JPS61278125A - 積層形電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層形電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS61278125A JPS61278125A JP11963485A JP11963485A JPS61278125A JP S61278125 A JPS61278125 A JP S61278125A JP 11963485 A JP11963485 A JP 11963485A JP 11963485 A JP11963485 A JP 11963485A JP S61278125 A JPS61278125 A JP S61278125A
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- Japan
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は新規な構成からなる積層形電解コンデンサの製
造方法に関する。
造方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般に乾式箔形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対のＩＩ！陰極箔相
互間にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電
解液を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封し
てなるものである。
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対のＩＩ！陰極箔相
互間にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電
解液を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封し
てなるものである。
一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８０／ｎ３と
密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれている
ため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性を損ね
、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３０μｍ
以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害する要因と
なっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによるコン
デンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなどの欠
点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え低密度
のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改善に大
きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べて価
格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデンサの製
造工程（特に巻取工程）に耐えつるためには厚さ４０μ
ｍ以上のものを用いなければならず依然として小形化の
阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液を使
用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があり、さら
に液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低湿特性
が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に欠け
など実用上解決すべき問題をもっているばかりか素子形
状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構造である
ため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８０／ｎ３と
密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれている
ため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性を損ね
、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３０μｍ
以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害する要因と
なっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによるコン
デンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなどの欠
点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え低密度
のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改善に大
きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べて価
格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデンサの製
造工程（特に巻取工程）に耐えつるためには厚さ４０μ
ｍ以上のものを用いなければならず依然として小形化の
阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液を使
用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があり、さら
に液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低湿特性
が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に欠け
など実用上解決すべき問題をもっているばかりか素子形
状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構造である
ため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル〈またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換しなキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱ錯塩を用いてなる電解コンデ
ンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸して用いる
訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加熱され
るためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす（ｔａｎδ特
性に問題があり、また素子形状は従来どおり引出端子を
巻回体の途中に挿入したタイプであるため高周波数での
特性が悪く、しかもスペーサを用いているため陽・陰極
ａ（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直列抵抗が大きい
など依然として解決すべき問題は残っていた。さらに上
記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸着が難しいば
かりか、それ自体の温度特性もそれほど良くない問題を
も持っていた。
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル〈またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブチ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換しなキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱ錯塩を用いてなる電解コンデ
ンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸して用いる
訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加熱され
るためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす（ｔａｎδ特
性に問題があり、また素子形状は従来どおり引出端子を
巻回体の途中に挿入したタイプであるため高周波数での
特性が悪く、しかもスペーサを用いているため陽・陰極
ａ（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直列抵抗が大きい
など依然として解決すべき問題は残っていた。さらに上
記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸着が難しいば
かりか、それ自体の温度特性もそれほど良くない問題を
も持っていた。
［発明の目的］
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸性性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸性性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
［発明の概要］
本発明の積層形電解コンデンサの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用台１箔をラミネートし、つぎに該
金属箔の表面に形成した陽極酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩
