JPS61270807A - 積層形電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

積層形電解コンデンサの製造方法

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JPS61270807A
JPS61270807A JP11287885A JP11287885A JPS61270807A JP S61270807 A JPS61270807 A JP S61270807A JP 11287885 A JP11287885 A JP 11287885A JP 11287885 A JP11287885 A JP 11287885A JP S61270807 A JPS61270807 A JP S61270807A
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JP
Japan
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tcnq
electrolytic capacitor
film
organic semiconductor
manufacturing
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JP11287885A
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清志 坂本
成沢 虞美子
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Marcon Electronics Co Ltd
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Marcon Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は新規な構成からなる積層形電解コンデンサの製
造方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] 一般に乾式箔形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。
一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式筒形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が0.3〜0.8g/clI
3と密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれて
いるため見掛は上の比抵抗が大きくなりtanδ特性を
損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは30
μTrL以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害 
−する要因となっており、さらに加電圧、逆電圧印加な
どによるコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれが
あるなどの欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙
に変え低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、tanδ
特性改善に大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト
紙に比べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコ
ンデンサの製造工程(特に巻取工程)に耐えうるために
は厚さ40μm以上のものを用いなければならず依然と
して小形化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動
用電解液を使用しているためtanδ特性改善にも限度
があり、さらに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上
がり低温特性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには
信頼性に欠けなど実用土解決すべき問題をもっているば
かりか素子形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入し
た構造であるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた
そのため近年、例えば特開昭58−17609号公報、
特開昭58−191414号公報または特開昭59−6
3604号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、N−n−プロピル(またはN−イソ−プロピル)
イソキノリン、N−手チルイソキノリン、N−n−ブチ
ルイソキノリン、N位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるTCNQ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなTCNQ錯塩を用いてなる電解コンデ
ンサは一般にこれらTCNQ錯塩     1を溶融含
浸して用いる訳であるが、TCNQ錯塩を溶融含浸する
時に加熱されるためTCNQ錯塩の伝導度が変わりやす
<tanδ特性に問題があり、また素子形状は従来どお
り引出端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるため
高周波数での特性が悪く、しかもスペーサを用いている
ため陽・陰極間(約40〜50μm)が広く、等価直列
抵抗が大ぎいなど依然として解決すべき問題は残ってい
た。ざらに上記公報に開示されたTCNQ錯塩は真空蒸
着が難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど良
くない問題をも持っていた。
[発明の目的] 一本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問
題を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定
した諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コ
ンデンサの製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
[発明の概要] 本発明の積層形電解コンデンサの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用金属箔をラミネートし、つぎに該
金属箔の表面に生成した陽極酸化皮膜上にTCNQ錯塩
を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上
に金属ペーストをスクリーン印刷し陰極電極膜を形成し
基本素子を得元のち、該基本素子を複数積層し両端面に
電極引出部を形成することを特徴としたものである。
[発明の実施例] 以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
すなわち、第2図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロ6エチレン、ボリカーヂネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
(1)の片面に一端部を余白部(2)としてアルミニウ
ム金属箔をラミネートし弁作用金属箔(3)部を形成し
たのち、該弁作用金属箔(3)を陽極酸化し該弁作用金
属箔(3)表面に陽極酸化皮MA (4)を生成し、し
かる後該陽極酸化皮膜(4)の前記余白部(2)の反対
側に位置する端面を除いた面上から前記余白部(2)面
上に例えば2,2′−ビビリディ;ラム(TCNQ)2
.4−ハイドロオキシ−N−ペンジルアニリニウム(T
CNQ)2、4−アミノ−2,3,5゜6−テトラメチ
ルアニリニウム(TCNQ)2、ビリディニウム(TC
NQ)  、 4−シアン−Nメチルービリデニウム(
TCNQ)  、 N−Eエチルキノリニウム(TCN
Q)  、 N−(2−フエニチル)キノリニウム(T
CNQ)2などからなるTCNQ錯塩を真空蒸着し有機
半導体膜(5)を形成する。つぎに該有機半導体膜(5
