JPS602762B2 - 湿度検出素子 - Google Patents
湿度検出素子Info
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- JPS602762B2 JPS602762B2 JP54116916A JP11691679A JPS602762B2 JP S602762 B2 JPS602762 B2 JP S602762B2 JP 54116916 A JP54116916 A JP 54116916A JP 11691679 A JP11691679 A JP 11691679A JP S602762 B2 JPS602762 B2 JP S602762B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- humidity
- semiconductor ceramic
- ceramic
- humidity detection
- high resistance
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/121—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid for determining moisture content, e.g. humidity, of the fluid
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は湿度検出素子に関し、特に、半導体セラミッ
クを主体とする新規な湿度検出素子に関する。
クを主体とする新規な湿度検出素子に関する。
湿度検出素子は、湿度の増減に応じて電気抵抗が変化す
る性質を利用したものが一般的である。
る性質を利用したものが一般的である。
このような湿度検出素子に要求される特性として、高信
頼性、長寿命、実用計測範囲（たとえだ、抵抗Ｒ＝１０
〜１０７０）にあること、ガス雰囲気中での安定性、小
さい温度依存性、低温および高温（１０ぴ０付近）で使
用可能なこと、などがあげられるが、これら理想条件を
満足する湿度検出素子はほとんどないのが現状である。
たとえば、有機高分子を利用した湿度検出素子は、信頼
性、寿命に問題がある。
頼性、長寿命、実用計測範囲（たとえだ、抵抗Ｒ＝１０
〜１０７０）にあること、ガス雰囲気中での安定性、小
さい温度依存性、低温および高温（１０ぴ０付近）で使
用可能なこと、などがあげられるが、これら理想条件を
満足する湿度検出素子はほとんどないのが現状である。
たとえば、有機高分子を利用した湿度検出素子は、信頼
性、寿命に問題がある。
また、マグネタィト膜（３０〆）に１対の電極を形成し
た湿度検出素子は、寿命に問題がある。さらに、ニッケ
ルフェライト系湿度検出素子も、研究されかつ発表され
ているが、実用化されていなく、製法が難しく、再現性
よく量産できるか疑問である。それゆえに、この発明の
主たる目的は、上述の要求される諸特性を満足しうる湿
度検出素子を提供することである。この発明のその他の
目的と特徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説明か
ら一層明らかとなるつｏこの発明は、好ましくは多孔性
を与えた ＢａＴｉ。
た湿度検出素子は、寿命に問題がある。さらに、ニッケ
ルフェライト系湿度検出素子も、研究されかつ発表され
ているが、実用化されていなく、製法が難しく、再現性
よく量産できるか疑問である。それゆえに、この発明の
主たる目的は、上述の要求される諸特性を満足しうる湿
度検出素子を提供することである。この発明のその他の
目的と特徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説明か
ら一層明らかとなるつｏこの発明は、好ましくは多孔性
を与えた ＢａＴｉ。
３，ＳてＴｉ。
３，ＭｇＴｉ。
３，Ｔｉ。
２−Ｘ（〇＜Ｘ＜２）のいずれか１種よりなる半導体セ
ラミックを基体とし、この半導体セラミックの結晶粒に
感湿機能をもつ高抵抗層を形成し、電気信号を取り出す
ための電極を半導体セラミック基体の主表面上に形成し
た湿度検出素子である。
ラミックを基体とし、この半導体セラミックの結晶粒に
感湿機能をもつ高抵抗層を形成し、電気信号を取り出す
ための電極を半導体セラミック基体の主表面上に形成し
た湿度検出素子である。
第１図および第２図をそれぞれ参照して、より詳細に述
べる。
べる。
第１図はこの発明の湿度検出素子の一例を示す平面図で
あり、第２図は同じく他の例を示す断面図である。第１
図を参照して、半導体セラミックから構成される素子本
体１１の一方主表面上に、１対のくし型電極１２，１３
が形成され、それぞれリード端子１４，１５によって取
り出される。
あり、第２図は同じく他の例を示す断面図である。第１
図を参照して、半導体セラミックから構成される素子本
体１１の一方主表面上に、１対のくし型電極１２，１３
が形成され、それぞれリード端子１４，１５によって取
り出される。
第２図を参照して、半導体セラミックから構成される素
子本体２１の対向する各主表面上にそれぞれ電極２２，
２３が対をなしかつ対向して形成され、それぞれリード
端子２４，２５によって取り出される。
子本体２１の対向する各主表面上にそれぞれ電極２２，
２３が対をなしかつ対向して形成され、それぞれリード
端子２４，２５によって取り出される。
なお、上述の各素子本体１１，２１を構成する半導体セ
