JP2522087B2 - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JP2522087B2 JP2522087B2 JP10352190A JP10352190A JP2522087B2 JP 2522087 B2 JP2522087 B2 JP 2522087B2 JP 10352190 A JP10352190 A JP 10352190A JP 10352190 A JP10352190 A JP 10352190A JP 2522087 B2 JP2522087 B2 JP 2522087B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- light
- shielding film
- electron beam
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体集積回路の製造時に使用されるフォ
トマスクの製造方法に関するものである。
トマスクの製造方法に関するものである。
［従来技術とその問題点］ 一般的に、フォトマスクはクロム等の遮光膜を一様に
蒸着されたガラス透明基板上に、電子線レジストを塗布
し、電子線照射後、現像処理を行い、レジストパターン
を形成した後、硝酸第２セリウムアンモニウム溶液に浸
漬し、ウエット（湿式）エッチングすることにより作製
される。しかし、ウエットエッチングでは線幅寸法が細
くなるとクロムのエッチングパターンの直線性が低くな
る。また、等方性エッチングのためサイドエッチングに
より遮光膜の側面がえぐられ、寸法制御性も低くならざ
るをえない。近年、モリブデンシリサイド（MoSi）も遮
光膜として用いられているが、MoSiはウエットエッチン
グではエッチング不可能で、ドライエッチングでなけれ
ばならない。しかし、反応性イオンエッチング等のドラ
イエッチングでは、レジストドライエッチング耐性が問
題となる。ネガ型レジストの、CMS（東ソー（株）製商
品名）、SEL−Ｎ（ソマール（株）製商品名）、SAL601
（米国シップレー社製商品名）等は、エッチング耐性が
高い。しかし、PBS（チッソ（株）製商品名）、EBR−９
（東レ（株）製商品名）、FBM−120（ダイキン工業
（株）製商品名）等のポジ型レジストの耐性は低い。そ
のため、前記ポジ型レジストを用いた場合には、ドライ
エッチング耐性が低いため、レジストパターンの後退が
生じ、遮光膜パターンにテーパーがついたり、設計寸法
が得れないということがおきた。また、φ−MAC（ダイ
キン工業（株）製商品名）、MP2400（米国シップレー社
製商品名）は前記ポジ型電子線レジストより耐性は高い
が、感度が20μC/cm2以下と非常に低く、スループット
が低いという欠点がある。
蒸着されたガラス透明基板上に、電子線レジストを塗布
し、電子線照射後、現像処理を行い、レジストパターン
を形成した後、硝酸第２セリウムアンモニウム溶液に浸
漬し、ウエット（湿式）エッチングすることにより作製
される。しかし、ウエットエッチングでは線幅寸法が細
くなるとクロムのエッチングパターンの直線性が低くな
る。また、等方性エッチングのためサイドエッチングに
より遮光膜の側面がえぐられ、寸法制御性も低くならざ
るをえない。近年、モリブデンシリサイド（MoSi）も遮
光膜として用いられているが、MoSiはウエットエッチン
グではエッチング不可能で、ドライエッチングでなけれ
ばならない。しかし、反応性イオンエッチング等のドラ
イエッチングでは、レジストドライエッチング耐性が問
題となる。ネガ型レジストの、CMS（東ソー（株）製商
品名）、SEL−Ｎ（ソマール（株）製商品名）、SAL601
（米国シップレー社製商品名）等は、エッチング耐性が
高い。しかし、PBS（チッソ（株）製商品名）、EBR−９
（東レ（株）製商品名）、FBM−120（ダイキン工業
（株）製商品名）等のポジ型レジストの耐性は低い。そ
のため、前記ポジ型レジストを用いた場合には、ドライ
エッチング耐性が低いため、レジストパターンの後退が
生じ、遮光膜パターンにテーパーがついたり、設計寸法
が得れないということがおきた。また、φ−MAC（ダイ
キン工業（株）製商品名）、MP2400（米国シップレー社
製商品名）は前記ポジ型電子線レジストより耐性は高い
が、感度が20μC/cm2以下と非常に低く、スループット
が低いという欠点がある。
以上のことから明らかなように現在市販されているポ
ジ型電子線レジストでは、フォトマスクを高精細度かつ
高スループットで製造することができない。
ジ型電子線レジストでは、フォトマスクを高精細度かつ
高スループットで製造することができない。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、半導体集積回路の製造時にフォトリソグラ
フィーに使用されるものであり最近ますますパターンの
高精度・微細化の要求が厳しくなってきているフォトマ
スク自体の製造（特に遮光膜のパターニング工程）に関
し、フォトマスクに備えられる遮光膜材料がクロム，ク
ロム化合物あるいはモリブデンシリサイドの少なくとも
何れかからなるものである場合、当該遮光膜をパターニ
ング加工する為にドライエッチングを施す際のエッチン
グマスクとしてレジスト（具体的には電子線レジスト）
を使用するフォトリソグラィーにおいて、ポジ型電子線
レジストを、（従来は次の全てを満足させることは不可
能であったが）高感度の下に電子線描画ができ、しかも
形成されたレジストパターンは高解像度を発揮すること
ができ、且つ当該ポジ型電子線レジストの優れたドライ
エッチング耐性の為にドライエッチング用マスクとして
有効に使用できるようにして得られる遮光膜パターンの
形状・寸法を十分に満足できるようにすること、これに
よってフォトマスクの製造で高スループット化を達成で
