JPS6310745A - 4,4−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体およびその製造方法 - Google Patents

4,4−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体およびその製造方法

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JPS6310745A
JPS6310745A JP62061333A JP6133387A JPS6310745A JP S6310745 A JPS6310745 A JP S6310745A JP 62061333 A JP62061333 A JP 62061333A JP 6133387 A JP6133387 A JP 6133387A JP S6310745 A JPS6310745 A JP S6310745A
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hydroxyphenyl
bis
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徹 三浦
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C57/00Unsaturated compounds having carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C57/46Unsaturated compounds having carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms containing six-membered aromatic rings and other rings, e.g. cyclohexylphenylacetic acid
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C51/00Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
    • C07C51/347Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by reactions not involving formation of carboxyl groups

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  • Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 (式中、Rは水素原子または低級アルキル基、R1及び
R2は低級アルキル基を表し、m及びnはO〜4の整数
を表す。)で示される4、4−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体およびその
製造方法に関する。
本発明の化合物は、ポリマー用□等の極めて有用である
〔従来の技術〕
CI−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン
、及び4−メチル−1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−シクロヘキサン等のようなシクロヘキサン環に
アルキル基を持つ化合物は公知である0例えば、1.1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンは
融点184°Cを有する結晶であり、4−メチル−1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン
や3,5−ジメチル−1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサンは、それぞれ融点180″C
または174°Cを有する結晶である。〔メトーデン 
デルオルガニイシエン ヒイミー (Methoden
 derorganishen Che+sic 、 
Vol 6 + N(12+ 1028) 〕〔目的及
びこれを達成するための手段)4.4−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体に
ついては、これまで全く知られていなかった化合物であ
り、本発明は、このような新規な化合物及びその製造方
法を提供することにある。
すなわち、本発明は式(I) (式中、R% RI% Rgz ms nは前記の式(
■)に定義したとおりである。)で示される4、4−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボ
ン酸誘導体、及び上記式(1)化合物に相応する式(n
) C式中、Rは水素原子または低級アルキル基、R1は低
級アルキル基、mはO〜4の整数を表す、)で示される
シクロへキサノン−4−カルボン酸類と式(1)化合物
に相応する式([[[)(式中、R2は低級アルキル基
であり、nは0〜4の整数を表す。)で示されるフェノ
ールとを反応させることにより得る製造方法に関する。
本発明の式([)化合物を製造する方法は、式(11)
化合物のシクロへキサノン−4−カルボン酸類とフェノ
ールとを酸性触媒の存在下に反応させることにより得ら
れる。
式(III)化合物のフェノール類としては、フェノー
ルのほか、O−メチルフェノール、0−エチルフェノー
ル、0−プロピルフェノール、o−terLブチル−フ
ェノール、クレゾール、2.6−キシレノールなどが挙
げられる。
また式(n)化合物のシクロへキサノン−4−カルボン
酸類は、相当する4−ヒドロキシ安息香酸類、例えば4
−ヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ安息香酸メチル
、4−ヒドロキシ安息香酸エチル、4−ヒドロキシ安息
香酸プロピル、4−ヒドロキシ安息香酸ブチルや、2−
メチル−4−ヒドロキシ安息香酸、2−メチル−4−ヒ
ドロキシ安息香酸メチルなkを水、酢酸、アルコール類
などの溶媒中で、担体に担持されたパラジウムなどの触
媒を用いて水素と反応させることにより得られる。
本発明の式(1)化合物は、これらの式(II)化合物
と弐(III)化合物のフェノールとの反応生酸物であ
