JPS63139055A - セラミックヒータ - Google Patents
セラミックヒータInfo
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- JPS63139055A JPS63139055A JP61285259A JP28525986A JPS63139055A JP S63139055 A JPS63139055 A JP S63139055A JP 61285259 A JP61285259 A JP 61285259A JP 28525986 A JP28525986 A JP 28525986A JP S63139055 A JPS63139055 A JP S63139055A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は特に非酸化物系セラミックを絶縁基体としてこ
れに適用して有効な低抵抗体に関するものである。
れに適用して有効な低抵抗体に関するものである。
（背景技術）
従来、Ａ１□０．又は５１３Ｎａを絶縁基体とし、これ
に適用する抵抗体としては−やＭｏがよく利用されてい
る。就中、５ｉＪ４質焼結体を絶縁基体とする高温用ヒ
ータにおいては焼結体中の−またはＭｏ抵抗体が焼成過
程において、又はヒータとしての使用時において、５ｉ
３Ｎａ中のＳｉと反応してＷＳｉ２やＭＯＳｉ２等のけ
い化層・を生成し易く、また大気と接触してＷ（ｈやＭ
ｏＯ３等の酸化層を生成し易い。このような反応層が経
時的に増えるとそれに伴い抵抗値が変化し、またこのよ
う反応層は脆弱であるためこの層の生成界面に亀裂が生
じ易くなるため抵抗体が断線するといった欠点がある。
に適用する抵抗体としては−やＭｏがよく利用されてい
る。就中、５ｉＪ４質焼結体を絶縁基体とする高温用ヒ
ータにおいては焼結体中の−またはＭｏ抵抗体が焼成過
程において、又はヒータとしての使用時において、５ｉ
３Ｎａ中のＳｉと反応してＷＳｉ２やＭＯＳｉ２等のけ
い化層・を生成し易く、また大気と接触してＷ（ｈやＭ
ｏＯ３等の酸化層を生成し易い。このような反応層が経
時的に増えるとそれに伴い抵抗値が変化し、またこのよ
う反応層は脆弱であるためこの層の生成界面に亀裂が生
じ易くなるため抵抗体が断線するといった欠点がある。
したがって、前記抵抗値変化や断線が生じ難い非酸化物
系セラミックスの絶縁基体に適用して有効な抵抗材料が
強く望まれている。
系セラミックスの絶縁基体に適用して有効な抵抗材料が
強く望まれている。
（従来技術）
上記要望に答えるため、出願人は特願昭６１−２０７２
２号において５ｉＪａ質焼結体を絶縁基体とするセラミ
ックヒータにＴｉＮを主体とする抵抗体を使用すると前
記けい化層や酸化層が生成され難く、抵抗体として有効
である舌を開示した。この抵抗体においてはこのような
けい化層や酸化層が生成され難いため、抵抗値の変化や
断線等を防止でき、また抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さ
い抵抗体を得ることができた。
２号において５ｉＪａ質焼結体を絶縁基体とするセラミ
ックヒータにＴｉＮを主体とする抵抗体を使用すると前
記けい化層や酸化層が生成され難く、抵抗体として有効
である舌を開示した。この抵抗体においてはこのような
けい化層や酸化層が生成され難いため、抵抗値の変化や
断線等を防止でき、また抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さ
い抵抗体を得ることができた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記出願においてはＴｉＮに対し５ｉＪ
４等の高抵抗焼結助剤を多量に添加しているため比抵抗
が１０ ｍΩ・ｃｍ以上であり高抵抗用ヒータとしてし
か使用することができない。
４等の高抵抗焼結助剤を多量に添加しているため比抵抗
が１０ ｍΩ・ｃｍ以上であり高抵抗用ヒータとしてし
か使用することができない。
本発明は上記点に鑑み、ＴｉＮに対しＳｉＣを若干添加
することにより比抵抗が４０μΩ・ｃｍ以下で充分緻密
化した抵抗体が得られることを知見した。
することにより比抵抗が４０μΩ・ｃｍ以下で充分緻密
化した抵抗体が得られることを知見した。
（発明の目的）
本発明においては比抵抗が４０μΩ・ｃｍ以下の特に非
酸化物系セラミックを絶縁基体としてこれに適用して有
効な低抵抗体を提供することを目的とする。
酸化物系セラミックを絶縁基体としてこれに適用して有
