JPS61245515A - 電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサInfo
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- JPS61245515A JPS61245515A JP7864985A JP7864985A JPS61245515A JP S61245515 A JPS61245515 A JP S61245515A JP 7864985 A JP7864985 A JP 7864985A JP 7864985 A JP7864985 A JP 7864985A JP S61245515 A JPS61245515 A JP S61245515A
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- Japan
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- film
- electrolytic capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は新規な構成からなる電解コンデンサに関する。
［発咀の技術的背景とその問題点コ
一般に乾式箔形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。
箔からなる一対の陽陰極箔に同じくアルミニウムからな
る一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互間
にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解液
を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封してな
るものである。
一般にスペーサを介在する目的は一対の陽陰極箔相互間
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であリ、乾式前影
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペー勺はクラフト紙であ
るが、該クラ７１〜紙は密度が０．３〜０．８ＣＪ／ｃ
ｍ３と密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれ
ているため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性
を損ね、またクラフト紙は抄紙技術、Ｆの問題で厚みは
３０μｍ以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害す
る要因となっており、さらに加電圧、逆電圧印加などに
よるコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがある
などの欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変
え低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性
改善に大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に
比べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデ
ンサの製造工程（特に巻取■稈）に耐えうるためには厚
さ４０μｍ以上のものを用いなければならず依然として
小形化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電
解液を使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があ
り、さらに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり
低温特性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼
性に欠けなど実用上解決すべき問題をもっているばかり
か素子形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構
造であるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
の絶縁隔離および駆動用電解液の保持であリ、乾式前影
電解コンデンサにおいては重要な構成要件である。しか
して、一般に用いられているスペー勺はクラフト紙であ
るが、該クラ７１〜紙は密度が０．３〜０．８ＣＪ／ｃ
ｍ３と密度が比較的高く、また繊維が平べったくつぶれ
ているため見掛は上の比抵抗が大きくなりｔａｎδ特性
を損ね、またクラフト紙は抄紙技術、Ｆの問題で厚みは
３０μｍ以上あり、これ以上薄くできず小形化を阻害す
る要因となっており、さらに加電圧、逆電圧印加などに
よるコンデンサ破壊時に着火し継続燃焼のおそれがある
などの欠点をもっていた。そのため現在クラフト紙に変
え低密度のマニラ紙を用いる傾向にあり、ｔａｎδ特性
改善に大きく貢献しているが、マニラ紙はクラフト紙に
比べて価格が数倍と高く、加えて抄紙後の強度をコンデ
ンサの製造工程（特に巻取■稈）に耐えうるためには厚
さ４０μｍ以上のものを用いなければならず依然として
小形化の阻害要因となっていた。 また液体の駆動用電
解液を使用しているためｔａｎδ特性改善にも限度があ
り、さらに液体の駆動用電解液は低温で比抵抗が上がり
低温特性が極度に悪化し広温度範囲で使用するには信頼
性に欠けなど実用上解決すべき問題をもっているばかり
か素子形状が巻回形でしかも引出端子を途中挿入した構
造であるため周波数特性が悪い問題をも抱えていた。
そのため近年、例えば特開昭５８−１７６０９号公報、
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０’４号公報に開示されているように駆動用電解液
にかえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル
）イソキノリン、Ｎ−■チルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブ
チルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリ
ン、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ
錯塩を用い、特性を改善したものが提案されている。し
かして、このようなＴＣＮＱ銘塩を持ちい５てなる電解
コンデンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸して
用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加
熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす＜ｔａ
ｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来どおり引出
端子を巻回１’ｌ’ ＝＝ 、 ＋、’ ｊＱ’大し
たタイプであるため高周波数での特性が悪く、しかもス
ペーサを用いているため陽・陰極間（約４０〜５０μ）
が広く、抵抗が大きいなど依然として解決すべき問題は
残っていた。
特開昭５８−１９１４１４号公報または特開昭５９−６
３６０’４号公報に開示されているように駆動用電解液
にかえ、Ｎ−ｎ−プロピル（またはＮ−イソ−プロピル
）イソキノリン、Ｎ−■チルイソキノリン、Ｎ−ｎ−ブ
チルイソキノリン、Ｎ位を炭化水素基で置換したキノリ
ン、イソキノリンまたはピリジンなどからなるＴＣＮＱ
錯塩を用い、特性を改善したものが提案されている。し
かして、このようなＴＣＮＱ銘塩を持ちい５てなる電解
コンデンサは一般にこれらＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸して
用いる訳であるが、ＴＣＮＱ錯塩を溶融含浸する時に加
熱されるためＴＣＮＱ錯塩の伝導度が変わりやす＜ｔａ
ｎδ特性に問題があり、また素子形状は従来どおり引出
端子を巻回１’ｌ’ ＝＝ 、 ＋、’ ｊＱ’大し
たタイプであるため高周波数での特性が悪く、しかもス
ペーサを用いているため陽・陰極間（約４０〜５０μ）
が広く、抵抗が大きいなど依然として解決すべき問題は
残っていた。
さらに上記公報に開示されたＴＣＮＱ錯塩は真空蒸着が
難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど良くな
い問題をも持っていた。
難しいばかりか、それ自体の温度特性もそれほど良くな
い問題をも持っていた。
［発明の目的］
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても諸特性
が安定した新規な構成からなる電解コンデンサを提供す
ることを目的とするものである。
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても諸特性
が安定した新規な構成からなる電解コンデンサを提供す
ることを目的とするものである。
［発明の概要］
本発明の電解コンデンサは絶縁物の一面に弁作用金属膜
を形成し、該金属膜の表面に形成した陽極酸化皮膜上に
ＴＣＮＱ銘塩膜を地膜し、該ＴＣＮＱ錯塩膜上に陰極電
極膜を形成した複膜層を複数積層するかまたは巻回し両
端面に電極引出部を形成したことを特徴とするものであ
る。
を形成し、該金属膜の表面に形成した陽極酸化皮膜上に
ＴＣＮＱ銘塩膜を地膜し、該ＴＣＮＱ錯塩膜上に陰極電
極膜を形成した複膜層を複数積層するかまたは巻回し両
端面に電極引出部を形成したことを特徴とするものであ
る。
［発明の実施例］
以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
すなわち、第２図に示すように例えばポリエステル、ト
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の−面に一端部を余白部（２）どしてアルミニウ
ム金属を蒸着またはラミネー］−シ弁作用金属膜（３）
を形成したのち、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該
弁作用金属膜（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を形成し
、しかる後該陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の
反対側に位置する端面を除いた面上から前記余白部（２
）面上に例えば２，２′−ビビリディニウム（ＴＣＮＱ
）２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニリニウム
（ＴＣＮＱ） 、 ４−アミノ−２，３，５，６−テ
１〜ラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ビリデ
ィニウム （ＴＣＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル
−ビリデニウム（ＴＣＮＱ＞２、 Ｎ−Ｆエチルキノリ
ニウム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−（２−７エニヂル）キ
ノリニウム（ＴＣＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ銘塩を
真空蒸着しＴＣＮＱ錯塩膜（地膜を形成する。
リアセテート、テトラフロロエチレン、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリイミドなどからなるプラスチック
フィルム・シートまたはセラミックシートなどの絶縁物
（１）の−面に一端部を余白部（２）どしてアルミニウ
ム金属を蒸着またはラミネー］−シ弁作用金属膜（３）
を形成したのち、該弁作用金属膜（３）を陽極酸化し該
弁作用金属膜（３）表面に陽極酸化皮膜（４）を形成し
、しかる後該陽極酸化皮膜（４）の前記余白部（２）の
反対側に位置する端面を除いた面上から前記余白部（２
）面上に例えば２，２′−ビビリディニウム（ＴＣＮＱ
）２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルアニリニウム
（ＴＣＮＱ） 、 ４−アミノ−２，３，５，６−テ
１〜ラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ） 、 ビリデ
ィニウム （ＴＣＮＱ） 、 ４−シアノ−Ｎメチル
−ビリデニウム（ＴＣＮＱ＞２、 Ｎ−Ｆエチルキノリ
ニウム（ＴＣＮＱ） 、 Ｎ−（２−７エニヂル）キ
ノリニウム（ＴＣＮＱ）２などからなるＴＣＮＱ銘塩を
真空蒸着しＴＣＮＱ錯塩膜（地膜を形成する。
つぎに該ＴＣＮＱ錯塩膜（地膜の前記余白部（２）の反
対側に位置する端面を除いた面上に銀または銅などの金
属をスクリーン印刷、蒸着またはスパッタリングなどの
手段にて陰極電極膜（６）を形成した複膜層（７）を得
る。しかして、該複膜槽（１）を第１図に示ザように必
要数積層し、両端面にアルミニウムまたはハンダなどの
金属をメタリコンまたは塗布し電極引出部（８）を形成
し、該電極引出部（８）に外部端子（９）を取着し、ケ
