JPS6294912A - 巻回形電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

巻回形電解コンデンサの製造方法

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JPS6294912A
JPS6294912A JP23593385A JP23593385A JPS6294912A JP S6294912 A JPS6294912 A JP S6294912A JP 23593385 A JP23593385 A JP 23593385A JP 23593385 A JP23593385 A JP 23593385A JP S6294912 A JPS6294912 A JP S6294912A
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JP
Japan
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tcnq
film
electrolytic capacitor
wound
manufacturing
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JP23593385A
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清志 坂本
成沢 虞美子
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NAGAI DENSHI KOGYO KYODO KUMIA
NAGAI DENSHI KOGYO KYODO KUMIAI
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NAGAI DENSHI KOGYO KYODO KUMIA
NAGAI DENSHI KOGYO KYODO KUMIAI
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は新規な描成からなる巻回形電解コンデンサの製
造方法に関する。
[発明の技術的前原とその問題点] 一般に乾式筒形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース間口部を密封してな
るものである。
一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が0.3〜0.8CJ/cm
3と密度が比較的高く、またjlMが平べったくつぶれ
ているため見掛 。
【す上の比抵抗が大きくなりtanδ特性を損ね、また
クラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは30μm以上あ
り、これ以上薄くできず小形化を阻害づる要因となって
おり、さらに加電圧、逆電圧印加などによるコンデンサ
破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなどの欠点をも
っていた。そのため現在クラフト紙に変え低密度のマニ
ラ紙を用いる傾向にあり、tanδ特性改善に大きく貢
献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べて価格が数
(gど高く、加えてP)組接の強度をコンデンサの製造
工程(特に巻取工程)に耐えうるためには厚さ40μm
以上のものを用いなければならず依然として小形化の用
言要因となっていた。 また液体の駆動用電解液を使用
しているためtanδ特性改善にも限度があり、さらに
液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低温特性が
種度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼性に欠けな
ど実用上解決すべき問題をもっているばかりか、引出端
子を陽・陰極お途中にステッチして引出した構造である
ため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
そのため近年、例えば特開昭58−17609号公報、
特開昭58−191414M公報または特開昭59’ 
−63604号公報に開示されているように駆動用電解
液にかえ、N−n−プロピル(またはN−イソ−プロピ
ル)イソキノリン、N−エチルイソキノリン、N−n−
ブチルイソキノリン、N位を炭化水素基で置換したキノ
リン、イソキノリンまたはピリジンなどからなるTCN
Q銘塩を用い、特性を改善したものが提案されている。
しかして、このようなTCNQ錯塩を用いて、なる電解
コンデンサは一般にこれらTCNQ錯塩を溶融含浸して
用いる訳であるが、TCNQ銘塩を溶融含浸する時に加
熱されるためTCNQ錯塩の伝導度が変わりやず<ta
nδ特性に問題があり、また従来どおり引出端子を巻回
体の途中に挿入したタイプであるため高周波数での特性
が悪く、しかもスペーサを用いているため陽・陰極間(
約40〜50μm)が広く、等価直列抵抗が大きいなど
依然として解決すべき問題は残っていた。さらに上記公
報に開示されたTCNQ錯塩は真空蒸着が難しいばかり
か、それ自体の温度特性もそれほど良くない問題をもも
っていた。
[発明の目的J 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題を
一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定した