)の前記余白部(2)の反対側に位置する端面を除いた
面上に銀、銅または金などの金属ペーストをスクリーン
印刷して陰極電極g!(6)を形成し基本素子(7)を
得る。しかして、該基本素子(7)を第1図に示すよう
に必要数積層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−
乾燥するかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなど
の金属をメタリコンし電極引出部(8)を形成し、該電
極引出部(8)に外部端子(9)を取着し、ケースに収
納するか樹脂被覆などを施し外装(図示せず)形成して
なるものである。
以上の尖うに構成してなる積層形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなTC
NQ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高<tan
δ特性が良好であり、また前述のようなTCNQ錯塩は
温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペーサ
を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よって
低温から高温の広い温度範囲においてtanδ特性の変
化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も少なく
、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとなる
ため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善され
るなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。
支−豊−1 ポリエステルフィルムの片面に厚さ10μ瓦のアルミニ
ウム箔をラミネートしたのち、アジピン酸アンモニウム
10%水溶液中で100Vの電圧を印加し陽極酸化し、
該陽極酸化によってアルミニウム箔表面に生成した陽極
酸化皮膜上に、2゜2′−ビビリディニウム(TCNQ
)2を温度150℃、5分間の条件で真空蒸着し厚さ5
μmの有機半導体膜を形成し、つぎに該有機半導体膜上
にAgペーストをスクリーン印刷(スクリーンメツシュ
200)L厚さ5μmの陰極電極膜を形成し得た第2図
に示すような構成からなる基本素子を複数積層し両端面
にAgペーストを塗布−乾燥し電極引出部を形成し、該
電極引出部に引出端子を溶着し、外装構造としてエポキ
シ樹脂を被覆してなる定格25WV、DC−0,1μF
の積層形電解コンデンサ(A) 参  考  例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、N
−n−プロビルイソノキノリンのTCNQ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格25WV、DC−
0,1μFの電解コンデンサ(B) なお上記(B)における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
しかして上記本発明に係わる実施例(A)と従来の参考
例(B)の温度に対する静電容は変化率およびtanさ
、さらには漏れ電流を調べた結果第4図〜第6図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第7図に示すようになった。
第4図〜第7図から明らかなように、いずれの特性に壱
いても実施例(A)は参考例(B)より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実施例では弁作用金属箔としてアルミニウム箔
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの他の弁作用金属箔を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。 また上記実施例で
は、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ形成
し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明した
が第3図に示すように帯状に長い基本素子(11)を用
い必頁数積層し、電極引出部を形成した後幅方向(矢印
方向)に必要大きさにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第3図中第2図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。
さらに上記各実施例では基本素子構成として絶縁物の片
面にのみ弁作用金属箔、有機半導体膜、陰極電極膜を形
成するものを例示して説明したが、絶縁物の両面に形成
するようにしても同様の効果を得られることは言うまで
もない。
[発明の効果] 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なTCNQ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高いW4WJ形
電解コンデンサの製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例に係り、第1図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第2図は第1
図を構成する基本素子を示す斜視図、第3図は本発明の
他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第4図は温
度−静電容量変化率特性曲線図、第5図は温度−tan
δ特性曲線図、第6図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
7図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 (1)・・・・・・・・・・・・絶縁物   (2)・
・・1余白部(3)・・・・・・弁作用金属箔  (4
)・・・・・・陽極、l化皮膜(5)・・・−・・有機
半導体膜  (6)・・・・・・陰極電極膜(7)(1
1)・・・・・・基本素子  (8)・・・・・・電極
引出部将  許  出  願  人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式会社 型 第2図 第gwJ aL/i(”り 第6図 IK    IOK    1ook    IM  
   10M周2枚(Hり 第7図 手  続  補  正  書    く自発)1、事件
の表示 昭和60年特許願第112878号 2、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所 山形県長井市幸町1番1号 電話 長井(0238)84−2131 (大代表)郵
便番号   993 名称 マルコン電子株式会社(ほか1名)別紙のとおり 明     m      書 1、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 2、特許請求の範囲 (1)絶縁物の片面または両面に弁作用金属箔をラミネ
ートする手段と、該金属箔の表面に陽極酸化皮膜を生成
する手段と、該酸化皮膜上にTCNQ錯塩を真空蒸着し
有機半導体膜を形成する手段ζ、該有機半導体膜上に金
属ペーストをスクリーン印刷し陰極電極膜を形成し基本
素子を(qる手段と、該基本素子を複数積層し両端面に
電極引出部を形成する手段とを具備したことを特徴とす
るv4層形電解コンデンサの製造方法。 (2)絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項記載の積層形電解コンデンサの製
造方法。 (3)TCNQ錯塩が2,2′−ビピリジニウム(T 
CN Q’ )  、  4−ハイドロオキシ−N−ベ
ンジルアニリニウム(TCNQ)2.4−アミノ−2,
3,5,6−テトラメチルアニリニウム(TCNQ) 
 、 ピリジニウム(TCNQ>  、 4−シアノ−
Nメチル−ピリジニウム(TCNQ)  、 N−エチ
ルキノリニウム(TCNQ)  、 N−(2−フェネ
チル)キノリニウム(TcNQ)2からなることを特徴
とする特許請求の範囲第(1)項または特許請求の範囲
第(2)項記載の積層形電解コンデンサの製造方法。 3、発明の詳細な説明 [発明の技術分野J 本発明は新規な構成からなる積層形電解コンデンサの製