ースに収納するか樹脂被覆などを施し外装（図示せず）
形成してなるｂのである。
対側に位置する端面を除いた面上に銀または銅などの金
属をスクリーン印刷、蒸着またはスパッタリングなどの
手段にて陰極電極膜（６）を形成した複膜層（７）を得
る。しかして、該複膜槽（１）を第１図に示ザように必
要数積層し、両端面にアルミニウムまたはハンダなどの
金属をメタリコンまたは塗布し電極引出部（８）を形成
し、該電極引出部（８）に外部端子（９）を取着し、ケ
ースに収納するか樹脂被覆などを施し外装（図示せず）
形成してなるｂのである。
以上のように構成してなる電解コンデンサは前述のよう
なＴＣＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易どなり、従
来例の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜
ｔａｎδ特性が良好であり、また前述のＪ：うなＴＣＮ
Ｑ錯塩は温痕変化による比抵抗の変化は小さく、しかも
スペーサを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき
、よって低温から高温の広い温痘範囲においてｔａｎδ
特性の変化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化
も少なく、さらには従来例と違い素子形状蛾無誘導タイ
プとなるため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に
改善されるなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有す
る。
なＴＣＮＱ錯塩を用いるため真空蒸着が容易どなり、従
来例の溶融含浸のように加熱されないので伝導度が高＜
ｔａｎδ特性が良好であり、また前述のＪ：うなＴＣＮ
Ｑ錯塩は温痕変化による比抵抗の変化は小さく、しかも
スペーサを用いないため陽・陰極間の抵抗も小さくでき
、よって低温から高温の広い温痘範囲においてｔａｎδ
特性の変化・静電容量の変化および漏れ電流特性の変化
も少なく、さらには従来例と違い素子形状蛾無誘導タイ
プとなるため高周波数でのインピーダンス特性が大幅に
改善されるなど多くのすぐれた効果を奏する利点を有す
る。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例どの比較の一例に
ついて述べる。
ついて述べる。
割−」−例
ポリニスデルフィルムの一面にアルミニウムを蒸着して
形成したアルミニウム膜表面を陽極酸化し、該陽極酸化
によってアルミニウム膜表面に形成した陽極酸化皮膜上
に、２，２′−ジピリディニウム（ＴＣＮＱ）２を真空
蒸着し形成し た２゜２′−ビビリディニウム（ＴＣＮ
Ｑ）２錯塩膜上にＡＱペーストをスクリーン印刷し陰極
電極膜を形成した第２図に示すような構成からなる複膜
層を複数積層し両端面にハンダメタリコンを施し、外装
構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ、
Ｄ（，１０μＦの電解コンデンサ（Ａ）参 考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−
１０μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお引出端子は陽
・陰極箔にステッチし引出した構造である。
形成したアルミニウム膜表面を陽極酸化し、該陽極酸化
によってアルミニウム膜表面に形成した陽極酸化皮膜上
に、２，２′−ジピリディニウム（ＴＣＮＱ）２を真空
蒸着し形成し た２゜２′−ビビリディニウム（ＴＣＮ
Ｑ）２錯塩膜上にＡＱペーストをスクリーン印刷し陰極
電極膜を形成した第２図に示すような構成からなる複膜
層を複数積層し両端面にハンダメタリコンを施し、外装
構造としてエポキシ樹脂を被覆してなる定格２５ＷＶ、
Ｄ（，１０μＦの電解コンデンサ（Ａ）参 考 例 アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した陰極箔間
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、Ｎ
−ｎ−プロビルイソノキノリンのＴＣＮＱ錯塩を溶融含
浸し、金属ケース外装としてなる定格２５ＷＶ、ＤＣ−
１０μＦの電解コンデンサ（Ｂ） なお引出端子は陽
・陰極箔にステッチし引出した構造である。
しかして上記本発明に係わる実施例（Ａ）と従来の参考
例（Ｂ）の温痕に対する静電容量変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
例（Ｂ）の温痕に対する静電容量変化率およびｔａｎδ
、さらには漏れ電流を調べた結果第４図〜第６図に示す
ようになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた
結果第７図に示すようになった。
第４図〜第７図から明らかなように、いずれの特性にお
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
いても実施例（Ａ）は参考例（Ｂ）より安定しており、
特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており、
本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実施例では積層形のものを例示して説明したが
第３図に示すように帯状に長い絶縁物（１１）を用い、
上記実施例同様の手段によって形成した複膜層（１２）
を用い、該複膜層（１２）を矢印方向に巻回した巻回形
からなる素子構成としたものでも同効である。第３図中
第２図と同一部分については同一番号を付し説明を省略
した。また上記実施例では陽極電極膜としてアルミニウ
ム金属からなるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの弁作用金属を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。さらに上記実施例で
は積層形の場合、必要とする大きさの複膜層を単独でそ
れぞれ形成□し、該複膜層を個々積層したものを例示し
て説明したが第３図に示すように巻回形からなる素子構
成の場合ど同様帯状に長い複膜層を用い必要数積層し、
電極引出部を形成した後幅方向に必要大きさにカットす
るようにすれば作業上より効果的である。
第３図に示すように帯状に長い絶縁物（１１）を用い、
上記実施例同様の手段によって形成した複膜層（１２）
を用い、該複膜層（１２）を矢印方向に巻回した巻回形
からなる素子構成としたものでも同効である。第３図中
