JPS63133532A - 四重処理用プロセッサ - Google Patents

四重処理用プロセッサ

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JPS63133532A
JPS63133532A JP62268021A JP26802187A JPS63133532A JP S63133532 A JPS63133532 A JP S63133532A JP 62268021 A JP62268021 A JP 62268021A JP 26802187 A JP26802187 A JP 26802187A JP S63133532 A JPS63133532 A JP S63133532A
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wafer
plasma
state
cassette
electrode
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JP62268021A
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ジョセフ　エイ　マーア
イー　ジョン　ヴォールズ
ジョセフ　ディー　ナポリ
アーサー　ダブリュー　ザフィロポーロ
マーク　ダブリュー　ミラー
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General Signal Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産１上皇！公団 本発明は半導体処理の分野に関し、特に新規な多処理用
非汚染型プラズマエツチングシステムに関する。
１皿■宜員 プラズマエツチング装置は、集積回路製造プロセスの１
つ又は２つ以上の工程中に使用され、単一ウェーハ又は
複数ウェーハ形態で通常用いられる。単一ウェーハ形態
では良好なプロセス制御をすることができるが、システ
ムの処理能力が制限される。処理量制限を緩和する努力
は、一般的に成功しなかった。これらの高温エツチング
プロセスに対して、ウェーハ下面をヘリウム流で冷却す
ること及びプラズマの中へヘリウムを混合することを含
む様々な冷却手段が使用されたにもかかわらず、レジス
ト発砲の好ましくな゛い現象のためにシステム使用が制
限される。多ウェーハ形態ではシステム処理量が比較的
増量されるが、一般的にあまり望ましくないプロセス制
御及び品質制御を受ける。多ウェーハの各々に対する終
点決定を利用できなくてまた正確に決定することができ
ないばかりでなく、様々な電極間隙及びこれに対応して
様々なガスの化学的性質に対する電極位置を正確に設定
し維持するのがしばしば困難である。単一ウェーハ及び
多ウェーハ形態は共に、２つ以上の工程プロセスにより
中間取り扱い工程で望ましくない環境にウェーハをさら
し、これがウェーハ汚染の可能性を実質的に増し更に処
理量を制限するという欠点をさらに受ける。
主凱葛量！ 本発明は、各々が単一ウェーハのプロセス制御を良好に
行うように別々に作動し、システム処理量が複数のプラ
ズマ反応器の数のみによって制限されるように全体とし
て作動し、ウェーハを望ましくない外気にも人間の取り
扱いにもさらすことがないように、単一工程ウェーハ処
理及び多工程ウェーハ処理の双方を提供するように、共
通つニー八移送手段及び整列手段と協働する、複数の単
一ウェーハプラズマ反応器を提供する。
実施例では、複数のプラズマ反応器及びカセットエレベ
ータがＸ、ＴＴ可動ウェーハアーム装置のまわりに対称
的に配列されている。複数のプラズマ反応器、カセット
エレベータ及びＸ、ＴＴ可動ウェーハアームは制御した
真空状態に維持され、中央のＳ、ＴＴ可動ウェーハアー
ムは複数の真空錠の弁のうちの対応した１つの弁を介し
て周縁を包囲するプラズマ反応器及びカセットエレベー
タと半径方向に連通している。Ｒ、ＴＴ可動ウェーハア
ーム装置のアームは、各ウェーハを支持するための有孔
プラットホームと、ウェーハの前面を接触させることな
く支持したウェーハの裏面及び周縁に取外し可能に係合
する協働バンパとを備えている。プラットホームに取り
付けられた複数のウェーハ接触応答センサが、ウェーハ
が適当な設置位置にあるか否かを示す信号を発生するよ
うに作動する。複数のプラズマ反応器の各々は、定置下
部電極と可動上部電極とを備え、これらの電極は協働し
て選定可能な寸法のウェーハカソードアノード間に可変
のウェーハカソードアノード間隙を作る。ある実施例で
は、マイクロメータ調節ストップを備えた支持装置が可
動電極を選択的に位置決めするために設けられ、別の実
施例では、マイクロメータストップと空気圧アクチュエ
ータの組合せが可動電極を選択的に位置決めするために
設けられている。垂直方向に移動できるペデスタルが複
数のプラズマ反応器の各々の定置下部電極の中心に滑動
自在に取り付けられ、各プラズマ反応器はＲＳＴＴ可動
ウェーハアーム装置の有孔プラットホームと協働してウ
ェーハを下部電極の取り付は又は電極から取り外す。反
応ガス注入システム、高周波電力源、終点決定手段は、
複数のプラズマ反応器の各々に作動的に連結されている
。
複数のプラズマ反応器゛は再実施例のおいて作動可能で
同−又は異なるプロセスを実施し、Ｒ、ＴＴ可動ウェー
ハアーム装置と協働して、複数のプラズマ反応器で同時
に同一単一工程処理、複数のプラズマ反応器で同時に異
なる単一工程処理、及び複数のプラズマ反応器で連続す
る複数工程処理のうちの１つを提供する。ＲＸＴＴ可動
ウェーハアーム装置の２つの実施例を開示する。
次の単に例示的な限定的でない実施例の詳細な説明及び
添付図面を参照することによって、本発明の他の特徴及
び利点は明らかになろう。
３４１匹 第１図を参照すると、本発明による多処理用非汚染型プ
ラズマエツチングシステムを示す概念図が参照番号１０
で全体的に示されている。システム１０は、全体的に１
２で示した後述する複数の単一ウェーハプラズマ反応器
と、全体的に１４で示した後述するウェーハ整列ステー
ションとを備え、これらは点線１６によって図示したよ
うな閉鎖領域のまわりに配列されている。全体的に１８
で示した後述する入れ出しモジュールが、複数のプラズ
マ反応器１２及び整列ステーション１４の内部に同軸で
配置され、処理すべきウェーハを一つずつ移送させた後
、整列ステーション　１４と１つ以上のプラズマ反応器
１２との間でこれを処理する。全体的に２０で示した後
述する複数の真空錠２０が、複数のプラズマ反応器１２
と入れ出しモジュール１８との界面及び整列ステーショ
ン１４と入れ出しモジュール１８との界面にそれぞれ設
