JPS6314482B2 - - Google Patents
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- JPS6314482B2 JPS6314482B2 JP55011892A JP1189280A JPS6314482B2 JP S6314482 B2 JPS6314482 B2 JP S6314482B2 JP 55011892 A JP55011892 A JP 55011892A JP 1189280 A JP1189280 A JP 1189280A JP S6314482 B2 JPS6314482 B2 JP S6314482B2
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- JP
- Japan
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- dew condensation
- electrical resistance
- detection element
- electrodes
- present
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は結露状態を検出する結露検出素子の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来、露点検出には、各種計測器が開発されて
いる。しかし、これらの多くは、その場所の相対
湿度および温度を測定し、霧点温度を算出するも
ので、結露状態を検出するものでない。また光電
管式露点計は鏡面上の光の反射強度が結露により
変化することを利用したものであるが、装置が大
型で、光学系の高い精度が要求される。
いる。しかし、これらの多くは、その場所の相対
湿度および温度を測定し、霧点温度を算出するも
ので、結露状態を検出するものでない。また光電
管式露点計は鏡面上の光の反射強度が結露により
変化することを利用したものであるが、装置が大
型で、光学系の高い精度が要求される。
これとは別に、相対湿度が100％近くになると
電気抵抗が大きく変化して、結露状態に近づいた
ことを知らせるものが開発されている。これら
は、結露状態に近づくと体積が増大する有機物質
に、カーボンなどの導電性徴粒子を散布したもの
である。したがつて、湿度が上がり、結露状態に
近づくと、導電性徴粒子相互の接触が少なくな
り、電気抵抗が増大する。この種の素子の特徴と
しては、安価で構造も簡単であることが挙げられ
るが、有機物質であるため、長期にわたる安定性
に問題があり、さらに高温での使用ができないな
どの欠点がある。
電気抵抗が大きく変化して、結露状態に近づいた
ことを知らせるものが開発されている。これら
は、結露状態に近づくと体積が増大する有機物質
に、カーボンなどの導電性徴粒子を散布したもの
である。したがつて、湿度が上がり、結露状態に
近づくと、導電性徴粒子相互の接触が少なくな
り、電気抵抗が増大する。この種の素子の特徴と
しては、安価で構造も簡単であることが挙げられ
るが、有機物質であるため、長期にわたる安定性
に問題があり、さらに高温での使用ができないな
どの欠点がある。
この発明は上記のような欠点を除去するために
なされたもので、高温焼成で得られる特定のセラ
ミツクスを用いて素子を構成することにより、安
定な結露検検出素子の製造方法を提供することを
目的とする。
なされたもので、高温焼成で得られる特定のセラ
ミツクスを用いて素子を構成することにより、安
定な結露検検出素子の製造方法を提供することを
目的とする。
この発明にかかるセラミツクスは（Ca1-xBax）
10（PO4）6X2 （式中、0.01≦ｘ≦１、ＸはOH、Ｆ、Cl、Br、
Ｉのうちから選ばれた少なくとも１種を示す） の組成を有するアパタイトを主成分とし、かつ
1300℃以上で焼成したものである。
10（PO4）6X2 （式中、0.01≦ｘ≦１、ＸはOH、Ｆ、Cl、Br、
Ｉのうちから選ばれた少なくとも１種を示す） の組成を有するアパタイトを主成分とし、かつ
1300℃以上で焼成したものである。
以下、この発明の一実施例についてこの発明を
さらに具体的に説明する。
さらに具体的に説明する。
出発原料として純度99.9％以上のCaHPO4、
CaCO3及び、BaCO3を（Ca0.9Ba0.1）10（PO4）6
（CH）2になるように秤量し、ボールミル中で混合
する。これをルツボに入れ水蒸気雰囲気中1000℃
で６時間反応させる。冷却後粋砕し、得られたア
パタイト粉末にポリビニルアルコール水溶液を加
えて造粒し、300Kg／cm2の圧力で25mmφ×３mmの
円板状に成形する。これを再び1350℃で２時間空
気中で焼成する。
CaCO3及び、BaCO3を（Ca0.9Ba0.1）10（PO4）6
（CH）2になるように秤量し、ボールミル中で混合
する。これをルツボに入れ水蒸気雰囲気中1000℃
で６時間反応させる。冷却後粋砕し、得られたア
パタイト粉末にポリビニルアルコール水溶液を加
えて造粒し、300Kg／cm2の圧力で25mmφ×３mmの
円板状に成形する。これを再び1350℃で２時間空
気中で焼成する。
このようにして得られた焼結体を、研磨、洗
浄、乾燥し、金ペーストをスクリーンメツシユ法
で櫛形に印刷し、一対の電極を形成する。これを
800℃で焼付した後上記一対の電極にそれぞれリ
ード線をハンダ付する。このようにして結露検出
素子が得られる。なお他のハロゲン化アパタイト
でも、出発材料としてハロゲン化アンモニウム、
ハロゲン化カルシウム、ハロゲン化バリウムなど
を用いて、焼成雰囲気を空気中にする以外は上記
実施例とほぼ同様の方法で合成できる。また出発
材料の純度も特に99.9％以上である必要はない。
浄、乾燥し、金ペーストをスクリーンメツシユ法
で櫛形に印刷し、一対の電極を形成する。これを
800℃で焼付した後上記一対の電極にそれぞれリ
ード線をハンダ付する。このようにして結露検出
素子が得られる。なお他のハロゲン化アパタイト
でも、出発材料としてハロゲン化アンモニウム、
ハロゲン化カルシウム、ハロゲン化バリウムなど
を用いて、焼成雰囲気を空気中にする以外は上記
実施例とほぼ同様の方法で合成できる。また出発
材料の純度も特に99.9％以上である必要はない。
第１図は上記のようにし得られたこの結露検出
素子の構造例をしめす。図において、１ａ，１ｂ
は電極、２はこの発明にかかるアパタイト磁器
（基板）、３は電極１ａ，１ｂにハンダ付されたリ
ードである。
素子の構造例をしめす。図において、１ａ，１ｂ
は電極、２はこの発明にかかるアパタイト磁器
（基板）、３は電極１ａ，１ｂにハンダ付されたリ
ードである。
このような素子では電気抵抗測定器により櫛形
電極１ａと１ｂとの間の電気抵抗を測定して、結
