JPS61270810A - 積層形電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は新規な構成からなる８１層形電解コンデンサの
製造方法に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］ 一般に乾式薄形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相ｎ間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。

一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式熱形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８ｇＺｃ１３
と密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれてい
るため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性を損
ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問題で厚みは３０μ
ｍ以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害する要因
となっており、さらに加電圧、逆電圧印加などによるコ
ンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがあるなどの
欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変え低密
度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性改善に
大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に比べて
価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデンサの
製造工程（特に巻取工程）に耐えうるためには厚さ４０
μｍ以上のものを用いなければならず依然として小形化
の阻害要因となっていた。　また液体の駆動用電解液を
使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があり、さ
らに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり低温特
性が極度に悪化　　　−し広温度範囲で使用するには信
頼性に欠けなど実用土解決すべぎ問題をもっているばか
りか素子形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した
構造であるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。

そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イン−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブヂ
ルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ錯
塩を用い、特性を改善したものが提案されている。しか
して、このようなＴＣＮＱＨ塩を用いてなる電解コンデ
ンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩　　　　１を溶融含浸
して用いる訳であるが、ＴＣＮＱ＆Ｉ塩を溶融含浸する
時に加熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす
＜ｔａｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来どお
り引出端子を巻回体の途中に挿入したタイプであるため
高周波数での特性が悪＜、シかもスペーサを用いている
ため陽・陰極間（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直列
抵抗が大きいなど依然として解決すべき問題は残ってい
た。さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸
着が難しいばかりが、それ自体の温度特性もそれほど良
くない問題をも持っていた。

［発明の目的］ 本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た緒特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。

［発明の概要］ 本発明の′ｇｉ層形電解コンデンサの製造方法は絶縁物
の片面または両面に弁作用金属箔をラミネートし、つぎ
に該金属箔の表面に生成した陽極酸化皮膜上にＴＣＮＱ
錯塩を真空蒸着し有機半々体膜を形成し、該有機半導体
股上に金属をスパッタリングし陰極電極膜を形成し基本
素子を得たのち、該基本素子を複数積層し両端面に電極
引出部を形成することを特徴としたものである。

［発明の実施例］ 以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。

すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロ６エチレン、ポリカーヂネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属箔をラミネートし弁作用金属箔（３）部を形成し
たのち、該弁作用金属箔（３）を陽極酸化し該弁作用金
属箔（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる
後該陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の反対側に
位置する端面を除いた面上から前記余白ＰＩ！ｒ（２）
面上に例えば２，２′−ビビリディニウム゛（ＴＣＮＱ
）、２．４−ハイドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウ
ム（ＴＣＮＱ）２、４−アミノ−２，３，５゜６−チト
ラメヂルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２、ビリディニウム
（ＴＣＮＱ）　　、　４−シアノ−Ｎメチルービリデニ
ウム（ＴＣＮＱ）　　、　Ｎ−Ｅエチルキノリニウム（
ＴＣＮＱ）　、　Ｎ−（２−フエニチル）キノリニウム
（ＴＣＮＱ〉２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し
有機半導体膜（５）を形成する。つぎに該有機半導体！
５Ｉ（５）の前記余白部（２）の反対側に位置する端面
を除いた面上に銀、銅または金などの金属をスパッタリ
ングして陰極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得
る。しかして、該基本素子（７）を第１図に示すように
必要数積層し、両端面に銀または銅ぺ〜ストを塗布−乾
燥するかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの
金属をメタリコンし電極引出部（８）を形成し、該電極
引出部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納
するか樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成してな
るものである。

以上のように構成してなるＩＩ形電解コンデンサの製造
方法によれば有機半導体膜形成として前述のようなＴ　
ＣＮ　Ｑ　Ｉ！塩を用いるため真空蒸着が容易となり、
従来例の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高
＜ｔａｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮ
Ｑ錯塩は温度変化による　　　−比抵抗の変化は小さく
、しかもスペーサを用いないため陽・陰極間の抵抗も小
さくでき、よって低温から高温の広い温度範囲において
ｔａｎδ特性の変化・静電容量の変化および漏れ電流特
性の変化も少なく、さらには従来例と違い素子形状が無
誘導タイプとなるため高周波数でのインピーダンス特性
が大幅に改善されるなど多くのすぐれた効果を奏する利
点を有する。

つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。

実　　施　　例 ポリエステルフィルムの片面厚さ１０μｍのアルミニウ
ム箔をラミネートしたのち、アジピン酸アンモニウム１
０％水溶液中で１００Ｖの電圧を印加しＩＩＩ極酸化し
、該ＩＩ極酸酸化よってアルミニウム箔表面に生成した
陽極酸化皮膜上に、２，２、−ビビリディニウム（ＴＣ
ＮＱ）２を温度１５０℃、５分間の条件で真空蒸着し厚
さ５μｍの有機半導体膜を形成し、つぎに該有機半導体
股上にＡ９をスパッタリングし厚さ５μｍの陰極電極膜
を形成し得た第２図に示すような構成からなる基本素子
を複数Ｍ４層し両端面にＡＱペーストを塗布−乾燥し電
極引出部を形成し、該電極引出部に引出端子を溶着し、
外装構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格２５Ｗ
Ｖ、ＤＣ−０，１μＦの積層形電解コンデンサ（Ａ＞ 参　　考　　例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルインノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−
０，１μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔−にステ
ッチし引出した構造である。

しかして上記本発明に係わる実施例（Ａ）と従来の参考
例（Ｂ）の温度に対する静電容は変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数〜インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。

第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのンンビーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。

なお上記実施例では弁作用金属箔としてアルミニウム箔
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの他の弁作用金属箔を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。　また上記実施例で
は、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ形成
し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明した
が第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）を用
い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向く矢印
方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第３図中第２図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。

さらに上記各実施例では基本素子構成として絶縁物の片
面にのみ弁作用金属箔、有機半導体膜、陰極電極膜を形
成するものを例示して説明したが、絶縁物の両面に形成
するようにしても同様の効果を得られることは言うまで
もない。

