JPS6294914A - 巻回形電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は新規な構成からなる巻回形電解コンデンサの製
造方法に関する。

［発明の技術向背ｍとその問題点］ 一般に乾式筒形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーυを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース間口部を密封してな
るものである。

一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰ｌｆｉ箔相
互間の絶縁隔１１１ｔ　Ｊ５よび駆動用電解液の保持で
あり、乾式筒形電解コンデンサにおいては重要な構成要
件である。しかして、一般に用いられているスペーサは
クラフト紙であるが、該クラフト紙は密度が０．３〜０
　、８ｇ／　ｃｔｘ３と密度が比較的高く、また繊維が
平べったくつぶれているため見掛は上の比抵抗が犬ぎく
なりｔａｎδ特性を損ね、またクラフ］・紙は抄紙技術
上の問題で厚みは３０μｙｎ以上あり、これ以上λつく
できず小形化を阻害する要因となっており、さらに加電
圧、逆電圧印加などによるコンデンサ破壊時に着火し継
続燃焼のＪ５それがあるなどの欠点をもっていた。その
ため現在クラフト紙に変え低密度のマニラ紙を用いる傾
向にあり、ｔａｎδ特性改善に大きく貢献しているが、
マニラ紙はクラフト紙に比べて価格が数１８と高く、加
えて抄紙後の強度をコンデンサのｌ！Ｊ造丁稈（特に巻
取■稈）に耐えうるためには厚さ４０μ仇以上のものを
用いなければならず依然どし、て小形化のＭ害要因とな
っていた。　また液体の駆動用電解液を使用しているた
めｔａｎδ特性改善に６限度があり、さらに液体の駆動
用電解液は低温で比抵抗が上がり低温特性が極度に悪化
し広温度範囲で使用するには信頼性に欠けなど実用上解
決すべき問題をもっているばかりか、引出端子を陽・陰
極箔途中にステッチして引出した構造であるため周波数
特性が悪い問題をも抱えていた。

そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特１ｊｉｌ昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５
９−６３６０４号公報に開示されているように駆動用電
解液にかえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロ
ピル）イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ
−ブチルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素塁で置換したキ
ノリン、インキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣ
ＮＱ錯塩を用い、特性を改善したものが提案されている
。しかして、このようなＴ　ＣＮ　Ｑ　８Ｂ塩を用いて
なる電解コンデンサは一般にこれらＴ　ＣＮ　Ｑ　２８
塩を溶融含浸して用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶
融含浸する時に加熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が
変わりやす＜ｔａｎδ特性に問題があり、また従来どお
り引出端子を巻回体の途中に挿入（）たタイプであるた
め高周波数での特性が悪く、しかもスペーサを用いてい
るため陽・陰極間（約／ｌＯ〜５０μｍ）が広く、等価
直列抵抗が大きいなど依然として解決すべき問題は残っ
ていた。さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真
空蒸着が難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほ
ど良くない問題をも乙っていた。

［発明の目的Ｊ 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題を
一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定した
開時性が得られる新規な構成からなる巻回形電解コンデ
ンサの製造方法を提供することを目的とするものである
。

［発明の概要］ 本発明の巻回形電解コンデンサの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用金属箔をラミネートし、つぎに該
金属箔の表面に生成した陽極酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩
を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上
に金属をスパッタリングし陰極電極膜を形成し基本素子
を得たのら、該基本素子を巻回し両端面に電極引出部を
形成することを特徴としたものである。