開時性が1qられる新規な構成からなる巻回形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
[発明の概要] 本発明の巻回形電解コンデンサの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属膜を
形成し、つぎに該金属膜の表面に生成した陽極酸化皮膜
上にTCNQ銘塩を真空蒸着し右は半導体膜を形成し、
該有機半導体膜上に金属をスパッタリングし数種電極膜
を形成し基本素子を1qたのち、該基本素子を巻回し両
端面に電楊引出部を形成することを特徴としたものであ
る。
[発明の実施例] 以下本発明の一実施例につぎ詳細に説明する。
すなわら、第2図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエヂレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスデック
フィルムまたはプラスデックシー1へなどの絶縁物(1
)の片面に一端部を余白部(2)としてアルミニウム金
属を真空蒸着し弁作用金属膜(3)部を形成したのち、
該弁作用金属膜(3)を陽極酸化し該弁作用金属膜(3
)表面に陽極酸化皮膜(4)を生成し、しかる後該陽極
酸化皮躾(4)の前記余白部(2)の反対側に位置スる
端面を除いた面上からI)ff記余白部(2)面上に例
えば2.2′−ビピリディニウム(TCNQ)2、4−
ハイドロオキシ−N−ペンジルアニリニウム(TCNQ
)  、 4−アミノ−2,3,5,6一チトラメチル
アニリニウム(TCNQ)2、ビリディニウム(TCN
Q)  、 4−シフノーNメチル−ビリデニウム(T
CNQ)  、 N−Eエチルキノリニウム(TCNQ
)  、 N−(2−フエニチル)キノリニウム(TC
NQ) 2などからなるTCNQ錯塩を真空蒸着し有機
半導体膜(5)を形成する。つぎに該有機半導体膜(5
)の前記余白部(2)の反対側に位置する端面を除いた
面上に銀、銅または金などの金属をスパッタリングして
陰極電極膜(6)を形成し基本素子(7)を得る。しか
して、該基本素子(7)を第1図に示すように巻回し、
両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥するかまたは
亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属をメタリコ
ンし電極引出部(8)を形成し、該電極引出部(8)に
外部端子(9)を取着し、ケースに収納するか樹脂被覆
などを施し外装(図示せず)形成してなるものである。
以上のように構成してなる巻回形電解コンデンサの製造
方法によれば、有機半導体膜形成として前述のようなT
CNQ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従来例
の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高<ta
nδ特性が良好であり、また面述のようなTCNQ銘塩
は温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもスペー
サを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、よっ
て低温から高温の広い温度範囲においてtanδ特性の
変化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も少な
く、ざらには従来例と違い素子形状がN a導タイプと
なるため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改善
されるなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有する。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。
実  施  例 ポリエステルフィルムの片面にアルミニウム金属を真空
蒸着して形成した厚さ1μmのアルミニウム膜表面をア
ジピン酸アンモニウム10%水溶液中で100vの電圧
を印加し陽極酸化し、1該陽極酸化によってアルミニウ
ム膜表面に生成した陽極酸化皮膜上に、2,2、−ビピ
リディニウム(TCNQ)2を温度150℃、5分間の
条件で真空蒸着し厚さ5μmの有機半導体膜を形成し、
つぎに該有機半導体膜上にAgをスパッタリングし厚さ
5μmの陰極電極膜を形成し得た第2図に示すような構
成からなる基本素子を巻回し両端面にAQペーストを塗
布−乾燥し電極引出部を形成し、該電極引出部に引出端
子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してな
る定格25WV。
DC−0,1μFの巻回形電解コンデンサ(A)参  
考  例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、N
−n−プロビルイソノキノリンのTCNQ鉗塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格25WV、DC−
0,1μFの電解コンデンサ(B) なお上記(B)における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出したv4造である。
しかして上記本発明に係る実施例(Δ)と従来の参考例
(B)の温度に対する静電容量変化率およびtanδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第3図〜第5図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果第6図に示すようになった。
