JPS6358815A - 積層形ペ−パレス電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
積層形ペ−パレス電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS6358815A JPS6358815A JP20317086A JP20317086A JPS6358815A JP S6358815 A JPS6358815 A JP S6358815A JP 20317086 A JP20317086 A JP 20317086A JP 20317086 A JP20317086 A JP 20317086A JP S6358815 A JPS6358815 A JP S6358815A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は新規な構成からなる積層形ペーパレス電解コン
デンサの製造方法に関する。
デンサの製造方法に関する。
(従来の技術)
一般に乾式筒形電解コンデンサは、例えばアルミニウム
箔からなる一対のIC陰極箔に同じくアルミニウムから
なる一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互
間にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解
液を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封して
なるものである。一般にスペーサを介在する目的は一対
の陽陰極箔相互間の絶縁隔離および駆動用電解液の保持
であり、乾式酒屋電解コンデンサにおいては重要な構成
要件である。しかして、一般に用いられているスペーサ
はクラフト紙であるが、該クラフト紙は密度が0.3〜
0.8Q/α3と密度が比較的高く、また紙を構成する
1111の断面形状が偏平のため見掛は上の比抵抗が大
きくなりtanδ特性を損ね、またクラフト紙は抄紙技
術上の問題で厚みは30μm以上あり、これ以上薄くで
きず小形化を阻害する要因となっており、さらに過電圧
、逆電圧印加などによるコンデンサ破壊時に着火し継続
燃焼のおそれがあるなどの欠点をもっていた。そのため
現在クラフト紙に変え低密度のマニラ紙を用いる傾向に
あり、tanδ特性改善に大きく貢献しているが、マニ
ラ紙はクラフト紙に比べて価格が数倍と高く、加えて抄
紙後の強度をコンデンサの製造工程(特に巻取工程)に
酎えさせるためには厚さ40μm以上のものを用いなけ
ればならず依然として小形化の阻害要因となっていた。
箔からなる一対のIC陰極箔に同じくアルミニウムから
なる一対の引出端子を接続し、前記一対の陽陰極箔相互
間にスペーサを介在させ巻回し、しかるのち駆動用電解
液を含浸しケースに収納し、該ケース開口部を密封して
なるものである。一般にスペーサを介在する目的は一対
の陽陰極箔相互間の絶縁隔離および駆動用電解液の保持
であり、乾式酒屋電解コンデンサにおいては重要な構成
要件である。しかして、一般に用いられているスペーサ
はクラフト紙であるが、該クラフト紙は密度が0.3〜
0.8Q/α3と密度が比較的高く、また紙を構成する
1111の断面形状が偏平のため見掛は上の比抵抗が大
きくなりtanδ特性を損ね、またクラフト紙は抄紙技
術上の問題で厚みは30μm以上あり、これ以上薄くで
きず小形化を阻害する要因となっており、さらに過電圧
、逆電圧印加などによるコンデンサ破壊時に着火し継続
燃焼のおそれがあるなどの欠点をもっていた。そのため
現在クラフト紙に変え低密度のマニラ紙を用いる傾向に
あり、tanδ特性改善に大きく貢献しているが、マニ
ラ紙はクラフト紙に比べて価格が数倍と高く、加えて抄
紙後の強度をコンデンサの製造工程(特に巻取工程)に
酎えさせるためには厚さ40μm以上のものを用いなけ
ればならず依然として小形化の阻害要因となっていた。
また液体の駆動用電解液を使用しているためtanδ特
性改善にも限度があり、さらに液体の駆動用電解液は低
温で比抵抗が増大しやすく低温特性が極度に悪化し広温
度範囲で使用するには、信頼性に欠けるなど実用上解決
すべき問題をもっているばかりか、素子形状が巻回形で
しかも引出端子を途中挿入した構造であるため周波数特
性が悪い問題をも抱えていた。
性改善にも限度があり、さらに液体の駆動用電解液は低
温で比抵抗が増大しやすく低温特性が極度に悪化し広温