けられている。プロセッサ　２２が、複数のプラズマ反
応器１２、整列ステーション１４及び入れ出しモジュー
ル１８に作動的に連結され、周知の方法で高周波プラズ
マ誘発基を活性化及び非活性化し、複数のプラズマ反応
器に連結した終点決定手段の信号出力を周知の方法で制
御及び処理し、複数のプラズマ反応器と整列ステーショ
ンとの間のウェーハ移送を始動させ統制的に行う。
後述する反応ガス注入システム２４が複数のプラズマ反
応器１２に作動的に連結され、所定の反応体及び他の処
理用ガスを複数のプラズマ反応器の中へ別々に制御注入
する。真空システム２６が反応器１２、整列ステーショ
ン１４及び入れ出しモジュール１８に作動的に連結され
、作動中装置全体を制御真空状態に維持する。プロセッ
サ２２は、反応ガス注入システム２４及び真空システム
２６に作動的に連結されている。
複数の反応器１２、整列ステーション１４及び同軸の入
れ出しモジュール１８は、比較的小型のプラズマエツチ
ングシステムを提供す・るように利用空間を維持してい
る。入れ出しモジュール１８及び真空錠２０のうち協働
する真空錠は、整列ステーション１４と選定した反応器
１２との間でつ工−ハを単一工程処理モードで別々に移
動させ、また選定した反応器１２の間でウェーハを複数
工程処理モードで移送させるように作動し、操作者のよ
る中間処理を必要とせず、またウェーハ汚染が残留した
り環境的に引き起こることがない。その他の利点の中で
も、本発明のプラズマエツチングシステムは良好な処理
制御及び高い処理量の双方を特徴としているが、従来実
用的な実施例でこの両特徴が相互に共存することはでき
なかった。
第２図を参照すると、本発明による多処理用非汚染型プ
ラズマエツチングシステムを示す一部破断部分平面図が
参照番号３０で全体的に示されている。整列ステーショ
ン１４は、垂直方向に間隔をへだでて積み重ねた複数の
ウェーハ３２を有するカセット（図示せず）を備えてい
るのが好ましい。カセットは、３４で概略的に示した割
出しエレベータ装置によって垂直方向にステップ動作を
するように取り付けられているのが好ましく、割出しエ
レベータ装置はプロセッサ２２（第１図）の制御によっ
て作動し、垂直方向に間隔をへだてたウェーハの間隔に
対応した垂直増分だけカセットをステップ移動させて、
関連したカセットをスロット位置に位置決めする。この
ようにして、カセット内の個々のウェーハは処理のため
に取り出す位置に位置決めされ、処理後対応したスロッ
ト位置に戻す位置に位置決めされることがよ（わかる、
カセット及び割出しエレベータ装置は現在のところ好ま
しいけれども、発明的思想から逸脱することな（他の適
当なウェーハ整列ステーションを使用することができる
ことに注目すべきである。
第２図、第３Ａ図及び第３Ｂ図を参照すると、整列ステ
ーシゴン１４と入れ出しモジュール１８とに介在し、複
数の反応器１２と入れ出しモジュール１８とに介在する
真空錠２（１７）は、全体的に４０で示したハウジング
本体をそれぞれ備えている。ハウジング４０は、対向し
た土壁、底壁及びこれらと直交する側壁４４を有するプ
レート４２を備え、これらの壁は協働して第３Ａ図に最
も良くわかるように全体的に４６で示した全体的に矩形
の中空体を構成している。壁４４の周囲にはプレート４
２から離れた端にフランジ４７が設けられ、ボルト４８
がプレート４２及びフランジ４７の端を貫通して設けら
れ、対応したプラズマ反応器１２と入れ出しモジュール
１８と間の界面及び整列ステーション１４と入れ出しモ
ジュール１８との間の界面にハウジング本体４０を固定
している。０−リング５０がプレート４２及びフランジ
４７のシーリング面に設けられて、気密シールを作って
いる。全体的に５４で示した細長いスロットが、全体的
に矩形の中空体４６と連通したプレート４２を貫通して
設けられている。
全体的の５６で示したチャンバドア装置は、スロット５
４と協働してバルブ作用をする。ドア装置５６は、スロ
ット５４の直径より大きくなるように選定した直径を有
する細長くて全体的に矩形のプレート５８からなる。０
−リングシール部材６０が、プレート５８のシール面に
設けられ、スロット５４を包囲している。プレート５８
はアーム６２に固定され、アーム６２はプレート４２に
間隔をへだてて固定した軸受６６にジャーナル支持した
シャフト６４とともに回転運動するように取り付けられ
ている。チャンバドアのＴＴ駆動アクチュエータ（図示
せず）が、好ましくは点線７０で示すような流体シール
又は回転シールを介してハウジング４０の端を貫通する
シャフト６４に固定されている。
チャンバドア５６は、第３Ａ図で外形を点線で示した開
放状態と第３Ａ図及び第３Ｂ図で外形を実線で示した閉
鎖状態との間でチャンバドアＴＴ駆動アクチュエータに
よってピボット回転される。
その開放状態では、全体的に矩形の中空体４６は細長い
スロット５４と連通状態になり、その結果入れ出しモジ
ュール１８と複数のプラズマ反応器１２と整列ステーシ
ョンとの間を貫通して後述するウェーハアーム装置を容
易に移動させることができる。ドア装置５６の閉鎖状態
では、入れ出しモジュール１８は、プラズマ反応器１２
及び整列ステーション１４から密封される。
第２図及び第４図を参照すると、入れ出しモジュール１
８は、全体的に７８で示した密閉容器を構成する上壁７
２、五角形に構成された側壁７４及び五角形底壁７６を
備えている。全体的に８０で示した後述するＲ、ＴＴ可
動ウェーハアーム装置が、密閉容器７８の中に取り付け
られている。
装置８０はターンテーブル８２を備え、ターンテーブル
８２は底壁７６に設けられた中央孔に固定した全体的に
８６で示す軸受組立体にジャーナル支持されたシャフト
８４とともにＴＴ回転するように取り付けられている。
底壁７６に取り付けたθ駆動モータ８８が、全体的に９
０で示したベルト・歯車装置を介してシャフト８４０作
動的に連結されている。θモータ８８のシャフトの回転
制御により、シャフト８４それに伴ってターンテーブル
８２を選定した角度ＴＴ力方向で回転させ、ウェーハア
ーム装置８０を対応するＴＴＩ、ＴＴ２、ＴＴ３、ＴＴ
４及びＴＴ５座標でプラズマ反応器１２のいずれか１つ
又は整列ステーション１４と整列させる。
シャフト９２がシャフト８４の内部で同軸に取り付けら
れ、軸受及び全体的に９３で示した真空シール装置に接
して回転するようにジャーナル支持されている。流体回
転真空シールのような適当な回転真空シールを使用して
もよい。シャフト９２の一端はターンテーブル８２を貫
通して真空装着された後述するピボット軸受９４に連結
され、シャフト９２の他端は全体的に９８で示したベル
ト・歯車装置を介してＲ駆動モータ９６に作動的に連結