［発明の実施例］ 以下本発明の一実膿例につき詳細に説明する。

すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエヂレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルムまたはプラスデックシートなどの絶縁物（１）
の片面に一端部を余白部（２）どしてアルミニウム金属
箔をラミネートし弁作用金属箔（３）部を形成したのち
、該弁作用金属箔（３）を陽極酸化し該弁作用金属箔（
３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる後該陽
極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に位置す
る端面を除いた面上から前記余白部（２）面上に例えば
２．２′−ビピリディニウム＜ＴＣＮＱ）　２．４−ハ
イドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（ＴＣＮＱ）
　　、　　４−アミノ−２，３，５，６一テ１−ラメチ
ルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２、ピリデイニウム（ＴＣ
ＮＱ）　　、　４−シアノ−Ｎメチル−ビリデニウム（
ＴＣＮＱ）　　、　Ｎ−Ｅエチルキノリニウム（ＴＣＮ
Ｑ）　　、　Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウム（Ｔ
ＣＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機
半導体膜（５）を形成する。つぎに該有機半導体膜（５
）の前記余白部（２）の反対側に位置する端面を除いた
面上に銀、銅または金などの金属をスパッタリングして
陰極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る。しか
して、該基本素子（７）を第１図に示すように巻回し、
両端部に銀または銅ペーストを塗布−乾燥するかまたは
亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属をメタリコ
ンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出部（８）に
外部端子（９）を取着し、ケースに収納するか樹脂被覆
などを施し外装（図示せず）形成してなるものである。

以上のように構成してなる呑口形電解−コンデンサ゛の
’）！造方法によれば、４１機半導体膜形成とじて前述
のようなＴＣＮＱ鉗塩を錯塩るため真空蒸着が容易とな
り、従来例の溶融含浸のように加熱されないので伝導度
が高＜ｔａｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴ
ＣＮＱ錯塩は温度変化による比抵抗の変化は小さく、し
かもスペーサを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さく
でき、よって低温から高温の広い温度範囲においてｔａ
ｎδ特性の変化・静電容量の変化および漏れ電流１Ｓ性
の変化も少なく、ざらには従来例と違い未了形状が無誘
導タイプとなるため高周波数でのインピーダンス特性が
大幅に改善されるなど多くのすぐれた効果を奏する利点
を有する。

つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。

実　　施　　例 ポリエステルフィルムの片面厚さ１０μｍのアルミニウ
ム箔をラミネー１〜したのら、アジピン酸アンモニウム
１０％水溶液中で１００Ｖの電１ｆを印加し陽極酸化し
、該陽４４１Ｍ化によってアルミニウム箔表面に生成し
た陽Ｋｉｄ化皮膜トに、２，２、−ビピリディニウム＜
ＴＣＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で真空蒸着
し厚さ５μＴｎの有機半導体膜を形成し、つぎに該有機
半導体膜上にＡＯをスパッタリングし厚さ５μｍの陰極
電極膜を形成し得た第２図に示すような構成からなる基
本素子を巻回し両端部にＡｇペーストを塗布−乾燥し電
極引出部を形成し、該電極引出部に引出端子を溶着し、
外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格２５Ｗ
Ｖ、ＤＣ−０，１μＦの巻回形電解コンデンサ（Ａ＞ 参　　考　　例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装トシテナル定格２５ＷＶ、ＤＣ−
０，１μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）にＪ３ける引出端子は陽・陰極箔にステ
ッチし引出した構造である。

しかして上記本発明に係る実施例（△）と従来の参考例
（Ｂ）の温度に対する静電容４変化率およびｔａｎδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第３図〜第５図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果第６図に示１Ｊ：うになった。

第３図〜第６図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（８）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。