ラミックの結晶粒には、感湿機能をもつ高抵抗層が形成
されている。
ラミックの結晶粒には、感湿機能をもつ高抵抗層が形成
されている。
このように図示された各湿度検出素子のうち、第１図に
示すものは電極間隔や電極対向長さ等により初期抵抗値
を調整設定することができるが、第２図に示すものは素
子本体２１の厚みに初期抵抗値が大きく左右されること
になりこの厚みはセラミックの強度上極端に薄くするこ
とができないので一般的には第１図に示すものに比べて
高い初期抵抗値をもつことになろう。
示すものは電極間隔や電極対向長さ等により初期抵抗値
を調整設定することができるが、第２図に示すものは素
子本体２１の厚みに初期抵抗値が大きく左右されること
になりこの厚みはセラミックの強度上極端に薄くするこ
とができないので一般的には第１図に示すものに比べて
高い初期抵抗値をもつことになろう。
なお、第２図に示すものに形成される電極２２，２３は
、全面電極であっても、素子本体２１への吸湿能力等を
考慮して素子本体２１の主表面の一部を露出する電極で
あってもよい。
、全面電極であっても、素子本体２１への吸湿能力等を
考慮して素子本体２１の主表面の一部を露出する電極で
あってもよい。
前述の感湿機能をもつ高抵抗層は、好ましい実施例では
、結晶粒界を酸化するか、または結晶粒に湿度検出特性
を制御するためイオンを反応させることにより得られる
。
、結晶粒界を酸化するか、または結晶粒に湿度検出特性
を制御するためイオンを反応させることにより得られる
。
また、一般に、半導体セラミックは、すでに知られてい
るように、たとえばＢａＴｉ０３に、Ｙ２０３，ＣｅＱ
，Ｌａ２０３などの希±額元素のほか、Ｂｉ２０３，Ｎ
Ｑ０５，のような不純物を添加し、これを還元雰囲気中
で燐結して得られるものである。
るように、たとえばＢａＴｉ０３に、Ｙ２０３，ＣｅＱ
，Ｌａ２０３などの希±額元素のほか、Ｂｉ２０３，Ｎ
Ｑ０５，のような不純物を添加し、これを還元雰囲気中
で燐結して得られるものである。
また、ＢａＴｉＱに変えて、ＳｒＴｉ０３，ＭｇＴｉＱ
，Ｔｉ０２‐ｘ（０＜×く２）も用いることができる。
そして、これらの半導体セラミックに、上述のように多
孔性を与えるには、たとえば、競給前の成形のために用
いられるバィンダの量を通常より多くすればよいことが
わかっている。以下に、この発明の実施例について説明
する。
，Ｔｉ０２‐ｘ（０＜×く２）も用いることができる。
そして、これらの半導体セラミックに、上述のように多
孔性を与えるには、たとえば、競給前の成形のために用
いられるバィンダの量を通常より多くすればよいことが
わかっている。以下に、この発明の実施例について説明
する。
実施例‘１’：第３図および第４図は実施例｛１’を説
明するための図であって、第３図は半導体セラミックの
結晶を拡大して示すモデル図であり、第４図は実施例【
１’のインピーダンスの湿度変化を示す図である。
明するための図であって、第３図は半導体セラミックの
結晶を拡大して示すモデル図であり、第４図は実施例【
１’のインピーダンスの湿度変化を示す図である。
Ｙ２０３を０．５モル％ドーブしたＳｒＴｉ０３粉末に
セルロース粉末を３重量％加え、よく混合した後、ベレ
ット状に成形する。これを、１４００℃の還元雰囲気中
で２時間焼成し、嫌結させて直径８肋、厚さ０．４側の
セラミック円板を得る。このセラミック円板を、１００
０ｑｏの空気中で加熱することにより、結晶の表面を再
酸化する。
セルロース粉末を３重量％加え、よく混合した後、ベレ
ット状に成形する。これを、１４００℃の還元雰囲気中
で２時間焼成し、嫌結させて直径８肋、厚さ０．４側の
セラミック円板を得る。このセラミック円板を、１００
０ｑｏの空気中で加熱することにより、結晶の表面を再
酸化する。
第３図は、結晶１の表面に酸化物層２が形成されている
状態を示したものである。再酸化のための加熱時間を延
ばすことにより、酸化物層２の厚さは増加する。この実
施例では、酸化物層２の厚さが異なるものを２種類作成
した。この酸化物層２の厚さは、その誘電率より推定し
て、第１のものが３４ムであり、第２のものは１５舷で
あった。上述の各誌料の主表面上に、２肋の間隔で金電
極を形成し、この電極間にＡＣＩＶ，６批セの電圧を印
加し、そのインピーダンスの湿度に対する変化を測定す
ると、第４図のような結果が得られた。
状態を示したものである。再酸化のための加熱時間を延
ばすことにより、酸化物層２の厚さは増加する。この実
施例では、酸化物層２の厚さが異なるものを２種類作成
した。この酸化物層２の厚さは、その誘電率より推定し
て、第１のものが３４ムであり、第２のものは１５舷で
あった。上述の各誌料の主表面上に、２肋の間隔で金電
極を形成し、この電極間にＡＣＩＶ，６批セの電圧を印
加し、そのインピーダンスの湿度に対する変化を測定す
ると、第４図のような結果が得られた。
第４図から明らかなように、酸化物層２の厚さを変える
ことによって、インピーダンス値の調節が可能である。
また、第２のもの（酸化物層２の厚さが１５山）が、第
１のもの（酸化物層２の厚さが３４ｒ）に比べてより直
線性のよい比例関係を有しているので、酸化物層２の厚
さが薄いほど、より直線性のよい比例関係が表われるこ
とがわかる。実施例 ■：第５図ないし第７図は実施例
２｝を説明するための図であって、第５図は半導体セラ
ミックの結晶を拡大して示すモデル図であり、第６図は
実施例‘２’のインピーダンスの湿度変化を示す図であ
り、第７図は湿度変化によるインピーダンスの応答速度
を示す図である。
