JPS6315242A - パタ−ニング方法及びレジスト - Google Patents
パタ−ニング方法及びレジストInfo
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- JPS6315242A JPS6315242A JP16027786A JP16027786A JPS6315242A JP S6315242 A JPS6315242 A JP S6315242A JP 16027786 A JP16027786 A JP 16027786A JP 16027786 A JP16027786 A JP 16027786A JP S6315242 A JPS6315242 A JP S6315242A
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- resist film
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 claims description 12
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 abstract description 10
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract description 5
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical group C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/18—Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パターニング方法及びレジストの改良である。
露光されたレジストを、気相で現像しうるようにする改
良である。
良である。
主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（１，
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加剤と
するレジストを使用し、このレジストを塗布して形成し
たレジスト膜の所望の領域を露光し、酸素を含むガスを
用いてなすダウンフローエツチング法を使用し、または
、オゾンを接触させて、未露光のレジストを除去し、露
光されたレジストを、気相で現像するパターニング方法
と、このパターニング方法（７）実施に直接使用するレ
ジストすなわち主鎖に二重結合または三重結合を有する
ポリマー（１、４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジ
インまたはそれらの誘導体′Ｊ−）を主剤としアセチレ
ン誘導体を付加剤とするレジストとである。
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加剤と
するレジストを使用し、このレジストを塗布して形成し
たレジスト膜の所望の領域を露光し、酸素を含むガスを
用いてなすダウンフローエツチング法を使用し、または
、オゾンを接触させて、未露光のレジストを除去し、露
光されたレジストを、気相で現像するパターニング方法
と、このパターニング方法（７）実施に直接使用するレ
ジストすなわち主鎖に二重結合または三重結合を有する
ポリマー（１、４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジ
インまたはそれらの誘導体′Ｊ−）を主剤としアセチレ
ン誘導体を付加剤とするレジストとである。
本発明は、パターニング方法及びレジス）＋７）改良に
関する。特に、露光されたレジストを。
関する。特に、露光されたレジストを。
気相で現像しうるようにするパターニング方法の改良と
、このパターニング方法の実施に直接使用されるレジス
トとに関する。
、このパターニング方法の実施に直接使用されるレジス
トとに関する。
紫外光等をもってする露光によって架橋等をなして不溶
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解拳除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等における１要な工程の一
つである。
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解拳除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等における１要な工程の一
つである。
た（、上記せる従来技術におけるパターニング方法にお
いては、未露光のレジスト膜を溶解・除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程において膨潤することを免れず、その結果、微
細パターンの゛パターン精度が不十分であるという欠点
がある。
いては、未露光のレジスト膜を溶解・除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程において膨潤することを免れず、その結果、微
細パターンの゛パターン精度が不十分であるという欠点
がある。
この欠点を解消するため、露光済みの基板を液体に接触
させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する努
力がなされているが、広く実用される段階には到達して
いない。
させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する努
力がなされているが、広く実用される段階には到達して
いない。
本発明の目的は、この努力の一環であり、露光されたレ
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第１の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加
剤とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形
成し、このレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線また
は電子ビームをもって露光し、露光されたレジスト膜を
有する基板に、酸素を含むガスを用いてなすダウンフロ
ーエツチング法をなしてパターニングすることにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加
剤とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形
成し、このレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線また
は電子ビームをもって露光し、露光されたレジスト膜を
有する基板に、酸素を含むガスを用いてなすダウンフロ
ーエツチング法をなしてパターニングすることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第２の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加
剤とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形
成し。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加
剤とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形
成し。
このレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子
ビームをもって露光し、露光されたレジメト膜を有する
基板にオゾンを接触させてパターニングすることにある
。
ビームをもって露光し、露光されたレジメト膜を有する
基板にオゾンを接触させてパターニングすることにある
。
上記の目的を達成するために本発明が採った第３の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加
剤としてレジストを製造することにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としアセチレン誘導体を付加
剤としてレジストを製造することにある。
なお、アセチレン誘導体が、下記の一般式をもって表わ
しうろことは周知である。
しうろことは周知である。
Ｒ１−Ｃ＝、Ｃ−Ｒ２
〔作用〕
上に例記せる種類の、主鎖に二重結合または三重結合を
