキン工業■製商
品名)等のポジ型レジストの耐性は低い。そのため、前
記ポジ型レジストを用いた場合には、ドライエツチング
耐性が低いため、レジストパターンの後退が生じ、遮光
膜パターンにテーパーがついたり、設計寸法が得られな
いということがおきた。
また、φ−MAC(ダイキン工業■製商品名)、MP2
400 (米国シラプレー社製商品名)は前記ポジ型電
子線レジストより耐性は高いが、感度が20μC/c4
以下と非常に低く、スループントが低いという欠点があ
る。
400 (米国シラプレー社製商品名)は前記ポジ型電
子線レジストより耐性は高いが、感度が20μC/c4
以下と非常に低く、スループントが低いという欠点があ
る。
以上のことから明らかなように現在市販されているポジ
型電子線レジストでは、フォトマスクを高精細度かつ高
スループツトで製造することができない。
型電子線レジストでは、フォトマスクを高精細度かつ高
スループツトで製造することができない。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、半導体集積回路の製造時に使用されるフォト
マスクを高解像度で、かつ高スループ。
マスクを高解像度で、かつ高スループ。
トで提供することを目的とする。
[課題を解決する手段]
本発明は、透明基板上に、遮光膜を形成し、該遮光膜上
にポジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィ
ーによりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエン
チングすることで、遮光膜をパターン化するフォトマス
クの製造方法において、(1)式で表わされる2−シア
ノアクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型
電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーにより
レジストパターンを形成しで、ドライエツチングにより
遮光膜をエツチングすることを特徴とするフォトマスク
の製造方法である。
にポジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィ
ーによりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエン
チングすることで、遮光膜をパターン化するフォトマス
クの製造方法において、(1)式で表わされる2−シア
ノアクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型
電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーにより
レジストパターンを形成しで、ドライエツチングにより
遮光膜をエツチングすることを特徴とするフォトマスク
の製造方法である。
N
本発明による2−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合
体は、次式(2): で表わされる2−シアノアクリル酸シクロヘキシルモノ
マーをアニオン重合またはラジカル重合することによっ
て得られる。分子量は、1万から300万であるが、分
子量が大きすぎると塗布性が低下し、また分子量が小さ
いと感度が低下することから10万〜100万が好まし
い。
体は、次式(2): で表わされる2−シアノアクリル酸シクロヘキシルモノ
マーをアニオン重合またはラジカル重合することによっ
て得られる。分子量は、1万から300万であるが、分
子量が大きすぎると塗布性が低下し、また分子量が小さ
いと感度が低下することから10万〜100万が好まし
い。
また、本発明で用いる現像液としては、2−シアノアク
リル酸シクロヘキシル重合体に対して可溶性溶媒である
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル
イソアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸n −プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エ
チルセロソルブ等のエステル類、メチルセロソルブ等の
セロソルブ類から選択される少なくとも一種と、不溶性
溶媒であるメタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール等のアルコール類、石油エーテル、n−ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類などから選択される
少なくとも一種とからなる混合溶媒が好ましい。なお、
これらの可溶性溶媒と不溶性溶媒の混合比は、用いる溶
媒の種類および電子線照射量によって、当然異なってく
る。
リル酸シクロヘキシル重合体に対して可溶性溶媒である
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル
イソアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢
酸エチル、酢酸n −プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エ
チルセロソルブ等のエステル類、メチルセロソルブ等の
セロソルブ類から選択される少なくとも一種と、不溶性
溶媒であるメタノール、エタノール、プロパツール、ブ
タノール等のアルコール類、石油エーテル、n−ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類などから選択される
少なくとも一種とからなる混合溶媒が好ましい。なお、
これらの可溶性溶媒と不溶性溶媒の混合比は、用いる溶
媒の種類および電子線照射量によって、当然異なってく
る。
また、フォトマスクに使用される遮光膜は、クロム、ク
ロム系化合物、モリブデンシリサイド(MoSi)等が
あり、フォトマスク作製における遮光膜のエツチング耐
性においてプラズマエツチング、反応性イオンエツチン
グ、反応性イオンビームエツチング、イオンビームエツ
チング等のドライエツチングを用いる。なお、クロムお
よびクロム化合物のエツチングガスとしては四塩化炭素
と酸素、モリブデンシリサイド(MoSi)は、CF、
と酸素の混合ガスが好ましい。
ロム系化合物、モリブデンシリサイド(MoSi)等が
あり、フォトマスク作製における遮光膜のエツチング耐
性においてプラズマエツチング、反応性イオンエツチン
グ、反応性イオンビームエツチング、イオンビームエツ
チング等のドライエツチングを用いる。なお、クロムお
よびクロム化合物のエツチングガスとしては四塩化炭素
と酸素、モリブデンシリサイド(MoSi)は、CF、