造方法に関する。 [発明の技術的背景とその問題点] 一般に乾式薄形電解コンデンザは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、し゛かるのら駆動用電解
液を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封して
なるものである。 一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられてもXるスペーサはクラフト紙で
あるが、該クラフト紙は密度が0.3〜0.8Q/α 
と密度が比較的高く、またクラフト紙を構成する繊維の
断面形状が偏平のため見掛は上の比抵抗が大きくなりt
anδ特性澄損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題
で厚みは30μm以上あり、これ以上薄くできず小形化
を阻害する要因となっており、さらに過電圧、逆電圧印
加などによるコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそ
れがあるなどの欠点をもっていた。そのため現在クラフ
ト紙に変え低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ta
nδ特性改善に大ぎく貢献しているが、マニラ紙はクラ
フト紙に比べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度
をコンデンサの製造工程(特に巻取工程)に耐えさせる
ためには厚さ40μm以上のものを用いなければならず
依然として小形化の阻害要因となっていた。 また、液体の駆動用電解液を使用しているためtanδ
特性改善にも限度があり、さらに液体の   −駆動用
電解液は低温で比抵抗が増大しやすく低温特性が極度に
悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に欠けるなど実
用上解決すべき問題をもっているばかりか、素子形状が
巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構造であるため
周波数特性が悪い問題をも抱えていた。 そのため近年、例えば特開昭58−17609号公報、
特開昭58−191414号公報または特開昭59−6
3604号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、N−n−プロピル(またはN−イソ−プロピル)
イソキノリン、N−エチルイソキノリン、N−n−ブチ
ルイソキノリン、N位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるTCNQ錯
塩を固体電解質として用い、特性を改善したも    
1のが提案されている。しかして、このようなTCNQ
錯塩を用いてなる電解コンデンサは一般にこれらTCN
Q錯塩を溶融含浸して用いる訳であるが、TCNQ鉗塩
を溶融含浸するときに長時間加熱するためTCNQ錯塩
の伝導度が減少しやすくtanδ特性に問題があり、ま
た素子形状は従来どおり引出端子を巻回体の途中に挿入
したタイプであるため高周波数での特性が悪く、しかも
スペーサを用いているため陽・陰極間(約40〜50μ
m)が広く、等個直列抵抗が大きいなど依然として解決
すべぎ問題は残っていた。さらに上記公報に開示された
TCNQ錯塩は真空蒸着が難しいばかりか、それ自体の
温度特性もそれほど良くない問題をも持っていた。 [発明の目的] 本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。 [発明の概要] 本発明の積層形電解コンデンサの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用金属箔をラミネートし、つぎに該
金属箔の表面に生成した陽極酸化皮膜上にTCNQ錯塩
を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上
に金属ペーストをスクリーン印劉し陰極電極膜を形成し
基本素子を得たのち、該基本素子を複、数積層し両端面
、に電極引出部を形成することを特徴としたものである
。 [発明の実施例] 以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。 すなわち、第2図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
(1)の片面に一端部を余白部(2)としてアルミニウ
ム金属箔をラミネートし弁作用金属箔(3)部を形成し
たのち、該、弁作用金属箔(3)を陽極酸化し該弁作用
金属箔(3)表面に陽極酸化皮膜(4)を生成し、しか
るのち該陽極酸化゛皮膜(4)の前記余白部(2)の反
対側に位置する端面を除いた面上から前記余白部(2)
面上に例えば2,2′−ビピリジニウム(TCNQ)2
.4−ハイドロオキシ−N−ペンジルアニリニウム(T
CNQ)  、 4−アミノ−2,3,5,6−テ]・
ラメヂルアニリニウム(TCNQ)2、ピリジニウム(
TCNQ)  、 4−シアノ−Nメチル−ピリジニウ
ム(TCNQ)  、 N−工チルキノリニウム(TC
NQ)  、 N−(2−フェネチル)キノリニウム(
TCNQ)2などからなるTCNQ錯塩を真空蒸着し有
機半導体膜(5)を形成する。つぎに該有機半導体膜(
5)の前記余白部(2)の反対側に位置する端面を除い
た面上に銀、銅または金などの金属ペーストをスクリー
ン印刷して陰極電極膜(6)を形成し基本素子(7)を
得る。しかして、該基本素子(7)を第1図に示すよう
に必要数積層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−
乾燥するかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなど
の金属をメタリコンし電極引出部(8)を形成し、該電
極引出部(8)に外部端子(9)を取着し、ケースに収
納するか樹脂被覆などを施し外装(図示せず)形成して
なるものである。 以上のように構成してなる積層形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなTC
NQ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高< ta
nδ特性が良好であり、また前述のようなTCNQ錯塩
は温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペー
サを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よっ
て低温から高温の広い温度範囲においてtanδ特性の
変化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も少な
く、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとな
るため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善さ
れるなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。 実  施  例 ポリニスデルフィルムの片面に厚さ10μmのアルミニ
ウム箔をラミネートしたのち、アジピン酸アンモニウム
10%水溶液中で100Vの電圧を印加し陽極酸化し、
該陽極酸化によってアルミニウム箔表面に生成した陽極
酸化皮膜上に、2.2′−ビピリジニウム(TCNQ)
を温度150℃、5分間の条件で真空蒸着し厚さ5μm
の有機半導体膜を形成し、つぎに該有機半導体膜上にA
gペーストをスクリーン印刷(スクリーンメツシュ20
0)L厚さ5μmの陰極電極膜を形成し得な第2図に示
すような構成からなる基本素子を複数積層し両端面にA
Oペーストを塗布−乾燥し電極引出部を形成し、該電極
引出部に引出端子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹
脂を被覆してなる定格25WV0.1μFの積層形電解
コンデンサ(A)。 参  考  例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、N
−n−プロビルイソノキノリンのTCNQ銘塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてな−る定格25WV0. 