なお上記実施例では弁作用金属箔としてアルミニウム箔
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの伯の弁作用金属箔を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。また上記各実施例で
はり本県子構成どして絶縁物の片面にのみ弁作用金属お
、有機半導体膜、ｌ１３極電極膜を形成するちのを例示
して説明したが、絶縁物の両面に形成１ｊ−るようにし
ても同様の効果が１！１られることは苦うまＣもイ１い
、１［発明の効果］ 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い巻回形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の一実施例に係り第１図は
巻回形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１図
を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は温度−静電
容量変化率特性曲線図、第４図は温度−ｔａｎδ特性曲
線図、第５図は温度−漏れ電流特性曲線図、第６図は周
波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・絶縁物　　　　（２）・・・・・・
余白部（３）・・・・・・弁作用金属箔　（４）・・・
・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有機半導体膜　
（６）・・・・・・陰極電極膜（７）・・・・・・基本
素子　　　（８）・・・・・・電極引山部特許出願人　
　長井電子工業協同組合 第１図 １０“゛”（ゝゝ　　　　　１ 詔 ’ＪｒａＣ”Ｃ） 第５図 第６図 手　　続　　補　　正　　占　　　　（自発）昭和６１
年５月１９目 昭和６０年特許願第２３５９３５号 ２、発明の名称 巻同形電解コンデンザの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　山形県艮柚市時庭１９６０番地 電話　長井（０２３８）８４−４４０３郵便番号　　９
９９−０５ 名称　長井電子工業協同組合 自発的 明　　　　　　細　　　　　　占 １、発明の名称 巻回形電解コンデンサの製造方法 ２゜￥＋　ｉｆ請求の範囲 （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属箔をラミネ
−１・寸゛る手段と、該金属箔の表面に陽極酸化皮Ｖ−
を生成する手段と、該酸化皮膜上に−ＩＣＮ　Ｑ　’ｊ
：’＋塩を真空蒸着し石線半導体膜を形成りる手段と、
該右機半導体股上に金属をスパッタリングし陰極７を極
膜を形成し林木素子を１９る一Ｆ段と、該基本素子を巻
回し両端面に電極引出部を形成づ゛る手段とを具備した
ことを特徴と１６谷同形電解］ンデン４ノの製造方法。 （２）絶縁物がプラスチックノイルム、プラスチックシ
ートからなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載の巻回形電解コンデンサの製ｊ告　ｈ　？人　。 （３）　１　ＣＮ　Ｑ銘Ｊムが２．２’　　、ビピリジ
ニウム（ｌ’ＣＮＱ）　　、　４−ハイドロオキシ−Ｎ
−ペンジルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２．４−アミノ−
２，３，５，６−テ１ヘラメチルアニリニウム（ＴＧＮ
Ｑ）　　、　ピリジニウム（ＴＣＮＱ）　　、　４−シ
アノ−Ｎメヂルービリジニウム（Ｔ　ＣＮ　（、ｌ　）
　　、　　Ｎ−エブルニ１ニノリニウム（ＴＣＮＱ）　
　、　　Ｎ−（２−ノエネヂル）キノリニウム（丁ＣＮ
Ｑ）２からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）１０：ｋ　ｌ＝　＋よ特許請求の範ＩＩｌ第（２）項
記載の巻回形雷解］ンデン１すの製造方法。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の技術分野１ 本発明は新規な構成からなるさ同形？ｆｆｊ）’／Ｔｌ
ンデンサの￥Ｊ造方法に関りる。 し発明の技術的背硝とその問題点Ｊ 一般に乾式筒形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箭からなる一対の陽陰極箔にＩＩ″＋１しくアルミニウ