第3図〜第6図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例(A)は参考例(13)より安定しており
、特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており
、本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実茄例では弁作用金属膜形成としてアルミニウ
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでら同様の効果を得ることができる。また上記各実施
例では基本素子描成として絶縁物の片面にのみ弁作用金
属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するものを例示
して説明したが、絶縁物の両面に形成するようにしても
同様の効果が得られることは言うまでもない。
[発明の効果] 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なTCNQ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンザ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い巻回形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例に係り第1図は
巻回形電解コンデンサを示す正断面図、第2図は第1図
を構成する基本素子を示す斜視図、第3図は温度−静電
容ω変化率特性曲線図、第4図は温度−tanδ特性曲
線図、第5図は温度−漏れ電流特性曲線図、第6図は周
波数−インピーダンス特性曲線図である。 (1)・・・・・・絶縁物    (2)・・・・・・
余白部(3)・・・・・・弁作用金属膜 (4)・・・
・・・陽極酸化皮膜(5)・・・・・・有機半導体膜 
(6)・・・・・・陰極電極膜(1)・・・・・・基本
素子   (8)・・・・・・電極引出部第1図 ・・・1 第6図 手  続  補  正  書    く自発)昭和61
年5月19日 昭和60年特Fr FA第235933号2、発明の名
称 巻同形電解コンデンザの製造方法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所 山形県長井市時庭1960番地 電話 長井(0238)84−4403郵便番号  9
9’J−05 名称 長井電子工業協同組合 別紙のとおり 明     細      書 1、発明の名称 巻同形電解コンデンリの製jΔ方法 2、特許請求の範囲 (1)絶縁物の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着
し弁作用金属膜を形成する手段と、該金属膜の表面に陽
極酸化皮膜を生成する手段と、該酸化皮膜上にTCNQ
銘塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成づる手段と、該右
機半々体股上に全屈をスパッタリングし陰極電極膜を形
成し基本素子を1りる手段と、該基本素子を巻回し両端
面に電極引出部を形成づ“る手段とを具備したことを特
徴とづる巻回形電解]ンデン4ノの製造方i人 。 (2)絶縁物がプラスチックフィルム、プラスデックシ
ー1へからなることを特徴とする特許請求の範I/rl
第(1)項記載の巻同形電解]ンデン1Jの製造方法。 (3)TCNQ銘J温が2.2′−ビピリジニウム(T
CNQ)2、4−ハイドロAキシーN−ベンジルアニリ
ニウム(TCNQ)2.4−アミノ−2,3,5,6−
デ1−ラメチルアニリニウム(TCNQ)  、 ピリ
ジニウム(TCNQ)  、 4−シアノ−Nメブルー
ピリジニウム(TCNQ)  、 N−ニブルキノリニ
ウム(TCNQ)  、 N−(2−フェネヂル)キノ
リニウム(TCNQ)2からなることを特徴とする特許
請求の範囲第(1)項または特許請求の範囲第(2)項
記載の巻回形電解コンデンサの製造方法。 3、発明の詳細な説明 [発明の技術力ツチ1 本発明は新規な構成からなる巻同形電解コンデンザの製
j告方ン人に関する。 [発明の技術的背圧どその問題点] 一般に乾式熱形電解]ンデンリは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスベーリーを介在さ1巻回し、しかるのら駆動用電解
液を含浸しケースに収納し、該ケース間口部を蜜月して
なるものである。 一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離J3よび駆動用電解液の保持であり、乾式陽
形電解]ンデンリにおいては重要な構成要件である。し
かして、一般に用いられているスペーサ゛はクラ71−
紙であるが、該クラフト紙は密j立が0.3〜0.80
/cm”と密度が比較的高く、またクラフト紙を構成覆
る繊維の新面形状が偏平のため見掛(J上の比抵抗が人
さくなりtanδ特性をJtJね、またクラフト紙は抄
紙技術上の問題で厚みは30μm以上あり、これ以上薄
くできず小形化を阻害する要因とイヱっており、さらに
過電ITE 、逆電圧印加などにJ:るコンデン4)破
壊りに着火し継続燃焼のおそれがあるなどの欠点をもっ
ていた。そのため現在クラフト紙に変え低比+度の7ニ
ラ紙を用いる傾向にあり、tar+6特性改79に人す
ク貞献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べて価格