度範囲で使用するには、信頼性に欠けるなど実用上解決
すべき問題をもっているばかりか、素子形状が巻回形で
しかも引出端子を途中挿入した構造であるため周波数特
性が悪い問題をも抱えていた。
そのため近年、例えば特開昭58−17609号公報、
特開昭58−191414号公報または特開昭59−6
3604号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、N−n−プロピル(またはN−イソ−プロピル)
イソキノリン、N−エチルイソキノリン、N−n−ブチ
ルイソキノリン、N位を炭化水素基で直換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるTCNQ錯
塩を固体電解質として用い、特性を改善したものが提案
されている。しかして、このようなTCNQ錯塩を用い
てなる電解コンデンサは一般にこれらTCNQ[塩を溶
融含浸して用いる訳であるが、TCNQ錯塩を溶融含浸
する時に長時間加熱されるためTCNQ錯塩の伝導度が
減少しやす<tanδ特性に問題°があり、また素子形
状は従来どおり引出端子を巻回体の途中に挿入したタイ
プであるため高周波数での特性が悪く、しかもスペーサ
を用いているため陽・陰lf1間(約40〜50μm)
が広(、等価直列抵抗が大ぎいなど依然として解決すべ
き問題は残っていた。さらに上記公報に開示されたTC
NQ銘塩は真空蒸着が難しいばかりか、それ自体の温度
特性もそれほど良くない問題をも持っていた。
特開昭58−191414号公報または特開昭59−6
3604号公報に開示されているように駆動用電解液に
かえ、N−n−プロピル(またはN−イソ−プロピル)
イソキノリン、N−エチルイソキノリン、N−n−ブチ
ルイソキノリン、N位を炭化水素基で直換したキノリン
、イソキノリンまたはピリジンなどからなるTCNQ錯
塩を固体電解質として用い、特性を改善したものが提案
されている。しかして、このようなTCNQ錯塩を用い
てなる電解コンデンサは一般にこれらTCNQ[塩を溶
融含浸して用いる訳であるが、TCNQ錯塩を溶融含浸
する時に長時間加熱されるためTCNQ錯塩の伝導度が
減少しやす<tanδ特性に問題°があり、また素子形
状は従来どおり引出端子を巻回体の途中に挿入したタイ
プであるため高周波数での特性が悪く、しかもスペーサ
を用いているため陽・陰lf1間(約40〜50μm)
が広(、等価直列抵抗が大ぎいなど依然として解決すべ
き問題は残っていた。さらに上記公報に開示されたTC
NQ銘塩は真空蒸着が難しいばかりか、それ自体の温度
特性もそれほど良くない問題をも持っていた。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、上記問題
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た品持性が得られる新規な構成からなる17a層形ペー
パレス電解コンデンサの製造方法を提供することを目的
とするものである。
を一気に解決し、広い温度範囲の使用においても安定し
た品持性が得られる新規な構成からなる17a層形ペー
パレス電解コンデンサの製造方法を提供することを目的
とするものである。
[発明の構成]
く問題点を解決するための手段)
本発明の積層形ペーパレス電解コンデンサの製造方法は
、有機フィルムの長さ方向に複数の第一マージンを設け
弁作用金fIMをアルミラミネート()箔ラミネート有
機フィルムのアルミ箔の表面に陽極酸化皮膜を生成し、
該酸化皮膜上および第一マージン上にTCNQ錯塩を真
空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上に該
有機半導体膜の前記第一マージン間に位置する長さ方向
に第二マージンを設け陰極電極膜を形成し被層体を構成
し、前記第一マージンおよび第二マージンに沿って切断
し得た基本素子片を大口径ドラムに巻回し両端面に電極
引出部を形成して母木子を構成し、該母木子を半径方向
に切断することを特徴としたものである。
、有機フィルムの長さ方向に複数の第一マージンを設け
弁作用金fIMをアルミラミネート()箔ラミネート有
機フィルムのアルミ箔の表面に陽極酸化皮膜を生成し、
該酸化皮膜上および第一マージン上にTCNQ錯塩を真
空蒸着し有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜上に該