第２図と同一部分については同一番号を付し説明を省略
した。また上記実施例では陽極電極膜としてアルミニウ
ム金属からなるものを例示して説明したが、例えばタン
タル、チタン、ニオブなどの弁作用金属を用いたもので
も同様の効果を得ることができる。さらに上記実施例で
は積層形の場合、必要とする大きさの複膜層を単独でそ
れぞれ形成□し、該複膜層を個々積層したものを例示し
て説明したが第３図に示すように巻回形からなる素子構
成の場合ど同様帯状に長い複膜層を用い必要数積層し、
電極引出部を形成した後幅方向に必要大きさにカットす
るようにすれば作業上より効果的である。
［発明の効果１
本発明によればスペーサを廃止し、しかも新規なＴＣＮ
Ｑ錯塩を用いることによって特性の安定した既存の電解
コンデンサの構成の枠を越えた全く新規な構成からなる
実用的価値の高い電解コンデンサを得ることができる。
Ｑ錯塩を用いることによって特性の安定した既存の電解
コンデンサの構成の枠を越えた全く新規な構成からなる
実用的価値の高い電解コンデンサを得ることができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例に係り、第１図
は電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１図を構
成する複膜層を示す斜視図、第３図本発明の他の実施例
に係わる複膜層を示す斜視図、第４図は温度−静電容量
変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎδ特性曲線図
、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第７図は周波数
−インピーダンス特性曲線図である。 （１）（１１）・・・・・・絶縁物 （２）・・・
・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜 （４
）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・ＴＣＮ
Ｑ錯塩膜 （６）・・・・・・陰極電極膜（７）（１２
）・・・・・・複膜層 （８）・・・・・・電極引
出部！ｆギＩｆｅ’イ？ ス
は電解コンデンサを示す正断面図、第２図は第１図を構
成する複膜層を示す斜視図、第３図本発明の他の実施例
に係わる複膜層を示す斜視図、第４図は温度−静電容量
変化率特性曲線図、第５図は温度−ｔａｎδ特性曲線図
、第６図は温度−漏れ電流特性曲線図、第７図は周波数
−インピーダンス特性曲線図である。 （１）（１１）・・・・・・絶縁物 （２）・・・
・・・余白部（３）・・・・・・弁作用金属膜 （４
）・・・・・・陽極酸化皮膜（５）・・・・・・ＴＣＮ
Ｑ錯塩膜 （６）・・・・・・陰極電極膜（７）（１２
）・・・・・・複膜層 （８）・・・・・・電極引
出部！ｆギＩｆｅ’イ？ ス
Claims (3)
- （１）絶縁物の一面に形成した弁作用金属膜と、該金属
膜の表面に形成した陽極酸化皮膜と、該酸化皮膜上に形
成したＴＣＮＱ錯塩膜と、該ＴＣＮＱ錯塩膜上に形成し
た陰極電極膜とからなる複膜層と、該複膜層を積層また
は巻回し両端面に形成した電極引出部とを具備したこと
を特徴とする電解コンデンサ。 - （２）絶縁物がプラスチックフィルム、プラスチックシ
ート、セラミックシートからなることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の電解コンデンサ。 - （３）ＴＣＮＱ錯塩膜が２、２′−ビピリディニウム（
ＴＣＮＱ）＿２、４−ハイドロオキシ−Ｎ−ベンジルア
ニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−アミノ−２、３、５
、６−テトラメチルアニリニウム（ＴＣＮＱ）＿２、ピ
リデイニウム（ＴＣＮＱ）＿２、４−シアノ−Ｎメチル
−ピリデニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−Ｅエチルキノリ
ニウム（ＴＣＮＱ）＿２、Ｎ−（２−フェニチル）キノ
リニウム（ＴＣＮＱ）＿２からなることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項または特許請求の範囲第（２）
項記載の電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7864985A JPS61245515A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7864985A JPS61245515A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245515A true JPS61245515A (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=13667709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7864985A Pending JPS61245515A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122113A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | マルコン電子株式会社 | 積層形ペ−パ−レス電解コンデンサの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895548A (ja) * | 1972-03-17 | 1973-12-07 | ||
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7864985A patent/JPS61245515A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4895548A (ja) * | 1972-03-17 | 1973-12-07 | ||
| JPS55158620A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallic oxide capacitor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122113A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | マルコン電子株式会社 | 積層形ペ−パ−レス電解コンデンサの製造方法 |
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