されている。以下さらに詳述するように、Ｒ駆動モータ
９６のシャフトの回転制御により、後述するＲ、ＴＴ可
動ウェーハアーム装置の双方の実施例のウェーハアーム
のＲ方向移動を制御し、関連した真空装を介して複数の
プラズマ反応器１２＆び整列ステーション１４に個々の
ウェーハを取り付は又は取り外す。
第２図、第４図及び第５図を参照すると、つ工−ハアー
ム装置８０は、全体的に１（１１）で示したウェーハを
受けたり出したりするパドル装置を備えている。パドル
装置１（１１）は、全体的に１（１４で示した中央開口
部を有するプラットフォーム１（１２）を備えている。
部材１（１２）は横方向に間隔をへだてた指部１０６ま
で及び、指部１０６はその自由端に一体に形成された直
立指部１０８につ工−ハ周縁を係合させる。バンパ部分
１１２及びこれと一体になった足部分１１４を有する全
体的に１１０で示した取外し可能な当接部は、プラット
フォーム部材１（１２）に対して滑動自在に取り付けら
れている。第８図で最もよくわかるように、コイルばね
１１６が取外し可能な当接部１１０と部材１（１２）と
の間に取り付けられ、部材１（１２）は、バンパ１１２
とフランジ１０８との間で受けたつ工−ハ（図示せず）
の周縁に当接し摩擦係合するようにバンパ部材１１２を
矢印１１８の方向に付勢する。足部分１１４は下方に垂
下した後述するストップ１２０を備え、ストップ１２０
はプラットフォーム部材１（１２）に設けられた細長い
孔に滑動自在に受け入れられ、プラットフォーム部材１
（１２）は後述する直立当接部と協働してアームがその
最大伸張位置に達するとウェーハとの摩擦係合を解く。
パドル装置１（１１）ばプレート１２４の間で全体的に
１２６で示したキャリジに取り付けられ、キャリジ１２
６は回転可能なターンテーブル８２から直立し且つこれ
に固定した端ボスト１３０に固定された線形軸受１２８
に対して滑動自在に取り付けられている。
キャリジ１２６は線形軸受１２８に沿って両方向に移動
制御され、複数のプラズマ反応器１２及び整列ステーシ
ョン１８にウェーハを一つずつ取り付けたり取り外した
りする。部材１３１がキャリジ１２＆の直下に枢着され
、その内部に線形軸受（図示せず）を収容している。シ
ャフト１３２がピボットハウジング１３１の線形軸受を
介して滑動自在に受け入れられている。シャフト１３２
の一端はピボット軸受１３６を介してターンテーブル８
２とともに回転するように取り付けられたスリーブ１３
４に滑動自在に取り付けられ、シャフト１３２の他端は
ニードル軸受装置１３８の固定され、装置１３８は、タ
ーンテーブル８２に固定した取付はカップリング１４２
を介してＲ駆動モータのシャフト９２（第４図）ととも
に回転するように取り付けられたクランクアーム１４０
に枢着されている。
θ駆動モータ８８の回転制御により、ターンテーブル８
２及びこれに伴ってパドル装置１（１１）は第２図にＴ
ＴＩ乃至ＴＴ４で示した複数のプラズマ反応チャンバの
角度位置のうち選定したいずれか１つに対応したＴＴ座
標、及び第２図にＴＴＳで示したウェーハ整列ステーシ
ョン１４の角度位置に対応したＴＴ座標まで回転する。
Ｒ駆動モータ９６の回転制御により、クランク１４０は
矢印１４４で示すように弧状経路をたどる。アーム１３
２は矢印１４６で示すようにピボット軸受１３６に関し
て旋回し、キャリジ２６を軸受１２８に沿って矢印１４
８で示すようにＸ駆動モータの回転方向に対応した方向
に線形移動させる。
アームはクランク１４０によって回転されるときカップ
リング１３６に対して幾分伸長され、回転方向に依存し
て矢印１５０で示すようにスリーブ１３４及びハウジン
グ１３１の内部で滑動する。
クランク１４０がその最大時計廻り位置まで回転すると
、パドル装置１（１１）は第６図に１５２で全体的に示
すように完全に引込んだ位置へ移動する。
アーム１４０の反時計廻り運動により、パドルは第７図
に１５４で示すようにＲ方向に沿って移動する。パドル
装置１（１１）がその完全に延びた位置、すなわちＲ駆
動モータの最大に許容された反時計廻り回転に近接した
位置に近づくと、尾部骨１１０のストップ１２０は直立
端ボスト１３０の直面壁に当接し、その結果パドルのＲ
方向に沿った連続運動によりバンパ１１０がフランジ１
０８から遠ざかりこれによってウェーハ周縁の摩擦係合
が解除される。最大に延びた位置では、次いで選定した
プラズマ反応器１２にウェーハを自由に取り付は又は取
り外すことができ、整列ステーション１４からウェーハ
を自由に取り出したり戻したりすることができる。
好ましくは３つの接点が、第７図に示すようにパドル装
ｇｔｏｏのプラットホーム部材１（１２）に取り付けら
れている。接点は、支持したウェーハの存在に応答して
ウェーハがウェーハ移送アーム上に適当に据えられてい
るか否かを示す３点信号を作る。接点は１、パドル装置
１（１１）にをり付けられた印刷回路板（図示せず）の
形成されているのが好ましい。個々のウェーハのが意図
したように据えられていることの正確な表示ができる限
り、接点は３つ以外でもよいし、他の検出手段を使用し
てもよい。
第９図を参照すると、本発明による多処理用非汚染型プ
ラズマエツチングシステムのプラズマ反応器を示す部分
概念及び部分概略側面図が参照番号１６０で全体的に示
されている。プラズマ反応器１６０の各々は、上部プレ
ート１６２、間隔をへだてた下部プレート１６４及び円
筒形側壁１６６を備え、これらはｂｒＩｉ働して全体的
に１６８で示したプラズマチャンバを構成する。全体的
に１７０で示した第１の電極が下部プレート１６４に固
定されている。点線１７２で概略的に示したペデスタル
が、下部電極１７０の中央に滑動自在に取り付けられ、
点＊１７４で外形を概略的に示した空気圧シリンダのシ
ャフトとともに垂直運動する。以下更に十分説明するよ
うに、ペデスタル１７２はパドルアーム装置と協働し、
プラズマチャンバからウェーハを一つずつ取り出したり
供給したりすることができる。ペデスタル空気圧シリン
ダ１７４は、空気入力ポート１７６及び空気出力ポート
１７８を介して作動的に連結された制御空気供給源（図
示せず）によって駆動される。点線外形１８０で示すよ
うに、冷却流体源（図示せず）が、入力ポート１８２及
び出カポ−）１８４を゛介し下部電極１７０の内部を通
して内部流体流路（図示せず）に連結され、プラズマエ
ツチング中に下部電極に生じる熱を除去する。全体的に
１８６で示した上部電極が、全体的に１８８で示した支
持シャフトに固定され、支持シャフト１８８は、上部プ
レート１６２とその上に隣接したシャフト支持プレート
１８７との間で固定したステンレス鋼製真空ベロー１９
０によって真空気密シーリング係合している上部プレー