効な低抵抗体を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明によればＴｉＮ０主成分に対し、ＳｉＣを０゜０
５〜８重量％添加してなる混合物を焼成して得られる実
質的にＴｉＮ主体の抵抗体であって、主成分のＴｉＮ格
子中に少な（ともＳｉＣの一部が固溶しており、４．２
ｇ／ｃｍ”以上の密度及び４０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗
値を有する低抵抗体が提供される。
５〜８重量％添加してなる混合物を焼成して得られる実
質的にＴｉＮ主体の抵抗体であって、主成分のＴｉＮ格
子中に少な（ともＳｉＣの一部が固溶しており、４．２
ｇ／ｃｍ”以上の密度及び４０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗
値を有する低抵抗体が提供される。
ＴｉＮを主体とする抵抗体は匈や肋と比べ、高温におい
て熱力学的に安定であり、上記脆弱な反応層は殆ど生成
されない。したがって、焼結体の焼成時や長期の昇降温
繰り返し使用後の抵抗値変化が少ない。また、ＴｉＮは
非酸化物系セラミックの焼結助剤となり得ることからＴ
ｉＮと絶縁基板として使用する非酸化物系セラミックと
は相互に強固に結合する。
て熱力学的に安定であり、上記脆弱な反応層は殆ど生成
されない。したがって、焼結体の焼成時や長期の昇降温
繰り返し使用後の抵抗値変化が少ない。また、ＴｉＮは
非酸化物系セラミックの焼結助剤となり得ることからＴ
ｉＮと絶縁基板として使用する非酸化物系セラミックと
は相互に強固に結合する。
さらに、ＴｉＮを主成分とする抵抗体は−またはＭｏか
らなる抵抗体と比べ抵抗温度係数（ＴＣＰ）が１〜２
ｘｌＯ−３（０〜８００ ℃）と小さい。
らなる抵抗体と比べ抵抗温度係数（ＴＣＰ）が１〜２
ｘｌＯ−３（０〜８００ ℃）と小さい。
即ち、このことは第１図（ａ） （ｂ）に示すごとく、
ＴｉＮを抵抗体とするものＲｏ、 と、タングステン（
Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲＯ□
とを同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８
００℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（
ａ）参照）、タングステン（−）又はモリブデン（Ｍｏ
）を抵抗体とするものは常時抵抗が小さいので第１図（
ｂ）に示す如＜Ｖ＝ＩＲの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
ＴｉＮを抵抗体とするものＲｏ、 と、タングステン（
Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲＯ□
とを同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８
００℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（
ａ）参照）、タングステン（−）又はモリブデン（Ｍｏ
）を抵抗体とするものは常時抵抗が小さいので第１図（
ｂ）に示す如＜Ｖ＝ＩＲの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
一方、ＴｉＮを抵抗体とするものは常温抵抗が大きいの
で電圧印加時の突入電流を小さくすることができ、該ヒ
ータの制御装置の電流容量が小さくて済む。さらに、こ
のような抵抗温度係数（ＴＣＲ）の小さいことは、使用
雰囲気によりヒータの温度分布が均一になる。
で電圧印加時の突入電流を小さくすることができ、該ヒ
ータの制御装置の電流容量が小さくて済む。さらに、こ
のような抵抗温度係数（ＴＣＲ）の小さいことは、使用
雰囲気によりヒータの温度分布が均一になる。
即ち、オームの法則によりＷ ＝ ｌ２Ｒ（Ｉは一定）
から抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなること
は知られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）
の大きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、
その部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の