と酸素の混合ガスが好ましい。
[作用]
表1は、2−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体と
、市販の各種ポジ型電子線レジストとの比較を示す。な
お、感度は電子ビームの加速電圧を20kVとし、耐ド
ライエツチング性はドライエツチング装置として反応性
イオンエツチング装置を用い、エツチングガスとして四
塩化炭素と酸素の混合ガス−で、圧力40Pa、パワー
300Wの条件で実施した。(以下余白) 表1 表1から明らかなように、本発明に用いるレジストは感
度およびドライエツチング耐性の両方に優れるため、半
導体製造時に用いられるフォトマスクを高解像度で且つ
高スループツトで可能となる。
、市販の各種ポジ型電子線レジストとの比較を示す。な
お、感度は電子ビームの加速電圧を20kVとし、耐ド
ライエツチング性はドライエツチング装置として反応性
イオンエツチング装置を用い、エツチングガスとして四
塩化炭素と酸素の混合ガス−で、圧力40Pa、パワー
300Wの条件で実施した。(以下余白) 表1 表1から明らかなように、本発明に用いるレジストは感
度およびドライエツチング耐性の両方に優れるため、半
導体製造時に用いられるフォトマスクを高解像度で且つ
高スループツトで可能となる。
[実施例1]
2−シアノアクリル酸シクロヘキシル10g1酢酸2g
、アゾビスイソブチロニトリル0.05 gをガラス封
管に仕込み、窒素気流中で、60℃にて10時間反応さ
せた。これを石油エーテル中に注ぎ、反応生成物を沈澱
させ、白色粉末状の共重合体8.3gを得た。なお、こ
の共重合体の分子量は70万(GPCによるポリスチレ
ン換算)であった。
、アゾビスイソブチロニトリル0.05 gをガラス封
管に仕込み、窒素気流中で、60℃にて10時間反応さ
せた。これを石油エーテル中に注ぎ、反応生成物を沈澱
させ、白色粉末状の共重合体8.3gを得た。なお、こ
の共重合体の分子量は70万(GPCによるポリスチレ
ン換算)であった。
分子量70万の2−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体の5重量%のシクロヘキサノン溶液を作り、100
0人の厚さでクロム蒸着されたガラス基板上に回転塗布
法により1800 r p mで3000人の厚さのレ
ジスト被膜を形成し、120℃で30分間熱処理後、照
射量3.2μC/cd、加速電圧20kVで電子線照射
した。電子線照射後、メチルイソブチルケトン=2−プ
ロパツール=60:40の混合溶媒で20℃において5
分間浸漬し、2−プロパツール中にてリンスして乾燥す
ることによってポジ型レジストパターンが得られた。
合体の5重量%のシクロヘキサノン溶液を作り、100
0人の厚さでクロム蒸着されたガラス基板上に回転塗布
法により1800 r p mで3000人の厚さのレ
ジスト被膜を形成し、120℃で30分間熱処理後、照
射量3.2μC/cd、加速電圧20kVで電子線照射
した。電子線照射後、メチルイソブチルケトン=2−プ
ロパツール=60:40の混合溶媒で20℃において5
分間浸漬し、2−プロパツール中にてリンスして乾燥す
ることによってポジ型レジストパターンが得られた。
次に反応性イオンエツチング装置を用いて、四塩化炭素
(503CCM)と酸素(505CCM)の混合ガスで
、圧力40Pa、パワー300Wで10分間、クロムの
エツチングを行なった。
(503CCM)と酸素(505CCM)の混合ガスで
、圧力40Pa、パワー300Wで10分間、クロムの
エツチングを行なった。
アセトンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板上に
0.2μm線幅のエツジラフネスのないクロムの遮光膜
パターンが得られた。
0.2μm線幅のエツジラフネスのないクロムの遮光膜
パターンが得られた。
[実施例2]
MoSiの蒸着されたガラス基板上に実施例1と同様に
ポジ型レジストパターンを形成後、反応性イオンエツチ
ング装置を用いて、CF、(95SCCM)と酸素(5
SCCM)の混合ガスで、圧力30Pa、パワー300
Wで3分間、MoSiのエツチングを行ない、アセト
ンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板上に0.2
μmWA幅のM o S iの遮光膜パターンが得られ
た。
ポジ型レジストパターンを形成後、反応性イオンエツチ
ング装置を用いて、CF、(95SCCM)と酸素(5
SCCM)の混合ガスで、圧力30Pa、パワー300
Wで3分間、MoSiのエツチングを行ない、アセト
ンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板上に0.2
μmWA幅のM o S iの遮光膜パターンが得られ
た。
[比較例1コ
クロム蒸着されたガラス基板上に実施例1と同様にポジ
型レジストパターンを形成後、120°C130分間加
熱処理し、硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸の
クロム用エツチング液にて50秒間、浸漬すると100
0人のクロム層がエツチングされ、アセトンでレジスト
被膜を除去すると、ガラス基板上に0.25μm線幅の
クロムパターンが得られたが、クロムパターンのエツジ
ラフネスは非常に大きかった。
型レジストパターンを形成後、120°C130分間加
熱処理し、硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸の
クロム用エツチング液にて50秒間、浸漬すると100
0人のクロム層がエツチングされ、アセトンでレジスト
被膜を除去すると、ガラス基板上に0.25μm線幅の
クロムパターンが得られたが、クロムパターンのエツジ
ラフネスは非常に大きかった。
[比較例2]
MoSiの蒸着されガラス基板上にEBR−9を300
0人の厚さで被膜形成し、温度200°Cで30分間ブ
リヘーツク後3.2μC/c+ilの電子線を照射した
。電子線照射後、メチルイソブチルケトン中で20°C
にて3分間浸漬し、その後、2プロパツールでリンスし
、乾燥した。120 ’Cで30分間、ポストベークを
行なった後、反応性イオンエツチング装置を用いて、C
F、(953CCM)と酸素(53CCM)の混合ガス
で、圧力30Pa、パワー300Wで3分間、MoSi
のエツチングを行なったが、レジストパターンはすべて
消失し、MoSiとレジストの選択比がとれなかった。
0人の厚さで被膜形成し、温度200°Cで30分間ブ
リヘーツク後3.2μC/c+ilの電子線を照射した
。電子線照射後、メチルイソブチルケトン中で20°C
にて3分間浸漬し、その後、2プロパツールでリンスし
、乾燥した。120 ’Cで30分間、ポストベークを