有機半導体膜の前記第一マージン間に位置する長さ方向
に第二マージンを設け陰極電極膜を形成し被層体を構成
し、前記第一マージンおよび第二マージンに沿って切断
し得た基本素子片を大口径ドラムに巻回し両端面に電極
引出部を形成して母木子を構成し、該母木子を半径方向
に切断することを特徴としたものである。
(作 用)
以上のように構成してなる[5形ペーパレス電解コンデ
ンサの製造方法によれば、電解質が蒸着構造であり、か
つペーパレスであるため広い温度範囲の使用においても
安定した品持性が得られ、しかも素子形状が無誘導タイ
プであるため、高周波数特性が改善できる。
ンサの製造方法によれば、電解質が蒸着構造であり、か
つペーパレスであるため広い温度範囲の使用においても
安定した品持性が得られ、しかも素子形状が無誘導タイ
プであるため、高周波数特性が改善できる。
(実施例)
以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
すなわち、第2図および第3図に示すように例えばポリ
エステル、トリアセテート、テトラフロロエチレン、ポ
リカーボネート、ポリアミド、ポリイミドなどからなる
プラスチックフィルム1の長さ方向に複数の第1マージ
ン2を設け純度99.99%以上の高純度のアルミ箔3
をラミネートしたアルミラミネート有機フィルム4を形
成したのち、化成工程によって陽極酸化し第4図に示す
ように前記アルミ箔3表面に陽極酸化皮膜5を生成し、
しかる後該陽極酸化皮膜5表面および第1マージン2上
に例えば2.2′−ビピリジニウム(TCNQ)2.4
−ハイドロオキシ−N−ペンジルアニリニウム(TCN
Q) 、 4−アミノ−2,3,5゜6−テトラメチ
ルアニリニウム(TCNQ)2、ピリジニウム(TCN
Q) 、 4−シアノ−Nメチル−ピリジニウム(T
CNQ)2、N−エチルキノリニウム(TCNQ)2、
N−(2−フェネチル)キノリニウム(TCNQ)2な
どからなるTCNQ錯塩を加熱100〜280℃、真空
度10 ’T orr以上、蒸着時間3C秒以上の条件
下で真空蒸着し有機半導体膜6を形成する。つぎに該有
機半々体膜6上に該有機半導体m6の前記第1マージン
2間に位匠する長さ方向に第2マージン7を設け銀、銅
または金などの導電性材料を真空蒸着、スパッタリング
または塗布して陰極電極gJ8を形成して被層体9を構
成する。
エステル、トリアセテート、テトラフロロエチレン、ポ
リカーボネート、ポリアミド、ポリイミドなどからなる
プラスチックフィルム1の長さ方向に複数の第1マージ
ン2を設け純度99.99%以上の高純度のアルミ箔3
をラミネートしたアルミラミネート有機フィルム4を形
成したのち、化成工程によって陽極酸化し第4図に示す
ように前記アルミ箔3表面に陽極酸化皮膜5を生成し、
しかる後該陽極酸化皮膜5表面および第1マージン2上
に例えば2.2′−ビピリジニウム(TCNQ)2.4
−ハイドロオキシ−N−ペンジルアニリニウム(TCN
Q) 、 4−アミノ−2,3,5゜6−テトラメチ
ルアニリニウム(TCNQ)2、ピリジニウム(TCN
Q) 、 4−シアノ−Nメチル−ピリジニウム(T
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N−(2−フェネチル)キノリニウム(TCNQ)2な
どからなるTCNQ錯塩を加熱100〜280℃、真空
度10 ’T orr以上、蒸着時間3C秒以上の条件
下で真空蒸着し有機半導体膜6を形成する。つぎに該有
機半々体膜6上に該有機半導体m6の前記第1マージン
2間に位匠する長さ方向に第2マージン7を設け銀、銅
または金などの導電性材料を真空蒸着、スパッタリング
または塗布して陰極電極gJ8を形成して被層体9を構
成する。
つぎに該被層体9の前記第1マージン2および第2マー
ジン7に沿って長さ方向(第4図点線部)に切断し第5
図に示すように基本素子片10を得る。つぎに該基本素
子片10を大口径ドラム(図示せず)に必要回数巻回し
、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥するかまた
は亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属をメタリ
コンし電極引出部11を形成した後前記大口径ドラム(
図示せず)から取りばずし第6図に示すような母素子1
2を得る。
ジン7に沿って長さ方向(第4図点線部)に切断し第5
