JPH0828334B2 - 半導体装置の製造装置及びその使用方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置及びその使用方法Info
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- JPH0828334B2 JPH0828334B2 JP4320504A JP32050492A JPH0828334B2 JP H0828334 B2 JPH0828334 B2 JP H0828334B2 JP 4320504 A JP4320504 A JP 4320504A JP 32050492 A JP32050492 A JP 32050492A JP H0828334 B2 JPH0828334 B2 JP H0828334B2
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
【０００１】（目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術 ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 （１）ＣＶＤ装置の構成（図２〜図４） （２）ガス放出器のクリーニング方法（図１，図５） （３）膜形成方法（図６） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置及びそ
の使用方法に関し、より詳しくは、ＣＶＤ法によりウエ
ハ上に膜形成を行うための半導体製造装置及びその使用
方法に関する。
の使用方法に関し、より詳しくは、ＣＶＤ法によりウエ
ハ上に膜形成を行うための半導体製造装置及びその使用
方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来、ＣＶＤ装置においては、反応ガス
の化学的反応を利用してウエハ上に膜形成を行っている
ので、ガス分散具のガス放出面には副生成物として不要
なパーティクルが付着し、更にこのパーティクルが剥離
してウエハ上に再付着し、ウエハ汚染の原因となる。従
って、所定のサイクルでＣＶＤ装置のガス分散具のガス
放出面を清浄にすることが必要である。
の化学的反応を利用してウエハ上に膜形成を行っている
ので、ガス分散具のガス放出面には副生成物として不要
なパーティクルが付着し、更にこのパーティクルが剥離
してウエハ上に再付着し、ウエハ汚染の原因となる。従
って、所定のサイクルでＣＶＤ装置のガス分散具のガス
放出面を清浄にすることが必要である。
【０００４】プラズマＣＶＤ装置では、副生成物のパー
ティクルがガス分散具のガス放出面等に付着しても、チ
ャンバ内が減圧できるので、膜形成の後、チャンバ内に
エッチングガスを導入してガス放出面のパーティクルを
簡単に除去することができる。このような方法はin-sit
u クリーニングと呼ばれて実用化されている。
ティクルがガス分散具のガス放出面等に付着しても、チ
ャンバ内が減圧できるので、膜形成の後、チャンバ内に
エッチングガスを導入してガス放出面のパーティクルを
簡単に除去することができる。このような方法はin-sit
u クリーニングと呼ばれて実用化されている。
【０００５】一方、常圧ＣＶＤ装置では、ガス分散具か
ら放出される反応ガス、例えばSiH4-O2 混合ガスやTEOS
-O3 混合ガスの反応生成物がガス放出面にパウダー上の
パーティクルとなって付着する。しかしながら、常圧Ｃ
ＶＤ装置では、通常チャンバ内部を減圧するようになっ
ていないので、プラズマＣＶＤ装置のようにin-situク
リーニングを行うことは不可能である。このため、一旦
ＣＶＤ装置の稼働を停止してガス放出面のパーティクル
を掃除機等で物理的に除去するか、フッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）等に薬品では化学的に除去している。
ら放出される反応ガス、例えばSiH4-O2 混合ガスやTEOS
-O3 混合ガスの反応生成物がガス放出面にパウダー上の
パーティクルとなって付着する。しかしながら、常圧Ｃ
ＶＤ装置では、通常チャンバ内部を減圧するようになっ
ていないので、プラズマＣＶＤ装置のようにin-situク
リーニングを行うことは不可能である。このため、一旦
ＣＶＤ装置の稼働を停止してガス放出面のパーティクル
を掃除機等で物理的に除去するか、フッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）等に薬品では化学的に除去している。
【０００６】
【解決しようとする課題】従って、常圧ＣＶＤ装置で
は、清浄化のための時間や手間がかかり、装置の稼働率
を低下させている。また、累積したパウダーが著しく増
加した場合には、除去することが困難になるという問題
もある。
は、清浄化のための時間や手間がかかり、装置の稼働率
を低下させている。また、累積したパウダーが著しく増
加した場合には、除去することが困難になるという問題
もある。
【０００７】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、装置の稼働率を低下させることなくチャ
ンバ内で発生する塵を容易に除去することが可能な半導
体製造装置及びその使用方法を提供することを目的とす
るものである。
されたもので、装置の稼働率を低下させることなくチャ
ンバ内で発生する塵を容易に除去することが可能な半導
体製造装置及びその使用方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、反
応ガスを放出するガス放出面を備えたガス分散具と、ウ
エハ載置面を備えたウエハ保持具と、前記ウエハ保持具
に取り付けられた収納部に収納されているクリーナと、
前記ガス分散具又は前記ウエハ保持具を一平面上を移動
させる第１の移動手段と、前記ガス分散具又は前記ウエ
ハ保持具を前記一平面の軸方向に移動させる第２の移動
手段と、前記ガス放出面を清掃するときには、前記第２
の移動手段により前記ウエハ保持具又は前記ガス分散具
が前記軸方向に移動されてそれらの間に空間が形成され
た後、前記クリーナを前記収納部から前記ガス放出面上
に移動させる、前記ウエハ保持具に取り付けられた第３
の移動手段とを有することを特徴とする半導体装置の製
造装置によって達成され、第２に、前記一平面上の移動
は、前記第１の移動手段を回転軸とする前記ウエハ保持
具の回転移動であることを特徴とする第１の発明に記載
の半導体装置の製造装置によって達成され、第３に、前
記一平面上の移動は、前記第１の移動手段を回転軸とす
る前記ガス分散具の回転移動であることを特徴とする第
１の発明に記載の半導体装置の製造装置によって達成さ
れ、第４に、前記クリーナは、前記ガス放出面の残留物
を除去するブラシと、該ブラシにより除去された残留物
を吸い込む吸引口とを有することを特徴とする第１乃至
第３の発明のいずれかに記載の半導体装置の製造装置に
よって達成され、第５に、前記ガス放出面を備えたガス
分散具又はクリーナの収納部が取り付けられたウエハ保
持具を移動させ、前記ウエハ保持具に保持されたウエハ
と前記ガス放出面とを対面させて、前記ウエハ上に反応
ガスを放出し、必要なときに、前記ガス分散具又は前記
ウエハ保持具を上下移動させてそれらの間に空間を形成
した後、前記クリーナを前記収納部から前記ガス放出面
上に移動させて前記ガス放出面を清掃することを特徴と
する半導体装置の製造装置の使用方法によって達成され