発熱量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数
（ＴＣＰ）の小さなヒータはその一部が局部的に冷却さ
れても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下がらずそ
の部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータの温度分
布は外部影響を受けにくいということになる。
から抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなること
は知られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）
の大きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、
その部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の
発熱量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数
（ＴＣＰ）の小さなヒータはその一部が局部的に冷却さ
れても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下がらずそ
の部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータの温度分
布は外部影響を受けにくいということになる。
ＴｉＮの主成分に対するＳｉＣの添加が０．０５重量％
未満であるとＳｉＣの添加効果がなく比抵抗が余り下が
らず密度も低下する。ＳｉＣの添加が８重量％を越える
と比抵抗が急激に上昇すると共に、密度も急激に低下す
る。ＳｉＣを添加せずＴｉＮ１００重量％の焼結体はＴ
ｉＮ相の他にＴｉ相が存在し易い。一方、ＳｉＣをＴｉ
Ｎに対し順次添加量を増やすと約ＳｉＣの添加量が１０
重量％を越えるとα−５ｉＣ相が析出する。
未満であるとＳｉＣの添加効果がなく比抵抗が余り下が
らず密度も低下する。ＳｉＣの添加が８重量％を越える
と比抵抗が急激に上昇すると共に、密度も急激に低下す
る。ＳｉＣを添加せずＴｉＮ１００重量％の焼結体はＴ
ｉＮ相の他にＴｉ相が存在し易い。一方、ＳｉＣをＴｉ
Ｎに対し順次添加量を増やすと約ＳｉＣの添加量が１０
重量％を越えるとα−５ｉＣ相が析出する。
そして、ＳｉＣ添加量が０．０５〜８重量％の範囲にお
いてはＳｉＣはＴｉＮ格子内へ固溶しており、この固溶
状態があるときにこの抵抗体の比抵抗は４ｏμΩ・ｃｍ
以下となり、焼結体の密度も４．２ｇ／ｃｍ３以上と緻
密化する。
いてはＳｉＣはＴｉＮ格子内へ固溶しており、この固溶
状態があるときにこの抵抗体の比抵抗は４ｏμΩ・ｃｍ
以下となり、焼結体の密度も４．２ｇ／ｃｍ３以上と緻
密化する。
（実施例１）
第１表に示す組成比にメタノール及びバインダを添加し
て振動ミルにて７２時間混合した。脱メタノール後試料
１，５，７，９．１１及び１２はＩｔ／ｃｍ”の圧力で
プレス成形後窒素雰囲気中１８１０°Ｃにて２０分間常
圧焼成し、試料２〜４，６．８及び１０はそのままホッ
トプレス型に充填し同様に窒素雰囲気中１８１０”ｃに
て２０分ホットプレス焼成し夫々約４２Ｘ３．７ Ｘｌ
、６ｍｍの試料片を得た。
て振動ミルにて７２時間混合した。脱メタノール後試料
１，５，７，９．１１及び１２はＩｔ／ｃｍ”の圧力で
プレス成形後窒素雰囲気中１８１０°Ｃにて２０分間常
圧焼成し、試料２〜４，６．８及び１０はそのままホッ
トプレス型に充填し同様に窒素雰囲気中１８１０”ｃに
て２０分ホットプレス焼成し夫々約４２Ｘ３．７ Ｘｌ
、６ｍｍの試料片を得た。
これら各試料片について四端子法により比抵抗をアルキ
メデス法により比重を夫々測定した。さらにＸ線回折法
により各試料片である焼結体中の結晶相を同定した。さ
らに、Ｘ線マイクロアナライザ（ＸＭＡ）及び蛍光ｘｖ
Ａ分析により焼結体中にＳｉＣ中のＳｉの存在が認めら
れるかどうか確認した。
メデス法により比重を夫々測定した。さらにＸ線回折法
により各試料片である焼結体中の結晶相を同定した。さ
らに、Ｘ線マイクロアナライザ（ＸＭＡ）及び蛍光ｘｖ
Ａ分析により焼結体中にＳｉＣ中のＳｉの存在が認めら
れるかどうか確認した。
（以下余白）
第１表から理解されるようにＳｉＣ無添加のＴｉＮ１０
０重量２の組成である試料番号１は密度が４．２２ｇ／
ｃｍ’と緻密化しているものの比抵抗が４６．５μΩ・
ｃｍと高い。ＳｉＣの添加が１０．０及び１５．０重量