［発明の効果］ 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、＃１１
図は１ｉｌｌ形電解コンデンサを示す正断面図、第２図
は第１図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は本
発明の他の実施例に係わる基本素子を示す斜視図、第４
図は温度−静電容母変化率特性曲線図、第５図は温度−
ｔａｎδ特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線
図、第７図は周波数−インピーダンス特性曲線図である
。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物　　　（２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属箔　　
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体膜　　（６）・・自・・陰極電極膜（７）（１
１）・・・・・・基本素子　　（８）・・・・・・電極
引出部特　　許　　出　　願　　人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式会社 ′＠鱗コンデンサの正断面図 第１図 基本素子ＣＱ斜撓因 第２図 第５図　゛１°°°ゝ ＩＫ　　　　＋ｏＫ　　　　＋ｏｏＫ　　　　ＩＭ　　
　　　＋ｏＭＭ３．歓（１−ＩＪ） ｔａ７図 手　　続　　補　　正　　山　　　　（自発）昭和６１
年５月１９日 特許庁長官　宇９ｆ＊　Ｗ　　ｆｊｆ２　　　　　　Ｐ
ｌ、事件の表示 昭和６０年特許願第１１２８８１号 ２、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　山形県長井市幸町１番１号 電話　長井（０２３８）８４−２１３１　（大代表）郵
便番号　　　９９３ 名称　マルコン電子株式会社（ほか１名）自発的 ５、補正の対象 明　　　　　細　　　　　書 １、発明の名称 積層形電解コンデンサの製造方法 ２、特許請求の範囲 （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属箔をラミネ
ートする手段と、該金属箔の表面に陽極酸化皮膜を生成
する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩を貞空蒸着し
有機半導体膜を形成する手段と、該有機半導体股上に金
属をスパッタリングし陰極雷極膜を形成し基本素子を得
る手段と、該基本素子を複数積層し両端面に電極引出部
を形成する手段とを具備したことを特徴とする積層形電
解コンデンサの製造方法。 （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の積層形電解コンデンサのＩ
ｊ造方法。 （３）ＴＣＮＱ錯塩が２，２′−ビピリジニウム（ＴＣ
ＮＱ）　　、　４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニ
リニウム（ＴＣＮＱ）２．４−アミノ−２，３，５，６
−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）　　、　ピリ
ジニウム（丁ＣＮＱ）　　、　　４−シアノ−Ｎメチル
−ピリジニウム（ＴＣＮＱ）　　、　Ｎ−■チルキノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）　　、　Ｎ−（２−フェネヂル）キ
ノリニウム（ＴＣＮＱ）２からなることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）
項記載の積層形電解コンデンサの製造方法。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の技術分野］ 本発明は新規な構成からなる積層形電解コンデンサの製
造方法に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 一般に乾式薄形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。 一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陸橋箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であり、乾式薄形
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペーサはクラフト紙であ
るが、該クラフト紙は密度が０．３〜０．８ＣＪ／ｃｍ
３と密度が比較的高く、またクラフト紙を構成する繊維
の断面形状が偏平のため見掛は上の比抵抗が大きくなり
ｔａｎδ特性を損ね、またクラフト紙は抄紙技術上の問
題で厚みは３０μｍ以上あり、これ以上薄くできず小形
化を阻害する要因となっており、さらに過電圧、逆電圧
印加などによるコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のお
それがあるなどの欠点をもっていた。そのため現在クラ
フト紙に変え低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔ
ａｎδ特性改善に大きく貢献しているが、マニラ紙はク
ラフト紙に比べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強
度をコンデンサの製造工程（特に巻取工程）に耐えさせ
るためには厚さ４０μｍ以上のものを用いなければなら
ず依然として小形化の阻害要因となっていた。 また、液体の駆動用電解液を使用しているためｔａｎδ
特性改善にも限度があり、さらに液体の駆動用電解液は
低温で比抵抗が増大しやすく低温特性が極度に悪化し広
温度範囲で使用するには信頼性に欠けるなど実用上解決
すべき問題をもっているばかりか、素子形状が巻回形で
しかも引出端子を途中挿入した構造であるため周波数特
性が悪い問題をも抱えていた。　　・ そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０４号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル）
イソキノリン、Ｎ−エチルイソキノリン、ｆｓＪ−ｎ−
ブチルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノ
リン、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮ
Ｑ錯塩を固体電解質として用い、特性を改善したち　　
　　へのが提案されている。しかして、このようなＴＣ
ＮＱ錯塩を用いてなる電解コンデンサは一般にこれらＴ
ＣＮＱ錯塩を溶融含浸して用いる訳であるが、ＴＣＮＱ
錯塩を溶融含浸するときに長時間加熱するためＴ　ＣＮ
　Ｑ　ＩＮ　ＷＡの伝導度が減少しやすくｔａｎδ特性
に問題があり、また素子形状は従来どおり引出端子を巻
回体の途中に挿入したタイプであるため＾周波数での特
性が悪く、しかもスペーサを用いているため陽・陰極間
（約４０〜５０μｍ）が広く、等価直列抵抗が大きいな
ど依然として解決すべき問題は残っていた。さらに上記
公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸着が難しいばか
りか、それ自体の温度特性もそれほど良くない問題をも
持っていた。 ［発明の目的］ 本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た諸特性が得られる新規な構成からなる積層形電解コン
デンサの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。 ［発明の概要］ 本発明の積層形電解コンデンザの製造方法は絶縁物の片
面または両面に弁作用金属箔をラミネートし、つぎに該
金Ｒ箔の表面に生成した陽極酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩
を真空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上
に金属をスパッタリングし陸橋電極膜を形成し基本素子
を得たのち、該基本素子を複数積層し両端面に電極引出
部を形成することを特徴としたものである。 ［発明の実施例１ 以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。 すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）９片面に一端部を余白部（２）としてアルミニウ
ム金属箔をラミネートし弁作用金属箔（３）部を形成し
たのち、該弁作用金属箔（３）を陽極酸化し該弁作用金
属箔（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を生成し、しかる
のも該陽極酸化皮１１１（４）の前記余白部（２）の反
対側に位置する端面を除いた面上から前記余白部（２）
面上に例えば２，２′−ビピリジニウム（ＴＣＮＱ）２
．４−ハイドロオキシ−Ｎ−ペンジルアニリニウム（Ｔ