る。
応ガスを放出するガス放出面を備えたガス分散具と、ウ
エハ載置面を備えたウエハ保持具と、前記ウエハ保持具
に取り付けられた収納部に収納されているクリーナと、
前記ガス分散具又は前記ウエハ保持具を一平面上を移動
させる第１の移動手段と、前記ガス分散具又は前記ウエ
ハ保持具を前記一平面の軸方向に移動させる第２の移動
手段と、前記ガス放出面を清掃するときには、前記第２
の移動手段により前記ウエハ保持具又は前記ガス分散具
が前記軸方向に移動されてそれらの間に空間が形成され
た後、前記クリーナを前記収納部から前記ガス放出面上
に移動させる、前記ウエハ保持具に取り付けられた第３
の移動手段とを有することを特徴とする半導体装置の製
造装置によって達成され、第２に、前記一平面上の移動
は、前記第１の移動手段を回転軸とする前記ウエハ保持
具の回転移動であることを特徴とする第１の発明に記載
の半導体装置の製造装置によって達成され、第３に、前
記一平面上の移動は、前記第１の移動手段を回転軸とす
る前記ガス分散具の回転移動であることを特徴とする第
１の発明に記載の半導体装置の製造装置によって達成さ
れ、第４に、前記クリーナは、前記ガス放出面の残留物
を除去するブラシと、該ブラシにより除去された残留物
を吸い込む吸引口とを有することを特徴とする第１乃至
第３の発明のいずれかに記載の半導体装置の製造装置に
よって達成され、第５に、前記ガス放出面を備えたガス
分散具又はクリーナの収納部が取り付けられたウエハ保
持具を移動させ、前記ウエハ保持具に保持されたウエハ
と前記ガス放出面とを対面させて、前記ウエハ上に反応
ガスを放出し、必要なときに、前記ガス分散具又は前記
ウエハ保持具を上下移動させてそれらの間に空間を形成
した後、前記クリーナを前記収納部から前記ガス放出面
上に移動させて前記ガス放出面を清掃することを特徴と
する半導体装置の製造装置の使用方法によって達成され
る。
【０００９】
【作用】本発明の半導体装置の製造装置においては、ク
リーナの収納部が取り付けられたウエハ保持具又はガス
分散具を一平面に沿って移動させる第１の移動手段と、
ウエハ保持具又はガス分散具のうちいずれかを前記一平
面の軸方向に移動させる第２の移動手段と、クリーナを
収納部からガス放出面上に移動させる第３の移動手段と
を有している。そして、ガス放出面を清掃するときに
は、ガス放出面へのクリーナの移動の障害にならないよ
うに、第２の移動手段によりウエハ保持具又はガス分散
具を軸方向に移動してそれらの間に空間を形成した後、
第３の移動手段によりクリーナを収納部からガス放出面
上に移動させている。ウエハ保持具又はガス分散具を軸
方向に移動させる第２の移動手段を有しているので、ウ
エハ保持具に取り付けられた収納部のクリーナのガス放
出面に対する高さを調節できる。従って、クリーナの収
納部をガス放出面と対向する面内以外の適当な位置に取
り付けておいて、必要なときに、第２の移動手段により
クリーナをガス放出面と対向する面内に移動させ、更に
第３の移動手段により収納部からガス放出面上にクリー
ナを移動させて、ガス放出面を清掃することができる。
リーナの収納部が取り付けられたウエハ保持具又はガス
分散具を一平面に沿って移動させる第１の移動手段と、
ウエハ保持具又はガス分散具のうちいずれかを前記一平
面の軸方向に移動させる第２の移動手段と、クリーナを
収納部からガス放出面上に移動させる第３の移動手段と
を有している。そして、ガス放出面を清掃するときに
は、ガス放出面へのクリーナの移動の障害にならないよ
うに、第２の移動手段によりウエハ保持具又はガス分散
具を軸方向に移動してそれらの間に空間を形成した後、
第３の移動手段によりクリーナを収納部からガス放出面
上に移動させている。ウエハ保持具又はガス分散具を軸
方向に移動させる第２の移動手段を有しているので、ウ
エハ保持具に取り付けられた収納部のクリーナのガス放
出面に対する高さを調節できる。従って、クリーナの収
納部をガス放出面と対向する面内以外の適当な位置に取
り付けておいて、必要なときに、第２の移動手段により
クリーナをガス放出面と対向する面内に移動させ、更に
第３の移動手段により収納部からガス放出面上にクリー
ナを移動させて、ガス放出面を清掃することができる。
【００１０】また、クリーナは、ガス放出面の残留物を
除去するブラシと、該ブラシにより除去された残留物を
吸い込む吸引口とを有しているので、ブラシによりガス
放出面をブラッシングし、同時にそのブラッシングによ
りガス放出面から剥離した塵を吸い込むことにより、ガ
ス放出面を清浄に保つとともに、周辺への塵の飛散を防
止してより高い清浄度を確保することができる。また、
クリーナは収納部を有するので、ウエハ保持具やガス分
散具と別の機構部に設けることができる。従って、例え
ば補修のためウエハ保持具やガス分散具を取り外す際に
は、クリーナはそのまま設置しておくことができるし、
逆にクリーナを取り外す際には、ウエハ保持具やガス分
散具をそのまま設置しておくことができるので、装置の
メンテナンスが容易である。
除去するブラシと、該ブラシにより除去された残留物を
吸い込む吸引口とを有しているので、ブラシによりガス
放出面をブラッシングし、同時にそのブラッシングによ
りガス放出面から剥離した塵を吸い込むことにより、ガ
ス放出面を清浄に保つとともに、周辺への塵の飛散を防
止してより高い清浄度を確保することができる。また、
クリーナは収納部を有するので、ウエハ保持具やガス分
散具と別の機構部に設けることができる。従って、例え
ば補修のためウエハ保持具やガス分散具を取り外す際に
は、クリーナはそのまま設置しておくことができるし、
逆にクリーナを取り外す際には、ウエハ保持具やガス分
散具をそのまま設置しておくことができるので、装置の
メンテナンスが容易である。
【００１１】更に、クリーナがウエハ保持具やガス分散
具の周辺に配置されているので、例えばチャンバ内に装
置が納められている場合、チャンバを開放せずにチャン
バ内で発生する塵を容易に除去することができる。従っ
て、従来のように装置を停止する必要がないので、従来
と比較して装置の稼働率の向上を図ることができる。
具の周辺に配置されているので、例えばチャンバ内に装
置が納められている場合、チャンバを開放せずにチャン
バ内で発生する塵を容易に除去することができる。従っ
て、従来のように装置を停止する必要がないので、従来
と比較して装置の稼働率の向上を図ることができる。
【００１２】また、回転軸にガス分散具、又はウエハ保
持具を固定して回転させるきとにより、清浄度が確保さ
れた、連続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置
の提供が可能となる。更に、回転軸とウエハ保持具とが
固定されている場合、ウエハ保持具と回転軸とが一体的
に形成されることにより、全てのガス放出面上にクリー
ナを移動することができる。
持具を固定して回転させるきとにより、清浄度が確保さ
れた、連続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置
の提供が可能となる。更に、回転軸とウエハ保持具とが
固定されている場合、ウエハ保持具と回転軸とが一体的
に形成されることにより、全てのガス放出面上にクリー
ナを移動することができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 （１）ＣＶＤ装置の構成 図１（ａ）〜（ｃ）、図２〜図４は本発明の第１の実施
例のＣＶＤ装置について説明する構成図で、図２はＣＶ