％の組成である試料番号１１及び１２は密度が４．０６
ｇ／ｃｍ’以下と緻密化が不充分であると共に、比抵抗
が６６．１μΩ・ｃｍと高すぎ本発明の目的に合致しな
い。
０重量２の組成である試料番号１は密度が４．２２ｇ／
ｃｍ’と緻密化しているものの比抵抗が４６．５μΩ・
ｃｍと高い。ＳｉＣの添加が１０．０及び１５．０重量
％の組成である試料番号１１及び１２は密度が４．０６
ｇ／ｃｍ’以下と緻密化が不充分であると共に、比抵抗
が６６．１μΩ・ｃｍと高すぎ本発明の目的に合致しな
い。
またこの試料番号１１及び１２のＸ線回折法により検出
された結晶相はＴｉＮ相の他、不明相又はα−５ｉＣが
同定される他、Ｘ線マイクロアナライザによればＳｉが
若干検出された。
された結晶相はＴｉＮ相の他、不明相又はα−５ｉＣが
同定される他、Ｘ線マイクロアナライザによればＳｉが
若干検出された。
これに対し、本発明の範囲内であるＳｉＣが０．０５〜
７．５重量％添加された試料番号２〜１０については何
れも密度が４．２５ｇ／ｃｍ３以上、比抵抗が３９．０
μΩ・ｃｍ以下と本発明の目的に合致した試料である。
７．５重量％添加された試料番号２〜１０については何
れも密度が４．２５ｇ／ｃｍ３以上、比抵抗が３９．０
μΩ・ｃｍ以下と本発明の目的に合致した試料である。
このような各試料について、Ｘ線回折法により検出され
た結晶相は実質的にＴｉＮ相のみであり、Ｘ線マイクロ
アナライザにおいてもＳｉが検出され得なかった。
た結晶相は実質的にＴｉＮ相のみであり、Ｘ線マイクロ
アナライザにおいてもＳｉが検出され得なかった。
しかしながら、蛍光Ｘ線分析によると試料中にＳｉの存
在が確認された。このことから、添加されたＳｔＣはほ
とんどＴｉＮ格子中に固溶しているものと判断され、こ
のような焼結体は充分緻密化した比抵抗が４０μΩ・ｃ
ｍ以下の低抵抗体であることが理解される。
在が確認された。このことから、添加されたＳｔＣはほ
とんどＴｉＮ格子中に固溶しているものと判断され、こ
のような焼結体は充分緻密化した比抵抗が４０μΩ・ｃ
ｍ以下の低抵抗体であることが理解される。
（実施例２）
ＴｉＮ粉末にＳｉＣを１．０及び１．５添加した第１表
の試料番号４及び５の粉末にアセトン、バインダー及び
分散剤を添加して振動ミルにて７２時間混合し、脱アセ
トン後混練して粘度を調整してＴｉＮを主体とした発熱
抵抗体ペーストを作成した。この発熱抵抗ペーストを夫
々プレス成形又はテープ成形された焼結体としては絶縁
性となるＡＩＮ質又はＳｔ、Ｎ、質の生成形体ｌａ上に
第２図の如くスフＩＪ −ン印刷して抵抗回路２を形成
し、これを積層して常圧（ＰＬ）又はホットプレス（Ｈ
Ｐ）により一体焼成した。これら焼結体１ｂは研削又は
表面処理により電極を露出させ、これに電極取出金具３
をメタライズ層を介してロウ付けして第３図に示す如き
７０×５ Ｘｌ、２ｍｍの板状のセラミックヒータを各
々得た。
の試料番号４及び５の粉末にアセトン、バインダー及び
分散剤を添加して振動ミルにて７２時間混合し、脱アセ
トン後混練して粘度を調整してＴｉＮを主体とした発熱
抵抗体ペーストを作成した。この発熱抵抗ペーストを夫
々プレス成形又はテープ成形された焼結体としては絶縁
性となるＡＩＮ質又はＳｔ、Ｎ、質の生成形体ｌａ上に
第２図の如くスフＩＪ −ン印刷して抵抗回路２を形成
し、これを積層して常圧（ＰＬ）又はホットプレス（Ｈ
Ｐ）により一体焼成した。これら焼結体１ｂは研削又は
表面処理により電極を露出させ、これに電極取出金具３
をメタライズ層を介してロウ付けして第３図に示す如き
７０×５ Ｘｌ、２ｍｍの板状のセラミックヒータを各
々得た。
得られた各試料隘４及び５に相当する板状セラミックヒ
ータを発熱体先端の温度が電圧印加５秒後に９００度に
なる電圧（１００〜１２０Ｖ）を５秒間印加し、その後
１３秒間空気にて強制冷却する。
ータを発熱体先端の温度が電圧印加５秒後に９００度に
なる電圧（１００〜１２０Ｖ）を５秒間印加し、その後
１３秒間空気にて強制冷却する。
これを、１サイクルとして２００００サイクル後の抵抗
５ｉＪ４と初期抵抗値とを測定し、その抵抗変化率を調
べた。これらの結果を第２表に示す。
５ｉＪ４と初期抵抗値とを測定し、その抵抗変化率を調
べた。これらの結果を第２表に示す。
また窒化けい素質成形体の表面に−又はＭｏの抵抗ペー
ストを印刷して抵抗体回路を形成し、これを積層して常
圧により一体焼成して第３図と同様のセラミックヒータ
を得た。これらにつき、前記と同様に２００００サイク
ル後の抵抗値と初期抵抗値とを比較しその変化率を調べ
第２表に示し比較例とした。