ＣＮＱ）　　、　４−アミノ−２，３，５，６一チトラ
メチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）２、ピリジニウム（Ｔ
ＣＮＱ）　　、　４−シアノ−Ｎメチル−ピリジニウム
（ＴＣＮＱ）　　、　Ｎ−工チルキノリニウム（ＴＣＮ
Ｑ）　　、　Ｎ−（２−フェネチル）キノリニウム（Ｔ
ＣＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し有機
半導体膜（５）を形成する。つぎに該有機半導体ＩＩ！
　（５）の前記余白部（２）の反対側に位置する端面を
除いた面上に銀、銅または金などの金属をスパッタリン
グして陰極電極膜（６）を形成し基本素子（７）を得る
。 しかして、該基本素子（７）を第１図に示すように必要
数積層し、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥す
るかまたは亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属
をメタリコンし電極引出部（８）を形成し、該電極引出
部（８）に外部端子（９）を取着し、ケースに収納する
か樹脂被覆などを施し外装（図示せず）形成してなるも
のである。 以上のように構成してなるｆｊ４＋層形電解コンデンサ
の製造方法によれば有線半導体膜形成として前述のよう
なＴＣＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易となり、従
来例の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高（
ｔａｎδ特性が良好であり、また前述のようなＴＣＮＱ
錯塩は温度変化による比抵抗の変化は小さく、しかもス
ペーサを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき、
よって低温から高温の広い温度範囲においてｔａｎδ特
性の変化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化も
少なく、さらには従来例と違い素子形状が無誘導タイプ
となるため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に改
善されるなど多くのずぐれた効果を奏する利点を有する
。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。 実　　施　　例 ポリエステルフィルムの片面厚さ１０μｍのアルミニウ
ム箔をラミネートしたのち、アジピン酸アンモニウム１
０％水溶液中で１００ｖの電圧を印加し陽極酸化し、該
陽極酸化によってアルミニウム箔表面に生成した陽極酸
化皮膜上に２，２′−ビピリジニウム（ＴＣＮＱ）２を
温度１５０℃、５分間の条件で真空蒸着し厚さ５μｍの
右橢半導体膜を形成し、つぎに該有機半導体膜上にＡｇ
をスパッタリングし厚さ５μｍの陰極電極膜を形成し１
ｑた第２図に示すような構成からなる基本素子を複数積
層し両端面にＡｇペーストを塗布−乾燥し電極引出部を
形成し、該電極引出部に引出端子を溶着し、外装構造と
してエポキシ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ０．１μ
Ｆの積層形電解コンデンザ（Ａ）。 参　　考　　例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
したｗＡ極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔
間にスペーサどしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、
Ｎ−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ釦塩を溶融
含浸し、金属ケース外−装としてなる定格２５ＷＶ０．
１μＦの電解コンデンサ（Ｂ）。 なお上記（Ｂ）における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。 しかして上記本発明に係る実施例（Ａ）と従来の参考例
（Ｂ）の温度に対する静電容量変化率およびｔａｎδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示すよ
うになり、また周波数〜インピーダンス特性を調べた結
果第７図に示すようになった。 第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。 なお上記実施例では弁作用金属箔としてアルミニウム箔
を用いるものを例示して説明したが、例えばタンタル、
チタン、ニオブなどの他の弁作用金属箔を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。　また上記実施例で
は、必要とする大きさの基本素子を単独でそれぞれ形成
し、該基本素子を個々積層したものを例示して説明した
が第３図に示すように帯状に長い基本素子（１１）を用
い必要数積層し、電極引出部を形成した後幅方向（矢印
方向）に必要大きさにカットするようにすれば作業上よ
り効果的である。第３図中第２図と同一部分については
同一番号を付し説明を省略した。 さらに上記各実施例では基本素子構成として絶縁物の片
面にのみ弁作用金属箔、有機半導体膜、陰極電極膜を形
成するものを例示しで説明したが、絶縁物の両面に形成
するようにしても同様の効果を得られることは言うまで
もない。 ［発明の効果］ 本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なＴＣＮＱ錯塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形電解
コンデンサの製造方法を得ることができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は積層形電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１
図を構成する基本素子を示す斜視図、第３図は木発圓の
他の実施例に係る基本素子を示す斜視図、第４図は温度
−静電容岱変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎδ
特性曲線図、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第７
図は周波数−インピーダンス特性曲線図である。 （１）・・・・・・・・・・・・絶縁物　　　（２）・
・・・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属箔　　
（４）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・有
機半導体膜　　（６）・・・・・・陰極電極膜（７）（
１１）・・・・・・基本素子　　（８）・・・・・・電
極引出部特　　許　　出　　願　　人 マルコン電子株式会社 ハイマンパーツ株式会社

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁物の片面または両面に弁作用金属箔をラミネ
   ートする手段と、該金属箔の表面に陽極酸化皮膜を生成
   する手段と、該酸化皮膜上にＴＣＮＱ錯塩を真空蒸着し
   有機半導体膜を形成する手段と、該有機半導体膜上に金
   属をスパッタリングし陰極電極膜を形成し基本素子を得
   る手段と、該基本素子を複数積層し両端面に電極引出部
   を形成する手段とを具備したことを特徴とする積層形電
   解コンデンサの製造方法。
2. （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
   ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項記載の積層形電解コンデンサの製
   造方法。
3. （３）ＴＣＮＱ錯塩が２，２′−ビビリディニウム（Ｔ
   ＣＮＱ）＿２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニ
   リニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−アミノ−２，３，５，
   ６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、ピリ
   デイニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−シアノ−Ｎメチル−
   ビリデニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−Ｅエチルキノリニ
   ウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−（２−フエニチル）キノリ
   ニウム（ＴＣＮＱ）＿２からなることを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）項
   記載の積層形電解コンデンサの製造方法。