ムからなる一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極
箔相ｎ間にスベーリ−を介（Ｆさｔ！巻回し、しかるの
ら駆動用電解液を含浸しケースに収納し、該ケース開口
部を密封してなるものである。 一般にスペーりを介在する［１的は一対の陽陰極箔相Ｕ
間の絶縁隔離ＪＪ　Ｊ：び駆動用゛電解液の保持ぐあり
、乾式３）形電解］コンデンリ゛においては！［要な構
成要件である。しかしで、一般に用いられでいるスペー
サはクラ７１〜紙ぐあるが、該クラ７１−紙は密庶が０
．３〜０．８（Ｊ／ｃｔｍ３と密１αが比較的高く、ま
た９９７１〜紙を構成１Ｊる繊維の断面形状が偏平のた
め見１ｊ日〕十の比抵抗が大きくなりＬａｎδ１）性を
１（１ｂ、よ／、−９９７１〜紙ｔよｌＩ紙技術トの問
題ぐｊ［）みは３０μ７／ＩＬ以上あり、これ以上Ａ９
　＜ぐきず小形化を阻害りる２り囚となって−４３す、
さらに過電汀、逆電Ｈ−印加なとによる二」ンデンリ破
壊１１．１に着火し継続燃焼のおそれがあるなどの欠点
を６つ−Ｃいた。−ぞのため現イ［９５７１〜紙に変え
低密度のマニラ紙を用いる（順向にあり、Ｕ　Ｅｌ　ｎ
δ特性改善に大きく貞献じ−Ｃいるが、マニラ紙は９９
７１〜紙に比べ’Ｃｌ１ｆｆｉｉ格が数１８と１）＜、
加えて抄紙後の・ｊＱ度／、−）ンノ゛ンリの製ｆｉ−
１稈（１，１に巻取−１稈）に＾４えさ已るためには厚
さ□ｔ　Ｏｕ　ｍ以上のものを用いな（）ればならヂ依
然どしＣ小形化のｒ４１害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液を使用しているためｔａｎδ特
性改善にも限度があり、さらに液体の駆動用電解液は低
温で比抵抗が増大しやＪく低温特性が極度に悲化し広温
度範囲で使用するには信頼性に欠けるなど実用上解決リ
ーベさ問題をもっているばかりか、引出端子を陽・陰極
箔途中にステッチして引出した構造であるため周波数特
性が：ｇｉい問題をも抱えていた。 そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４．１４号公報または特開昭５９−
６３６０４ｅ公報に開示されでいるように駆ＥＪＪ用電
解液にかえ、Ｎ−ｎ−ブ１」ピル（またはＮ−イソ−プ
ロピル）イソ４−ノリン、Ｎ−＝エチルイソギノリン、
Ｎ−ｎ−ブｆルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素すで直換
したキノリン、イソキノリンまたはピリジンなどからな
るｒＣＮＱ１ｉ塩を固体電解ｖ１として用い、Ｆｊ性を
改ｇし・たｂのが提案されている。しかして、このよう
ｋ　−”Ｊ　ＣＮＱ錯塩を用いてなる電解コンデン１す
は一般にこれらｒ　ＣＮ　Ｑ　Ｓｆ：塩を溶融含浸して
用いる訳Ｃあるが、ｌ”　ＣＮ　Ｑ　ｋｎ　ｉｎ＆′ｉ
８ＭｔＪ含浸−（１’６時ニ艮時間加熱りるためＩ’　
ＣＮ　（：）　！ｉｔ塩の伝導度が減少しやりくｔ　ａ
　ｎδ特性に問題があり、また従来どおり引出端子を巻
回体の途中に仲人したタイプであるため高周波数ぐの特
性が：Ｕ：　＜、しかムスペー、Ｉすを用いているため
陽・陰極間（約４０・〜５０μｍ）が広く、等１１Ｉｌ
ｉ直列抵抗が人きいなど依然としＣ解決すぺさ問題は残
っていた。さらに上記公報に開示されたｒ　ＣＮ　Ｑ　
Ｉｔ塩は真空熱着がデましいばかりか、イれ自体の温度
１・′Ｉ牲ムぞれはど良くない問題をも乙っていた。 １発明の１−１的１ 本発明は１−記の点に鑑みてなされたもので、１−記問
題を一気に解決し、広い温石範囲の使用にδ３いてし安
定しｌζ諸１青ＩＩＬが（；Ｉられる新規な構成から４
＾゛る巻量形電解」ンｊ″ン１すの製造方法を提供りる
ことを目的どＭるものて゛ある。 ［発明の１既要１ 本発明の巻回形電解］ンｒンリの￥Ｊ込１ｊ法は絶縁物
の片面または両面に弁作用金属箔をラミネートし、つぎ
に該金属箔の表面に生成した陽ｆ４ｉ酸化皮膜上にＴＣ
ＮＱ錯塩を真空熱着し右例゛ｉ導体膜を形成し、該有機
半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極Ｉ１９を
形成し基本素子を１！ｌだのら、該基本素子を巻回し両
端面に電極引出部を形成・１にとを特徴としたものであ
る。 ［発明の実施例１ 以下本発明の一実施例につき詳細に説明りる５゜すなわ
ち、第２図に示りＪζうに例えばポリエステル、１〜リ
アレテート、テトラフロロ１ヂレン、ポリカーボネート