図に示すように基本素子片10を得る。つぎに該基本素
子片10を大口径ドラム(図示せず)に必要回数巻回し
、両端面に銀または銅ペーストを塗布−乾燥するかまた
は亜鉛、アルミニウムまたはハンダなどの金属をメタリ
コンし電極引出部11を形成した後前記大口径ドラム(
図示せず)から取りばずし第6図に示すような母素子1
2を得る。
しかして、該母素子12を例えば回転鋸刃(図示せず)
を用いて半径方向に必要大きさに切断し第1図に示すよ
うに形成したコンデンサ素子13の電極引出部11に外
部端子14を溶接またはハンダ付けなどによって取着し
、ケースに収納するか樹脂被覆などを施し外装(図示せ
ず)を形成してなるものである。
を用いて半径方向に必要大きさに切断し第1図に示すよ
うに形成したコンデンサ素子13の電極引出部11に外
部端子14を溶接またはハンダ付けなどによって取着し
、ケースに収納するか樹脂被覆などを施し外装(図示せ
ず)を形成してなるものである。
以上のように構成してなる積層形ペーパレス′Fi解コ
ンデンサの製造方法によれば、有機半導体膜形成として
前述のようなTCNQ錯塩を用いるため真空蒸着が容易
となり、従来例の溶融含浸のように加熱されないので伝
導度が高くtanδ特性が良好であり、また前述のよう
なT CN Q 8N塩は温度変化による比抵抗の変化
は小さく、しかもスペーサを用いないため陽・陰極間の
抵抗も小さくでき、よって低温から高温の広い温度範囲
においてtanδ持性の変化・静電容量の変化および漏
れ電流特性の変化も少なく、さらには従来例と違い素子
形状が無誘導タイプとなるため高周波数でのインピーダ
ンス特性が大幅に改善されるなど多くのすぐれた効果を
奏する利点を有する。
ンデンサの製造方法によれば、有機半導体膜形成として
前述のようなTCNQ錯塩を用いるため真空蒸着が容易
となり、従来例の溶融含浸のように加熱されないので伝
導度が高くtanδ特性が良好であり、また前述のよう
なT CN Q 8N塩は温度変化による比抵抗の変化
は小さく、しかもスペーサを用いないため陽・陰極間の
抵抗も小さくでき、よって低温から高温の広い温度範囲
においてtanδ持性の変化・静電容量の変化および漏
れ電流特性の変化も少なく、さらには従来例と違い素子
形状が無誘導タイプとなるため高周波数でのインピーダ
ンス特性が大幅に改善されるなど多くのすぐれた効果を
奏する利点を有する。
つぎに本発明の実施例と従来の参考例との比較の一例に
ついて述べる。
ついて述べる。
実 施 例
厚さ10μmのポリエステルフィルムと厚さ10μmで
99.98%純度のアルミ箔をラミネートしたアルミラ
ミネート有機フィルムのアルミ箔表面をアジピン酸アン
モニウム10%水溶液中で100vの電圧を印加し陽極
酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表面に生成
した陽極酸化皮膜上に、2.2′−ビピリジニウム(T
CNQ)2を温度150℃、真空度10TOrr30分
間の条件で真空蒸着し厚さ5μmの有機半導体膜を形成
し、つぎに該有機半導体膜上にAgを真空蒸着し厚さ5
μmの陰極電極膜を形成して構成した被層体を切断し得
た基本素子片を大口径ドラムに巻回し、両端面にAgペ
ーストを塗布−乾燥し電極引出部を形成してなる母木子
を半径方向に切断し得たコンデンサ素子の電極引出部に
引出端子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆
してなる定格25WV−1,0μFのFA層形ペーパレ
ス電解コンデンサ(A)。
99.98%純度のアルミ箔をラミネートしたアルミラ
ミネート有機フィルムのアルミ箔表面をアジピン酸アン
モニウム10%水溶液中で100vの電圧を印加し陽極
酸化し、該陽極酸化によってアルミニウム膜表面に生成
した陽極酸化皮膜上に、2.2′−ビピリジニウム(T
CNQ)2を温度150℃、真空度10TOrr30分
間の条件で真空蒸着し厚さ5μmの有機半導体膜を形成
し、つぎに該有機半導体膜上にAgを真空蒸着し厚さ5
μmの陰極電極膜を形成して構成した被層体を切断し得
た基本素子片を大口径ドラムに巻回し、両端面にAgペ
ーストを塗布−乾燥し電極引出部を形成してなる母木子
を半径方向に切断し得たコンデンサ素子の電極引出部に
引出端子を溶着し、外装構造としてエポキシ樹脂を被覆
してなる定格25WV−1,0μFのFA層形ペーパレ
ス電解コンデンサ(A)。