Ｄ装置の全体の構成を示す側面図、図３、図４はそれぞ
れ図２のウエハ保持具及びガス分散具／クリーナの配置
を示す上面図、図１（ａ）はクリーナの詳細を示す上面
図、図１（ｃ）は側面図である。
ついて説明する。 （１）ＣＶＤ装置の構成 図１（ａ）〜（ｃ）、図２〜図４は本発明の第１の実施
例のＣＶＤ装置について説明する構成図で、図２はＣＶ
Ｄ装置の全体の構成を示す側面図、図３、図４はそれぞ
れ図２のウエハ保持具及びガス分散具／クリーナの配置
を示す上面図、図１（ａ）はクリーナの詳細を示す上面
図、図１（ｃ）は側面図である。
【００１４】図２、図３において、２１は円板状を有す
るウエハ保持具で、取り外しが可能な６つのサセプタ２
２ａ〜２２ｆがセットされている。サセプタ２２ａ〜２
２ｆはステンレスからなっており、ヒータ加熱により上
昇した温度が急激に低下しないように熱容量が大きくな
っている。また、サセプタ２２ａ〜２２ｆのウエハ載置
面２３ａ〜２３ｆにウエハ２４ａ〜２４ｆの被堆積面が
下側に向くようにウエハ２４ａ〜２４ｆが載置される。
また、ウエハ保持具２１には配管２５ｂを介して排気口
／ガス導入口２５ａが接続され、載置されたウエハ２４
ａ〜２４ｆを真空チャックにより固定する。更に、サセ
プタ２２ａ〜２２ｆは、各々のウエハ載置面２３ａ〜２
３ｆに垂直な軸を中心に回転運動または該軸を中心とす
る円の半径方向に直接運動するようになされている。ま
た、２６ａ〜２６ｆは各サセプタ２２ａ〜２２ｆにセッ
トされたウエハの温度を計る温度計測手段で、熱電対等
が用いられる。
るウエハ保持具で、取り外しが可能な６つのサセプタ２
２ａ〜２２ｆがセットされている。サセプタ２２ａ〜２
２ｆはステンレスからなっており、ヒータ加熱により上
昇した温度が急激に低下しないように熱容量が大きくな
っている。また、サセプタ２２ａ〜２２ｆのウエハ載置
面２３ａ〜２３ｆにウエハ２４ａ〜２４ｆの被堆積面が
下側に向くようにウエハ２４ａ〜２４ｆが載置される。
また、ウエハ保持具２１には配管２５ｂを介して排気口
／ガス導入口２５ａが接続され、載置されたウエハ２４
ａ〜２４ｆを真空チャックにより固定する。更に、サセ
プタ２２ａ〜２２ｆは、各々のウエハ載置面２３ａ〜２
３ｆに垂直な軸を中心に回転運動または該軸を中心とす
る円の半径方向に直接運動するようになされている。ま
た、２６ａ〜２６ｆは各サセプタ２２ａ〜２２ｆにセッ
トされたウエハの温度を計る温度計測手段で、熱電対等
が用いられる。
【００１５】２７はウエハ保持具２１が固定されている
回転軸で、回転軸２７を中心としてウエハ保持具２１が
円周方向に回転する。また回転軸２７は上下移動も可能
となっており、回転軸２７の上下移動とともにウエハ保
持具２１の上下移動も可能となっている。従って、回転
軸２７の上方向の移動により、ウエハ保持具２１とガス
分散具３０の間に空間を確保し、この空間でクリーナ３
４を移動させることができる。
回転軸で、回転軸２７を中心としてウエハ保持具２１が
円周方向に回転する。また回転軸２７は上下移動も可能
となっており、回転軸２７の上下移動とともにウエハ保
持具２１の上下移動も可能となっている。従って、回転
軸２７の上方向の移動により、ウエハ保持具２１とガス
分散具３０の間に空間を確保し、この空間でクリーナ３
４を移動させることができる。
【００１６】２８ａ〜２８ｆはウエハ保持具２１の移動
面を挟んでガス分散具３０のガス放出面３２ａ〜３２ｅ
に対向するように設けられたヒータ（加熱手段）で、独
立して電力を供給できるように互いに分割されており、
サセプタ２２ａ〜２２ｆのウエハ載置面２３ａ〜２３ｆ
と反対側から熱輻射又は熱伝導によりエネルギを供給し
てサセプタ２２ａ〜２２ｆを加熱し、サセプタ２２ａ〜
２２ｆの温度を上昇させることにより間接的にウエハ２
４ａ〜２４ｆを加熱する。但し、図２にはヒータ２８ａ
〜２８ｆのうちヒータ２８ｃ，２８ｆのみ示す。また、
サセプタ２２ａ〜２２ｆの着脱ができるように、ガス放
出面３２ａ〜３２ｅに平行な不図示の回動軸を中心とし
て上下に回動可能になっている。
面を挟んでガス分散具３０のガス放出面３２ａ〜３２ｅ
に対向するように設けられたヒータ（加熱手段）で、独
立して電力を供給できるように互いに分割されており、
サセプタ２２ａ〜２２ｆのウエハ載置面２３ａ〜２３ｆ
と反対側から熱輻射又は熱伝導によりエネルギを供給し
てサセプタ２２ａ〜２２ｆを加熱し、サセプタ２２ａ〜
２２ｆの温度を上昇させることにより間接的にウエハ２
４ａ〜２４ｆを加熱する。但し、図２にはヒータ２８ａ
〜２８ｆのうちヒータ２８ｃ，２８ｆのみ示す。また、
サセプタ２２ａ〜２２ｆの着脱ができるように、ガス放
出面３２ａ〜３２ｅに平行な不図示の回動軸を中心とし
て上下に回動可能になっている。
【００１７】図２、図４において、３０はウエハに２４
ａ〜２４ｆに反応ガスを供給するガス分散具で、サセプ
タ２２ａ〜２２ｆに対応する間隔で回転軸２７を中心と
する円周方向に沿って５箇所ガス放出器３１ａ〜３１ｅ
が設けられている。１カ所にはガス放出器が設けられて
おらず、ロード／アンロード部３３となっている。そし
て、各ガス放出器３１ａ〜３１ｅの周辺部はガス放出器
３１ａ〜３１ｅから放出された不要の反応ガスを排気す
ることができるようになっている。また、ガス放出器３
１ａ〜３１ｅのガス放出面３２ａ〜３２ｅはサセプタ２
２ａ〜２２ｆに対向するように上向きになっている。
ａ〜２４ｆに反応ガスを供給するガス分散具で、サセプ
タ２２ａ〜２２ｆに対応する間隔で回転軸２７を中心と
する円周方向に沿って５箇所ガス放出器３１ａ〜３１ｅ
が設けられている。１カ所にはガス放出器が設けられて
おらず、ロード／アンロード部３３となっている。そし
て、各ガス放出器３１ａ〜３１ｅの周辺部はガス放出器
３１ａ〜３１ｅから放出された不要の反応ガスを排気す
ることができるようになっている。また、ガス放出器３
１ａ〜３１ｅのガス放出面３２ａ〜３２ｅはサセプタ２
２ａ〜２２ｆに対向するように上向きになっている。
【００１８】３４はガス放出面３２ａ〜３２ｅに付着す
る反応生成物等を除去するためのクリーナで、ウエハ保
持具２１と一体的に形成されてウエハ保持具２１ととも
に移動する回動軸３７に固定され、必要ないときにはウ
エハ保持具２１の回転軸２７の近くに収納され、必要な
ときにガス放出面３２ａ〜３２ｅ上に移動することがで
きるようになっている。また、図１（ｃ）に詳細を示す
ように、細長い箱状の容器を有し、ガス放出面３２ａ〜
３２ｅと接する面にブラシ３５が突出し、ブラシ３５に
より剥奪した塵等を直ちに吸引することができるように
排気装置と接続される吸引口３６が容器の側部に設けら
れている。
る反応生成物等を除去するためのクリーナで、ウエハ保
持具２１と一体的に形成されてウエハ保持具２１ととも
に移動する回動軸３７に固定され、必要ないときにはウ
エハ保持具２１の回転軸２７の近くに収納され、必要な
ときにガス放出面３２ａ〜３２ｅ上に移動することがで
きるようになっている。また、図１（ｃ）に詳細を示す
ように、細長い箱状の容器を有し、ガス放出面３２ａ〜
３２ｅと接する面にブラシ３５が突出し、ブラシ３５に
より剥奪した塵等を直ちに吸引することができるように
排気装置と接続される吸引口３６が容器の側部に設けら
れている。
【００１９】そして、ガス放出面３２ａ〜３２ｅを清浄
にする場合、ウエハ保持具２１をガス分散具３０に対向
させてウエハ上に膜形成を行った（図１（ｂ））後、図
５に示すように、クリーナ３４の移動の妨げにならない
ように、ウエハ保持具２１が固定・保持された回転軸２