を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上
に金属を真空蒸着し陰極電極膜を形成し基本素子を得た
のち、該基本素子を複数積層し両端面にＴｉ極引出部を
形成することを特徴としたものである。
面または両面に弁作用台１箔をラミネートし、つぎに該
金属箔の表面に形成した陽極酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩
を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上
に金属を真空蒸着し陰極電極膜を形成し基本素子を得た
のち、該基本素子を複数積層し両端面にＴｉ極引出部を
形成することを特徴としたものである。
［発明の実施例］
以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属箔をラミネートし弁作用金属箔（３）部を形成し
たのち、該弁作用金属箔（３）を陽極酸化し該弁作用金
属箔（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる
後置陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に
位置する端面を除いた面上から前記余白部（２）面上に
例えば２．２′−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ）２．４
−ハイドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（ＴＣＮ
Ｑ）２、４−アミノ−２，３，５゜６−テトラメチルア
ニリニウム（ＴＣＮＱ）２、ピリディニウム（ＴＣＮＱ
）２、４−シアノ−Ｎメチル−ビリデニウム（ＴＣＮＱ
） 、 Ｎ−Ｅエチルキノリニウム（ＴＣＮＱ）、２
、 Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウム（ＴＣＮＱ）
２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体Ｗ
Ａ（５）を形成する。つぎに該有機半導体膜（５）の前
記余白部（２）の反対側に位置する端面を除いた面上に
銀、銅または金などの金属を真空蒸着して陰極電極１１
！１（６）を形成し基本素子（７）を得る。
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属箔をラミネートし弁作用金属箔（３）部を形成し
たのち、該弁作用金属箔（３）を陽極酸化し該弁作用金
属箔（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる
後置陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に
位置する端面を除いた面上から前記余白部（２）面上に
例えば２．２′−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ）２．４
−ハイドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（ＴＣＮ
Ｑ）２、４−アミノ−２，３，５゜６−テトラメチルア
ニリニウム（ＴＣＮＱ）２、ピリディニウム（ＴＣＮＱ
）２、４−シアノ−Ｎメチル−ビリデニウム（ＴＣＮＱ
） 、 Ｎ−Ｅエチルキノリニウム（ＴＣＮＱ）、２
、 Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウム（ＴＣＮＱ）
２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機半導体Ｗ
Ａ（５）を形成する。つぎに該有機半導体膜（５）の前
記余白部（２）の反対側に位置する端面を除いた面上に
銀、銅または金などの金属を真空蒸着して陰極電極１１
！１（６）を形成し基本素子（７）を得る。
しかして、該基本素子（１）を第１図に示すように必要
数積層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥す
るかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属
をメタリコンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出
部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納する
か樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成してなるも
のである。
数積層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥す
るかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属
をメタリコンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出
部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納する
か樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成してなるも
のである。
以上のように構成してなる積層形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜ｔａｎ
δ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩は
温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペーサ
を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よって
低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の変
化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も少なく
、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとなる
ため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善され
るなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴＣ
ＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例の
溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜ｔａｎ
δ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ錯塩は
温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペーサ
を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よって
低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特性の変
化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も少なく
、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプとなる
ため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善され
るなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。
ついて述べる。
衷−」Ｌ−望
ポリエステルフィルムの片面厚さ１０μｍのアルミニウ
ム箔をラミネートしたのち、アジピン酸アンモニウム１
０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印加し陽極酸化し、該
陽ｉｓ化によってアルミニウム箔表面に生成した陽極酸
化皮膜上に、２，２′−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ）
２を温度１５０℃、５分間の条件で真空蒸着しｌさ５μ
ｍの有機半導体膜を形成し、つぎに該有機半導体膜上に
ＡＱを真空蒸着し厚さ５μ瓦の陰極電極膜を形成し得た
第２図に示すような構成からなる基本素子を複数積層し
両端面にＡａペーストを塗布−乾燥し電極引出部を形成
し、該電極引出部に引出端子を溶着し、外装構造として
エポキシ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−０，
１μＦの積層形電解コンデンサ（Ａ） １−立一」 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔問
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−
０，１μＦｆ７）電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
ム箔をラミネートしたのち、アジピン酸アンモニウム１
０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印加し陽極酸化し、該
陽ｉｓ化によってアルミニウム箔表面に生成した陽極酸
化皮膜上に、２，２′−ビピリディニウム（ＴＣＮＱ）
２を温度１５０℃、５分間の条件で真空蒸着しｌさ５μ
ｍの有機半導体膜を形成し、つぎに該有機半導体膜上に
ＡＱを真空蒸着し厚さ５μ瓦の陰極電極膜を形成し得た
第２図に示すような構成からなる基本素子を複数積層し
両端面にＡａペーストを塗布−乾燥し電極引出部を形成
し、該電極引出部に引出端子を溶着し、外装構造として
エポキシ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−０，
１μＦの積層形電解コンデンサ（Ａ） １−立一」 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔問
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−
０，１μＦｆ７）電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