り、式([)化合物の具体例としては、4.4−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸
、及びそのメチル、エチル、プロピルまたはブチルエス
テルである4、4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
シクロヘキサンカルボン酸エステル、4.4−ビス(3
,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキ
サンカルボン酸メチル、4.4−ビス(3−tert、
−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン
カルボン酸及び4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル
)−2−メチルシクロヘキサンカルボン酸メチルなどを
挙げることができる。
式(■)化合物とフェノールとの本発明反応に使用しう
る触媒としては塩化水素ガス、塩酸、硫酸、リン酸、ト
ルエンスルホン酸、BFs 、ZnCN 1、AlC1
x 、5nCj!4及び移動酸性基を有する陽イオン交
換樹脂などが挙げられる。これらの触媒の使用量は式(
n)のシクロヘキサノン−4−カルボン酸類100重量
部あたり0.1〜30重量部の範囲である。また、助触
媒の添加により反応速度を高めることも可能である。メ
チルメルカプタン、エチルメルカプタン、n−プロピル
メルカプタン、イソプロとルメルカブタン、n−ブチル
メルカプタン、イソブチルメルカプクン、t−ブチルメ
ルカプタンの如きアルキルメルカプタン叉は高分子量ア
ルキルメルカプタンなどが活性な助触媒である。硫化水
素、チオフェノール、チオアルコール、チオ酸、重合体
チオアセトン、ジアルキルスルフィドの如き他のイオウ
化合物やこれらと類似のセレン化合物もまた用いること
ができる。
上記の反応は、芳香族炭化水素、塩素化脂肪族炭化水素
、氷酢酸などの反応に悪影響を及ぼさない溶媒を用いて
行うこともできる。゛しかしながらノー4−カルボン酸
類1重量部あたり2重量部から10重量部が適当である
また本発明における反応温度は30゛Cから100°C
の範囲、好ましくは40″Cから70゛Cの範囲である
反応温度が高いと副生物が増え、収率が低下するので好
ましくない。
本反応によって生成した4、4−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体は、例え
ばベンゼンなどの本発明の化合物を溶解し難い溶媒に、
反応マスを排出し、冷却品出出した塩を濾別するか、あ
るいは減圧下で蒸留するなどの方法によって回収、再使
用することができる。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
〔実施例−1〕 シクロへキサノン−4−カルボン酸の製造=4−ヒドロ
キシ安患香酸を5%パラジウム−炭素触媒の存在下、イ
ソプロピルアルコール溶媒中で温度130〜140°C
1水素圧力20〜40kg/cd (ゲージ)で2倍モ
ルの水素と反応させる0反応混合物から触媒を濾別回収
したのち、蒸留により溶媒を回収してベンゼン−ヘキサ
ンで再結晶してシクロへキサノン−4−カルボン酸を得
た。融点67.0〜68.0″C0 4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキ
サンカルボン酸の製造: 500 d反応フラスコにシクロヘキサノン−4−カル
ボン酸35.5 g 、フェノール284.Or、 3
6%塩酸30IIiを加え、40〜45°Cで6時間撹
拌して反応させた0反応終了後、塩酸水をエバポレータ
で除去した0次に蒸留により大部分のフェノールを除去
したのち300++dのベンゼンでスラッシングして残
存するフェノールを除き、濾別、乾燥して白色結晶74
.9gを得た。この結晶をカラム分取して得た精結晶は
’H−NMRとIHにより、4.4−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸と同定され
た。粗結晶の純度98%、収率94%であった。
4.4−ヒス(4−1=ドロキシフエニル)−シクロヘ
キサンカルボン酸の’)I−NMRデータを表=1に示
す、又、これの赤外スペクトルを第111Jに示した。
表−1 シグナル   pp@       帰  属e   
   8.2    −Coolf     8.8〜
9.4  −011(ン容媒 : DMSO−d h 
) 〔実施例−2〕 シクロヘキサノン−4−カルボン酸メチルの製造: 4−ヒドロキシ安息香酸メチルを5%パラジウム−炭素
触媒の存在下、イソプロピルアルコール溶媒中で温度1
70〜180”C,水素圧力20〜40kg/dで2倍
モルの水素と反応させた0反応混合物から触媒を濾別回
収したのち、蒸留し、140”C/20■l1gの留分
を分取してシクロヘキサノン−4−カルボン酸メチルを
得た。
4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキ
サンカルボン酸メチルの製造: 300d反応フラスコにシクロへキサノン−4−カルボ
ン酸メチル62.5g 、フェノール187.5g、 
36%塩酸20mを導入し、40〜45°Cで5時間撹
拌して反応させた0反応終了後、500dのベンゼン中
に排出し20℃で1時間撹拌した。
結晶を濾別、乾燥後、水で洗い塩酸を除き、再び乾燥さ
せて白色結晶115.9gを得た。この結晶をカラムク
ロマトグラフィー法で分取して得た精結晶は’)I−N
MRとIRにより、4.4−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−シクロヘキサンカルボン酸メチルと同定された
。粗結晶の純度82%、収率65%であり、副生物の大
部分は加水分解された4、4−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサンカルボン酸であった。
4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキ
サンカルボン酸メチルの’H−NMRデータを表−2に
示し、赤外スペクトルを第1図に示す。
表−2 シグナル   ppm        帰  属c  
    3.5      C00CH!各面積はプロ
トン比に一致した。
(溶媒: DMSO−d、 ) 〔実施例−3〕 実施例−2のシクロへキサノン−4−カルボン酸メチル
の製造法において、原料の4−ヒドロキシ安息香酸メチ
ルを、4−ヒドロキシ安息香酸エチルにかえたほかは同