ストを印刷して抵抗体回路を形成し、これを積層して常
圧により一体焼成して第３図と同様のセラミックヒータ
を得た。これらにつき、前記と同様に２００００サイク
ル後の抵抗値と初期抵抗値とを比較しその変化率を調べ
第２表に示し比較例とした。
（以下余白）
第２表から理解されるように、−又はＭｏを使用した発
熱抵抗体は電圧印加サイクルテストの２００００サイク
ル後の抵抗値変化が大きく又は断線するという結果であ
ったのに対し、ＴｉＮを主成分とする発熱抵抗ペースト
を焼成して得られたセラミックヒータは前記２００００
サイクルの抵抗値変化が著しく小さい。このような結果
は即ち、前述したような脆弱な反応層が抵抗体とＡＩＮ
又は５ｔ３Ｌ質焼結体との界面に形成されていない。
熱抵抗体は電圧印加サイクルテストの２００００サイク
ル後の抵抗値変化が大きく又は断線するという結果であ
ったのに対し、ＴｉＮを主成分とする発熱抵抗ペースト
を焼成して得られたセラミックヒータは前記２００００
サイクルの抵抗値変化が著しく小さい。このような結果
は即ち、前述したような脆弱な反応層が抵抗体とＡＩＮ
又は５ｔ３Ｌ質焼結体との界面に形成されていない。
尚、上記実施例においては抵抗体としてペーストを使用
したが、ＴｉＮとＳｉＣとの適当な混合比率の粉体をそ
のまま成形し、単独のブロック状抵抗体として使用する
ことができる。また、上記実施例においてはＡＩＮ又は
５ｉｚＮ４質焼結体を示したがその他の非酸化物系セラ
ミック、例えばＳｉＣ質焼結体に使用することもできる
。上記実施例における抵抗体の膜厚はその用途により任
意に選定できる。
したが、ＴｉＮとＳｉＣとの適当な混合比率の粉体をそ
のまま成形し、単独のブロック状抵抗体として使用する
ことができる。また、上記実施例においてはＡＩＮ又は
５ｉｚＮ４質焼結体を示したがその他の非酸化物系セラ
ミック、例えばＳｉＣ質焼結体に使用することもできる
。上記実施例における抵抗体の膜厚はその用途により任
意に選定できる。
また上記実施例により得られるＳｊＣ０，０５〜８重量
％のＴｉＮ質抵坑体の抵抗温度係数（ＴＣＲ，０〜８０
０℃）ＴｉＮ単独の場合とあまり変わりなく１〜２×１
０−３程度と考えられる。さらに、本発明においては４
０μΩ・ｃｍ以下の抵抗を有する導体として使用するこ
とができ、特に非酸化物系セラミックの導体材料として
この程度の抵抗であってもよい場合に使用できる。
％のＴｉＮ質抵坑体の抵抗温度係数（ＴＣＲ，０〜８０
０℃）ＴｉＮ単独の場合とあまり変わりなく１〜２×１
０−３程度と考えられる。さらに、本発明においては４
０μΩ・ｃｍ以下の抵抗を有する導体として使用するこ
とができ、特に非酸化物系セラミックの導体材料として
この程度の抵抗であってもよい場合に使用できる。
（発明の効果）
本発明は上述の如（、ＴｉＮにＳｉＣを若干添加するこ
とにより比抵抗が４０μΩ・Ｃ１１以下で充分緻密化し
た抵抗体が得られ、特に非酸化物系セラミックを絶縁基
体としてこれに適用して有効な低抵抗体を提供すること
ができる。
とにより比抵抗が４０μΩ・Ｃ１１以下で充分緻密化し
た抵抗体が得られ、特に非酸化物系セラミックを絶縁基
体としてこれに適用して有効な低抵抗体を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）はＴｉＮ抵抗体とタングステン（Ｗ）やモ
リブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示
した図、第１図（ｂ）は前記ＴｉＮ抵抗体とタングステ
ン（−）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した図、第２図は窒化アルミニウム質又は窒化け
い素質グリーンシート上にＴｉＮ抵抗体ペーストを印刷
した状態を示す斜視図、第３図は完成状態のセラミック
ヒータを示す斜視図である。 １ａ・・・生成形体 １ｂ・・・絶縁性焼結体 ２ ・・・発熱体
リブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示
した図、第１図（ｂ）は前記ＴｉＮ抵抗体とタングステ
ン（−）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した図、第２図は窒化アルミニウム質又は窒化け
い素質グリーンシート上にＴｉＮ抵抗体ペーストを印刷
した状態を示す斜視図、第３図は完成状態のセラミック
ヒータを示す斜視図である。 １ａ・・・生成形体 １ｂ・・・絶縁性焼結体 ２ ・・・発熱体
Claims (1)