きるようにすることを目的とする。
フィーに使用されるものであり最近ますますパターンの
高精度・微細化の要求が厳しくなってきているフォトマ
スク自体の製造（特に遮光膜のパターニング工程）に関
し、フォトマスクに備えられる遮光膜材料がクロム，ク
ロム化合物あるいはモリブデンシリサイドの少なくとも
何れかからなるものである場合、当該遮光膜をパターニ
ング加工する為にドライエッチングを施す際のエッチン
グマスクとしてレジスト（具体的には電子線レジスト）
を使用するフォトリソグラィーにおいて、ポジ型電子線
レジストを、（従来は次の全てを満足させることは不可
能であったが）高感度の下に電子線描画ができ、しかも
形成されたレジストパターンは高解像度を発揮すること
ができ、且つ当該ポジ型電子線レジストの優れたドライ
エッチング耐性の為にドライエッチング用マスクとして
有効に使用できるようにして得られる遮光膜パターンの
形状・寸法を十分に満足できるようにすること、これに
よってフォトマスクの製造で高スループット化を達成で
きるようにすることを目的とする。
［課題を解決する手段］ 本発明は、透明基板上に遮光膜を形成し、該遮光膜上
にポジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィ
ーによりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエッ
チングすることで、遮光膜をパターン化するフォトマス
クの製造方法において、クロム、クロム系化合物、また
はモリブデンシリサイドのうちの少なくともいずれか一
つを含む遮光膜上に、（１）式で表わされる２−シアノ
アクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型電
子線レジストを塗布し、電子線リソグラフィーによりレ
ジストパターンを形成し、該レジストパターンの開口部
の遮光膜をドライエッチングすることを特徴とするフォ
トマスクの製造方法である。
にポジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィ
ーによりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエッ
チングすることで、遮光膜をパターン化するフォトマス
クの製造方法において、クロム、クロム系化合物、また
はモリブデンシリサイドのうちの少なくともいずれか一
つを含む遮光膜上に、（１）式で表わされる２−シアノ
アクリル酸シクロヘキシル重合体を主剤とするポジ型電
子線レジストを塗布し、電子線リソグラフィーによりレ
ジストパターンを形成し、該レジストパターンの開口部
の遮光膜をドライエッチングすることを特徴とするフォ
トマスクの製造方法である。
本発明による２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体は、次式（２）： で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシルモノ
マーをアニオン重合またはラジカル重合することによっ
て得られる。分子量は、１万から300万であるが、分子
量が大きすぎると塗布性が低下し、また分子量が小さい
と感度が低下することから10万〜100万が好ましい。
合体は、次式（２）： で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘキシルモノ
マーをアニオン重合またはラジカル重合することによっ
て得られる。分子量は、１万から300万であるが、分子
量が大きすぎると塗布性が低下し、また分子量が小さい
と感度が低下することから10万〜100万が好ましい。
また、本発明で用いる現像液としては、２−シアノア
クリル酸シクロヘキシル重合体に対して可溶性溶媒であ
るメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチ
ルイソアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エ
チルセロソルブ等のエステル類、メチルセロソルブ等の
セロソルブ類から選択される少なくとも一種と、不溶性
溶媒であるメタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール類、石油エーテル、ｎ−ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類などから選択される
少なくとも一種とからなる混合溶媒が好ましい。なお、
これらの可溶性溶媒と不溶性溶媒の混合比は、用いる溶
媒の種類および電子線照射量によって、当然異なってく
る。
クリル酸シクロヘキシル重合体に対して可溶性溶媒であ
るメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチ
ルイソアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エ
チルセロソルブ等のエステル類、メチルセロソルブ等の
セロソルブ類から選択される少なくとも一種と、不溶性
溶媒であるメタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール類、石油エーテル、ｎ−ヘキサ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素類などから選択される
少なくとも一種とからなる混合溶媒が好ましい。なお、
これらの可溶性溶媒と不溶性溶媒の混合比は、用いる溶
媒の種類および電子線照射量によって、当然異なってく
る。
また、フォトマスクに使用される遮光膜は、クロム、
クロム系化合物、モリブデンシリサイド（MoSi）等があ
り、フォトマスク作製における遮光膜のエッチング工程