ト１６２を貫通して滑動自在に受け入れられている。上
部電極１８６は、点線外形１８９で概略的に示した冷却
／過熱用内部流体流路を備え、この流路はシャフト１８
８内に配置した流体流れ導管を介し、更にプレート装置
１８７に設けられた入口ポート１９４及び出口ポート１
９６を介して供給源（図示せず）に接続されている。ラ
ム２（１２）を有する全体的に２（１１）で示した空気
圧アクチュエータが、支持プレート装置１８７に取り付
けられている。
ラム２（１２）がその延びた位置（図示せず）にあると
、プレート１８７は上方へ移動し、これに伴ってシャフ
ト１８８及び電極１８６は定置下部電極１７０から上方
へ遠ざかる方向に移動する。
図示のようにラムが下がっていると、プレート装置１８
７の固定されたマイクロメータ調節ポスト２（１４が上
部プレート１６２にもたれ掛かり、これによって下部電
極１７０と意図したような間隔をへだてた関係に上部電
極１８６を支持する。マイクロメータ調節ポストの長さ
を選択的に変えることによって、電極間の間隙を調節す
ることができる。実施例では、２／１６インチ乃至２イ
ンチの間隙調節ができる。
シャフト１８８は全体的に２０６で示した中空内部を有
し、シャフト２０６の中空部分を横断してレーザ窓２０
８が取り付けられている。外部レーザ光線（図示せず）
が窓及び中空シャフトを通過して、プラズマエツチング
状態の終点決定をする。本発明思想を逸脱することなく
、横方向光学検出器のような他の終点決定手段を使用す
ることもできる。反応ガス注入ポート２１０が、そのた
めに設けられた内部シャフト導管（図示せず）を介して
上部電極１８６内に点線外形２１１で示した冷却液体シ
ャワーへラドガスマニホールドに連結されている。反応
ガスはプラズマ反応器の中へ制御放出され、プラズマ反
応チャンバに高周波電力が加えられる。別の実施例では
、電極間の間隙を各特定のプラズマプロセスに対して予
め選定することができ、空気圧アクチュエータ２（１１
）に代えてマイクロメータを追加して使用するのが有利
である。
第１０図を参照すると、目下のところ好ましいガス注入
及び制御真空システムを示す概略図が、全体的に２１２
で示されている。独立してバルブ調節されたガス源が、
複数のガスマニホールドのうち対応したマニホールドを
介してプラズマ容器のうち個々の容器にそれぞれ連結さ
れている。２列のガス源は全体的に２１４．２１６で示
され、２つのマニホールド２１８．２２０が特に示され
ている。真空システム２２２が、複数のプラズマ反応チ
ャンバ、整列ステーション２２４人れ出しステーション
２２６に共通に作動的に連結されている。真空システム
はシステム全体の真空状態を制御しその結果単−又は多
処理ウェーハ移送の間真空錠が別々に閉じたり開いたり
するので、つ工−ハは汚染を受けることがない。４つの
プラズマ反応器が開示されているが、本発明思想を逸脱
することなく５つ以上又は３つ以下のプラズマ反応器を
使用することができる。
第１１Ａ図を参照すると、本発明によるＸ１７Ｔウエー
ハアーム装置の別の実施例の透視図が全体的に２３０で
示されている。装置２３０は、第１１Ｂ図で最もよくわ
かるようにＴＴ駆動モー夕のシャフトとともに回転する
ように取り付けられたブーＩＪ　２３２を備えている。
プーリ２３２は溝付きリム２３４を備え、そのまわりに
ケーブル２３６が巻回されている。ケーブルは溝付きリ
ム２３４の接線方向に反対方向に引かれ、プーリ２３８
．２４０のそれぞれ巻回され、第１１Ｂ図で２４４で最
もよくわかるようにスライド２４２に結ばれている。プ
ーリ２３２の角度回転によりスライド２４２は線形軸受
２４６に沿って線形移動する。全体的に２４８で示した
ウェーハアームがスライド２４２に対して移動できるよ
うに取り付けられ、その結果アーム２４８はプーリ２３
２の角度位置に依存して制御的に延びたり引っ込んだり
する。ケーブル２３６を一定張力に保つために、第１２
図に２５０で全体的に示した弾性付勢要素に抗してケー
ブルの両端はスライド２４２内まで及んでいるのが好ま
しい。掛けられたケーブル２３６は、その状態を維持す
るための弾性カンプリング２５０によって逆方向に引っ
張られている。
プラズマチャンバ取付はサイクルの間、θ駆動モータが
Ｒ、ＴＴウウニハアーム装置のターンテーブルをＲ、Ｔ
Ｔ可動ウェーハアーム装置のいずれかの実施例の整列ス
テーションのＴＴ座標まで回転させる。関連した界面の
真空錠は解放されアームはアドレスされたカセットスロ
ット位置にあるウェーハの下へ延びる。アームは次いで
入れ出しモジュールの中へ引っ込められ真空錠は元に戻
る。ＲＳＴＴウェーハアーム装置は次いで、選定したプ
ラズマ反応器のＴＴ座標まで回転する。関連したチャン
バドアは次いでその開放位置へ回転し、選定した反応チ
ャンバに対する接近路を作り、上部電極が上げられる。
ウェーハを受けるアームが次いで関連したスロット弁開
口部を通して選定した反応チャンバの中へＲ方向に延び
る。最大半径方向移動の限界に達すると、ウェーハアー
ムの垂下ストップフランジは連続した半径方向運動によ
りターンテーブルの直立端ポストに当接し、バンパが後
退しこれによってウェーハを周縁摩擦係合から解放する
。下部電極の中央ペデスタルは次いで、その空気圧アク
チュエータによって制御上昇され、アーム上に支持した
ウェーハがウェーハ支持プラットホームから上方へ移動
する。その後、ウェーハアームは開いたスロット弁を通
してプラズマチャンバから後退して入れ出しステーショ
ンの中へ戻る。ペデスタルは次いで制御下降される。
これとともにウェーハも下がり、ついにはペデスタルが
その引っ込んだ位置まで達しウェーハが下部電極の表面
上で支持される０次いで関連したチャンバドアが閉じら
れ、上部電極は、特定のプラズマプロセスの作動を確実
にする予め選定した正確な間隙まで下げられる。意図し
た反応体が次いで上部電極のガスマニホールドを介して
注入され、高周波電力が加えられる。その後、適当な終
点まで達したことをレーザが信号表示するまで、各単一
ウェーハのプラズマエツチングが続けられる。
その後、ＲＦ電力がスイッチオフされ真空錠が開けられ
、上述のプロセスが反対の順序で繰り返され、ウェーハ
をプラズマチャンバから取り出し入れ出しステーション
に戻す。ウェーハは次いで複数工程処理モードでは次の
プロセスのために別のプラズマ反応器の中へ移動し、又
は単一工程処理□モードではカセット内ヘウェーハを戻
す。
入れ出しモジュール、整列ステーション及び複数の反応
器は、３つの基本モード、すなわち各プラズマ反応器が
同時に同一のプラズマ反応を実行する場合、各プラズマ
反応器が同時に２つ以上の異なるプラズマプロセスを行