行なった後、反応性イオンエツチング装置を用いて、C
F、(953CCM)と酸素(53CCM)の混合ガス
で、圧力30Pa、パワー300Wで3分間、MoSi
のエツチングを行なったが、レジストパターンはすべて
消失し、MoSiとレジストの選択比がとれなかった。
[発明の効果]
以上のように、ポジ型電子線レジストの2−ンアノアク
リル酸シクロヘキシル重合体は、優れた耐ドライエツチ
ング性を発揮するのであり、本発明により半導体集積回
路の製造時に使用されるフォトマスクを高解像塵で、か
つ高スループ、7トで提供することが可能となり、半導
体の製造において高生産性とコスト低減に大きな効果を
もたらすことができる。
リル酸シクロヘキシル重合体は、優れた耐ドライエツチ
ング性を発揮するのであり、本発明により半導体集積回
路の製造時に使用されるフォトマスクを高解像塵で、か
つ高スループ、7トで提供することが可能となり、半導
体の製造において高生産性とコスト低減に大きな効果を
もたらすことができる。
特 許 出 願 人
凸版印刷株式会社
代表者 鈴木和夫
Claims (2)
- (1)透明基板上に、遮光膜を形成し、該遮光膜上にポ
ジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーに
よりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエッチン
グすることで、遮光膜をパターン化するフォトマスクの
製造方法において、下記(1)式で表わされる2−シア
ノアクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型
電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィーにより
レジストパターンを形成して、ドライエッチングにより
遮光膜をエッチングすることを特徴とするフォトマスク
の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
(1) - (2)ドライエッチングが、プラズマエッチング、反応
性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング、
またはイオンビームエッチングである請求項(1)記載
のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10352190A JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10352190A JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH041764A true JPH041764A (ja) | 1992-01-07 |
JP2522087B2 JP2522087B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=14356239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10352190A Expired - Lifetime JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2522087B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249684A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト組成物 |
US8318890B2 (en) | 2005-02-18 | 2012-11-27 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5573047A (en) * | 1978-11-25 | 1980-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of photo mask |
JPS6370524A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
JPH01154146A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Toppan Printing Co Ltd | 高感度感応性放射線レジスト |
JPH01217341A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 |
JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
JPH02297553A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストの現像方法 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10352190A patent/JP2522087B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5573047A (en) * | 1978-11-25 | 1980-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of photo mask |
JPS6370524A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
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JPH01217341A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 |
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JPH02297553A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストの現像方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249684A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト組成物 |
US8318890B2 (en) | 2005-02-18 | 2012-11-27 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2522087B2 (ja) | 1996-08-07 |
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