- （１）ＴｉＮの主成分に対し、ＳｉＣを０．０５〜８重
量％を添加してなる混合物を焼成して得られる実質的に
ＴｉＮ主体の抵抗体であって、主成分のＴｉＮ格子中に
少なくともＳｉＣの一部が固溶しており、４．２ｇ／ｃ
ｍ＾３以上の密度及び４０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗値を
有する低抵抗体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285259A JPH07111898B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | セラミックヒータ |
| US07/079,255 US4804823A (en) | 1986-07-31 | 1987-07-29 | Ceramic heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61285259A JPH07111898B2 (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | セラミックヒータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63139055A true JPS63139055A (ja) | 1988-06-10 |
| JPH07111898B2 JPH07111898B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=17689181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61285259A Expired - Fee Related JPH07111898B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-11-29 | セラミックヒータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111898B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015030020A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | タカヤマジャパン株式会社 | 半田コテ及び半田コテシステム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206379A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Inoue Japax Res Inc | 導電研磨材の製造方法 |
| JPS6437468A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-08 | Ibiden Co Ltd | Electrode material for ignition plug |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP61285259A patent/JPH07111898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206379A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Inoue Japax Res Inc | 導電研磨材の製造方法 |
| JPS6437468A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-08 | Ibiden Co Ltd | Electrode material for ignition plug |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015030020A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | タカヤマジャパン株式会社 | 半田コテ及び半田コテシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111898B2 (ja) | 1995-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |