JPS6315243A - パタ−ニング方法及びレジスト - Google Patents
パタ−ニング方法及びレジストInfo
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- JPS6315243A JPS6315243A JP16027886A JP16027886A JPS6315243A JP S6315243 A JPS6315243 A JP S6315243A JP 16027886 A JP16027886 A JP 16027886A JP 16027886 A JP16027886 A JP 16027886A JP S6315243 A JPS6315243 A JP S6315243A
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- resist film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/18—Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パターニング方法及びレジストの改良である。
露光されたレジストを、気相で現像しうるようにする改
良である。
良である。
主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（１，
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤とす
るレジストを使用し、このレジストを塗布して形成した
レジスト膜の所望の領域を露光し、酸素を含むガスを用
いてなすダウンフローエツチング法を使用し、または、
オゾンを接触させて、未露光のレジストを除去し、露光
されたレジストを、気相で現像するパターニング方法と
、このパターニング方法の実施に直接使用するし？スト
すなわち主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマ
ー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインま
たはそれらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付
加剤とするレジストとである。
４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたはそれ
らの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤とす
るレジストを使用し、このレジストを塗布して形成した
レジスト膜の所望の領域を露光し、酸素を含むガスを用
いてなすダウンフローエツチング法を使用し、または、
オゾンを接触させて、未露光のレジストを除去し、露光
されたレジストを、気相で現像するパターニング方法と
、このパターニング方法の実施に直接使用するし？スト
すなわち主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマ
ー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインま
たはそれらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付
加剤とするレジストとである。
本発明は、パターニング方法及びレジストの改良に関す
る。特に、露光されたレジストを、気相で現像しうるよ
うにするパターニング方法の改良と、このパターニング
方法の実施に直接使用されるレジストとに関する。
る。特に、露光されたレジストを、気相で現像しうるよ
うにするパターニング方法の改良と、このパターニング
方法の実施に直接使用されるレジストとに関する。
紫外光等をもってする露光によって架橋等をなして不溶
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解・除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等における重要な工程の一
つである。
解性に変化する高分子化合物よりなるレジストを基板上
に塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の所望
の領域を溶剤等をもって溶解・除去するパターニング方
法は、半導体装置の製造方法等における重要な工程の一
つである。
たＣ１上記せる従来技術におけるパターニング方法にお
いては、未露光のレジスト膜を溶解−除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程において膨潤することを免れず、その結果、微
細パターンのパターン精度が不十分であるという欠点が
ある。
いては、未露光のレジスト膜を溶解−除去する現像工程
において基板が溶剤に接触することが必須であるから、
この工程において膨潤することを免れず、その結果、微
細パターンのパターン精度が不十分であるという欠点が
ある。
この欠点を解消するため、露光済みの基板を液体に接触
させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する努
力がなされているが、広く実用される段階には到達して
いない。
させて現像する必要がないドライ現像方法を開発する努
力がなされているが、広く実用される段階には到達して
いない。
本発明の目的は、この努力の一環であり、露光されたレ
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
ジスト膜を、気相で現像することができるパターニング
方法と、このパターニング方法の実施に直接使用するレ
ジストとを提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第１の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤
とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形成
し、このレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または
電子ビームをもって露光し、露光されたレジスト膜を有
する基板に、酸素を含むガスを用いてなすダウンフロー
エツチング法をなしてパターニングすることにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤
とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形成
し、このレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または
電子ビームをもって露光し、露光されたレジスト膜を有
する基板に、酸素を含むガスを用いてなすダウンフロー
エツチング法をなしてパターニングすることにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第２の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
ｌ、４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤
とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形成