においてプラズマエッチング、反応性イオンエッチン
グ、反応性イオンビームエッチング、イオンビームエッ
チング等のドライエッチングを用いる。本発明による
と、これらの遮光膜をドライエッチングする場合、レジ
ストパターンのエッチング耐性が高いことから、遮光膜
とレジストパターンとの組合せは高いエッチング比が得
られる為、遮光膜をレジストパターンに忠実にエッチン
グすることが可能となる。なお、クロムおよびクロム化
合物のエッチングガスとしては四塩化炭素と酸素、モリ
ブデンシリサイド（MoSi）は、CF4と酸素の混合ガスが
好ましい。
クロム系化合物、モリブデンシリサイド（MoSi）等があ
り、フォトマスク作製における遮光膜のエッチング工程
においてプラズマエッチング、反応性イオンエッチン
グ、反応性イオンビームエッチング、イオンビームエッ
チング等のドライエッチングを用いる。本発明による
と、これらの遮光膜をドライエッチングする場合、レジ
ストパターンのエッチング耐性が高いことから、遮光膜
とレジストパターンとの組合せは高いエッチング比が得
られる為、遮光膜をレジストパターンに忠実にエッチン
グすることが可能となる。なお、クロムおよびクロム化
合物のエッチングガスとしては四塩化炭素と酸素、モリ
ブデンシリサイド（MoSi）は、CF4と酸素の混合ガスが
好ましい。
［作用］ 表１は、２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重合体
と、市販の各種ポジ型電子線レジストとの比較を示す。
なお、感度は電子ビームの加速電圧を20kVとし、耐ドラ
イエッチング性はドライエッチング装置として反応性イ
オンエッチング装置を用い、エッチングガスとして四塩
化炭素と酸素の混合ガスで、圧力40Pa、パワー300Wの条
件で実施した。
と、市販の各種ポジ型電子線レジストとの比較を示す。
なお、感度は電子ビームの加速電圧を20kVとし、耐ドラ
イエッチング性はドライエッチング装置として反応性イ
オンエッチング装置を用い、エッチングガスとして四塩
化炭素と酸素の混合ガスで、圧力40Pa、パワー300Wの条
件で実施した。
表１から明らかなように、本発明に用いるレジストは
感度およびドライエッチング耐性の両方に優れるため、
半導体製造時に用いられるフォトマスクを高解像度で且
つ高スループットで提供することが可能となる。
感度およびドライエッチング耐性の両方に優れるため、
半導体製造時に用いられるフォトマスクを高解像度で且
つ高スループットで提供することが可能となる。
［実施例１］ ２−シアノアクリル酸シクロヘキシル10g、酢酸2g、
アゾビスイソブチロニトリル0.05gをガラス封管に仕込
み、窒素気流中で、60℃にて10時間反応させた。これを
石油エーテル中に注ぎ、反応生成物を沈澱させ、白色粉
末状の共重合体8.3gを得た。なお、この共重合体の分子
量は70万（GPCによるポリスチレン換算）であった。
アゾビスイソブチロニトリル0.05gをガラス封管に仕込
み、窒素気流中で、60℃にて10時間反応させた。これを
石油エーテル中に注ぎ、反応生成物を沈澱させ、白色粉
末状の共重合体8.3gを得た。なお、この共重合体の分子
量は70万（GPCによるポリスチレン換算）であった。
分子量70万の２−シアノアクリル酸シクロヘキシル重
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、1000Å
の厚さでクロム蒸着されたガラス基板上に回転塗布法に
より1800rpmで3000Åの厚さのレジスト被膜を形成し、1
20℃で30分間熱処理後、照射量3.2μC/cm2、加速電圧20
kVで電子線照射した。電子線照射後、メチルイソブチル
ケトン:2−プロパノール＝60:40の混合溶媒で20℃にお
いて５分間浸漬し、２−プロパノール中にてリンスして
乾燥することによってポジ型レジストパターンが得られ
た。
合体の５重量％のシクロヘキサノン溶液を作り、1000Å
の厚さでクロム蒸着されたガラス基板上に回転塗布法に
より1800rpmで3000Åの厚さのレジスト被膜を形成し、1
20℃で30分間熱処理後、照射量3.2μC/cm2、加速電圧20
kVで電子線照射した。電子線照射後、メチルイソブチル
ケトン:2−プロパノール＝60:40の混合溶媒で20℃にお
いて５分間浸漬し、２−プロパノール中にてリンスして
乾燥することによってポジ型レジストパターンが得られ
た。
次に反応性イオンエッチング装置を用いて、四塩化炭
素（50SCCM）と酸素（50SCCM）の混合ガスで、圧力40P
a、パワー300Wで10分間、クロムのエッチングを行なっ
た。アセトンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板
上に0.2μｍ線幅のエッジラフネスのないクロムの遮光
膜パターンが得られた。
素（50SCCM）と酸素（50SCCM）の混合ガスで、圧力40P
a、パワー300Wで10分間、クロムのエッチングを行なっ
た。アセトンでレジスト被膜を除去すると、ガラス基板
上に0.2μｍ線幅のエッジラフネスのないクロムの遮光
膜パターンが得られた。
［実施例２］ MoSiの蒸着されたガラス基板上に実施例１と同様にポ
ジ型レジストパターンを形成後、反応性イオンエッチン
グ装置を用いて、CF4（95SCCM）と酸素（5SCCM）の混合
ガスで、圧力30Pa、パワー300Wで３分間、MoSiのエッチ
ングを行ない、アセトンでレジスト被膜を除去すると、
ガラス基板上に0.2μｍ線幅のMoSiの遮光膜パターンが
得られた。
ジ型レジストパターンを形成後、反応性イオンエッチン
グ装置を用いて、CF4（95SCCM）と酸素（5SCCM）の混合
ガスで、圧力30Pa、パワー300Wで３分間、MoSiのエッチ
ングを行ない、アセトンでレジスト被膜を除去すると、
ガラス基板上に0.2μｍ線幅のMoSiの遮光膜パターンが