が数1gと高く、加えて抄紙後の強度を]ンデンリのM
 n工程(特に巻取工程)に耐えさせるために+、L厚
さ40μm以上のものを用いなければならず依然として
小形化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電解液を使用しているためtanδ特
性改善にも限度があり、ざらに液体の駆動用電解液は低
温で比抵抗が増大しや1く低温特性が極度に悪化し広温
度範囲で使用り−るには信頼性に欠けるなど実用上解決
すべき問題をもっているばかりか、引出端子を陽・陰極
箔途中にステッチして引出した構造であるため周波数特
性が悪い問題をも抱えていた。 そのため近年、例えば特開昭58−17609号公報、
特開昭58−191414号公報または特開昭59−6
3604号公報に開示されている」;うに駆動用゛電解
液にかえ、N−n−プロピル(またはN−イソ−プロピ
ル)イソキノリン、N−エチルイソキノリン、N−n−
ブチルインニにノリン、N位を炭化水素基で置換したキ
ノリン、イソキノリンまたはピリジンなどからなるTC
NQ錯塩を固体電解質として用い、特性を改善した一b
のが提案されている。しかして、このJ:うなTCNQ
鉗塩を用いてなる電解コンデンサは一般にこれらT C
N Q li塩を溶融含浸して用いる訳であるが、T 
CN Q Sii塩を溶融含浸りる時に長時間加熱する
ため丁CN Q E Jnの伝導度が減少しA5づくt
anδfj性に問題があり、また従来どおり引出端子を
巻回体の途中に挿入したタイプであるため高周波数での
特性が悲<、シかしスペーサを用いているため陽・陰極
間〈約40〜50μTrL)が広く、等圃直列抵抗が大
きいなど依然として解決すべき問題は残っていた。さら
に上記公報に開示されたTCNQ錯塩は真空蒸着が難し
いばかりが、それ自体の温度特性しそれほど良くない問
題をしもっていた。 [発明の目的] 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題を
一気に解決し、広い温度範囲の使用にJ5いても安定し
た開時性が得られる新規な構成からなる巻回形電解]ン
アンリの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。 [発明の概要1 本発明の巻回形電解コンデンザの¥J造方法は絶縁物の
片面または両面に弁作用金属を真空蒸着し弁作用金属膜
を形成し、つぎに該金属膜の表面に生成した陽極酸化皮
膜上にTCNQ錯塩を真空蒸着し打機半導体膜を形成し
、該右は半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極゛電
極膜を形成し基本素子を1!′?たのち、該基本素子を
巻回し両端面に電極引出部を形成することを特徴とした
乙のである。 [発明の実施例] 以下本発明の一実施例につぎ詳細に説明する。 すなわち、第2図に示づ−ように例えばポリエステル、
トリアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリイミドなどからなるグラスチッ
クフィルムまたはプラスデックシートなどの絶縁物(1
)の片面に一端部を余白部(2)としてアルミニウム金
属を真空蒸着し弁作用金属膜(3)部を形成したのら、
該弁作用金属膜(3)を陽極酸化し該弁作用金属膜(3
)表面に陽穫耐化皮膜(4)を生成し、しかるのら該陽
穫酸化皮膜(4)の前記余白部(2)の反対側にKl 
nする端面を除いた面上から前記余白部(2)面上に例
えば2.2′−ビピリジニウム<TCNQ)2.4−ハ
イドl]AキシーN−ペンジルアニリニウム(TCNQ
)  、  4−アミノ−2,3,5,6チトラメヂル
アニリニウム ピリジニウム(TCNQ)  、 /I−シアノ−Nメ
ヂルーピリジニウム(TCNQ)  、 N−工fルA
ノリニウム(TCNQ)  、  N−(2−フェネチ
ル)キノリニウム(TCNQ)2などからなる゛rCN
Q鉗塩を真空蒸着し有感半導体膜(5)を形成する。つ
ぎに該有機半導体膜(5)の前記余白部(2)の反対側
に位’dMる端面を除いた面上に銀、銅または金などの
金属をスパッタリングして陰極電+4i膜(6)を形成
し基本素子(7)を1ワる。 しかして、該基本素子(7)を第1図に示1ように冴回
し、両端面に銀または銅ベース1へを塗布−乾燥りるか
または11i鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属
をメクリコンし電極引出部(8)を形成し、該電極引出
部(8)に外部端子(9)を取着し、ケースに収納する
か樹脂被覆などを施し外装(図示せず)形成してなるb
のである。 以上のように構成してなる巻同形電解コンデンリの製造
方法によれば、有機下ト°ン体膜形成として前述のJζ
うなTCNQ鉗塩を用いるため真空蒸着が容易となり、
従来例の溶融含浸のJ:うに加熱されないので伝導度が
高<tanδ特性が良好であり、また前1本のようなT
CNQ銘塩は温度変化による比抵抗の変化は小さく、し
かもスベーリ−を用いないため陽・陰極間の抵抗も小さ
くでき、よって低温から高温の広い温度範囲においてt
anδ特性の変化・静電容tの変化および漏れ電流特性
の変化も少なく、さらには従来例と違い素子形状が無誘
導タイプとなるため高周波数でのインピーダンス特性が
大幅に改善されるなど多くのすぐれた効果を奏する利点
を右する。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。 実  施  例 ポリエステルフィルムの片面にアルミニウム金属を真空
蒸着して形成した厚さ1μmのアルミニウム膜表面をア
ジピン酸アンモニウム10%水溶液中で100Vの電圧