露状態を検出する。
電極１ａと１ｂとの間の電気抵抗を測定して、結
露状態を検出する。
第２図にｘを変えた場合、第３図にＸを変えた
場合、第４図に焼成温度Ｔ（℃）を変えた場合の
湿度一電気抵抗特性をそれぞれしめす。
場合、第４図に焼成温度Ｔ（℃）を変えた場合の
湿度一電気抵抗特性をそれぞれしめす。
第２図〜第４図から明らかなように、Ca10
（PO4）6X2（ＸはOH、Ｆ、Cl、BrおよびＩから選
ばれた少なくとも１種） のCaを1mol％以上Baで置換し、かつ1300℃以上
で焼成することにより、相対湿度100％すなわち
結露状態に近くなると、電気抵抗値が急激に減少
するという特性をもつた素子が得られる。また応
当速度は０％→100％の相対湿度変化で約５秒、
100％→０％で約20秒であり実用上問題ない。ま
た電極の焼付を800℃で行なつており、従つて500
℃以下での使用には充分耐えることができる。
（PO4）6X2（ＸはOH、Ｆ、Cl、BrおよびＩから選
ばれた少なくとも１種） のCaを1mol％以上Baで置換し、かつ1300℃以上
で焼成することにより、相対湿度100％すなわち
結露状態に近くなると、電気抵抗値が急激に減少
するという特性をもつた素子が得られる。また応
当速度は０％→100％の相対湿度変化で約５秒、
100％→０％で約20秒であり実用上問題ない。ま
た電極の焼付を800℃で行なつており、従つて500
℃以下での使用には充分耐えることができる。
なお上記実施例はこの発明の理解を容易にする
ために示した具体例にすぎず、例えば電極の形成
法、形状、配置法、素子の形状などについても上
記のものに限定されないことは当然である。
ために示した具体例にすぎず、例えば電極の形成
法、形状、配置法、素子の形状などについても上
記のものに限定されないことは当然である。
以上説明したように、この発明によれば1300℃
以上で高温焼成してなる、特定のアパタイトを主
成分とする焼結体を用いて結露検出素子を構成し
たので、信頼性及び安定性が高く、実用上有利な
結露検出素子を得ることができる。
以上で高温焼成してなる、特定のアパタイトを主
成分とする焼結体を用いて結露検出素子を構成し
たので、信頼性及び安定性が高く、実用上有利な
結露検出素子を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例による結露検出素子
の構造をしめす平面図で１ａ，１ｂは電極、２は
本発明にかかる感湿素子３はリード線である。第
２図〜第４図は本発明にかかる結露検出素子の電
気抵抗と相対湿度との関係をしめす特性図であ
る。
の構造をしめす平面図で１ａ，１ｂは電極、２は
本発明にかかる感湿素子３はリード線である。第
２図〜第４図は本発明にかかる結露検出素子の電
気抵抗と相対湿度との関係をしめす特性図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （Ca1-xBax）10（PO4）6X2 （式中、0.01≦ｘ≦１、ＸはOH、Ｆ、Cl、Br及
びＩの中から選ばれた少なくとも一つの原子もし
くは原子団を示す） で表わされるアパタイトを主成分とする原料を
1300℃以上で焼成して焼結体を作成する工程、お
よび上記焼結体を基板として、該基板上に電極を
形成する工程を有することを特徴とする結露検出
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189280A JPS56107502A (en) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | Dew condensation detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189280A JPS56107502A (en) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | Dew condensation detecting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56107502A JPS56107502A (en) | 1981-08-26 |
| JPS6314482B2 true JPS6314482B2 (ja) | 1988-03-31 |
Family
ID=11790372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189280A Granted JPS56107502A (en) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | Dew condensation detecting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56107502A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61262647A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-20 | Sekisui Plastics Co Ltd | 炭酸ガスの検出素子材料およびその製造法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939881A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Daicel Chem Ind Ltd | Ｓ−トリアジン系誘導体の精製法 |
| JPS6014481A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Canon Inc | 発光装置 |
-
1980
- 1980-01-30 JP JP1189280A patent/JPS56107502A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939881A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Daicel Chem Ind Ltd | Ｓ−トリアジン系誘導体の精製法 |
| JPS6014481A (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-25 | Canon Inc | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56107502A (en) | 1981-08-26 |
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