参 考 例
アルミニウム箔表面を粗面化したのち陽極酸化皮膜生成
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した隙極箔問
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、エ
チレングリコール90%、アジピン酸アンモニウム10
%の駆動用電解液を含浸し、金属ケース外装としてなる
定格25WV−1,0μFの電解コンデンサ(B)。
した陽極箔とアルミニウム箔表面を粗面化した隙極箔問
にスペーサとしてマニラ紙を介在し巻回した素子に、エ
チレングリコール90%、アジピン酸アンモニウム10
%の駆動用電解液を含浸し、金属ケース外装としてなる
定格25WV−1,0μFの電解コンデンサ(B)。
なお上記(B)における引出端子は陽・陰極箔にステッ
チし引出した構造である。
チし引出した構造である。
しかして上記本発明に係る実茄例(A)と従来の参考例
(B)の温度に対する静電容■変化率およびtanδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第7図〜第9図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果第10図に示すようになった。
(B)の温度に対する静電容■変化率およびtanδ、
さらには漏れ電流を調べた結果第7図〜第9図に示すよ
うになり、また周波数−インピーダンス特性を調べた結
果第10図に示すようになった。
第7図〜第10図から明らかなように、いずれの特性に
おいても実施例(A)は参考例(B)より安定しており
、特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており
、本発明のすぐれた効果を実証した。
おいても実施例(A)は参考例(B)より安定しており
、特に高周波数でのインピーダンス特性がすぐれており
、本発明のすぐれた効果を実証した。
なお上記実施例では弁作用金属箔ラミネート有機フィル
ムの弁作用金属箔としてアルミニウム箔を用いるものを
例示して説明したが、例えばタンタル箔、チタン箔、ニ
オブ箔などを用いたものに適用できることは勿論である
。
ムの弁作用金属箔としてアルミニウム箔を用いるものを
例示して説明したが、例えばタンタル箔、チタン箔、ニ
オブ箔などを用いたものに適用できることは勿論である
。
[発明の効果]
本発明によればスペーサを廃止し、しかも有機半導体膜
として新規なTCNQm塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形ペー
パレス電解コンデンサの!1造方法を得ることができる
。
として新規なTCNQm塩を用いることによって安定し
た特性が得られる既存の電解コンデンサ構成の枠を越え
た全く新規な構成からなる実用的価値の高い積層形ペー
パレス電解コンデンサの!1造方法を得ることができる
。
第1図〜第4図は本発明の一実施例に係り、第1図は積
層形ペーパレス゛電解コンデンサを示す正断面図、第2
図および第3図は箔ラミネート有機フィルムを示すもの
で第2図は斜視図、第3図は第2図X−X断面図、第4
図は被層体を示す幅方向正面図、第5図は基本素子片を
示す幅方向正面図、第6図は母木子を示す斜視図、第7
図は温度−静電容重変化率特性曲線図、第8図は温度−
tanδ特性曲線図、第9図は温度−漏れ電流特性曲線
図、第10図は周波数−インピーダンス特性曲線図であ
る。 1・・・・・・プラスチックフィルム 2・・・・・・第1マージン 3・・・・・・アル
ミ箔4・・・・・・アルミラミネート有機フィルム5・
・・・・・陽極酸化皮膜 6・・・・・・有機半導
体膜7・・・・・・第2マージン 8・・・・・・
陰極電極膜9・・・・・・被層体 10・・・
・・・基本素子片11・・・・・・電極引出部 1
2・・・・・・ffl素子特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 箔ラミネート有機フィルムのX−X所面図第 3
図 ! :/: 被層体の幅方向正面図 第4図 基本素子片の幅方向正面図 第5図 母素子の斜視図 第6図 −60−40−200+20 +40 460
+80 +100二度(℃) 第7図 1度(℃) −60−40−200+20 +40 +60
+80 +1001度(℃) 第9図
層形ペーパレス゛電解コンデンサを示す正断面図、第2