う場合、プラズマ反応器を別々に操作しウェーハが整列
ステーション比肩るまでに単一ウェーハの多工程処理を
する場合のモードで操作することができる。各ケースに
おいて、ウェーハは制御真空環境下で移動及び処理され
、その結果外気にさらされること及び取り扱いにより引
き起こされる汚染が、完全に解消される。
第１３図乃至第１７図は、単一工程プロセスで形成する
ことのできるミクロ構造を例示的に示す走査型電子顕微
鏡写真であり、第１８図は、二重工程エツチングプロセ
スで製造することのできるミクロ構造を例示的に示す走
査型電子顕微鏡写真である。第１３図は、フォトレジス
ト２６２が堆積した、ウェーハの二酸化珪素層２６４の
表面上のポリシリコンを全体的に２６０で示している。
例として、低抵抗（１２乃至３０オーム）ドープしたポ
リシリコン、１（１１）ミリトールの圧力及び３（１１
）ワツトの電力に維持されたプラズマ反応器に標準状態
において２０ｃａ！のＣＣｔい及び標準状態において３
０ｃｒＪのｌｌｅを加える。エツチングは、約９０秒続
く。第１４図には、比較的高抵抗率（ｌ　ｃａｌ当たり
３０乃至２（１１）オーム）を有し傾斜外形マスクを有
するドープしたポリシリコン２６５が示されている。図
示のミクロ構造では、１５０ミリトールの圧力で１（１
１）ワツトの電力のプラズマ反応器の中へ、標準状態に
おいて５０ｃｄのＳＦ、及び標準状態において５０ｃｄ
のフレオン１１５　（ＣｚＣｒＦｓ）が制御注入される
。約２分３０秒後、図示のドープしたミクロ構造が製造
される。
第１５図を参照すると、トレンチエツチングを例示的に
示す走査型電子顕微鏡写真が全体的に２６６で示されて
いる。１（１１）ミリトールのチャンバ圧力及び７５０
ワツトの電力のプラズマ反応器の中へ、標準状態におい
て５−のＢＣｈ及び標準状態において２５ｃＪのＣ１□
を約２０分間注入することによって、フォトレジストが
除去され全体的に２６８で示したトレンチが珪素２７２
に形成される。
第１６図を参照すると、耐火性珪化物、タリウムシリコ
ンポリマが全体的に２７４で示されている。二酸化珪素
面２７６にはポリシリコン層２７８が堆積され、ポリシ
リコン層２７８にはタリウムシリコン高分子体２８０が
堆積され、タリウムシリコンポリマ２８０にはフォトレ
ジストがある。８０ミリトールのチャンバ圧力及び３（
１１）ワツトの高周波電力に維持したプラズマ反応器の
中へ、標準状態において２０ｃｄのＣＣ１い及び標準状
態において３０ｃＪのＨｅを約３分３０秒間注入するこ
とによって、ミクロ構造が製造される。
第１７図を参照すると、本発明の多処理用非汚染型プラ
ズマ反応器によって製造することのできる単一工程構造
を例示するもう１つのミクロ構造が全体的に２８２で示
されている。図示のように、フォトレジスト２８４がア
ルミニウム珪素層２８６の上に堆積され、この層２８６
はＴｉ一層２８８を介してウェーハ表面に堆積されてい
る。
１２５ミリトールのチャンバ圧力及び３（１１）ワツト
の高周波電力に維持されたプラズマ反応器の中へ標準状
態において５０ａａのＢＣｌ３及び標準状態において１
５ｃ４の０１□を約２分３０秒乃至３分３０秒間注入す
ることによって、図示の構造は製造された。第１８図を
参照すると、２工程プロセスを例示的に示した二酸化珪
素高分子体／二酸化珪素高分子体サンドインチ構造が全
体的に２９０で示されている。７（１１）ミリトールの
圧力及び６（１１）ワツトの高周波電力に維持した第１
のチャンバ内で標準状態において１（１１）ｃ＋ａのＣ
ｚＦ６でエツチングした後、ポリ１で示した多層及び酸
化物で示した酸化層が形成される。その後、上部ポリ２
層及び酸化物とその上に堆積したフォトレジスト層は、
１（１１）ミリトールのチャンバ圧力及び６（１１）ワ
ツトの高周波電力に維持した第２のプラズマ反応器内で
標準状態において２Ｑｃ＋ｄのＣＣｌ４、及び標準状態
において３０ｃｄのＨｅを使用する別の工程によって形
成される。
第１９図乃至第２４図には、ウェーハ処理量のプロセッ
サ制御が示されている。特に、第１９図はシステム操作
全体の状態図を示している。状態３（１１）では、シス
テムをスイッチオン状態から必要なウオーミングアンプ
を介して手順を起動させるシステム起動手順が完遂され
る。システム起動が完了すると、次の状態３（１２）へ
の移行が起こる。
カセットがカセット整列ステーションの中へ置かれすべ
てのドアインターロックスイッチが作動されると、状態
３（１２）が続く。これらの条件が満足され操作者がス
タートボタンによってシステム操作を起動すると、他の
システムの信号妨害又は待機指令が起きることなく、ま
たユーザが決定可能状Ｎ３（１２）から二者択一的に入
った診断状態３０６を活性化させていなければ、決定可
能状態３（１２）から機械起動状態３（１４への移行が
起こる。
ユーザによって診断状態に入った場合、システムについ
て一連の診断を行う。さもなければ、機械起動状Ｂ５（
１４は、システムスイッチオン工程、ガス清浄工程又は
時間及び／電力を考慮すれば通常はシステム起動状態３
（１１）に入らないその他の起動工程からなる一連の最
終工程を完遂する。
処理工程を効率的に中止して決定可能状態３（１２）へ
戻すスタンバイボタンを介して、操作者の指令により機
械起動状Ｂ３（１４からスタンバイ状態３０６に入るの
がよい。さもなければ、一旦起動機能が完了された後、
シス　ムは機械起動状［３（１４からカセット真空引き
状Ｂ５１０へ移行し、カセット真空引き状態３１０では
ウェーハ整列ステーション１４から真空が引かれ該ステ
ーションを移行アーム及び複数のエツチング容器からな
る環境に置（。ウェーハ整列ステーション１４の真空引
きの後、状ｆ！！３１０処理は通常状態３１２へ移行し
、状態３１２では整列ステーション１４のウェーハ及び
カセットは後の図面に示すように順番に処理される。あ
るいは、決定可能状態３（１２）において操作者が清浄
ウェーハ指令を作動させると、処理はウェーハ清浄状８
３１４に移行し、状Ｂ５１４ではカセット処理に代えて
ウェーハがシステムから一掃される。各状態３０６．３
０８及び３１４の場合には、それらの状態の機能終了後
、処理が決定可能状ａ３（１２）へ戻る。
カセット処理状態３１２に入ると、システム内に入った
以下に説明するウェーハコマンドリストに従って、シス
テムはカセット内の各ウェーハを処理する。そのサイク
ルが終了すると、処理は状ａ３ｔ　６へ進み、状ｆｆｕ
３１６ばウェーハ整列ステーション１４を通気させ、シ
ステムが状１１１ｊｑ３（１１）へ移行する時点である
カセットの取り外しまで待機する。
万一、通常のシステム操作中にエラーが起こると、プロ
セッサエラー検出によって決定されるように、処理が第