得られた。
［比較例１］ クロム蒸着されたガラス基板上に実施例１と同様にポ
ジ型レジストパターンを形成後、120℃、30分間加熱処
理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸のクロ
ム用エッチング液にて50秒間、浸漬すると1000Åのクロ
ム層がエッチングされ、アセトンでレジスト被膜を除去
すると、ガラス基板上に0.25μｍ線幅のクロムパターン
が得られたが、クロムパターンのエッジラフネスは非常
に大きかった。
ジ型レジストパターンを形成後、120℃、30分間加熱処
理し、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸のクロ
ム用エッチング液にて50秒間、浸漬すると1000Åのクロ
ム層がエッチングされ、アセトンでレジスト被膜を除去
すると、ガラス基板上に0.25μｍ線幅のクロムパターン
が得られたが、クロムパターンのエッジラフネスは非常
に大きかった。
［比較例２］ MoSiの蒸着されガラス基板上にEBR−９を3000Åの厚
さで被膜形成し、温度200℃で30分間プリベーク後、3.2
μC/cm2の電子線を照射した。電子線照射後、メチルイ
ソブチルケトン中で20℃にて３分間浸漬し、その後、２
−プロパノールでリンスし、乾燥した。120℃で30分
間、ポストベークを行なった後、反応性イオンエッチン
グ装置を用いて、CF4（95SCCM）と酸素（5SCCM）の混合
ガスで、圧力30Pa、パワー300Wで３分間、MoSiのエッチ
ングを行なったが、レジストパターンはすべて消失し、
MoSiとレジストの選択比がとれなかった。
さで被膜形成し、温度200℃で30分間プリベーク後、3.2
μC/cm2の電子線を照射した。電子線照射後、メチルイ
ソブチルケトン中で20℃にて３分間浸漬し、その後、２
−プロパノールでリンスし、乾燥した。120℃で30分
間、ポストベークを行なった後、反応性イオンエッチン
グ装置を用いて、CF4（95SCCM）と酸素（5SCCM）の混合
ガスで、圧力30Pa、パワー300Wで３分間、MoSiのエッチ
ングを行なったが、レジストパターンはすべて消失し、
MoSiとレジストの選択比がとれなかった。
［発明の効果］ 以上のように、ポジ型電子線レジストの２−シアノア
クリル酸シクロヘキシル重合体は、優れた耐ドライエッ
チング性を発揮するのであり、本発明により半導体集積
回路の製造時に使用されるフォトマスクを高解像度で、
かつ高スループットで提供することが可能となり、半導
体の製造において高生産性とコスト低減に大きな効果を
もたらすことができる。
クリル酸シクロヘキシル重合体は、優れた耐ドライエッ
チング性を発揮するのであり、本発明により半導体集積
回路の製造時に使用されるフォトマスクを高解像度で、
かつ高スループットで提供することが可能となり、半導
体の製造において高生産性とコスト低減に大きな効果を
もたらすことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−73047（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−70524（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−154146（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−217341（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−2564（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−297553（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透明基板上に遮光膜を形成し、該遮光膜上
にポジ型電子線レジストを用いて、電子線リソグラフィ
ーによりレジストパターンを形成し、前記遮光膜をエッ
チングすることで、遮光膜をパターン化するフォトマス
クの製造方法において、 クロム、クロム系化合物、またはモリブデンシリサイド
のうちの少なくともいずれか一つを含む遮光膜上に、下
記（１）式で表わされる２−シアノアクリル酸シクロヘ
キシル重合体を主剤とするポジ型電子線レジストを塗布
し、電子線リソグラフィーによりレジストパターンを形
成し、該レジストパターンをエッチングマスクにして遮
光膜をドライエッチングすることを特徴とするフォトマ
スクの製造方法。 - 【請求項２】ドライエッチングが、プラズマエッチン
グ、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッ
チング、またはイオンビームエッチングである請求項
（１）記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352190A JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352190A JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH041764A JPH041764A (ja) | 1992-01-07 |
| JP2522087B2 true JP2522087B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=14356239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352190A Expired - Lifetime JP2522087B2 (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522087B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05249684A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-09-28 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジスト組成物 |