図および第3図は箔ラミネート有機フィルムを示すもの
で第2図は斜視図、第3図は第2図X−X断面図、第4
図は被層体を示す幅方向正面図、第5図は基本素子片を
示す幅方向正面図、第6図は母木子を示す斜視図、第7
図は温度−静電容重変化率特性曲線図、第8図は温度−
tanδ特性曲線図、第9図は温度−漏れ電流特性曲線
図、第10図は周波数−インピーダンス特性曲線図であ
る。 1・・・・・・プラスチックフィルム 2・・・・・・第1マージン 3・・・・・・アル
ミ箔4・・・・・・アルミラミネート有機フィルム5・
・・・・・陽極酸化皮膜 6・・・・・・有機半導
体膜7・・・・・・第2マージン 8・・・・・・
陰極電極膜9・・・・・・被層体 10・・・
・・・基本素子片11・・・・・・電極引出部 1
2・・・・・・ffl素子特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 箔ラミネート有機フィルムのX−X所面図第 3
図 ! :/: 被層体の幅方向正面図 第4図 基本素子片の幅方向正面図 第5図 母素子の斜視図 第6図 −60−40−200+20 +40 460
+80 +100二度(℃) 第7図 1度(℃) −60−40−200+20 +40 +60
+80 +1001度(℃) 第9図
Claims (2)
- (1)有機フィルムの長さ方向に複数の第一マージンを
設け弁作用金属箔をラミネートし箔ラミネート有機フィ
ルムを形成する手段と、該弁作用金属箔の表面に陽極酸
化皮膜を生成する手段と、該酸化皮膜上および第一マー
ジン上にTCNQ錯塩を真空蒸着し有機半導体膜を形成
する手段と、該有機半導体膜上に該有機半導体膜の前記
第一マージン間に位置する長さ方向に第二マージンを設
け陰極電極膜を形成し被層体を構成する手段と、前記第
一マージンおよび第二マージンに沿って長さ方向に切断
し基本素子片を得る手段と、該基本素子片を大口径ドラ
ムに巻回し両端面に電極引出部を形成し母素子を得る手
段と、該母素子を半径方向に切断する手段とを具備した
ことを特徴とする積層形ペーパレス電解コンデンサの製
造方法。 - (2)TCNQ錯塩が2、2’−ビピリジニウム(TC
NQ)_2、4−ハイドロオキシ−N−べンジルアニリ
ニウム(TCNQ)_2、4−アミノ−2、3、5、6
−テトラメチルアニリニウム(TCNQ)_2、ピリジ
ニウム(TCNQ)_2、4−シアノ−Nメチル−ピリ
ジニウム(TCNQ)_2、N−エチルキノリニウム(
TCNQ)_2、N−(2−フェネチル)キノリニウム
(TCNQ)_2からなることを特徴とする特許請求の
範囲第(1)項記載の積層形ペーパレス電解コンデンサ
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20317086A JPS6358815A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 積層形ペ−パレス電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20317086A JPS6358815A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 積層形ペ−パレス電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6358815A true JPS6358815A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16469611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20317086A Pending JPS6358815A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 積層形ペ−パレス電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6358815A (ja) |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP20317086A patent/JPS6358815A/ja active Pending
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