し、このレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ！ｉｊま
たは電子ビームをもって露光し、露光されたレジスト膜
を有する基板にオゾンを接触させてパターニングするこ
とにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
ｌ、４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤
とするレジストを基板上に塗布してレジストの膜を形成
し、このレジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ！ｉｊま
たは電子ビームをもって露光し、露光されたレジスト膜
を有する基板にオゾンを接触させてパターニングするこ
とにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った第３の手段
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤
としてレジストを製造することにある。
は、主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー（
１，４−ポリブタジェン１．４−ポリブタジインまたは
それらの誘導体等）を主剤としエチレン誘導体を付加剤
としてレジストを製造することにある。
なお、エチレン誘導体が、下記の一般式をもって表わし
うることは周知である。
うることは周知である。
上に例記せる種類の、主鎖に二重結合または三重結合を
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘導体等）を主剤としエチレ
ン誘導体を付加剤とするレジストに紫外光・Ｘ線・電子
ビーム等をもってエネルギーを供給すると、付加反応が
発生して。
有するポリマー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリ
ブタジインまたはそれらの誘導体等）を主剤としエチレ
ン誘導体を付加剤とするレジストに紫外光・Ｘ線・電子
ビーム等をもってエネルギーを供給すると、付加反応が
発生して。
ポリマーの主鎖の二重結合が開き、同時に、エチレン誘
導体の二重結合も開いて、この部分で互に結合し、付加
体ポリマーとなる。
導体の二重結合も開いて、この部分で互に結合し、付加
体ポリマーとなる。
ところで、上に例記せる種類のポリマーもエチレン誘導
体も、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチ
ング法を使用することにより、または、オゾンを接触さ
せることにより、容易に分解することができるが、上記
の付加反応によって発生した付加体ポリマーは、酸素を
含むガスを用いてなすダウン７０−エツチング法を使用
することにより、または、オゾンを接触させることによ
っては分解しない。
体も、酸素を含むガスを用いてなすダウンフローエツチ
ング法を使用することにより、または、オゾンを接触さ
せることにより、容易に分解することができるが、上記
の付加反応によって発生した付加体ポリマーは、酸素を
含むガスを用いてなすダウン７０−エツチング法を使用
することにより、または、オゾンを接触させることによ
っては分解しない。
そこで、所望の領域のみを紫外光・Ｘ線・電子ビーム等
をもって露光した後、酸素を含むガスを用いてなすダウ
ンフローエツチング法を実行するかオゾンを接触するか
すれば、未露光の領域のみが除去され、バターニングが
可能となる。
をもって露光した後、酸素を含むガスを用いてなすダウ
ンフローエツチング法を実行するかオゾンを接触するか
すれば、未露光の領域のみが除去され、バターニングが
可能となる。
以下、本発明の二つの実施例に係るバターニング方法と
レジストとについてさらに説明する。
レジストとについてさらに説明する。
戚上揖
主剤である主鎖に二重結合または三重結合を有するポリ
マー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジイン
またはそれらの誘導体等）として、下記に構造式を示す
１．４−ポリ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジェン
を使用する。
マー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジイン
またはそれらの誘導体等）として、下記に構造式を示す
１．４−ポリ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジェン
を使用する。
−ｌ、ＣＨ２−Ｃ＝Ｃ−ＣＨ２）。
また、エチレン誘導体として、下記に構造式を示すシナ
モン酸フェニルを使用する。
モン酸フェニルを使用する。
Ｃ３Ｈ５−ＣＨＨＣＨ−ＣＯＯＣ６Ｈ５この１，４−ポ
リ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジェンを主剤とし
シナモン酸フェニルを付加剤とするレジストをキシレン
等の溶剤に溶解して半導体基板上にスピンコードし、厚
さ１μｍのレジスト膜を形成する。
リ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジェンを主剤とし
シナモン酸フェニルを付加剤とするレジストをキシレン
等の溶剤に溶解して半導体基板上にスピンコードし、厚
さ１μｍのレジスト膜を形成する。
通常のフォトマスクを使用し、波長約３００ｎｍの紫外
光（水銀クセノンランプの発する光）をもって１分間露
光する。この露光により付加反応が発生して、１．４−
ポリ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジェンの主鎖の
二重結合が開き、同時に、シナモン酸フェニルの二重結
合が開いて、この部分で互に結合し、下記に示す構造の
付加体ポリマーに転換される。
光（水銀クセノンランプの発する光）をもって１分間露
光する。この露光により付加反応が発生して、１．４−
ポリ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジェンの主鎖の
二重結合が開き、同時に、シナモン酸フェニルの二重結
合が開いて、この部分で互に結合し、下記に示す構造の
付加体ポリマーに転換される。
Ｃ８Ｈ５−ＨＣ−ＣＨ−Ｃ００Ｃ６Ｈ５真空中で約 １
００°Ｃに５分間加熱してベーキングをなした後、５％
のオゾンを １３０℃において３分間接触させる。露光
済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。残膜
率は、お−むね９０％である。
００°Ｃに５分間加熱してベーキングをなした後、５％
のオゾンを １３０℃において３分間接触させる。露光
済みの領域ではレジスト膜は分解して除去される。残膜
率は、お−むね９０％である。
この１．４−ポリ−２，３−ジメチル−１，３−ブタジ
ェンを主剤としシナモン酸フェニルを付加剤とするレジ
ストは、オゾンに接触させる方法のみでなく、酸素と四
フフ化メタンの混合ガスを用いてなすダウンフローエツ
チング法によってもドライ現像することができ、その場
合の残膜率は、お−むね７０％である。
ェンを主剤としシナモン酸フェニルを付加剤とするレジ
ストは、オゾンに接触させる方法のみでなく、酸素と四
フフ化メタンの混合ガスを用いてなすダウンフローエツ
チング法によってもドライ現像することができ、その場
合の残膜率は、お−むね７０％である。