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘導体等）を主剤としアセチ
レン誘導体を付加剤とするレジストに紫外光・Ｘ線・電
子ビーム等をもってエネルギーを供給すると、付加反応
が発生して、ポリマーの１閉の二重結合が開き、同時に
、アセチレン誘導体の三重結合が開いて二重結合となり
、この部分で互に結合し、付加体ポリマーとなる。
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘導体等）を主剤としアセチ
レン誘導体を付加剤とするレジストに紫外光・Ｘ線・電
子ビーム等をもってエネルギーを供給すると、付加反応
が発生して、ポリマーの１閉の二重結合が開き、同時に
、アセチレン誘導体の三重結合が開いて二重結合となり
、この部分で互に結合し、付加体ポリマーとなる。
ところで、上に例記せる種類のポリマーもアセチレン誘
導体も、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツ
チング法を使用することにより、または、オゾンを接触
させることにより、容易に分解することができるが２上
記の付加反応によって発生した付加体ポリマーは、酸素
を含むガスを用いてなすダウンフローエツチング法を使
用することにより、または、オゾンを接触させることに
よっては分解しない。
導体も、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツ
チング法を使用することにより、または、オゾンを接触
させることにより、容易に分解することができるが２上
記の付加反応によって発生した付加体ポリマーは、酸素
を含むガスを用いてなすダウンフローエツチング法を使
用することにより、または、オゾンを接触させることに
よっては分解しない。
そこで、所望の領域のみを紫外光・Ｘ線・電子ビーム等
をもって露光した後、酸素を含むガスを用いてなすダウ
ンフローエツチング法を実行するかオゾンを接触するか
すれば、未露光の領域のみが除去され、パターニングが
可能となる。
をもって露光した後、酸素を含むガスを用いてなすダウ
ンフローエツチング法を実行するかオゾンを接触するか
すれば、未露光の領域のみが除去され、パターニングが
可能となる。
以下、未発」の一実施例に係るパターニング方法とレジ
ストとについてさらに説明する。
ストとについてさらに説明する。
主剤である工頭に三重結合または三重結合を有するポリ
マー（１，４−ポリブタジエ７１ 、４−ポリブタジイ
ンまたはそれらの誘導体等）として、下記に構造式を示
す１．４−ポリインプレンを使用する。
マー（１，４−ポリブタジエ７１ 、４−ポリブタジイ
ンまたはそれらの誘導体等）として、下記に構造式を示
す１．４−ポリインプレンを使用する。
Ｈ３
＋ＣＨ，，−Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２）。
また、アセチレン誘導体として、下記に構造式を示す１
，２−ジフェこルアセチレノを使用する。
，２−ジフェこルアセチレノを使用する。
この１．４−ポリイソプレンを主剤とじ１．２−シフよ
ニルアセチレンを付加剤とするレジストをキシレン等の
溶剤に溶解して半導体基板ヒにスピンコードし、厚さｌ
ｐｍのレジスト膜を形成する。
ニルアセチレンを付加剤とするレジストをキシレン等の
溶剤に溶解して半導体基板ヒにスピンコードし、厚さｌ
ｐｍのレジスト膜を形成する。
通常のフォトマスク奎使用し、波長約３００ｎ思の紫外
光（水銀クセノンランプの発する光）ｔ−もって１分間
露光する。この露光により付加反応が発生して、１．４
−ポリイソプレンの主鎖の二重結合が開き、同時に、１
．２−ジフェニルアセチレンの三重結合が開いて二重結
合となり、この部分で互に結合し、下記に示す構造の付
加体ポリマーに転換される。
光（水銀クセノンランプの発する光）ｔ−もって１分間
露光する。この露光により付加反応が発生して、１．４
−ポリイソプレンの主鎖の二重結合が開き、同時に、１
．２−ジフェニルアセチレンの三重結合が開いて二重結
合となり、この部分で互に結合し、下記に示す構造の付
加体ポリマーに転換される。
ＨＱ
１ ′
真空中で約 １００℃に５分間加熱してベーキングをな
した後、５％のオゾンを １３０℃において３分間接触
させる。露光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去
される。残膜率は、お〜むね５０％である。
した後、５％のオゾンを １３０℃において３分間接触
させる。露光済みの領域ではレジスト膜は分解して除去
される。残膜率は、お〜むね５０％である。
この１．４−ポリイソプレンを主剤とし１．２−ジフェ
ニルアセチレンを付加剤とするレジストは、オゾンに接
触させる方法のみでなく、酸素と四フッ化メタンの混合
ガスを用いてなすダウンフローエツチング法によっても
ドライ現像することができ、その場合の残膜率は、お−
むね４０％である。
ニルアセチレンを付加剤とするレジストは、オゾンに接
触させる方法のみでなく、酸素と四フッ化メタンの混合
ガスを用いてなすダウンフローエツチング法によっても
ドライ現像することができ、その場合の残膜率は、お−
むね４０％である。
以上説明せるとおり、本発明に係るパターニング方法は
、未露光の状ｆムにおいては酸素を含むガスを用いてな
すダウンフローエツチング法により、または、オゾンを
接触させることにより。
、未露光の状ｆムにおいては酸素を含むガスを用いてな
すダウンフローエツチング法により、または、オゾンを
接触させることにより。
容易に分解するが、紫外光Ｘ線または電子ビームをもっ
て露光すると、付加反応が発生して、酸素を含むガスを
用いてなすダウンフローエツチング法またはオゾンを接
触させることによっては分解しないポリマーに転換され
るレジストすなわち主鎖に二重結合または三重結合を有
するポリマー（ｌ、４ポリブタジェン１．４−ポリブタ
ジインまたはそれらの誘導体等）を主剤としアセチレン
誘導体を付加剤とするレジストを使用しているので、露
光されたレジス） ｎＱを気相で現像することができる
。
て露光すると、付加反応が発生して、酸素を含むガスを
用いてなすダウンフローエツチング法またはオゾンを接
触させることによっては分解しないポリマーに転換され
るレジストすなわち主鎖に二重結合または三重結合を有
するポリマー（ｌ、４ポリブタジェン１．４−ポリブタ
ジインまたはそれらの誘導体等）を主剤としアセチレン
誘導体を付加剤とするレジストを使用しているので、露
光されたレジス） ｎＱを気相で現像することができる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としアセチレン誘導体を付加剤とするレジストを
基板上に塗布して前記レジストの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、酸素
を含むガスを用いてなすダウンフローエッチング法をな
す ことを特徴とするパターニング方法。 ［２］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としアセチレン誘導体を付加剤とするレジストを
基板上に塗布して前記レジストの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、オゾ
ンを接触させる ことを特徴とするパターニング方法。 ［３］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としアセチレン誘導体を付加剤とするレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027786A JPS6315242A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027786A JPS6315242A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315242A true JPS6315242A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15711514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16027786A Pending JPS6315242A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16027786A patent/JPS6315242A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
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