７の上方向への移動によりウエハ保持具２１を上方に移
動しておいて、クリーナ３４をガス分散具３０のガス放
出面３２ａ〜３２ｅ上に回動する。続いて、ブラシ３５
によりガス放出面３２ａ〜３２ｅをこすりながら、離脱
した塵が飛散しないように、吸引口３６から排気するこ
とにより離脱した塵を直ちに吸い込む。
にする場合、ウエハ保持具２１をガス分散具３０に対向
させてウエハ上に膜形成を行った（図１（ｂ））後、図
５に示すように、クリーナ３４の移動の妨げにならない
ように、ウエハ保持具２１が固定・保持された回転軸２
７の上方向への移動によりウエハ保持具２１を上方に移
動しておいて、クリーナ３４をガス分散具３０のガス放
出面３２ａ〜３２ｅ上に回動する。続いて、ブラシ３５
によりガス放出面３２ａ〜３２ｅをこすりながら、離脱
した塵が飛散しないように、吸引口３６から排気するこ
とにより離脱した塵を直ちに吸い込む。
【００２０】以上のように、本発明の実施例のＣＶＤ装
置によれば、回動軸３７に固定され、吸引口３６と該吸
引口３６に接続されたブラシ３５を有するクリーナ３４
を具備し、該クリーナ３４はガス放出面３２ａ〜３２ｅ
上と該ガス放出面３２ａ〜３２ｅ上以外のところとの間
を回動し、かつガス分散具３０のガス放出面３２ａ〜３
２ｅ上に回動したクリーナ３４のブラシ３５はガス放出
面３２ａ〜３２ｅに接触するようになされている。
置によれば、回動軸３７に固定され、吸引口３６と該吸
引口３６に接続されたブラシ３５を有するクリーナ３４
を具備し、該クリーナ３４はガス放出面３２ａ〜３２ｅ
上と該ガス放出面３２ａ〜３２ｅ上以外のところとの間
を回動し、かつガス分散具３０のガス放出面３２ａ〜３
２ｅ上に回動したクリーナ３４のブラシ３５はガス放出
面３２ａ〜３２ｅに接触するようになされている。
【００２１】従って、膜形成前は膜形成後にクリーナ３
４を回動してブラシ３５によりガス放出面３２ａ〜３２
ｅをブラッシングし、同時にこのブラッシングによりガ
ス放出面３２ａ〜３２ｅから剥離した塵を吸引口３６か
ら吸引・除去することにより、ガス放出面３２ａ〜３２
ｅを清浄に保つことができると同時に、チャンバ内への
塵の拡散を防止してより高いチャンバ内の清浄度を確保
することができる。
４を回動してブラシ３５によりガス放出面３２ａ〜３２
ｅをブラッシングし、同時にこのブラッシングによりガ
ス放出面３２ａ〜３２ｅから剥離した塵を吸引口３６か
ら吸引・除去することにより、ガス放出面３２ａ〜３２
ｅを清浄に保つことができると同時に、チャンバ内への
塵の拡散を防止してより高いチャンバ内の清浄度を確保
することができる。
【００２２】また、クリーナ３４は、回転軸３７に固定
されているので、ウエハ保持具２１やガス分散具３０と
別の機構部に設けることができる。従って、清浄化或い
は補修のためサセプタ２２ａ〜２２ｆやガス放出器３１
ａ〜３１ｅを取り外す際は、クリーナ３４はそのまま設
置しておくことができるし、逆にクリーナ３４を取り外
す際には、サセプタ２２ａ〜２２ｆやガス放出器３１ａ
〜３１ｅをそのまま設置しておくことができるので、装
置のメンテナンスが容易である。
されているので、ウエハ保持具２１やガス分散具３０と
別の機構部に設けることができる。従って、清浄化或い
は補修のためサセプタ２２ａ〜２２ｆやガス放出器３１
ａ〜３１ｅを取り外す際は、クリーナ３４はそのまま設
置しておくことができるし、逆にクリーナ３４を取り外
す際には、サセプタ２２ａ〜２２ｆやガス放出器３１ａ
〜３１ｅをそのまま設置しておくことができるので、装
置のメンテナンスが容易である。
【００２３】更に、回転軸２７にウエハ保持具２１を固
定して回転させることにより、清浄度が確保された、連
続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置の提供が
可能となる。この場合、ウエハ保持具２１と回動軸３７
とが一体的に形成されることにより、全てのガス放出器
31ａ〜31ｅ上にクリーナ３４を移動することができる。
定して回転させることにより、清浄度が確保された、連
続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置の提供が
可能となる。この場合、ウエハ保持具２１と回動軸３７
とが一体的に形成されることにより、全てのガス放出器
31ａ〜31ｅ上にクリーナ３４を移動することができる。
【００２４】なお、第１の実施例では、ウエハの被堆積
面を下向きに保持して移動するウエハ保持具２１の下側
にガス分散具３０が、上側にヒータ28a 〜28f が配置さ
れ、ウエハがフェースダウンの状態で膜形成が行われる
場合に適しているが、ウエハの被堆積面を上向きに保持
して移動するウエハ保持具の上側にガス分散具が、下側
にヒータが配置され、ウエハがフェースアップの状態で
膜形成が行われる場合にも適用することができる。
面を下向きに保持して移動するウエハ保持具２１の下側
にガス分散具３０が、上側にヒータ28a 〜28f が配置さ
れ、ウエハがフェースダウンの状態で膜形成が行われる
場合に適しているが、ウエハの被堆積面を上向きに保持
して移動するウエハ保持具の上側にガス分散具が、下側
にヒータが配置され、ウエハがフェースアップの状態で
膜形成が行われる場合にも適用することができる。
【００２５】また、ウエハ保持具２１を移動させている
が、場合によりウエハ保持具２１を固定し、ガス分散具
を移動させることもできる。更に、ウエハ保持具２１と
ヒータ28a 〜28f とは分離されているが、ウエハ保持具
とヒータとが一体化されていてもよい。
が、場合によりウエハ保持具２１を固定し、ガス分散具
を移動させることもできる。更に、ウエハ保持具２１と
ヒータ28a 〜28f とは分離されているが、ウエハ保持具
とヒータとが一体化されていてもよい。
【００２６】（２）ガス放出器のクリーニング方法 次に、クリーナ３４を用いてガス放出器31ａ〜31ｅを清
浄にする方法について図１（ａ）〜（ｃ），図４，図５
を参照しながら説明する。
浄にする方法について図１（ａ）〜（ｃ），図４，図５
を参照しながら説明する。
【００２７】ＣＶＤによりウエハ上に膜を形成する場
合、ウエハ上で反応ガスにより反応生成物が形成される
前に、反応ガスが通流するガス分散具のガス放出面32ａ
〜32ｅに反応生成物が形成される。この場合、この反応
生成物を放置しておくと、剥離して塵となり、ウエハに
付着してパターニングの妨げとなったり、生成膜の異常
成長が生じたり等するので、クリーナ３４を用いてガス
放出器31ａ〜31ｅのガス放出面32ａ〜322 を定期的に清
浄にする必要がある。
合、ウエハ上で反応ガスにより反応生成物が形成される
前に、反応ガスが通流するガス分散具のガス放出面32ａ
〜32ｅに反応生成物が形成される。この場合、この反応
生成物を放置しておくと、剥離して塵となり、ウエハに
付着してパターニングの妨げとなったり、生成膜の異常
成長が生じたり等するので、クリーナ３４を用いてガス
放出器31ａ〜31ｅのガス放出面32ａ〜322 を定期的に清
浄にする必要がある。
【００２８】クリーナ３４を用いてガス放出器31ａ〜31
ｅのガス放出面32ａ〜32ｅを清浄にする場合、ウエハ保
持具２１が固定された回転軸２７を上方に移動し、ウエ
ハ保持具２１とガス放出器31ａ〜31ｅの間にクリーナ３
４を移動することができる空間を確保した（図５）後、
回転軸２７に接近して設けられているクリーナ３４を回
動軸３７を中心として時計周りに回動させ、ガス放出面