１９図の各状態からシステム起動状態へ戻り、スイッチ
オン起動機能を再び発揮する。
第２０図の流れ図に示す柔軟プロセッサ制御の後、カセ
ットプロセス状態３１２内の操作が続り。
図示のように、スロットと名付けた状態３２０とウェー
ハと名付けた状Ｂ５２２とウェーハコマンドと名付けた
状態３２４と機械モニタと名付けた状Ｈ３２６との間で
処理が進行する。未処理ウェーハのカセットとともに状
態３１２に入り、始動し状Ｂ５２０で終了するとき、第
２０図の処理は起動される。状態３２０はウェーハ始動
コンマントを起動し、未処理ウェーハを収容する各スロ
ットが例えば逆優先計画又はプログラムされている他の
優先計画を使用する。選定したスロット及び対応したウ
ェーハに対して、処理は状態３２０からウェーハ状態３
２２へ進行する。状態３２２から、各ウェーハに対する
処理コマンド又は仕様は次の状態３２４のウェーハコマ
ンドでアクセスされる。各ウェーハの所望の処理、例え
ば指定のガス雰囲気で指定の期間及び深さで１つ又は２
つ以上のエツチングに対応して、ウェーハコマンドがシ
ステム内にプログラムされる。状ａ３２４のコマンドが
順番に実行され、各コマンドは状態３２６の機械モニタ
で起こる一連の機械制御操作を開始する。
各ウェーハコマンドの終了時に、例えば以下に説明する
ようにウェーハに対する単一エツチングサイクルを例に
とれば、処理はウェーハコマンド状態３２４に戻りもう
１つのウェーハコマンドを実行する。特定のウェーハに
ついてすべてのつニーハコマントが実行された後、処理
は状Ｂ５２２に戻り状態３２２から状態３２０に移行し
、それによってウェーハ及びカセットスロットを順番に
並べる。
機械制御状態３２６内の処理は、第２１図、第２２図及
び第２３図のウェーハ移送手法及び第２４図の内部チャ
ンバ処理手法に従う。続行すべきシステム指令を受ける
ために処理が停止する場合、プロセッサ状態評価により
次の工程に進むのにユニットにとって必要な存在条件を
調べる。
多チャンバ処理を特定するウェーハコマンドに従って、
ウェーハを１つのチャンバから他のチャンバへ移送させ
る処理が、第２１図に特に示されている。図示のように
、処理は起動状態３３０において始動する。次の状態３
３２は、移送アームウェーハ支持テーブルを１つのチャ
ンバから他方（Ｄ所望のチャンバへ差し向け、そこで移
送すべきウェーハを位置決めする。その位置決めが完了
すると、次の状態３３４及びバルブアーム機構を作動さ
せ状態３３６に移行させる。状態３３６において、シス
テムは移送アームウェーハ支持テーブルを終着チャンバ
へ再び位置決めし状態３３８へ移行する。状態３３８は
制御信号を受けて適用可能なチャンバに係るアーム機構
及びバルブ機構を作動させてウェーハを状態３４０に移
行中の特定のチャンバ内に置く。状Ｂ５４０に達すると
、つ工−ハを再び位置決めする機能が終了し処理は状態
３２４にある次のウェーハコマンドに戻る。
第２２図は、ウェーハがチャンバ、すなわちエツチング
容器からカセットのスロットへ移送する処理を示してい
る。起動状Ｂ５５０から、カセットへ戻すべきウェーハ
を有する所望のチャンバに対する移送アームウェーハ支
持テーブルの方向を待つばかりの状態にある状Ｂ５５２
へ、処理は移行する。適当な位置決めが完了すると、状
態３５２から状Ｂ５５４への移行により、ウェーハをチ
ャンバから取り外すように指令されることを求める要求
がコマンドリストに送られる。状態３５４でその指令を
受けると、状態３５６への移行が機械指令を実行して弁
を開は移送アームを移動させてチャンバ内のウェーハを
持ち上げチャンバから引き出し、更にウェーハコマンド
リストからカセットへ移送させる指令を要求する。これ
らの指令を実行し且つウェーハを位置決めしてアームが
カセットに適用したとき、システムは状態３５８へ移行
し、ウェーハをカセット内の識別されたスロット内へ置
く指令をウェーハ処理リストに対して要求する。その情
報を受けると、処理済み状態３６０への移行により、ウ
ェーハをカセットスロット内へ挿入し処理を第２０図の
手法へ戻す。
第２３図は、ウェーハコマンドリストの指令に従って、
カセットから指定されたチャンバヘウエーハを移送する
ための手法を示している。処理は起動状Ｂ５７０から状
態３７２へ移行し、状態３７２ではアームをカセットに
対して位置決めしこのようなアーム操作を実行すべき指
令を求める要求がコマンドリストに送られる。アームを
状態３７２で適当に位置決めすると、システムは状態３
７４へ移行し、状態３７４ではウェーハをカセットから
引き出す指令を求める要求が送られる。
状態３７４は２つの可能な結果を有し、分岐線３７６に
よって表示された第１の結果では、移送アームによって
ウェーハを取り戻すようにシステムが指令されているス
ロット内にウェーハが無い。
この場合、第２３図の手法が中止状態であるにもかかわ
らずできるだけ進行したことを示す処理済み状態３７８
へシステムは移行する。状態３７４のもう１つの可能な
結果では、ウェーハが存在してシステムは状態３７４か
ら状Ｇ３８０へ移行し、状ａ３ｓｏではウェーハ処理リ
ストから指令を受けて移送アーム支持テーブルを終着チ
ャンバに位置決めする。状態３８０でその終着チャンバ
に達するとシステムが状ａ３８２に移行し、状態３８２
ではシステムがコマンドリストからの指令を要求して受
け取り　（もしチャンバの準備ができていれば）そのウ
ェーハをチャンバ内へ挿入する。
状態３８２から終了状態３７８への移行中、アーム及び
チャンバ弁の機構は、ウェーハをチャンバ内に設置する
ために作動する。
第２４図は、システムが整列ステーションのカセットか
らウェーハを配置したチャンバ内でウェーハエツチング
を遂行するためのシステムの処理を示している。
第２４図の処理は、状態３９０を起動するコマンドリス
トから得た始動コマンドによって起動される。もし始動
コマンドが正しくないサインを有するように決定されて
いれば、状態３９０はエラー認識状態３９２を介して始
動コマンド待機工程３９４へ移行する。さもなければ、
処理は状態３９０から状ａ３９２へ進み、状態３９２で
はチャンバの弁が密封され電極間隔がエツチング状態に
設定される。次の工程３９４が、適当なゲートの閉鎖及
び電極位置を示すマイクロスインチからの確認信号を待
つ。続いて、状態３９６が所望の処理のためにウェーハ
コマンドリストから選定したガス流れを開始し、時間及
び他の要因に基づいて起こるべき定常ガス状態を待つ。
続いて、状態３９８へに移行により、ガス内でプラズマ
エツチングするのに使用される電極間で高周波プラズマ
の発生を起こさせ、処理終了を示すパラメータが得られ
るまでガス蒸気エツチングによるウェーハ処理は続けら
れる。このようなパラメータは、時間、検出したエツチ