7μFの電解コンデンサ(8)。 なお上記(B)における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。 しかして上記本発明に係る実施例(A)と従来の参考例
(B)の温度に対する静電容岱変化率およびtanδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第4図〜第6図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果第7図に示すようになった。 第4図〜第7図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例(A)は参考例(B)より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。 なお上記実施例では弁作用金属箔としてアルミニウム箔
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの他の弁作用金属箔を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。 また上記実施例で
は、必要とする大ぎさの基本素子を単独でそれぞれ形成
し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明した
が第3図に示すように帯状に長い基本素子(11)を用
い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向(矢印
方向)に必要大きさにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第3図中第2図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。 さらに上記各実施例では基本素子構成として絶縁物の片
面にのみ弁作用金属箔、有機半導体膜、陰極電極膜を形
成するものを例示して説明したが、絶縁物の両面に形成
するようにしても同様の効果を得られることは言うまで
もない。 [発明の効果] 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なTCNQ!j!を用いることによって安定
した特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越
えた全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形電
解コンデンサの製造方法を得ることができる。 4、図面の簡単な説明 第1図および第2図は本発明の一実施例に係り、第1図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第2図は第1
図を構成する基本素子を示す斜視図、第3図は本発明の
他の実施例に係る基本素子を示゛す斜視図、第4図は温
度−静電容置変化率特性曲線図、第5図は温度−tan
δ特性曲線図、第6図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
7図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 (1)・・・・・・・・・・・・絶縁物   (2)・
・・・・・余白部(3)・・・・・・弁作用金属箔  
(4)・・・・・・陽極酸化皮膜(5)・・・・・・有
機半導体膜  (6)・旧・・陰極電極膜(7H11)
・・・・・・基本素子  (8)・・・・・・電極引出
部特  許  出  願  人 マルコン電子株式会社

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁物の片面または両面に弁作用金属箔をラミネ
    ートする手段と、該金属箔の表面に陽極酸化皮膜を生成
    する手段と、該酸化皮膜上にTCNQ錯塩を真空蒸着し
    有機半導体膜を形成する手段と、該有機半導体膜上に金
    属ペーストをスクリーン印刷し陰極電極膜を形成し基本
    素子を得る手段と、該基本素子を複数積層し両端面に電
    極引出部を形成する手段とを具備したことを特徴とする
    積層形電解コンデンサの製造方法。
  2. (2)絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
    ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
    請求の範囲第(1)項記載の積層形電解コンデンサの製
    造方法。
  3. (3)TCNQ錯塩が2,2′−ビピリディニウム(T
    CNQ)_2、4−ハイドロオキシ−N−ベンジルアニ
    リニウム(TCNQ)_2、4−アミノ−2,3,5,
    6−テトラメチルアニリニウム(TCNQ)_2、ピリ
    デイニウム(TCNQ)_2、4−シアノ−Nメチル−
    ピリデニウム(TCNQ)_2、N−Eエチルキノリニ
    ウム(TCNQ)_2、N−(2−フエニチル)キノリ
    ニウム(TCNQ)_2からなることを特徴とする特許
    請求の範囲第(1)項または特許請求の範囲第(2)項
    記載の積層形電解コンデンサの製造方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5386460A (en) * 1977-11-18 1978-07-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of making thin film solid electrolytic capacitor
JPS55158620A (en) * 1979-05-29 1980-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Metallic oxide capacitor
JPS59135719A (ja) * 1983-01-24 1984-08-04 マルコン電子株式会社 積層形固体電解コンデンサの製造方法

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