JPS61278126A - 積層形電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層形電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS61278126A JPS61278126A JP11963585A JP11963585A JPS61278126A JP S61278126 A JPS61278126 A JP S61278126A JP 11963585 A JP11963585 A JP 11963585A JP 11963585 A JP11963585 A JP 11963585A JP S61278126 A JPS61278126 A JP S61278126A
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- Japan
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- film
- electrolytic capacitor
- vacuum
- manufacturing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発咀は新規な構成からなる積層形電解コンデンサの製
造方法に関する。
造方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般に乾式薄形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。。
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。。
一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８Ｑ／１ｔａ
３と密度が比較的高く、またｌｌ雑が平べったくつぶれ
ているため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性
を損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３
０μｍ以上あり、これ以上簿くできず小形化を阻害する
要因となっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによ
るコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるな
どの欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え
低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改
善に大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比
べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデン
サの製造工程（特に巻取工程）に耐えうるためには厚さ
４０μＴｒＬ以上のものを用いなければならず依然とし
て小形化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用
電解液を使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度が
あり、さらに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上が
り低温特性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信
頼性に欠けなど実用上解決すべき問題をもっているばか
りか素子形状が巻回形でしかち引出端子を途中挿入した
構造であるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８Ｑ／１ｔａ
３と密度が比較的高く、またｌｌ雑が平べったくつぶれ
ているため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性
を損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３
０μｍ以上あり、これ以上簿くできず小形化を阻害する
要因となっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによ
るコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるな
どの欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え
低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改
善に大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比
べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデン
サの製造工程（特に巻取工程）に耐えうるためには厚さ
４０μＴｒＬ以上のものを用いなければならず依然とし
て小形化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用
電解液を使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度が
あり、さらに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上が
り低温特性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信
頼性に欠けなど実用上解決すべき問題をもっているばか
りか素子形状が巻回形でしかち引出端子を途中挿入した
構造であるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピルくまたはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱＲ塩を用いてなる電解コンデ
ンサは一般にこれらＴ ＣＮ ｏ 錯塩を溶融含浸して
用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加
熱されるためＴ ＣＮ Ｑ ＆Ｎ塩の伝導度が変わりや
す＜ｔａｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来ど
おり引出端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるた
め高周波数での特性が悪く、しかもスペーサを用いてい
るため隣・陰極間（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直
列抵抗が大きいなど依然として解決すべき問題は残って
いた。さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ絽塩は真空
蒸着が難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど
良くない問題をも持っていた。
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピルくまたはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱＲ塩を用いてなる電解コンデ
ンサは一般にこれらＴ ＣＮ ｏ 錯塩を溶融含浸して
用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加
熱されるためＴ ＣＮ Ｑ ＆Ｎ塩の伝導度が変わりや
す＜ｔａｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来ど
おり引出端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるた
め高周波数での特性が悪く、しかもスペーサを用いてい
るため隣・陰極間（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直
列抵抗が大きいなど依然として解決すべき問題は残って
いた。さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ絽塩は真空
蒸着が難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど
良くない問題をも持っていた。
［発明の目的］
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
［発明の概要］
本発明の積層形電解コンデンサのｌｌｉ造方決方法縁物
の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属
膜＋膜を形成し、つぎに該金属膜の表面に生成した陽極
酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を
形成し、該有機半導体膜上に金属を真空蒸着し陰極電極
膜を形成し基本素子を得たのち、該基本素子を複数積層
し両端面に電極引出部を形成することを特徴としたもの
である。
の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属
膜＋膜を形成し、つぎに該金属膜の表面に生成した陽極
酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を
形成し、該有機半導体膜上に金属を真空蒸着し陰極電極
膜を形成し基本素子を得たのち、該基本素子を複数積層
し両端面に電極引出部を形成することを特徴としたもの
である。
［発明の実施例］
以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属を蒸着し弁作用金属ＩＩＡ（３）を形成したのち
、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁作用金属１！
（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる後
置陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に位
置する端面を除いた面上から舶記余白部（２）面上に例
えば２゜２′−ビピリディニウム（ＴＣ″ＮＱ） 、
４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニリニウム（Ｔ
ＣＮＱ）２、４−アミノ−２，３，５，６−テトラメチ
ルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ビリディニウム
（ＴＣＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル−ビリデ
ニウム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−Ｅエチルキノリニウム
（ＴＣＮＱ）２、 Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウ
ム（ＴＣＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ鉗塩を真空蒸着
し有Ｒ半導体ｇ！（５）を形成する。つぎに該有機半導
体膜（５）の前記余白部（２）の反対側に位置する端面
を除いた面上に銀、銅または金などの金属を真空蒸着し
て陰極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る。
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属を蒸着し弁作用金属ＩＩＡ（３）を形成したのち
、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁作用金属１！
（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる後
置陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に位
置する端面を除いた面上から舶記余白部（２）面上に例
えば２゜２′−ビピリディニウム（ＴＣ″ＮＱ） 、
４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニリニウム（Ｔ
ＣＮＱ）２、４−アミノ−２，３，５，６−テトラメチ
ルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ビリディニウム
（ＴＣＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル−ビリデ
ニウム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−Ｅエチルキノリニウム
（ＴＣＮＱ）２、 Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウ
ム（ＴＣＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ鉗塩を真空蒸着
し有Ｒ半導体ｇ！（５）を形成する。つぎに該有機半導
体膜（５）の前記余白部（２）の反対側に位置する端面
を除いた面上に銀、銅または金などの金属を真空蒸着し
て陰極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る。
しかして、該基本素子（７）を第１図に示すように必要
数積層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥す
るかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属
をメタリコンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出
部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納する
か樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成してなるも
のである。
数積層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥す
るかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属
をメタリコンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出
部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納する
か樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成してなるも
のである。
以上のように構成してなる積層形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ銘塩を用いるため一真空蒸着が容易となり、従来例
の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高（ｔａ
ｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩
は温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペー
サを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よっ
て低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の
変化・静電容ωの変化および漏れ電流特性の変化も少な
く、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとな
るため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善さ
れるなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ銘塩を用いるため一真空蒸着が容易となり、従来例
の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高（ｔａ
ｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩
は温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペー
サを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よっ
て低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の
変化・静電容ωの変化および漏れ電流特性の変化も少な
く、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとな
るため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善さ
れるなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。
ついて述べる。
実 施 例
ポリエステルフィルムの片面にアルミニウム金属を蒸着
して形成した厚さ１μｍのアルミニウム膜表面をアジピ
ン酸アンモニウム１０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印
加し陽極酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表
面に生成した陽極酸化皮膜上に、２．２′−とビリディ
ニウム（ＴＣＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で
真空蒸着し厚さ５μｍの有様半導体膜を形成し、つぎに
該有機半導体股上にＡＱを真空蒸着し厚さ５μｍの陰極
電極膜を形成し得た第２図に示すような構成からなる基
本素子を′ａ敗積層し両端面にＡｇベーストを塗布−乾
燥し電極引出部を形成し、該電極引出部に引出端子を溶
着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格
２５ＷＶ、ＤＣ−０，１μＦの積層形電解コンデンサ（
Ａ）参 考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱＲ塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−
０，１μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
して形成した厚さ１μｍのアルミニウム膜表面をアジピ
ン酸アンモニウム１０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印
加し陽極酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表
面に生成した陽極酸化皮膜上に、２．２′−とビリディ
ニウム（ＴＣＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で
真空蒸着し厚さ５μｍの有様半導体膜を形成し、つぎに
該有機半導体股上にＡＱを真空蒸着し厚さ５μｍの陰極
電極膜を形成し得た第２図に示すような構成からなる基
本素子を′ａ敗積層し両端面にＡｇベーストを塗布−乾
燥し電極引出部を形成し、該電極引出部に引出端子を溶
着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格
２５ＷＶ、ＤＣ−０，１μＦの積層形電解コンデンサ（
Ａ）参 考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱＲ塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−
０，１μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
しかして上記本発明に係わる実施例（Ａ）と従来の参考
例（Ｂ）の温度に対する静電客間変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れＮ流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
例（Ｂ）の温度に対する静電客間変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れＮ流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ＞は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
いても実施例（Ａ＞は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実施例では弁作用金属膜形成どしてアルミニウ
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでも同様の効果を得ることができる。 また上記実施
例では、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ
形成し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明
したが第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）
を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（
矢印方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業
上より効果的である。第３図中第２図と同一部分につい
ては同一番号を付し説明を省略した。さらに上記各実施
例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作用金
属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するものを例示
して説明したが、絶縁物の両面に形成するようにしても
同様の効果を得られることは言うまでもない。
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでも同様の効果を得ることができる。 また上記実施
例では、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ
形成し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明
したが第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）
を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（
矢印方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業
上より効果的である。第３図中第２図と同一部分につい
ては同一番号を付し説明を省略した。さらに上記各実施
例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作用金
属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するものを例示
して説明したが、絶縁物の両面に形成するようにしても
同様の効果を得られることは言うまでもない。
［発明の効果］
本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
としてＦｒ）！４なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって
安定した特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠
を越えた全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層
形電解コンデンサの製造方法を得ることができる。
としてＦｒ）！４なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって
安定した特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠
を越えた全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層
形電解コンデンサの製造方法を得ることができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第４図は温
度−静電容量変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎ
δ特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
７図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体Ｉ！ （６）・・・・・・陰極電極膜（７
Ｈ１１）・・・・・・基本素子 （８）・・・・・・
電極引出部特 許 出 願 人 長井電子工業協同組合 第１図 第２図 第３図 Δ 第６図 ｙ４峡飲（Ｈｚ） 第７図 手 続 補 正 書 く自発）昭和６１
年５月１９日
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第４図は温
度−静電容量変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎ
δ特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
７図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体Ｉ！ （６）・・・・・・陰極電極膜（７
Ｈ１１）・・・・・・基本素子 （８）・・・・・・
電極引出部特 許 出 願 人 長井電子工業協同組合 第１図 第２図 第３図 Δ 第６図 ｙ４峡飲（Ｈｚ） 第７図 手 続 補 正 書 く自発）昭和６１
年５月１９日
Claims (3)
- （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着
し弁作用金属膜を形成する手段と、該金属膜の表面に陽
極酸化皮膜を生成する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ
錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成する手段と、該有
機半導体膜上に金属を真空蒸着し陰極電極膜を形成し基
本素子を得る手段と、該基本素子を複数積層し両端面に
電極引出部を形成する手段とを具備したことを特徴とす
る積層形電解コンデンサの製造方法。 - （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の積層形電解コンデンサの製
造方法。 - （３）ＴＣＮＱ錯塩が２、２′−ビピリディニウム（Ｔ
ＣＮＱ）＿２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニ
リニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−アミノ−２、３、５、
６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、ピリ
ディニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−シアノ−Ｎメチル−
ピリデニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−Ｅエチルキノリニ
ウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−（２−フェニチル）キノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）＿２からなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）項
記載の積層形電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11963585A JPS61278126A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11963585A JPS61278126A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278126A true JPS61278126A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14766326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11963585A Pending JPS61278126A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61278126A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386460A (en) * | 1977-11-18 | 1978-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of making thin film solid electrolytic capacitor |
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
| JPS59135719A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | マルコン電子株式会社 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11963585A patent/JPS61278126A/ja active Pending
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