を印加し陽極酸化し、該陽極酸化ににってアルミニウム
膜表面に生成した陽74 M化皮膜上に、2,2′−ビ
ピリジニウム(TCNQ)2を温度150℃、5分間の
条件で真空熱r’i シ厚さ5μmの有機半導体膜を形
成し、つぎに該有様半導体股上に八〇をスパッタリング
し厚さ5μmの陰極電極膜を形成し得た第2図に承りよ
・)な構成からなる基本素子を巻回し両端面に△0ぺ〜
ス1へを塗布−乾燥し電極引出部を形成し、該′電(〜
引出部に引出端子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹
脂を被覆して4する定格25WV−0、1μFの巻同形
電解コンデン丈(△)。 参考例 アルミニウム61表面を粗面化したのも陽極酸化皮膜生
成した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔
間にスベー→ノとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に
、N−n−プロビルイソノキノリンのT C N Q 
Si:塩を溶融含浸し、金属ケース外装としてなる定格
25WV−0.1μFの電解コンデンサ(B)。 なJ3上記(B)にお【ノる引出端子は陽・陰極箔にス
テッチし引出した構造である。 しかして上記本発明に係る実施例(Δ)と従来の参考例
(B)の温度に対する静電客足変化率およびtanδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第3図〜第5図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果第6図に示すようになった。 第3図〜第6図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例(△)は参考例(B)より安定してJ3す
、特に高周波数でのインピーダンス特性かびぐれてJ3
す、本発明のすぐれた効果を実IL,  ノこ 。 なお上記実施例では弁作用金属膜形成としてアルミニウ
ム金属を用いるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの他の弁作用金属を用いたも
のでも同様の効果をj7ることができる。また」−記名
実施例では基本素子構成として絶縁物の片面にのみ弁作
用金属膜、有機半導体膜、陰極電極膜を形成するbのを
例示して説明したが、絶縁物の両面に形成するJ:うに
しても同様の効果が得られること(よコ゛うまでもない
。 [発明の効果] 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なTCNQ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデン(す構成の枠を越
えた全く新規な構成からなる実用的1i11i値の高い
巻回形電解コンデンサの製造方法を得ることができる。 4、図面の簡単な説明 第1図および第2図は本発明の一実施例に係り第1図は
5同形゛IIi解コンデン晋すを示す正断面図、第2図
は第1図を(l−1成する基本素子を示寸斜視図、第3
図は温度−静電容Id変化率特性曲線図、第4図は?g
度−tanδ特性曲線図、第5図は温度−漏れ電流特性
曲線図、第6図は周波数−インピーダンス14性曲線図
である。 (1)・・・・・・絶縁物    (2)・・・・・・
余白部(3)・・・・・・弁作用金属膜 (4)・・・
・・・陽極酸化皮膜(5)・・・・・・有機半導体膜 
(6)・・・・・・陰極電極膜(1)・・・・・・基本
素子   (8)・・・・・・電極引出部特  許  
出  願  人 長井電子工業協同組合

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁物の片面または両面に弁作用金属を真空蒸着
    し弁作用金属膜を形成する手段と、該金属膜の表面に陽
    極酸化皮膜を生成する手段と、該酸化皮膜上にTCNQ
    錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成する手段と、該有
    機半導体膜上に金属をスパッタリングし陰極電極膜を形
    成し基本素子を得る手段と、該基本素子を巻回し両端面
    に電極引出部を形成する手段とを具備したことを特徴と
    する巻回形電解コンデンサの製造方法。
  2. (2)絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
    ートからなることを特徴とする特許請求の範囲第(1)
    項記載の巻回形電解コンデンサの製造方法。
  3. (3)TCNQ錯塩が2、2′−ビピリディニウム(T
    CNQ)2、4−ハイドロオキシ−N−ベンジルアニリ
    ニウム(TCNQ)_2、 4−アミノ−2、3、5、6−テトラメチルアニリニウ
    ム(TCNQ)_2、ピリデイニウム(TCNQ)_2
    、4−シアノ−Nメチル−ピリデニウム(TCNQ)_
    2、N−Eエチルキノリニウム(TCNQ)_2、N−
    (2−フエニチル)キノリニウム(TCNQ)_2から
    なることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項または
    特許請求の範囲第(2)項記載の巻回形電解コンデンサ
    の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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