３２ｄの上部に移動してガス放出器３２ｄと接触させる
（図１（ａ），図４）。続いて回動軸３７を中心として
ガス放出器３２ｄ全体をカバーできるように左右に往復
運動を行わせる。これにより、反応生成物はブラシ３５
により物理的に強制剥離させられるとともに、剥離した
反応生成物は周辺に拡散することなくクリーナ３４に吸
引されてＣＶＤ装置の外部に放出される（図１
（ｃ））。
ｅのガス放出面32ａ〜32ｅを清浄にする場合、ウエハ保
持具２１が固定された回転軸２７を上方に移動し、ウエ
ハ保持具２１とガス放出器31ａ〜31ｅの間にクリーナ３
４を移動することができる空間を確保した（図５）後、
回転軸２７に接近して設けられているクリーナ３４を回
動軸３７を中心として時計周りに回動させ、ガス放出面
３２ｄの上部に移動してガス放出器３２ｄと接触させる
（図１（ａ），図４）。続いて回動軸３７を中心として
ガス放出器３２ｄ全体をカバーできるように左右に往復
運動を行わせる。これにより、反応生成物はブラシ３５
により物理的に強制剥離させられるとともに、剥離した
反応生成物は周辺に拡散することなくクリーナ３４に吸
引されてＣＶＤ装置の外部に放出される（図１
（ｃ））。
【００２９】続いて、図４に示す回転軸２７を回転させ
て、クリーナ３４の位置を移動した後、上記と同様にし
てガス放出面３２ｃをクリーニングする。このようにし
て残りのガス放出器32b ，32a ，32e を次々にクリーニ
ングしていき、全てのガス放出面32ａ〜32ｅをクリーニ
ングする。このとき、剥離した塵は直ちに吸引されるの
で、ＣＶＤ装置内部は汚染されることなく清浄に保持す
ることができる。
て、クリーナ３４の位置を移動した後、上記と同様にし
てガス放出面３２ｃをクリーニングする。このようにし
て残りのガス放出器32b ，32a ，32e を次々にクリーニ
ングしていき、全てのガス放出面32ａ〜32ｅをクリーニ
ングする。このとき、剥離した塵は直ちに吸引されるの
で、ＣＶＤ装置内部は汚染されることなく清浄に保持す
ることができる。
【００３０】以上のように、本発明の実施例のＣＶＤ装
置に係るクリーニング方法によれば、膜形成前又は膜形
成後にクリーナ３４を回動してブラシ３５によりガス放
出面32ａ〜32ｅをブラッシングし、同時にこのブラッシ
ングによりガス放出面32ａ〜32ｅから剥離した塵を吸引
口３６から吸引・除去することにより、ガス放出面32ａ
〜32ｅを清浄に保つことができると同時に、チャンバ内
への塵の拡散を防止してより高いチャンバ内の清浄度を
確保することができる。
置に係るクリーニング方法によれば、膜形成前又は膜形
成後にクリーナ３４を回動してブラシ３５によりガス放
出面32ａ〜32ｅをブラッシングし、同時にこのブラッシ
ングによりガス放出面32ａ〜32ｅから剥離した塵を吸引
口３６から吸引・除去することにより、ガス放出面32ａ
〜32ｅを清浄に保つことができると同時に、チャンバ内
への塵の拡散を防止してより高いチャンバ内の清浄度を
確保することができる。
【００３１】また、チャンバを開放せずにチャンバ内で
発生する塵を容易に除去することができる。従って、従
来のように装置を停止する必要がないので、従来と比較
して装置の稼働率の低下を防止することができる。
発生する塵を容易に除去することができる。従って、従
来のように装置を停止する必要がないので、従来と比較
して装置の稼働率の低下を防止することができる。
【００３２】（３）膜形成方法 次に、上記のガス分散具３０／ウエハ保持具２１を有す
る、図２に示すＣＶＤ装置を用いてウエハ上に２層の絶
縁膜を形成する方法について図６（ｃ），図２〜図４を
参照しながら説明する。この場合、図６（ｃ）に示すよ
うに、ウエハ保持具２１が回転軸２７の回りを一回りす
る間に所定膜厚のＣＶＤSiO2膜／ＰＳＧ膜の２層の絶縁
体がウエハ24ａ〜24f 上に形成されるようになってい
る。なお、図６（ｃ）において、Ａはウエハ24ａ〜24f
上に形成されるＣＶＤSiO2膜の所定の膜厚を示し、Ｂは
ＰＳＧ膜の所定の膜厚を示す。
る、図２に示すＣＶＤ装置を用いてウエハ上に２層の絶
縁膜を形成する方法について図６（ｃ），図２〜図４を
参照しながら説明する。この場合、図６（ｃ）に示すよ
うに、ウエハ保持具２１が回転軸２７の回りを一回りす
る間に所定膜厚のＣＶＤSiO2膜／ＰＳＧ膜の２層の絶縁
体がウエハ24ａ〜24f 上に形成されるようになってい
る。なお、図６（ｃ）において、Ａはウエハ24ａ〜24f
上に形成されるＣＶＤSiO2膜の所定の膜厚を示し、Ｂは
ＰＳＧ膜の所定の膜厚を示す。
【００３３】まず、不図示のカセットステーションから
ロボットにより第１のウエハ２４ａをローダ／アンロー
ダ部３３に位置するサセプタ２２ａの下部に搬送する。
次いで、サセプタ２２ａのウエハ載置面２３ａに第１の
ウエハ２４ａを接触させるとともに、吸引口２５ａから
排気し、不図示のソレノイドバルブを開いて真空チャッ
クにより第１のウエハ２４ａをウエハ載置面２３ａに固
定する。このとき、すべてのヒータ28ａ〜28f に電力を
提供し、すべてのサセプタ22ａ〜22f のウエハ載置面23
ａ〜23f の温度を約３５０℃に保持する。
ロボットにより第１のウエハ２４ａをローダ／アンロー
ダ部３３に位置するサセプタ２２ａの下部に搬送する。
次いで、サセプタ２２ａのウエハ載置面２３ａに第１の
ウエハ２４ａを接触させるとともに、吸引口２５ａから
排気し、不図示のソレノイドバルブを開いて真空チャッ
クにより第１のウエハ２４ａをウエハ載置面２３ａに固
定する。このとき、すべてのヒータ28ａ〜28f に電力を
提供し、すべてのサセプタ22ａ〜22f のウエハ載置面23
ａ〜23f の温度を約３５０℃に保持する。
【００３４】次に、第１のウエハ２４ａの温度が約３５
０℃に達した後、 回転軸２７を反時計回りに回転し、
ガス放出器３１ａの直上の位置にサセプタ２２ａを停止
する。このとき、移動時間は約０．８秒程度であり、ま
た、サセプタ２２ａの熱容量は大きいので、第１のウエ
ハ２４ａの温度は殆ど下がらない。
０℃に達した後、 回転軸２７を反時計回りに回転し、
ガス放出器３１ａの直上の位置にサセプタ２２ａを停止
する。このとき、移動時間は約０．８秒程度であり、ま
た、サセプタ２２ａの熱容量は大きいので、第１のウエ
ハ２４ａの温度は殆ど下がらない。
【００３５】続いて、ガス放出器３１ａから反応ガスと
してＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガスを放出する。このとき、
SiO2膜の成長レートは約２０００Åとなり、約１分間こ
の状態を保持することにより、目標とする膜圧の約１／
２の膜圧の約２０００ÅのSiO2膜が第１のウエハ２４ａ
上に形成される。また、膜形成の間中、不図示のオシレ
ーションユニットによりサセプタ２２ａは保持された位
置を中心として放射方向に直線往復運動を行っているの
で、第１のウエハ２４ａ上への反応ガスの供給が均一化
され、形成されたSiO2膜の膜厚や膜質が均一になる。な
お、この間、上記と同様にして第２のウエハ２４ｂをロ
ーダ／アンローダ部３３に位置するサセプタ２２ｂに載
置し、第２のウエハ２４ｂの温度を約３５０℃に加熱し
ておく。
してＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガスを放出する。このとき、
SiO2膜の成長レートは約２０００Åとなり、約１分間こ
の状態を保持することにより、目標とする膜圧の約１／
２の膜圧の約２０００ÅのSiO2膜が第１のウエハ２４ａ
