JPS6291443U - - Google Patents

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JPS6291443U
JPS6291443U JP1985182883U JP18288385U JPS6291443U JP S6291443 U JPS6291443 U JP S6291443U JP 1985182883 U JP1985182883 U JP 1985182883U JP 18288385 U JP18288385 U JP 18288385U JP S6291443 U JPS6291443 U JP S6291443U
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図〜第４図は本考案の実施例を示し、第１
図は本考案による樹脂封止形半導体装置の側面図
、第２図はこの裏面図、第３図は本考案の樹脂封
止形半導体装置の放熱体を取付けた場合における
第１図のＡ―Ａ線断面図、第４図は第３図と同様
の場合を示す部分的平面図、第５図〜第９ｂ図は
本考案の他の実施例を示し、第５図〜第８ａ図及
び第９ａ図は第２図に対応する裏面図、第８ｂ図
は第８ａ図の側面図、第９ｂ図は第９ａ図の側面
図を示す。第１０図〜第１４図は従来例を示し、
第１０図は従来の樹脂封止形半導体装置の断面図
、第１１図は第１０図の裏面図、第１２図は従来
の樹脂封止形半導体装置に放熱体を取付けた場合
の断面図、第１３図は第１２図のＢ―Ｂ線断面図
、第１４図は第１３図と同様の場合を示す部分的
平面図である。 １……半導体チツプ、２……支持板、３……保
護樹脂、４……封止樹脂、４ａ……絶縁層、４ｂ
……裏面、４ｃ……傾斜面、４ｄ，４ｅ……隅部
、４ｆ……中心部、５ａ，５ｂ，５ｃ……外部リ
ード、６……貫通孔、７……放熱体、１４……封
止樹脂の亀裂、１５……凹部、１６，１７……凹
部の端部、ｈ……凹部の深さ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 支持板に半導体チツプが接着され、該半導
    体チツプ及び前記支持板が封止樹脂で被覆される
    と共に、前記半導体チツプに電気的に接続された
    外部リードが前記封止樹脂から導出され、該封止
    樹脂には貫通孔が形成され、更に前記支持板の裏
    面には前記封止樹脂による絶縁層が形成され、か
    つ前記貫通孔に装着された取付具により放熱体を
    前記絶縁層と接触するように取付けることが可能
    な樹脂封止形半導体装置において、 前記封止樹脂の裏面には、前記貫通孔に隣接す
    る前記封止樹脂の裏面の隅部を含む凹部が形成さ
    れ、前記取付具により前記放熱体が前記半導体装
    置に取付けられたとき、前記隅部が前記放熱体と
    接触しないか又は前記隅部の前記放熱体への押圧
    力が弱められることを特徴とする樹脂封止形半導
    体装置。 (2) 前記封止樹脂の裏面の全体形状はほぼ長方
    形で、少なくとも１個形成された前記貫通孔が前
    記封止樹脂の裏面に表われる四辺のうちの一辺と
    対向する辺より前記一辺に接近しており、該一辺
    の両端の隅部は前記凹部に含まれ、前記凹部は前
    記一辺を挾む平行な二辺に沿つて該平行な二辺を
    含みつつ伸び、かつ前記凹部は、前記貫通孔の内
    周上の前記一辺に最近接の点を通る前記一辺に平
    行な直線を越えて伸びるが、前記一辺と対向する
    辺までは伸びない実用新案登録請求の範囲第(1)
    項記載の樹脂封止形半導体装置。 (3) 前記凹部は、前記半導体チツプの側面上の
    前記一辺に最近接の点を通る前記一辺に平行な直
    線を越えては伸びない実用新案登録請求の範囲第
    (2)項記載の樹脂封止形半導体装置。 (4) 前記凹部は、前記隅部において０．１mm以
    上の深さを有する実用新案登録請求の範囲第(1)
    項又は第(2)項記載の樹脂封止形半導体装置。
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JPH0412676Y2 JPH0412676Y2 (ja) 1992-03-26

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WO2019225521A1 (ja) * 2018-05-25 2019-11-28 Koa株式会社 抵抗器

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Also Published As

Publication number Publication date
JPH0412676Y2 (ja) 1992-03-26

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