ことによって、インピーダンス値の調節が可能である。
また、第２のもの（酸化物層２の厚さが１５山）が、第
１のもの（酸化物層２の厚さが３４ｒ）に比べてより直
線性のよい比例関係を有しているので、酸化物層２の厚
さが薄いほど、より直線性のよい比例関係が表われるこ
とがわかる。実施例 ■：第５図ないし第７図は実施例
２｝を説明するための図であって、第５図は半導体セラ
ミックの結晶を拡大して示すモデル図であり、第６図は
実施例‘２’のインピーダンスの湿度変化を示す図であ
り、第７図は湿度変化によるインピーダンスの応答速度
を示す図である。
Ｙ２０３を０．５モル％ドープしたＳｒＴＩ０３粉末に
セルロース粉末を２蝿瞳％加えよく混合した後、ベレッ
ト状に成形する。
セルロース粉末を２蝿瞳％加えよく混合した後、ベレッ
ト状に成形する。
これを１４００℃の還元雰囲気中で２時間焼成し、筋結
させ、直径１６．５肋、厚さ０．４肋のセラミック円板
を得る。このセラミック円板に、炭酸アルカリの水溶液
を塗布しも炭酸アルカリとして０．９雌含浸させる。
させ、直径１６．５肋、厚さ０．４肋のセラミック円板
を得る。このセラミック円板に、炭酸アルカリの水溶液
を塗布しも炭酸アルカリとして０．９雌含浸させる。
この炭酸アルカ川ま、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓのよ
うなアルカリ金属の炭酸塩である。この炭酸アルカリが
含浸されたセラミック円板を、１０００ｑｏの空気中で
１時間加熱することにより、アルカリ金属イオンがドー
パントとして、半導体セラミックの結晶粒界に拡散する
。第５図は、半導体セラミックの結晶３にドーパントが
拡散し、高抵抗層としての不純物層４が結晶３の表面に
形成されている状態を示す。上述のようにして得られた
試料の主表面上に、電極間隔０．６側、電極対向長さ１
．８伽のくし型金電極を形成する。
うなアルカリ金属の炭酸塩である。この炭酸アルカリが
含浸されたセラミック円板を、１０００ｑｏの空気中で
１時間加熱することにより、アルカリ金属イオンがドー
パントとして、半導体セラミックの結晶粒界に拡散する
。第５図は、半導体セラミックの結晶３にドーパントが
拡散し、高抵抗層としての不純物層４が結晶３の表面に
形成されている状態を示す。上述のようにして得られた
試料の主表面上に、電極間隔０．６側、電極対向長さ１
．８伽のくし型金電極を形成する。
この電極間にＡＣＩＶ，６■セの電圧を印放し、そのイ
ンピーダンスを測定し、インピーダンスの湿度に対する
変化は、第６図に示すような結果となった。第６図は、
上述の炭酸アルカリ金属として、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋをそれ
ぞれ用いたものが併記して図示される。また、第６図に
は、インピーダンス値の変動幅が縦軸方向に延びる線分
によって示されるが、これは３ケ月間の変動幅を示すも
ので、これから明らかなように、安定した再現性を示す
ことが理解されよう。第７図は、上述の試料において、
相対湿度１５％から９５％に変えたときのインピーダン
スの隆時変化を示したものである。
ンピーダンスを測定し、インピーダンスの湿度に対する
変化は、第６図に示すような結果となった。第６図は、
上述の炭酸アルカリ金属として、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋをそれ
ぞれ用いたものが併記して図示される。また、第６図に
は、インピーダンス値の変動幅が縦軸方向に延びる線分
によって示されるが、これは３ケ月間の変動幅を示すも
ので、これから明らかなように、安定した再現性を示す
ことが理解されよう。第７図は、上述の試料において、
相対湿度１５％から９５％に変えたときのインピーダン
スの隆時変化を示したものである。
この図面から明らかなように、１８〜２現砂程度でイン
ピーダンス値は平衡状態となり、応答速度が遠いことが
わかる。以上のように、この発明によれば、半導体セラ
ミックを基体とするので、経時変化による劣化が少ない
。
ピーダンス値は平衡状態となり、応答速度が遠いことが
わかる。以上のように、この発明によれば、半導体セラ
ミックを基体とするので、経時変化による劣化が少ない
。
また、動作特性が安定している。さらに半導体セラミッ
クの結晶粒に形成される高抵抗層の厚さや、ここに反応
させるイオンの種類を変えることにより、容易に感度ま
たは素子抵抗等を変えることができるので、用途に合わ
せて適宜に条件を設定することができる。また、このこ
とは、半導体セラミック自身も固有の抵抗値を有してい
るので、この半導体セラミックの材質を変えることによ
っても達成されるであろう。また、小型化が容易で、製
造方法も簡単であり、コストも安い。そして、セラミッ
クで数１０山の高抵抗層薄膜を製造することが困難であ
ったが、結晶粒子の表面を酸化またはイオンの拡散反応
によって、感湿機能をもつ高抵抗層を有するこの発明に
かかる感湿素子が容易に得られるという特徴を有してい
る。また、温度検出の応答速度が遠い。さらに、比較的
低抵抗（数百ＫＯ〜数ＭＱ）のものが得られるので、回
路設計上有利である。
クの結晶粒に形成される高抵抗層の厚さや、ここに反応
させるイオンの種類を変えることにより、容易に感度ま
たは素子抵抗等を変えることができるので、用途に合わ
せて適宜に条件を設定することができる。また、このこ
とは、半導体セラミック自身も固有の抵抗値を有してい
るので、この半導体セラミックの材質を変えることによ
っても達成されるであろう。また、小型化が容易で、製