上に形成される。また、膜形成の間中、不図示のオシレ
ーションユニットによりサセプタ２２ａは保持された位
置を中心として放射方向に直線往復運動を行っているの
で、第１のウエハ２４ａ上への反応ガスの供給が均一化
され、形成されたSiO2膜の膜厚や膜質が均一になる。な
お、この間、上記と同様にして第２のウエハ２４ｂをロ
ーダ／アンローダ部３３に位置するサセプタ２２ｂに載
置し、第２のウエハ２４ｂの温度を約３５０℃に加熱し
ておく。
【００３６】次に、回転軸２７を回転し、ガス放出器３
１ａ，３１ｂの直上の位置にそれぞれサセプタ２２ｂ、
２２ａを停止する。この時、第２のウエハ２４ｂは既に
約３５０℃の温度に達しているため、直ちに膜形成を開
始することができる。従って直ちに、ガス放出器３１
ａ，３１ｂから反応ガスとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガ
スを放出し、約１分間この状態を保持すると、第１のウ
エハ２４ａ上には目標とする膜厚の約４０００ÅのSiO2
膜が形成され、また、第２のウエハ２４ｂ上には目標と
する膜厚の約１／２の膜厚の約２０００ÅのSiO2膜が形
成される。なお、この間、上記と同様にして第３のウエ
ハ２４ｃの温度を約３５０°Ｃに加熱しておく。
１ａ，３１ｂの直上の位置にそれぞれサセプタ２２ｂ、
２２ａを停止する。この時、第２のウエハ２４ｂは既に
約３５０℃の温度に達しているため、直ちに膜形成を開
始することができる。従って直ちに、ガス放出器３１
ａ，３１ｂから反応ガスとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガ
スを放出し、約１分間この状態を保持すると、第１のウ
エハ２４ａ上には目標とする膜厚の約４０００ÅのSiO2
膜が形成され、また、第２のウエハ２４ｂ上には目標と
する膜厚の約１／２の膜厚の約２０００ÅのSiO2膜が形
成される。なお、この間、上記と同様にして第３のウエ
ハ２４ｃの温度を約３５０°Ｃに加熱しておく。
【００３７】次いで、回転軸２７を回転し、ガス放出器
３１ａ，３１ｂ，３１ｃの直上の位置にそれぞれサセプ
タ２２ｃ，２２ｂ，２２ａを停止する。このとき、第３
のウエハ２４ｃは既に約３５０°Ｃの温度に達している
ため、直ちに膜形成を開始することができる。従って、
直ちに、ガス分散器３１ａ，３１ｂ，３１ｃから反応ガ
スとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 及びＴＭＰＯの混合ガスを放出
し、約１分間この状態を保持すると、第１のウエハ２４
ａ上には目標とする膜厚の約１／３の膜厚の約２０００
ÅのＰＳＧ膜が形成され、また、第２のウエハ２４ｂ上
には目標とする膜厚の膜厚の約４０００ÅのSiO2膜が形
成され、更に、第３のウエハ２４ｃ上には目標とする膜
厚の約１／２の膜厚の約２０００のÅのSiO2膜が形成さ
れる。
３１ａ，３１ｂ，３１ｃの直上の位置にそれぞれサセプ
タ２２ｃ，２２ｂ，２２ａを停止する。このとき、第３
のウエハ２４ｃは既に約３５０°Ｃの温度に達している
ため、直ちに膜形成を開始することができる。従って、
直ちに、ガス分散器３１ａ，３１ｂ，３１ｃから反応ガ
スとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 及びＴＭＰＯの混合ガスを放出
し、約１分間この状態を保持すると、第１のウエハ２４
ａ上には目標とする膜厚の約１／３の膜厚の約２０００
ÅのＰＳＧ膜が形成され、また、第２のウエハ２４ｂ上
には目標とする膜厚の膜厚の約４０００ÅのSiO2膜が形
成され、更に、第３のウエハ２４ｃ上には目標とする膜
厚の約１／２の膜厚の約２０００のÅのSiO2膜が形成さ
れる。
【００３８】このようにしてウエハをサセプタ２２ｄ〜
２２ｆにセットして次々にウエハを送り、ウエハ上にSi
O2膜／ＰＳＧ膜の２層の絶縁膜を形成していく。そし
て、再び第１のウエハ２４ａが回転軸２７の回りを一回
りしてローダ／アンローダ部３３に帰ってきたときに第
１のウエハ２４ａ上には目標とする膜厚のSiO2膜／ＰＳ
Ｇ膜が形成されている。この間ウエハの温度はほぼ一定
の温度に保持されているので、膜形成のためのウエハの
温度の安定性は極めて良い。
２２ｆにセットして次々にウエハを送り、ウエハ上にSi
O2膜／ＰＳＧ膜の２層の絶縁膜を形成していく。そし
て、再び第１のウエハ２４ａが回転軸２７の回りを一回
りしてローダ／アンローダ部３３に帰ってきたときに第
１のウエハ２４ａ上には目標とする膜厚のSiO2膜／ＰＳ
Ｇ膜が形成されている。この間ウエハの温度はほぼ一定
の温度に保持されているので、膜形成のためのウエハの
温度の安定性は極めて良い。
【００３９】次いで、ロボットをローダ／アンローダ部
３３に回動させ、サセプタ２２ａの真空チャックと対応
するソレノイドバルブを閉じるとともに、不図示の窒素
ガスの導入口のバルブを開けて窒素ガスを真空チャック
に送ると第１のウエハ２４ａがウエハ載置面２３ａから
離脱して、ロボットに保持される。次に、ロボットによ
り第１のウエハ２４ａをカッセトステーション上の不図
示の冷却室に搬出する。冷却室に搬出された第１のウエ
ハ２４ａは窒素ガスを吹きつけることにより空冷され、
続いて、冷却された第１のウエハ２４ａをウエハカット
に収納する。このようにして、次々に所定膜厚のSiO2膜
／ＰＳＧ膜がウエハカセットに蓄積されていく。
３３に回動させ、サセプタ２２ａの真空チャックと対応
するソレノイドバルブを閉じるとともに、不図示の窒素
ガスの導入口のバルブを開けて窒素ガスを真空チャック
に送ると第１のウエハ２４ａがウエハ載置面２３ａから
離脱して、ロボットに保持される。次に、ロボットによ
り第１のウエハ２４ａをカッセトステーション上の不図
示の冷却室に搬出する。冷却室に搬出された第１のウエ
ハ２４ａは窒素ガスを吹きつけることにより空冷され、
続いて、冷却された第１のウエハ２４ａをウエハカット
に収納する。このようにして、次々に所定膜厚のSiO2膜
／ＰＳＧ膜がウエハカセットに蓄積されていく。
【００４０】以上のように、実施例のＣＶＤ装置を用い
たSiO2膜の作成方法によれば、実質的にローダ／アンロ
ーダの時間が不要となるので、高いスループットを維持
することができる。
たSiO2膜の作成方法によれば、実質的にローダ／アンロ
ーダの時間が不要となるので、高いスループットを維持
することができる。
【００４１】また、サセプタ22a 〜22ｆやガス放出器31
a 〜31e を複数、かつ互いに分離して設けることにより
ウエハ個々の製造管理が可能になる。更に、複数のサセ
プタ22a 〜22ｆが、保持されている各々の位置を中心に
前記一平面上を個々に直線往復運動するようになされて
いるので、反応ガスの供給に偏りがある場合でも、ウエ
ハへの反応ガスの供給が均一化される。また、ヒータ28
a 〜28f がウエハ保持具２１と分離され、ウエハ保持具
２１の移動中は加熱が行われていないにも係わらず、ウ
エハ保持具２１が大きい熱容量を有し、短時間に移動を
完了することができるので、ウエハ温度がほぼ一定に保
持され、温度の安定性がよい。これにより、膜厚及び膜
質の均一な膜をウエハ上に形成することができる。
a 〜31e を複数、かつ互いに分離して設けることにより
ウエハ個々の製造管理が可能になる。更に、複数のサセ
プタ22a 〜22ｆが、保持されている各々の位置を中心に
前記一平面上を個々に直線往復運動するようになされて
いるので、反応ガスの供給に偏りがある場合でも、ウエ