、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチックフ
ィルムまたはプラスブックシートなどの絶縁物（１）の
片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウム金属箔
をラミネー１〜し弁作用金属筋（３）部を形成したのち
、該弁作用金属箔（３）を陽極酸化し該弁作用金属９５
（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかるのら
該陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に位
ｄする端面を除いた面上から前記余白部（２）而［−に
例えば２．２′−どピリジニウム（丁ＣＮＱ）２．４−
ハイドロＡキシーＮ−ペンジルアニリニウム（’ｒＣＮ
Ｑ）　　、　４−アミノ−２，３，５，６＝ｉｔへラメ
チルアニリニウム（−ｒ’　ＣＮ　Ｑ　）　２、ピリジ
ニウム（王ＣＮＱ）　　、　４−シアノ−Ｎメチル−ピ
リジニウム（ＴＣＮＱ）　　、　Ｎ−〕ニプルギノリニ
「クム（’ｒ’ｃＮＱ）　　、　１ｌ−（２−）１ネｆ
ル〉１−ノリニウム（ＴＣＮＱ）２などからなる丁ＣＮ
Ｑ銘Ｉｎを真空蒸着し有機半導体１１９（ｊ））を形成
する。つぎに該有機半導体膜（５）の前記余白部（２）
の反対側に位置づ′るζさ面を除いた面子に銀、鋼また
は金などの金属をスパッタリングして１１１７極電極＋
１！、！（６）を形成し基本索子（７）を１！する。 しかして、該基本素子（７）を第１図に示づようにとＱ
　ｌ＋−＋ｌじ、両端面に銀よたは銅ベース１−を塗イ
１１〜乾燥するかまたは１ｌｌｉ、　１１、アルミニウ
ムまたはハンダなどの金属をメタリコンし電極引出部（
８）を形成し、該電極引出部（８）に外部０８子（９）
を取着し、１）−−ス（二収納りるか樹脂被覆などを施
し外装（図示１！ず）形成してなるものである。 以上のように構成してなる巻同形電解］ンデンサの製造
方法によれば、有機半導体膜形成として前述のようなＴ
ＣＮＱ鉗塩を錯塩るため真空蒸着が容易となり、従来例
の溶融金Ｑのように加熱されないので伝導麿が高＜　ｔ
ａｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯
塩は温石変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスベ
ー１すを用いないため陽・敗極間の抵抗も小さくでき、
よって低温から高温の広い′ｇＡ度範囲においてＬａｎ
δ特性の変化・静電容量の変化および漏れ゛ｌｉｆ流特
性の変化も少なく、さらには従来例と違い素子形状が無
誘導タイプとなるため高周波数でのインピーダンス特性
が大幅に改善されるなど多くのりぐれた効果を奏する利
点を右する。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。 実　　施　　例 ポリエステルフィル仏の片面厚さ１０μ７７Ｌのアルミ
ニウム箔をラミネートシたのら、アジピン酸アンモニウ
ム１０％水溶液中で１００Ｖの電圧をｒｉｌ　ｈ１１Ｌ
／陽４４酸化し、該陽極酸化によってアルミニ’、’／
　ｌ、ｉ’ｉｒ１表面ニイ［成り、　ｋ　Ｎ　！４ｉ　
Ａ！２化皮膜上に２．２’−ビピリジニウム（１’　Ｃ
Ｎ　Ｑ　）　２をＷｌｆｆ１５０’Ｃ１（）分間の条Ｖ
［で真空蒸着しＪ’λさ５　ｔｔ　ｒｎの有機半導体膜
を形成し、つぎに該有機半導体膜上にＡ（Ｊをスパッタ
リングし厚さ５μ７ｆｌの陰極電極膜を形成しく１また
第２図に承り−Ｊ：うな構成からなる基本水子を巻回し
両端面にＡ（Ｊベース１〜を塗布−乾燥し電極引出部を
形成し、該電極引出部に引出端子を溶着し、外装構造と
してエボ４−シ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ０．１
μＦの巻同形電解〕ンデンリ　　（△　）　　。 参　　考　　例 アルミニウム１１表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生
成した陽４４箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極
箔間にスペーサ゛としてマニラ紙を介在し巻回したｈ子
に、Ｎ−ｎ−ブ［ｌビルイソメ１−ノリンの−「ＣＮ　
Ｑ　！ｉｉ　Ｊ！Δを溶融含浸し、金属ブース外装とじ
てなる定格２りＷＶ０．１μ（−の電解］ンゲンリ（Ｂ