造方法も簡単であり、コストも安い。そして、セラミッ
クで数１０山の高抵抗層薄膜を製造することが困難であ
ったが、結晶粒子の表面を酸化またはイオンの拡散反応
によって、感湿機能をもつ高抵抗層を有するこの発明に
かかる感湿素子が容易に得られるという特徴を有してい
る。また、温度検出の応答速度が遠い。さらに、比較的
低抵抗（数百ＫＯ〜数ＭＱ）のものが得られるので、回
路設計上有利である。
第１図はこの発明の湿度検出素子の一例を示す平面図、
第２図は同じく他の例を示す断面図である。 第３図および第４図は実施例｛１’を説明するための図
であって、第３図は半導体セラミックの結晶を拡大して
示すモデル図であり、第４図は実施例‘１｝のインピー
ダンスの湿度変化を示す図である。第５図ないし第７図
は実施例■を説明するための図であって、第５図は半導
体セラミックの結晶を拡大して示すモデル図であり、第
６図は実施例■のインピーダンスの湿度変化を示す図で
あり、第７図は実施側２’の湿度変化によるインピーダ
ンスの応答速度を示す図である。図において、１，３は
結晶、２は酸化物層、４は不純物層、１１，２１は素子
本体、１２，１３，２２，２３は電極である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
第２図は同じく他の例を示す断面図である。 第３図および第４図は実施例｛１’を説明するための図
であって、第３図は半導体セラミックの結晶を拡大して
示すモデル図であり、第４図は実施例‘１｝のインピー
ダンスの湿度変化を示す図である。第５図ないし第７図
は実施例■を説明するための図であって、第５図は半導
体セラミックの結晶を拡大して示すモデル図であり、第
６図は実施例■のインピーダンスの湿度変化を示す図で
あり、第７図は実施側２’の湿度変化によるインピーダ
ンスの応答速度を示す図である。図において、１，３は
結晶、２は酸化物層、４は不純物層、１１，２１は素子
本体、１２，１３，２２，２３は電極である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＢａＴｉＯ＿３，ＳｒＴｉＯ＿３，ＭｇＴｉＯ＿３
，ＴｉＯ＿２＿−＿ｘ（Ｏ＜ｘ＜２）のいずれか１種よ
りなる半導体セラミツクから構成される素子本体と、
前記半導体セラミツクの結晶粒に形成される感湿機能を
持つ高抵抗層と、前記素子本体の主表面上に形成される
電極とを備える湿度検出素子。 ２ 前記高抵抗層は前記半導体セラミツクの結晶粒を酸
化して得られた酸化物層である特許請求の範囲第１項記
載の湿度検出素子。 ３ 前記高抵抗層は前記半導体セラミツクの結晶粒に湿
度検出特性を制御するためイオンを反応させて得られた
不純物層である特許請求の範囲第１項記載の湿度検出素
子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54116916A JPS602762B2 (ja) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | 湿度検出素子 |
| US06/184,802 US4328478A (en) | 1979-09-11 | 1980-09-08 | Humidity sensitive device |
| DE3034070A DE3034070C2 (de) | 1979-09-11 | 1980-09-10 | Feuchtigkeitsmeßfühler |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54116916A JPS602762B2 (ja) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | 湿度検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640201A JPS5640201A (en) | 1981-04-16 |
| JPS602762B2 true JPS602762B2 (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14698828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54116916A Expired JPS602762B2 (ja) | 1979-09-11 | 1979-09-11 | 湿度検出素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4328478A (ja) |
| JP (1) | JPS602762B2 (ja) |
| DE (1) | DE3034070C2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4456902A (en) * | 1982-03-30 | 1984-06-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Gas and humidity sensing element |
| US4497701A (en) * | 1983-02-22 | 1985-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Humidity sensitive device |