ハへの反応ガスの供給が均一化される。また、ヒータ28
a 〜28f がウエハ保持具２１と分離され、ウエハ保持具
２１の移動中は加熱が行われていないにも係わらず、ウ
エハ保持具２１が大きい熱容量を有し、短時間に移動を
完了することができるので、ウエハ温度がほぼ一定に保
持され、温度の安定性がよい。これにより、膜厚及び膜
質の均一な膜をウエハ上に形成することができる。
【００４２】なお、上記の半導体装置の製造方法におい
ては、２種類の反応ガスを用いて２層の絶縁膜を形成し
ているが、図６（ａ）に示すように、所定のガス放出器
31a〜31e に１種類の反応ガスを流し、ウエハ241 が一
回りする間に単一の膜をウエハ241 上に形成することも
可能である。
ては、２種類の反応ガスを用いて２層の絶縁膜を形成し
ているが、図６（ａ）に示すように、所定のガス放出器
31a〜31e に１種類の反応ガスを流し、ウエハ241 が一
回りする間に単一の膜をウエハ241 上に形成することも
可能である。
【００４３】また、図 6（ｂ）に示すように、すべての
サセプタ22ａ〜22ｆに予めウエハ24ｇ〜24ｋをセットし
た後、１種類の反応ガスを用いてウエハ24ｇ〜24ｋ上に
同時に膜形成を行うようなバッチ式に類似の方法により
単一の膜の形成を行うことも可能である。
サセプタ22ａ〜22ｆに予めウエハ24ｇ〜24ｋをセットし
た後、１種類の反応ガスを用いてウエハ24ｇ〜24ｋ上に
同時に膜形成を行うようなバッチ式に類似の方法により
単一の膜の形成を行うことも可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体製造装置
においては、回動軸に固定され、吸引口と該吸引口に接
続されたブラシとを有するクリーナを具備し、該クリー
ナはガス放出面上と該ガス放出面上以外のところとの間
を回動し、かつガス分散具のガス放出面上に回動したク
リーナのブラシはガス放出面に接触するようになされて
いるので、ガス放出面を清浄に保つことができると同時
に、チャンバ内への塵の拡散を防止してより高いチャン
バ内の清浄度を確保することができる。また、クりーナ
は回動軸に固定されているので、ウエハ保持具やガス分
散具と別の機構部に設けることができる。これにより、
装置のメンテナンスが容易である。
においては、回動軸に固定され、吸引口と該吸引口に接
続されたブラシとを有するクリーナを具備し、該クリー
ナはガス放出面上と該ガス放出面上以外のところとの間
を回動し、かつガス分散具のガス放出面上に回動したク
リーナのブラシはガス放出面に接触するようになされて
いるので、ガス放出面を清浄に保つことができると同時
に、チャンバ内への塵の拡散を防止してより高いチャン
バ内の清浄度を確保することができる。また、クりーナ
は回動軸に固定されているので、ウエハ保持具やガス分
散具と別の機構部に設けることができる。これにより、
装置のメンテナンスが容易である。
【００４５】更に、チャンバを開放せずにチャンバ内で
発生する塵を容易に除去することができる。従って、従
来のように装置を停止する必要がないので、従来と比較
して装置の稼働率の低下を防止すことができる。
発生する塵を容易に除去することができる。従って、従
来のように装置を停止する必要がないので、従来と比較
して装置の稼働率の低下を防止すことができる。
【００４６】また、回転軸にガス分散具、又はウエハ保
持具を固定して回転させることにより、清浄度が確保さ
れた、連続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置
の提供が可能となる。更に、回転軸とウエハ保持具とが
固定されている場合、ウエハ保持具と回動軸とが一体的
に形成されることにより、全てのガス放出面上にクリー
ナを移動することができる。
持具を固定して回転させることにより、清浄度が確保さ
れた、連続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置
の提供が可能となる。更に、回転軸とウエハ保持具とが
固定されている場合、ウエハ保持具と回動軸とが一体的
に形成されることにより、全てのガス放出面上にクリー
ナを移動することができる。
【図１】本発明の実施例に係るＣＶＤ装置に用いられる
クリーナについての説明図である。
クリーナについての説明図である。
【図２】本発明の実施例に係るＣＶＤ装置について説明
する側面構成図である。
する側面構成図である。
【図３】本発明の実施例に係るＣＶＤ装置のウエハ保持
具の詳細について説明する平面構成図である。
具の詳細について説明する平面構成図である。
【図４】本発明の実施例に係るＣＶＤ装置のガス分散具
／クリーナの詳細について説明する側面構成図である。
／クリーナの詳細について説明する側面構成図である。
【図５】本発明の実施例に係るＣＶＤ装置のガス分散具
のクリーニング方法について説明する側面図である。
のクリーニング方法について説明する側面図である。
【図６】本発明の実施例に係るＣＶＤ装置を用いた半導
体装置の製造方法について説明する図である。
体装置の製造方法について説明する図である。
２１ ウエハ保持具、 22a 〜22f サセプタ( ウエハ載置台) 、 22a 〜22f ウエハ載置面、 ２４，24a 〜241 ウエハ、 25a 排気口／ガス導入口、 25b 配管、 26a 〜26f 熱電対( 温度測定手段) 、 ２７ 回転軸、 28a 〜28f ヒータ( 加熱手段) 、 ３０ ガス分散具、 31a 〜31e ガス放出器、 ３２，32a 〜32e ガス放出面、 ３３ ローダ／アンローダ部、 ３４ クリーナ、 ３５ ブラシ、 ３６ 吸引口、 ３７ 回動軸。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大平 浩一 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (72)発明者 千野 博 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (56)参考文献 特公 平７−93270（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (5)
- 【請求項１】反応ガスを放出するガス放出面を備えたガ
ス分散具と、 ウエハ載置面を備えたウエハ保持具と、 前記ウエハ保持具に取り付けられた収納部に収納されて
いるクリーナと、 前記ガス分散具又は前記ウエハ保持具を一平面上を移動
させる第１の移動手段と、 前記ガス分散具又は前記ウエハ保持具を前記一平面の軸
方向に移動させる第２の移動手段と、 前記ガス放出面を清掃するときには、前記第２の移動手
段により前記ウエハ保持具又は前記ガス分散具が前記軸
方向に移動されてそれらの間に空間が形成された後、前
記クリーナを前記収納部から前記ガス放出面上に移動さ
せる、前記ウエハ保持具に取り付けられた第３の移動手
段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】前記一平面上の移動は、前記第１の移動手
段を回転軸とする前記ウエハ保持具の回転移動であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項３】前記一平面上の移動は、前記第１の移動手
段を回転軸とする前記ガス分散具の回転移動であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】前記クリーナは、前記ガス放出面の残留物