）。 なＪ３上記（１３）にＪ３ける引出端子は陽・陰極Ｒ”
＋にステッチし引出した構造である。 しかして上記本発明に係る実施例（Ａ）と従来の参考例
（［３）の温度に対する静電容量変化率Ｊ３よびｔａｎ
δ、さらには漏れ電流を調べた結宋第３図〜第５図に示
寸ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べ
た結果第６図に示すようになった。 第３図〜第６図から明らかなように、いずれの特性にＪ
３いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており
、特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれてＪ３
す、本発明のりぐれた効果を実証した。 なお上記実施例では弁作用金属箔としてアルミニウム箔
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
ブタン、ニオブなどの他の弁作用金属箔を用いたしので
も同様の効果を４５？ることかできる。また上記各実施
例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作用金
属箔、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するらのを例示
して説明したが、絶縁物の両面に形成Ｊるようにしても
同様の効果が１１Ｉられることは８うまで６ない。 ［発明の効果１ 本発明によればスベー４）を廃＋Ｌ　Ｌ、しかも有機半
導体膜として新規な王ＣＮＱ錯塩を用いることによって
安定した１、７性が１！ｌられる既存の電解コンデンリ
ー構成の枠を越えた全く新規な構成からなる実用的ｆＪ
ｉ　Ｉ（ｉの高い巻回形雷解コンγンＩＪの製造方？人
を１りることがでさる。 ４、図面の簡！ｉｔ　／：に説明 第１図おＪ２び第２図は本発明の一実論例に係り第１図
は谷間形電解コンデンサを示す１［断面図、第２図は第
１図を構成するＪ、を水素子を示す斜視図、第３図ｔよ
温瓜−静゛市容は変化率特性曲線図、第４図は渇１σ−
１ａ　ｒｌδ特性曲線図、第５図は４瓜−＆１１れ電流
特性曲線図、第６図は周波数−インピーダンス特性曲線
図である。 （１）・・・・・・絶縁物　　　　（２）・・・・・・
余白部（３）・・・・・・弁作用金属？ｌｌ’ｐ　　（
４）・・・・・・陽１４Ｍ化皮！！９（５）・・・・・
（Ｉ−機゛ｌ′−導体躾　（６）・・・・・・１２極電
極膜（７）・・・・・・基本素子　　　（８）・・・・
・・電極引出部特　　許　　出　　願　　人 艮１＋電子工業協同組合

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属箔をラミネ
   ートする手段と、該金属箔の表面に陽極酸化皮膜を生成
   する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し
   有機半導体膜を形成する手段と、該有機半導体膜上に金
   属をスパッタリングし陰極電極膜を形成し基本素子を得
   る手段と、該基本素子を巻回し両端面に電極引出部を形
   成する手段とを具備したことを特徴とする巻回形電解コ
   ンデンサの製造方法。
2. （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
   ートからなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
   項記載の巻回形電解コンデンサの製造方法。
3. （３）ＴＣＮＱ錯塩が２、２′−ビピリディニウム（Ｔ
   ＣＮＱ）＿２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニ
   リニウム（ＴＣＮＱ）２、 ４−アミノ−２、３、５、６−テトラメチルアニリニウ
   ム（ＴＣＮＱ）＿２、ピリデイニウム（ＴＣＮＱ）＿２
   、４−シアノ−Ｎメチル−ピリデニウム（ＴＣＮＱ）＿
   ２、Ｎ−Ｅエチルキノリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−
   （２−フエニチル）キノリニウム（ＴＣＮＱ）＿２から
   なることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項または
   特許請求の範囲第（２）項記載の巻回形電解コンデンサ
   の製造方法。