剃又１
主剤である主鎖に二重結合または三重結合を有するポリ
マー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジイン
またはそれらの誘導体等）として、下記に構造式を示す
１，４−ポリ−２，３ジメチル−１，３ブタジエンを使
用する。
マー（１，４−ポリブタジェン１，４−ポリブタジイン
またはそれらの誘導体等）として、下記に構造式を示す
１，４−ポリ−２，３ジメチル−１，３ブタジエンを使
用する。
＋ＣＨ２−Ｃ＝Ｃ−ＣＨ２）。
また、エチレン誘導体として、下記に構造式を示す塩化
シナモイル先使用する。
シナモイル先使用する。
この１．４−ポリ−２，３ジメチル−１，３ブタジエン
を主剤とし塩化シナモイルを付加剤とするレジストをキ
シレン等の溶剤に溶解して半導体基板上にスピンコード
し、厚さ１終層のレジスト膜を形成する。
を主剤とし塩化シナモイルを付加剤とするレジストをキ
シレン等の溶剤に溶解して半導体基板上にスピンコード
し、厚さ１終層のレジスト膜を形成する。
通常のフォトマスクを使用し、波長約３ＱＯｎｓの紫外
光（水銀クセノンランプの発する光）をもって１分間露
光する。この露光により付加反応が発生して、１，４−
ポリ−２，３ジメチル−１，３ブタジエンの主鎖の二重
結合が開き、同時に、塩化シナモイルの二重結合が開い
て、この部分で互に結合し、下記に示す構造の付加体ポ
リマーに転換される。
光（水銀クセノンランプの発する光）をもって１分間露
光する。この露光により付加反応が発生して、１，４−
ポリ−２，３ジメチル−１，３ブタジエンの主鎖の二重
結合が開き、同時に、塩化シナモイルの二重結合が開い
て、この部分で互に結合し、下記に示す構造の付加体ポ
リマーに転換される。
真空中で約 １００℃に５分間加熱してベーキングをな
した後、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法を１分間実行する。露光済み
の領域ではレジスト膜は分解して除去される。残膜率は
、お−むね８０％である。
した後、酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いてなす
ダウンフローエツチング法を１分間実行する。露光済み
の領域ではレジスト膜は分解して除去される。残膜率は
、お−むね８０％である。
この１．４−ポリ−２，３ジメチル−１，３ブタジエン
を主剤とし塩化シナモイルを付加剤とするレジストは、
酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いてなすダウンフ
ローエツチング法のみでなく、オゾンを接触する方法を
３分間実行することによってもドライ現像することがで
き、その場合の残膜率は、お＼むね３０％である。
を主剤とし塩化シナモイルを付加剤とするレジストは、
酸素と四フッ化メタンの混合ガスを用いてなすダウンフ
ローエツチング法のみでなく、オゾンを接触する方法を
３分間実行することによってもドライ現像することがで
き、その場合の残膜率は、お＼むね３０％である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としエチレン誘導体を付加剤とするレジストを基
板上に塗布して前記レジストの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、酸素
を含むガスを用いてなすダウンフローエッチング法をな
す ことを特徴とするパターニング方法。 ［２］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としエチレン誘導体を付加剤とするレジストを基
板上に塗布して前記レジストの膜を形成し、 該レジスト膜の所望の領域を、紫外光Ｘ線または電子ビ
ームをもって露光し、 該露光された前記レジスト膜を有する前記基板に、オゾ
ンを接触させる ことを特徴とするパターニング方法。 ［３］主鎖に二重結合または三重結合を有するポリマー
を主剤としエチレン誘導体を付加剤とするレジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027886A JPS6315243A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16027886A JPS6315243A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315243A true JPS6315243A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15711534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16027886A Pending JPS6315243A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | パタ−ニング方法及びレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315243A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| US6224899B1 (en) | 1997-03-18 | 2001-05-01 | Kobayashi Pharmaceutical Co., Ltd. | Adhesive cooling composition and process for its preparation |
| KR20200103648A (ko) | 2017-12-27 | 2020-09-02 | 가부시키가이샤 코세 | 피부 첩부용 겔 시트 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16027886A patent/JPS6315243A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH02191959A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| US6224899B1 (en) | 1997-03-18 | 2001-05-01 | Kobayashi Pharmaceutical Co., Ltd. | Adhesive cooling composition and process for its preparation |
| US6228376B1 (en) | 1997-03-18 | 2001-05-08 | Kobayashi Pharmaceutical Co., Ltd. | Adhesive cooling composition and process for its preparation |
| US6524612B2 (en) | 1997-03-18 | 2003-02-25 | Kobayashi Pharmaceutical Co., Ltd. | Adhesive cooling composition and process for its preparation |
| KR20200103648A (ko) | 2017-12-27 | 2020-09-02 | 가부시키가이샤 코세 | 피부 첩부용 겔 시트 |
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