| WO2006088152A1 (ja) | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | ポリカーボネートジオール |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5573047A (en) * | 1978-11-25 | 1980-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of photo mask |
| JPS6370524A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
| JPH0693122B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1994-11-16 | 凸版印刷株式会社 | 高感度感応性放射線レジスト |
| JPH01217341A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 |
| JP2525891B2 (ja) * | 1989-04-03 | 1996-08-21 | 凸版印刷株式会社 | ポジ型電子線レジストの現像方法 |
| JPH022564A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポジ型電子線レジスト |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10352190A patent/JP2522087B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041764A (ja) | 1992-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2881969B2 (ja) | 放射線感光レジストとパターン形成方法 | |
| JPS5872139A (ja) | 感光性材料 | |
| JPS6116972B2 (ja) | ||
| US6436605B1 (en) | Plasma resistant composition and use thereof | |
| JP3228193B2 (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| CN114647147A (zh) | 半导体光刻胶组合物、制备其的方法及形成图案的方法 | |
| JPH0519139B2 (ja) | ||
| JP3471335B2 (ja) | 半導体素子の微細パターンの形成方法 | |
| US4468447A (en) | Photosensitive bisazide composition for dry development | |
| JP2659025B2 (ja) | 放射線用レジスト及びその製造方法及びパターン形成方法 | |
| JPS5949536A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JP2522087B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| TWI848593B (zh) | 具有高平坦化性能的旋塗式碳硬遮罩組成物及使用該組成物的圖案化方法 | |
| US4701342A (en) | Negative resist with oxygen plasma resistance | |
| US4201580A (en) | Lithographic fabrication with treatment of "living polymer" | |
| JP2001318472A5 (ja) | ||
| EP1128220A2 (en) | Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same | |
| US20060105248A1 (en) | Method of reducing the average process bias during production of a reticle | |
| JP2618978B2 (ja) | レジスト材料およびこのレジスト材料を使用するパターン形成方法 | |
| JP3057402B2 (ja) | ポジ型電子線レジスト | |
| JPH07196743A (ja) | 放射線感光材料及びパターン形成方法 | |
| WO2023132263A1 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジストパターン形成方法、レジスト下層膜パターンの形成方法、及びパターン形成方法 | |
| EP0007976A1 (en) | Lithographic resist and device processing utilizing same | |
| JPS60138543A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2001056550A (ja) | 多層レジスト型感光材料及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |