JPS61251112A - 電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサInfo
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- JPS61251112A JPS61251112A JP9445485A JP9445485A JPS61251112A JP S61251112 A JPS61251112 A JP S61251112A JP 9445485 A JP9445485 A JP 9445485A JP 9445485 A JP9445485 A JP 9445485A JP S61251112 A JPS61251112 A JP S61251112A
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- Japan
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- film
- electrolytic capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は新規な構成からなる電解コンデンサに関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般に乾式箔形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。
一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であリ、乾式箔形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８Ｑ／ｃＩＩ
３と密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれて
いるため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性を
損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３０
μｍ以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害する要
因となっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによる
コンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなど
の欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え低
密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改善
に太き（貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べ
て価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデンサ
の製造工程（特に巻取工程）に耐えうるためには厚さ４
０μｍ以上のものを用いなければならず依然として小形
化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液
を使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があり、
さらに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低温
特性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に
欠けなど実用上解決すべき問題をもっているばかりか素
子形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構造で
あるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であリ、乾式箔形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８Ｑ／ｃＩＩ
３と密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれて
いるため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性を
損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３０
μｍ以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害する要
因となっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによる
コンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなど
の欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え低
密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改善
に太き（貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べ
て価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデンサ
の製造工程（特に巻取工程）に耐えうるためには厚さ４
０μｍ以上のものを用いなければならず依然として小形
化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液
を使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があり、
さらに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低温
特性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に
欠けなど実用上解決すべき問題をもっているばかりか素
子形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構造で
あるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱＩｆｉ塩を持ちいてなる電解
コンデンサは一般にこれら丁ＣＮＱ錯塩を溶融含浸して
用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加
熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす（ｔａ
ｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来どおり引出
端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるため高周波
数での特性が悪く、しかもスペーサを用いているため陽
・陰極間（約４０〜５０μ）が広く、抵抗が大きいなど
依然として解決すべき問題は残っていた。
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱＩｆｉ塩を持ちいてなる電解
コンデンサは一般にこれら丁ＣＮＱ錯塩を溶融含浸して
用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加
熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす（ｔａ
ｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来どおり引出
端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるため高周波
数での特性が悪く、しかもスペーサを用いているため陽
・陰極間（約４０〜５０μ）が広く、抵抗が大きいなど
依然として解決すべき問題は残っていた。
さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸着が
難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど良くな
い問題をも持っていた。
難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど良くな
い問題をも持っていた。
［発明の目的］
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても諸特性
が安定した新規な構成からなる電解コンデンサを提供す
ることを目的とするものである。
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても諸特性
が安定した新規な構成からなる電解コンデンサを提供す
ることを目的とするものである。
［発明の概要１
本発明の電解コンデンサは絶縁物の両面に弁作用台１ｉ
ｉｌＩ！を形成し、該金Ｉｉ！膜の表面に形成した陽極
酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩膜を形成し、該ＴＣＮＱ錯塩
膜上に陰極電極膜を形成したｍｍｍを複数積層し両端面
に電極引出部を形成したことを特徴とするものである。
ｉｌＩ！を形成し、該金Ｉｉ！膜の表面に形成した陽極
酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩膜を形成し、該ＴＣＮＱ錯塩
膜上に陰極電極膜を形成したｍｍｍを複数積層し両端面
に電極引出部を形成したことを特徴とするものである。
［発明の実施例］
以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の両面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属を蒸着またはラミネートし弁作用金属膜（３）を
形成したのち、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁
作用金属膜（３）表面に陽極酸化皮ＩＩ！ （４）を形
成し、しかる後該陽極酸化皮１ （４）の前記余白部（
２）の反対側に位置する端面を除いた面上から前記余白
部（２）面上に例えば２．２’−ビピリディニウム（Ｔ
ＣＮＱ） 、 ４−ハイドロオキシ−Ｎ−べンジルア
ニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ４−アミノ−２，３，
５，６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、
ピリデイニウム （ＴＣＮＱ） 、 ４−シアノ−
Ｎメチル−ビリデニウム（ＴＣＮＱ）２、 Ｎ−Ｅエチ
ルキノリニウム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−（２−フエニ
チル）キノリニウム（ＴＣＮＱ）２などからなるＴＣＮ
ＱＣＮ法真空蒸着しＴＣＮＱ錯塩膜（５）を形成する。
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の両面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属を蒸着またはラミネートし弁作用金属膜（３）を
形成したのち、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該弁
作用金属膜（３）表面に陽極酸化皮ＩＩ！ （４）を形
成し、しかる後該陽極酸化皮１ （４）の前記余白部（
２）の反対側に位置する端面を除いた面上から前記余白
部（２）面上に例えば２．２’−ビピリディニウム（Ｔ
ＣＮＱ） 、 ４−ハイドロオキシ−Ｎ−べンジルア
ニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ４−アミノ−２，３，
５，６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、
ピリデイニウム （ＴＣＮＱ） 、 ４−シアノ−
Ｎメチル−ビリデニウム（ＴＣＮＱ）２、 Ｎ−Ｅエチ
ルキノリニウム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−（２−フエニ
チル）キノリニウム（ＴＣＮＱ）２などからなるＴＣＮ
ＱＣＮ法真空蒸着しＴＣＮＱ錯塩膜（５）を形成する。
つぎに該ＴＣＮＱ錯塩膜（５）の前記余白部（２）の反
対側に位置する端面を除いた面上に銀または銅などの金
属をスクリーン印刷、蒸着またはスパッタリングなどの
手段にて陰極電極膜（６）を形成した複１１１！１１（
７）を得る。しかして、該複膜槽（１）を第１図に示す
ように必要数積層し、両端面にアルミニウムまたはハン
ダなどの金属をメタリコンまたは塗布し電極引出部（８
）を形成し、該電極引出部（８）に外部端子（９）を取
着し、ケースに収納するか樹脂被覆などを施し外装（図
示せず）形成してなるものである。
対側に位置する端面を除いた面上に銀または銅などの金
属をスクリーン印刷、蒸着またはスパッタリングなどの
手段にて陰極電極膜（６）を形成した複１１１！１１（
７）を得る。しかして、該複膜槽（１）を第１図に示す
ように必要数積層し、両端面にアルミニウムまたはハン
ダなどの金属をメタリコンまたは塗布し電極引出部（８
）を形成し、該電極引出部（８）に外部端子（９）を取
着し、ケースに収納するか樹脂被覆などを施し外装（図
示せず）形成してなるものである。
以上のように構成してなる電解コンデンサは前述のよう
なＴＣＮＱＣＮ法用いるため真空蒸着が容易となり、従
来例の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜
ｔａｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ
ＣＮ法温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもス
ペーサを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、
よって低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特
性の変化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も
少なく、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプ
となるため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改
善されるなど多くのすぐれた効果を奏する利貞を有する
。
なＴＣＮＱＣＮ法用いるため真空蒸着が容易となり、従
来例の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜
ｔａｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ
ＣＮ法温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもス
ペーサを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、
よって低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特
性の変化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も
少なく、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプ
となるため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改
善されるなど多くのすぐれた効果を奏する利貞を有する
。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。
ついて述べる。
ポリエステルフィルムの両面にアルミニウムを蒸着して
形成したアルミニウム膜表面を陽極酸化し、該陽極酸化
によってアルミニウム膜表面に形成した陽極酸化皮膜上
に、２．２’−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ）２を真空
蒸着し形成した２゜２’−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ
）２錯塩膜上にＡＱペーストをスクリーン印刷し陰極電
極膜を形成した第２図に示すよ′うな構成からなる複ｌ
Ｉ層を複数積層し両端面にハンダメタリコンを施し、外
装構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ
、ＤＣ−１０μＦのｆｆｉ解コンデンサ（Ａ）１−煮−
１ アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱｔｉｌ塩を溶
融含浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、Ｄ
Ｃ−１０μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお引出端子は陽・陰極箔にステッチし引出した構造で
ある。
形成したアルミニウム膜表面を陽極酸化し、該陽極酸化
によってアルミニウム膜表面に形成した陽極酸化皮膜上
に、２．２’−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ）２を真空
蒸着し形成した２゜２’−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ
）２錯塩膜上にＡＱペーストをスクリーン印刷し陰極電
極膜を形成した第２図に示すよ′うな構成からなる複ｌ
Ｉ層を複数積層し両端面にハンダメタリコンを施し、外
装構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ
、ＤＣ−１０μＦのｆｆｉ解コンデンサ（Ａ）１−煮−
１ アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱｔｉｌ塩を溶
融含浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、Ｄ
Ｃ−１０μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお引出端子は陽・陰極箔にステッチし引出した構造で
ある。
しかして上記本発明に係わる実施例（Ａ）と従来の参考
例（Ｂ）の温度に対する静電寝過変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
例（Ｂ）の温度に対する静電寝過変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピ−ダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピ−ダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実施例では陽極電極膜としてアルミニウム金属
からなるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの弁作用金属を用いたものでも同様
の効果を得ることができる。
からなるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの弁作用金属を用いたものでも同様
の効果を得ることができる。
また上記実施例では、必要とする大きさの複膜層を単独
でそれぞれ形成し、該複膜層を個々積層したものを例示
して説明したが第３図に示すように帯状に長い複膜ＩＩ
（１１）を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後
幅方向に必要大きさにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第３図中第２図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。
でそれぞれ形成し、該複膜層を個々積層したものを例示
して説明したが第３図に示すように帯状に長い複膜ＩＩ
（１１）を用い必要数積層し、電極引出部を形成した後
幅方向に必要大きさにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第３図中第２図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。
［発明の効果］
本発明によればスペーサを廃止し、しかも新規なＴＣＮ
ＱＣＮ法用いることによって特性の安定した既存の電解
コンデンサの構成の枠を越えた全く新規な構成からなる
実用的価値の高い電解コンデンサを得ることができる。
ＱＣＮ法用いることによって特性の安定した既存の電解
コンデンサの構成の枠を越えた全く新規な構成からなる
実用的価値の高い電解コンデンサを得ることができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１図を構
成する複膜層を示す斜視図、第３図本発明の他の実施例
に係わる複ｍ層を示す斜視図、第４図は温度−静電容色
変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎδ特性曲線図
、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第７図は周波数
−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・Ｔ
ＣＮＱ錯塩ＩＭ （６）・・・・・・陰極電極膜（７
）（１１）・・・・・・複膜層 （８）・・・・・
・電極引出部特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式会社 第１図 ＃躾乃のＳＳ５！１ 第２図 粥佑ドア４％ 第６図 第７図 手 続 補 正 囚 （自発）昭和６１
年５月１９日 園
は電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１図を構
成する複膜層を示す斜視図、第３図本発明の他の実施例
に係わる複ｍ層を示す斜視図、第４図は温度−静電容色
変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎδ特性曲線図
、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第７図は周波数
−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・Ｔ
ＣＮＱ錯塩ＩＭ （６）・・・・・・陰極電極膜（７
）（１１）・・・・・・複膜層 （８）・・・・・
・電極引出部特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式会社 第１図 ＃躾乃のＳＳ５！１ 第２図 粥佑ドア４％ 第６図 第７図 手 続 補 正 囚 （自発）昭和６１
年５月１９日 園
Claims (2)
- （１）絶縁物の両面に形成した弁作用金属膜と、該金属
膜の表面に形成した陽極酸化皮膜と、該酸化皮膜上に形
成した、ＴＣＮＱ錯塩膜と、該ＴＣＮＱ錯塩膜上に形成
した陰極電極膜とからなる複膜層と、該複膜層を複数積
層し両端面に形成した電極引出部とを具備したことを特
徴とする電解コンデンサ。 - （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の電解コンデンサ。 （２）ＴＣＮＱ錯塩膜が２、２’−ビピリディニウム（
ＴＣＮＱ）＿２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルア
ニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−アミノ−２、３、５
、６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、ピ
リデイニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−シアノ−Ｎメチル
−ピリデニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−Ｅエチルキノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−（２−フエニチル）キノ
リニウム（ＴＣＮＱ）＿２からなることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）
項記載の電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9445485A JPS61251112A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9445485A JPS61251112A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251112A true JPS61251112A (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14110710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9445485A Pending JPS61251112A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251112A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9445485A patent/JPS61251112A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
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