様に操作してシクロヘキサノン−4−カルボン酸エチル
を得た(沸点150〜152℃/40asHg、 nD
Is−1,4594) 。
これを用いて、実施例−2と全く同様にしてフェノール
と反応させて白色結晶の生成物を得た。
この生成物は、NMR及び赤外スペクトルにより4.4
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカ
ルボン酸エチルであることがlii!認された。
(実施例−4〕 シクロヘキサノン−4−カルボン酸メチル62.5g 
(0,40モル)、2.6−キシレノール244.3g
(2,0モル)、n−ブチルメルカプタン6.3g、 
 トルエン200−を反応フラスコに仕込、40〜45
℃で8時間、塩酸ガスを2〜10m/winの速度で吹
き込み反応させた0反応終了後、トルエン200dおよ
び水100dを加えて冷却し、室温で30分スラッシン
グした。結晶を濾過し、トルエン洗浄、乾燥して140
゜3gの白色結晶を得た。精製ののちNMR及び赤外ス
ペクトルによって4.4〜ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸メ
チルであることが確認された。粗結晶の純度72%、収
率66%であった。
〔実施例−5〕 シクロへキサノン−4−カルボン酸56.9g(0,4
0モル)、otert−ブチルフェノール480.7g
(3,2モル)、n−ブチルメルカプタン5.7gを反
応フラスコに仕込み60℃で6時間、塩酸ガスを2〜1
0I11/5hinの速度で吹き込み反応させた。
反応終了後500−のトルエンと200mfの水の二層
に分離した混合液に排出し、室温で30分スラッシング
した。結晶を11遇し、トルエン洗浄、乾燥して159
.1gの白色結晶を得た。精製ののちNMR及び赤外ス
ペクトルによって4.4−ビス(3−tert−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン
酸であることがi1!認された。粗結晶の純度95%、
収率89%であった。
〔実施例−6〕 3−メチルシクロヘキサノン−4−カルボン酸メチルの
製造: 2−メチル−4−ヒドロキシ安息香酸を硫酸触媒の存在
下、メタノール中で加熱してそのメチルエステルとした
。この2−メチル−4−ヒドロキシ安息香酸メチルを5
%パラジウム−炭素の存在下、イソプロピルアルコール
溶媒中で温度150〜170°C1水素圧力20〜40
kg/cdで2倍モルの水素と反応させた0反応混合物
から触媒を濾別回収したのち、講習し、112〜120
℃15mmHgの留分を分取して3−メチルシクロヘキ
サノン−4−カルボン酸メチルをえた。
4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチル
シクロヘキサンカルボン酸の製造=300 m反応フラ
スコに3−メチルシクロヘキサノン−4−カルボン酸メ
チル68.1g 、フェノール187.5g、 36%
塩酸20adを加え、40〜45℃で6時間撹拌して反
応させた0反応終了後、実施例−2と同様の処理を行い
白色結晶122.2gを得た。
精製ののち、NMR及び赤外スペクトルによって4.4
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルシクロ
ヘキサンカルボン酸メチルであることが確認された。粗
結晶の純度76%、収率63%であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例−1で得られた4、4−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸の赤外ス
ペクトル。 第2図は実施例−2で得られた4、4−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸メチルの
赤外スペクトルである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子または低級アルキル基、R_1及
    びR_2は低級アルキル基を表し、m及びnは0〜4の
    整数を表す。)で示される4,4−ビス(4−ヒドロキ
    シフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体。
  2. (2)式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子または低級アルキル基、R_1及
    びR_2は低級アルキル基を表し、m及びnは0〜4の
    整数を表す。)で示される4,4−ビス(4−ヒドロキ
    シフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体を、式
    (II) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R、R_1及びmは式( I )において定義し
    たとおりである。)で示されるシクロヘキサノン−4−
    カルボン酸類と式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、R_2及びnは式( I )において定義したと
    おりである。)で示されるフェノールとを酸性触媒の存
    在下反応させて得る4,4−ビス(4−ヒドロキシフェ
    ニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体の製造方法。
JP62061333A 1986-03-18 1987-03-18 4,4−ビス(4−ヒドロキシフエニル)−シクロヘキサンカルボン酸誘導体およびその製造方法 Expired - Fee Related JPH0692341B2 (ja)

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KR890005300B1 (ko) 1989-12-20
EP0238305A1 (en) 1987-09-23
CA1267154A (en) 1990-03-27
KR870008828A (ko) 1987-10-21
JPH0692341B2 (ja) 1994-11-16
US4814488A (en) 1989-03-21
DE3762849D1 (de) 1990-06-28
US4755616A (en) 1988-07-05

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