ング深さ又はその他の要因の関数であるのがよい。ウェ
ーハ処理が終了したと表示されると、状態３９８から状
態４（１１）への移行により、高周波プラズマを非活性
化させ、状態４（１１）でチャンバ内のガス環境は取り
除かれ、その結果次の状［４（１２）でウェーハの取外
しのために電極は再び間隔をへたてられ、反応ガスが移
送アームの環境内へ洩れる恐れもなくゲート即ちチャン
バドアがその環境に開口する。
状態４（１２）は状Ｌｉ４（１４へ移行し、状ａ４（１
４ではマイクロスイッチの作動によって適当な電、極間
隔及び開口についての確認を待って状態３９４へ移行し
、状態３９４ではシステム処理は第２０図の柔軟プロセ
ス制御に戻る。
特許請求の範囲を逸脱することなくここに開示した発明
について多くの修正を加えることは、当業者にとって明
らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエツ
チングシステムを示す概念図であり、第２図は、本発明
による多処理用非汚染型プラズマエツチングシステムの
一部破断部分平面図であり、 第３Ａ図及び第３Ｂ図は、本発明による多処理用非汚染
型プラズマエツチングシステムの対応するプラズマ反応
器とＲ、ＴＴ可動アーム装置とに介在する真空錠を示す
部分側面概略図及び端面図であり、 第４図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエツ
チングシステムのＲＸＴＴ可動ウェーハアーム装置の操
作を説明するのに有用な部分概念部分断面図であり、 第°５図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエ
ツチングシステムのＲ、ＴＴ可動ウェーハアーム装置の
第１の実施例の透視図であり、第６図及び第７図は、本
発明による多処理用非汚染型プラズマエツチングシステ
ムのＲ、ＴＴ可動ウェーハアーム装置の異なる移動位置
を示すＲ、ＴＴ可動ウェーハアーム装置の第１の実施例
の平面図であり、 第８図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエツ
チングシステムのＲ、ＴＴ可動ウェーハアーム装置の第
１の実施例の一部を示す一部破断部分透視図であり、 第９図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエツ
チングシステムのプラズマ反応器を示す一部概念部分概
略側面図であり、 第１０図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエ
ツチングシステムの複数の反応体注入システム及び制御
真空システムを示す概略図であり、第１１Ａ図及び第１
１Ｂ図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエツ
チングシステムのＲ１ＴＴ可動アーム装置の第２の実施
例を示す透視図及び断面図であり、 第１２図は、本発明による多処理用非汚染型プラズマエ
ツチングシステムのＲ、ＴＴ可動ウェーハアーム装置の
第２の実施例の一部を示す一部破断部分透視図であり、 第１３図乃至第１８図は、本発明による多処理用非汚染
型プラズマエツチングシステムによって得ることのでき
るミクロ構造を例示的に示す走査型電子顕微鏡写真図で
あり、 第１９図は、システム起動状態とカセット挿入及び引出
し状態とを説明するシステムレベル状態概要図であり、 第２０図は、ウェーハのシステム処理及び個々のウェー
ハの処理指令と関連した状態を識別する状態概略図であ
り、 第２１図は、１つのプラズマエツチング容器即ちチャン
バからもう１つのチャンバヘウエーハを順番に並べる際
に状態を識別する状態概略図であり、 第２２図は、容器即ちチャンバからそのカセットスロッ
トへのウェーハの移動を識別する状態概略図であり、 第２３図は、カセットスロットから容器即ちチャンバへ
のウェーハの移動を識別する状態概略図であり、 第２４図は、個々のプラズマエツチング容器即ちチャン
バ内でのウェーハ処理を識別する状態概略図である。 Ｉｌｌ　ノ ＦＩＧ、Ｉθ ＦＩｏ、２ ＦＩＧ、５ ＦＩＧ、９ ＦＩＧ、ｌ８ ＦＩＧ、２θ

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）各々が所定の空間領域のまわりに配列された入口
    構成ポート及び出口構成ポートをそれぞれ有し、そのポ
    ートから間隔をへだてた単一位置から上記ポートに接近
    可能である、複数の単一ウェーハプラズマエッチング容
    器と、 上記単一位置から接近可能なウェーハ接近用ポートを構
    成する同じ所定の空間領域に沿った複数の容器と間隔を
    へだてたウェーハ整列ステーションと、 上記複数の単一ウェーハプラズマエッチング容器の入口
    ポート及び出口ポートのうち対応するポート及び上記ウ
    ェーハ整列ステーションのウェーハ接近用ポートに別々
    に連結された複数の弁手段と、 上記整列ステーションのウェーハ接近用ポートと上記単
    一ウェーハプラズマエッチング容器のうち選定した容器
    との間でその入口ポート及び出口ポートのうち関連した
    ポートを介してウェーハを相互に移動させるために、上
    記単一位置に配置され、上記複数の弁手段のうち対応す
    る手段と協働する単一ウェーハ移送手段と、１つ又は２
    つ以上のエッチング容器内の整列ステーションのウェー
    ハの単一処理又は多処理を選択的に行うために、上記容
    器、上記移送手段及び上記弁手段を制御するためのプロ
    セッサ手段と、 を備えていることを特徴とする、多処理用非汚染型プラ
    ズマエッチングシステム。
  2. （２）上記所定の空間領域は閉鎖領域であり、上記単一
    位置は上記閉鎖領域の幾何学的中心と一致することを特
    徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載のシステム。
  3. （３）上記ウェーハ整列ステーションは、カセットと、
    上記カセットを垂直方向に移動させるための割出しエレ
    ベータ機構とを備えていることを特徴とする特許請求の
    範囲第（１）項に記載のシステム。
  4. （４）上記複数のプラズマエッチング容器の各々は、プ
    ラズマチャンバを構成する壁を備えていることを特徴と
    する特許請求の範囲第（１）項に記載のシステム。
  5. （５）上記複数のプラズマエッチング容器の各々は、第
    １の電極、第２の電極及び上記第１及び第２の電極を相