しかして上記本発明に係わる実施例（Ａ）と従来の参考
例（Ｂ）の温度に対する静電容は変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
例（Ｂ）の温度に対する静電容は変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（８）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
いても実施例（Ａ）は参考例（８）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実施例では弁作用金属箔としてアルミニウム箔
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの他の弁作用金属箔を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。 また上記実施例で
は、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ形成
し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明した
が第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）を用
い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（矢印
方向）に必要大きざにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第３図中第２図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの他の弁作用金属箔を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。 また上記実施例で
は、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ形成
し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明した
が第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）を用
い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（矢印
方向）に必要大きざにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第３図中第２図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。
さらに上記各実施例では基本素子構成として絶縁物の片
面にのみ弁作用金属箔、有機半導体膜、陰極電極膜を形
成するものを例示して説明したが、絶縁物の両面に形成
するようにしても同様の効果を得られることは言うまで
もない。
面にのみ弁作用金属箔、有機半導体膜、陰極電極膜を形
成するものを例示して説明したが、絶縁物の両面に形成
するようにしても同様の効果を得られることは言うまで
もない。
［発明の効果］
本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第４図は温
度−静電容量変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎ
δ特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
７図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属箔
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体膜 （６）・・・・・・陰極電極膜（７Ｈ１
１）・・・・・・基本素子 （８）・・・・・・電極
引出部特 許 出 願 人 長井電子工業協同組合 電解コンデンサの正断面図 第１図 基本素子構成 第２図 第３ＷＪ 第Ｓ図 Ｌ／Ｌ°“°゛ 第６図 ｆｆ１ａ 雫火、（Ｈ冨） 第７図 手 続 補 正 書 く自発）昭和６１
年５月１９日
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本発明の
他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第４図は温
度−静電容量変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎ
δ特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第
７図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物 （２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属箔
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体膜 （６）・・・・・・陰極電極膜（７Ｈ１
１）・・・・・・基本素子 （８）・・・・・・電極
引出部特 許 出 願 人 長井電子工業協同組合 電解コンデンサの正断面図 第１図 基本素子構成 第２図 第３ＷＪ 第Ｓ図 Ｌ／Ｌ°“°゛ 第６図 ｆｆ１ａ 雫火、（Ｈ冨） 第７図 手 続 補 正 書 く自発）昭和６１
年５月１９日
Claims (3)
- （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属箔をラミネ
ートする手段と、該金属箔の表面に陽極酸化皮膜を生成
する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し
有機半導体膜を形成する手段と、該有機半導体膜上に金
属を真空蒸着し陰極電極膜を形成し基本素子を得る手段
と、該基本素子を複数積層し両端面に電極引出部を形成
する手段とを具備したことを特徴とする積層形電解コン
デンサの製造方法。 - （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の積層形電解コンデンサの製
造方法。 - （３）ＴＣＮＱ錯塩が２、２′−ビピリディニウム（Ｔ
ＣＮＱ）＿２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニ
リニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−アミノ−２、３、５、
６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、ピリ
ディニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−シアノ−Ｎメチル−
ピリデニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−Ｅエチルキノリニ
ウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−（２−フェニチル）キノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）＿２からなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）項
記載の積層形電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11963485A JPS61278125A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11963485A JPS61278125A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278125A true JPS61278125A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14766300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11963485A Pending JPS61278125A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 積層形電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61278125A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386460A (en) * | 1977-11-18 | 1978-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of making thin film solid electrolytic capacitor |
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
| JPS59135719A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | マルコン電子株式会社 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11963485A patent/JPS61278125A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386460A (en) * | 1977-11-18 | 1978-07-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of making thin film solid electrolytic capacitor |
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
| JPS59135719A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-04 | マルコン電子株式会社 | 積層形固体電解コンデンサの製造方法 |
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