| GB8326982D0 (en) * | 1983-10-08 | 1983-11-09 | Plessey Co Plc | Atmospheric sensor |
| US4677415A (en) * | 1985-05-08 | 1987-06-30 | Motorola, Inc. | Ceramic humidity sensor |
| US4647895A (en) * | 1985-05-08 | 1987-03-03 | Motorola, Inc. | Ceramic temperature sensor |
| US4743881A (en) * | 1985-05-08 | 1988-05-10 | Motorola, Inc. | Ceramic temperature sensor |
| FI85101C (fi) * | 1989-10-27 | 1992-03-10 | Instrumentarium Oy Datex | Foer observation av andning laemplig avkaenningsorgan. |
| US5075647A (en) * | 1990-05-16 | 1991-12-24 | Universities Research Association, Inc. | Planar slot coupled microwave hybrid |
| DE4109565C2 (de) * | 1991-03-22 | 1999-05-06 | Bosch Siemens Hausgeraete | Kocheinrichtung mit einem verschließbaren Garraum und Kochverfahren |
| DE4202556C1 (en) * | 1992-01-30 | 1993-04-08 | Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De | Measurement probe for temp. and dampness - has moisture and temp. sensitive resistor made of cement, graphite and quartz sand |
| DE4433102A1 (de) * | 1994-09-16 | 1996-03-21 | Fraunhofer Ges Forschung | Elektrodenanordnung zur Signalerfassung gassensitiver Schichten |
| BR0314211A (pt) | 2002-09-11 | 2005-06-28 | Mattel Inc | Brinquedo sensìvel à respiração |
| DE102004056839A1 (de) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Miele & Cie. Kg | Backofen mit einem Wrasenkanal, in dem ein Katalysator und ein Gassensor angeordnet sind |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3671913A (en) * | 1969-03-19 | 1972-06-20 | Saginomiya Seisakusho Inc | Aging-proof humidity sensing element and method for the production thereof |
| US4015230A (en) * | 1975-02-03 | 1977-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Humidity sensitive ceramic resistor |
| US4086556A (en) * | 1975-09-18 | 1978-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Humidity sensitive ceramic resistor |
| GB1586117A (en) * | 1977-06-22 | 1981-03-18 | Rosemount Eng Co Ltd | Solid state sensor element |
-
1979
- 1979-09-11 JP JP54116916A patent/JPS602762B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-09-08 US US06/184,802 patent/US4328478A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-09-10 DE DE3034070A patent/DE3034070C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5640201A (en) | 1981-04-16 |
| DE3034070C2 (de) | 1985-05-15 |
| US4328478A (en) | 1982-05-04 |
| DE3034070A1 (de) | 1981-03-19 |
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