    対電極に取り付ける手段を備えていることを特徴とする
    特許請求の範囲第（４）項に記載のシステム。
  6. （６）上記複数のプラズマエッチング容器の各々は、上
    記電極のうちの一方の中へ嵌め込まれたペデスタルと、
    上記一方の電極に対して垂直運動するように上記ペデス
    タルを取り付けるための手段を備えていることを特徴と
    する特許請求の範囲第（５）項に記載のシステム。
  7. （７）上記複数のプラズマエッチング容器の各々は、上
    記第１の電極及び第２の電極を冷却し過熱するための手
    段を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第（５
    ）項に記載のシステム。
  8. （８）上記ウェーハ移送手段は、ウェーハ受けアームと
    、ウェーハの前面に接しないように周縁に接することに
    よって単一ウェーハを取り上げるために上記アームに取
    り付けられた手段とを備えていることを特徴とする特許
    請求の範囲第（１）項に記載のシステム。
  9. （９）上記ウェーハ移送手段は、ウェーハの前面に接し
    ないように周縁に接することによって上記アームに配置
    された単一ウェーハを取り上げるための手段を有するＲ
    、ＴＴ可動ウェーハ受けアームからなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第（２）項に記載のシステム。
  10. （１０）上記Ｒ、ＴＴ可動ウェーハ受けアーム装置は、
    ベース部材プラットホームと、該ベース部材プラットホ
    ームを軸線を中心としてＴＴ方向に回転させるための手
    段と、パドルと、該パドルを上記ベース部材プラットホ
    ームに対してＲ方向に滑動できるように取り付けるため
    の手段とを備えていることを特徴とする特許請求の範囲
    第（９）項に記載のシステム。
  11. （１１）上記パドルは、ウェーハを支持する第１の部分
    と、ウェーハの縁に係合する第２の部分と、上記第１の
    部分に対してＲ方向に滑動できるように上記第２の部分
    を取り付けるための手段とを備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第（１０）項に記載のシステム。
  12. （１２）上記パドルの第１の部分はその縁に直立当接部
    を有し、ウェーハの縁に係合する第２の部分は上記第１
    の部分の直立当接部と協働するバンパを有するスライド
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１１）項
    に記載のシステム。
  13. （１３）上記パドルは上記バンパを当接部の方へ弾性的
    に付勢するための手段を備えていることを特徴とする特
    許請求の範囲第（１２）項に記載のシステム。
  14. （１４）ウェーハがプラットホーム上の設置されている
    か否かを検出するための手段を備えていることを特徴と
    する特許請求の範囲第（１２）項に記載のシステム。
  15. （１５）上記検出手段は、上記プラットホームに取り付
    けられた接触応答スイッチを備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第（１４）項に記載のシステム。
  16. （１６）上記複数のプラズマエッチング容器の各々は、
    低周波プラズマ放電発生源を備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第（１）項に記載のシステム。
  17. （１７）上記複数のプラズマエッチング容器の各々は、
    高周波プラズマ放電発生源を備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第（１）項に記載のシステム。
  18. （１８）上記複数のプラズマエッチング容器の各々は、
    マイクロ波プラズマ放電発生源を備えていることを特徴
    とする特許請求の範囲第（１）項に記載のシステム。
  19. （１９）上記低周波プラズマは、約４乃至４５０キロヘ
    ルツの周波数で発生することを特徴とする特許請求の範
    囲第（１６）項に記載のシステム。
  20. （２０）上記低周波プラズマは、約１乃至５０メガヘル
    ツの周波数で発生することを特徴とする特許請求の範囲
    第（１７）項に記載のシステム。
  21. （２１）上記マイクロ波プラズマは、約１乃至４メガヘ
    ルツの周波数で発生することを特徴とする特許請求の範
    囲第（１８）項に記載のシステム。
  22. （２２）上記電極は、ダイオード形態であることを特徴
    とする特許請求の範囲第（５）項に記載のシステム。
  23. （２３）上記電極は、三極管形態であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第（５）項に記載のシステム。
  24. （２４）上記電極を磁気的に強化するための手段をを備
    えていることを特徴とする特許請求の範囲第（５）項に
    記載のシステム。
  25. （２５）複数のウェーハエッチングチャンバと関連した
    カセット内に収容した複数の半導体ウェーハの半導体ウ
    ェーハエッチング処理をするためのシステムにおいて、 ウェーハ収容カセットの個々のスロット内に複数のウェ
    ーハを収容するようになった少なくとも１つのウェーハ
    カセット整列ステーションと、 複数のウェーハエッチング容器と、 第１の状態で各容器内の環境を密封収容し活第２の状態
    で容器内部に接近するように、上記ウェーハエッチング
    容器に対するゲート入口を作るための手段と、 上記第２の状態のゲート入口を介して上記整列ステーシ
    ョンのカセットの選定したスロットと選定したプラズマ
    エッチング容器の内部との間にウェーハを移送するため
    の手段と、上記整列ステーションのカセット内の関連し
    たスロット位置と各ウェーハと関連したプラズマ処理コ
    マンドによるプラズマエッチング容器との間でウェーハ
    を整列させるためのプロセッサ手段と を有する、配列したウェーハステーションを備えている
    ことを特徴とするシステム。
JP62268021A 1986-10-24 1987-10-23 四重処理用プロセッサ Pending JPS63133532A (ja)

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