を除去するブラシと、該ブラシにより除去された残留物
を吸い込む吸引口とを有することを特徴とする請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項５】前記ガス放出面を備えたガス分散具又はク
リーナの収納部が取り付けられたウエハ保持具を移動さ
せ、前記ウエハ保持具に保持されたウエハと前記ガス放
出面とを対面させて、前記ウエハ上に反応ガスを放出
し、 必要なときに、前記ガス分散具又は前記ウエハ保持具を
上下移動させてそれらの間に空間を形成した後、前記ク
リーナを前記収納部から前記ガス放出面上に移動させて
前記ガス放出面を清掃することを特徴とする半導体装置
の製造装置の使用方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320504A JPH0828334B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体装置の製造装置及びその使用方法 |
| EP93119289A EP0605791B1 (en) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Apparatus for forming a film |
| US08/159,127 US5589001A (en) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Apparatus for forming a film on a wafer |
| DE69301456T DE69301456T2 (de) | 1992-11-30 | 1993-11-30 | Apparat um einen film zu bauen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4320504A JPH0828334B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体装置の製造装置及びその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168889A JPH06168889A (ja) | 1994-06-14 |
| JPH0828334B2 true JPH0828334B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=18122192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4320504A Expired - Lifetime JPH0828334B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体装置の製造装置及びその使用方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5589001A (ja) |
| EP (1) | EP0605791B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0828334B2 (ja) |
| DE (1) | DE69301456T2 (ja) |
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| CN100576428C (zh) * | 2005-04-20 | 2009-12-30 | 飞思卡尔半导体公司 | 清洗电路衬底的设备 |
| JP2006317726A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Nec Lcd Technologies Ltd | 断線修正方法及びアクティブマトリックス基板の製造方法並びに表示装置 |
| US20080264332A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Fareed Sepehry-Fard | Method, system, and apparatus for doping and for multi-chamber high-throughput solid-phase epitaxy deposition process |
| CN102251228B (zh) * | 2011-03-25 | 2015-12-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 清洁气体输送装置的方法、生长薄膜的方法及反应装置 |
| CN102181844B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-04-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 清洁装置及清洁方法、薄膜生长反应装置及生长方法 |
| CN103374711B (zh) * | 2012-04-26 | 2017-08-15 | 塔工程有限公司 | 用于清洁反应室的设备 |
Family Cites Families (4)
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| US5013385A (en) * | 1986-04-18 | 1991-05-07 | General Signal Corporation | Quad processor |
| JPH0322359A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 鉛蓄電池用極板 |
| JPH0793270B2 (ja) * | 1991-02-15 | 1995-10-09 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体製造装置及びその使用方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4320504A patent/JPH0828334B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-30 DE DE69301456T patent/DE69301456T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-30 EP EP93119289A patent/EP0605791B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-30 US US08/159,127 patent/US5589001A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0605791A1 (en) | 1994-07-13 |
| JPH06168889A (ja) | 1994-06-14 |
| DE69301456T2 (de) | 1996-06-20 |
| DE69301456D1 (de) | 1996-03-14 |
| US5589001A (en) | 1996-12-31 |
| EP0605791B1 (en) | 1996-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960910 |